JP2008277373A - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents

Abstract

【目的】渦電流によるビームの描画位置のずれを低減する描画装置及び方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビーム２００を照射する電子銃２０１と、電子ビーム２００を偏向する主偏向器２１４と、試料１０１を載置して連続移動するＸＹステージ１０５と、試料上に焦点合わせを行なう対物レンズ２０７と、対物レンズ２０７に起因する第１の磁場と、第１の磁場とステージの移動とによって生じる渦電流によって生じる第２の磁場とに基づく試料面上での電子ビーム２００の位置ずれを補正する補正量を計算する補正量計算部１２６と、補正量を用いて試料面での位置ずれを補正した補正位置を計算するオフセット部１２８と、補正位置に荷電粒子ビームが偏向されるように主偏向器２１４を制御する偏向制御回路１１０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、渦電流による磁場の影響分の位置補正を行なうことができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、渦電流に起因する磁場による荷電粒子ビームの位置ずれを補正する描画装置及び方法に関する。

半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。

図７は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。まず、第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向される。そして、可変成形開口４２１の一部を通過して、ステージ上に搭載された試料に照射される。ステージは、描画中、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動している。このように、開口４１１と可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、試料３４０の描画領域に描画される。開口４１１と可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。

ここで、上述したステージ上に搭載された試料３４０に電子ビームが照射される際に、対物レンズにより焦点が調整される。かかる対物レンズの磁場の一部が、ステージ上に漏れている場合、ステージ上の導電性部品内に渦電流が生じる。かかる渦電流によりステージ上に磁場が発生し、描画位置に誤差が生じてしまう。かかる渦電流に関する電磁力学について、文献に記載がされている（例えば、非特許文献１参照）。
北海道大学 本間利久他"「数値電磁力学」基礎と応用"，日本シミュレーション学会／編，２００２年６月

上述したように、対物レンズの磁場がステージ上にある導体部品にかかる場合、渦電流が生じる。この渦電流により生じる磁場により描画位置精度が劣化してしまうといった問題があった。渦電流はステージ上の部品の形状や材料を考慮することによりある程度は低減することも可能かもしれないが、部品の形状や材質は製造或いは精度面から設計変更するにも限界がある。また、ステージ速度を遅くすることにより渦電流を低減させることも考えられるがその場合には描画時間が増加してしまい、スループットが低下してしまうといった問題があった。

そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、ビームの描画位置のずれを低減する描画装置及び方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
荷電粒子ビームを照射する照射部と、
荷電粒子ビームを偏向する偏向器と、
試料を載置して連続移動するステージと、
荷電粒子ビームを試料上に焦点合わせを行なう対物レンズと、
対物レンズに起因する第１の磁場と、第１の磁場とステージの移動とによって生じる渦電流によって生じる第２の磁場とに基づく試料面上での荷電粒子ビームの位置ずれを補正する補正量を計算する補正量計算部と、
補正量を用いて試料面での位置ずれを補正した補正位置を計算する補正位置計算部と、
補正位置に荷電粒子ビームが偏向されるように偏向器を制御する偏向制御部と、
を備えたことを特徴とする。

また、試料面上の複数の位置で求めた、ステージ速度を因数として補正量を近似した近似式の係数を複数の位置と関連させて定義した相関マップを記憶する記憶部と、
ステージ速度を計算する速度計算部と、
をさらに備え、
補正量計算部は、記憶部に記憶された係数を用いて、速度計算部で計算されたステージ速度を因数として前記補正量を計算するようにすると好適である。

また、補正量計算部は、相関マップを用いて描画の進行に合わせてリアルタイムで位置ずれ量を計算するとなお好適である。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
試料が載置されたステージを連続移動させながら対物レンズで焦点調整された荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、
ステージ上の描画空間をメッシュ状の複数の小空間に仮想分割する工程と、
対物レンズに起因する第１の磁場とステージの移動とによって生じる渦電流を小空間毎に計算する工程と、
渦電流によって生じる第２の磁場を小空間毎に計算する工程と、
第１と第２の磁場を合成する工程と、
第１と第２の磁場が合成された第３の磁場に基づく荷電粒子の位置ずれ量を小空間毎に計算する工程と、
小空間毎の荷電粒子の位置ずれ量に基づいて、試料面での位置ずれを補正する補正量を計算する工程と、
補正量を用いて試料面での位置ずれを補正した位置に前記荷電粒子ビームを照射して、試料面上に所定のパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。

また、本発明の他の態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
荷電粒子ビームを試料上に焦点合わせを行なう対物レンズに起因する第１の磁場と、第１の磁場と試料を載置するステージの移動とによって生じる渦電流によって生じる第２の磁場とに基づく試料面上での前記荷電粒子ビームの位置ずれを補正する補正量を計算する工程と、
補正量を用いて試料面での位置ずれを補正した補正位置を計算する工程と、
補正位置に荷電粒子ビームを照射して、試料面上に所定のパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、渦電流による磁場の影響分の位置補正を行なうことができるので、ステージの速度を低下させることなくビームの描画位置のずれを低減することができる。

以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子を用いたビームでも構わない。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例となる。そして、描画装置１００は、試料１０１に所望するパターンを描画する。制御部１６０は、偏向制御回路１１０、レーザ測長計１１２、デジタルアナログ変換器（ＤＡＣ）１１４、増幅器（アンプ）１１６、磁気ディスク装置１１８、制御計算機１２０、及びメモリ１３２を備えている。描画部１５０は、電子鏡筒１０２、描画室１０３を有している。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、副偏向器２１２、及び主偏向器２１４が配置されている。また、描画室１０３内には、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５が配置されている。また、ＸＹステージ１０５上には、試料１０１とミラー１０９が配置されている。試料１０１として、例えば、ウェハにパターンを転写する露光用のマスクが含まれる。また、このマスクは、例えば、まだ何もパターンが形成されていないマスクブランクスが含まれる。また、磁気ディスク装置１１８には、相関マップ１３４が格納されている。また、制御計算機１２０内では、マップ係数取得部１２２、速度計算部１２４、補正量計算部１２６、オフセット部１２８、及び描画データ処理部１３０といった機能の処理が実行される。ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。

また、図１では、コンピュータとなる制御計算機１２０で、マップ係数取得部１２２、速度計算部１２４、補正量計算部１２６、オフセット部１２８、及び描画データ処理部１３０といった機能の処理を実行するように記載しているがこれに限るものではなく、電気的な回路によるハードウェアにより実施させても構わない。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組み合わせにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組み合わせでも構わない。

照射部の一例となる電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向制御回路１１０に制御された主偏向器２１４及び副偏向器２１２により偏向される。その結果、連続移動するＸＹステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。描画データは、描画データ処理部１３０で処理され、ショットデータに変換される。このショットデータに従って、所望する位置に所定のパターンが描画される。

図２は、実施の形態１におけるステージ移動の様子を説明するための図である。
試料１０１に描画する場合には、ＸＹステージ１０５を例えばＸ方向に連続移動させながら、描画（露光）面を電子ビーム２００が偏向可能な短冊状の複数のストライプ領域に仮想分割された試料１０１の１つのストライプ領域上を電子ビーム２００が照射する。ＸＹステージ１０５のＸ方向の移動は、連続移動とし、同時に電子ビーム２００のショット位置もステージ移動に追従させる。連続移動させることで描画時間を短縮させることができる。そして、１つのストライプ領域を描画し終わったら、ＸＹステージ１０５をＹ方向にステップ送りしてＸ方向（今度は逆向き）に次のストライプ領域の描画動作を行なう。各ストライプ領域の描画動作を蛇行させるように進めることでＸＹステージ１０５の移動時間を短縮することができる。

図３は、実施の形態１における磁場及び渦電流の発生メカニズムについて説明するための概念図である。
描画装置１００内では、対物レンズ２０７等の電子レンズの磁場１０の一部がＸＹステージ１０５上に漏れている場合、ＸＹステージ１０５が速度Ｖで移動することによりＸＹステージ１０５上の導電性部品２１０に渦電流（ｅｄｄｙ ｃｕｒｒｅｎｔ）２０が生じる。そして、ＸＹステージ１０５上に渦電流２０が発生すると、かかる渦電流２０による磁場３０がＸＹステージ１０５上に発生する。この磁場１０，３０の影響を受けて、電子ビーム２００中の電子の軌道にずれが生じることになる。

図４は、実施の形態１における磁場に起因するパターンの位置ずれについて説明するための概念図である。
磁場１０，３０が生じていない場合、すなわち、渦電流２０が生じていない場合には、試料１０１にパターン４０が一列に並ぶ。しかしながら、照射される電子ビーム２００は、磁場１０の磁束密度Ｂ_１と磁場３０の磁束密度Ｂ_２とによって曲げられてしまう。そのため、それによって描画されるパターンは、パターン５０のように位置ずれを生じることになる。実施の形態１では、この位置ずれを補正するように描画する。

図５は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。
図５において、実施の形態１における描画方法は、まず、描画前の準備段階として、メッシュ空間分割工程（Ｓ１０２）と、渦電流計算工程（Ｓ１０４）と、磁場計算工程（Ｓ１０６）と、磁場合成工程（Ｓ１０８）と、ずれ量計算工程（Ｓ１１０）と、補正量計算工程（Ｓ１１２）と、マップ作成工程（Ｓ１１４）という一連の工程を実施する。そして、描画方法は、描画段階として、位置測長工程（Ｓ２０２）と、係数取得工程（Ｓ２０４）と、ステージ速度計算工程（Ｓ２０６）と、補正量計算工程（Ｓ２０８）と、オフセット工程（Ｓ２１０）と、描画工程（Ｓ２１２）という一連の工程を実施する。

Ｓ（ステップ）１０２において、メッシュ空間分割工程として、まず、ＸＹステージ１０５上の描画空間をメッシュ状の複数のメッシュ空間（小空間）に仮想分割する。例えば、対物レンズ２０７の設置位置付近から試料１０１の描画面までの空間についてメッシュ空間に仮想分割すると好適である。

Ｓ１０４において、渦電流計算工程として、対物レンズ２０７に起因する磁場１０（第１の磁場）とＸＹステージ１０５の移動とによって生じる渦電流２０をメッシュ空間毎に計算する。まず、導電性部品２１０の形状等の境界条件によって決まる各メッシュ空間における電場Ｅは、磁場１０の磁束密度Ｂ_１と回転∇の各ベクトルと時間ｔとを用いて、以下に示すマクセル方程式（１）で表わすことができる。

そして、ここで求めた電場Ｅと渦電流２０を発生させる導電性部品２１０の材質等で決まる電気伝導度σを用いて、渦電流２０の電流Ｊは、以下に示す式（２）で表わすことができる。

このように、導電性部品２１０の形状、材質、位置等をパラメータとして、導電性部品２１０に発生する渦電流２０の電流Ｊを求めることができる。

Ｓ１０６において、磁場計算工程として、渦電流２０によって生じる磁場３０（第２の磁場）をメッシュ空間毎に計算する。各メッシュ空間における磁場３０の磁束密度Ｂ_２は、渦電流２０の電流Ｊと電流の向きｓと位置ｒの各ベクトルと真空中の透磁率μ_０とを用いて、以下に示すビオサバール（Ｂｉｏ−Ｓａｖａｒｔ）の法則に沿った式（３）で表わすことができる。

Ｓ１０８において、合成工程として、磁場１０と磁場３０を合成する。合成された合成磁場（第３の磁場）の磁束密度Ｂ_０は、磁場１０の磁束密度Ｂ_１に磁場３０の磁束密度Ｂ_２を加算する以下の式（４）で表わすことができる。

Ｓ１１０において、電子の位置ずれ量計算工程として、合成磁場に基づく電子の位置ずれ量をメッシュ空間毎に計算する。ある時間ｔにおける電子の位置ｒは、合成磁場の磁束密度Ｂ_０と電子の速度ｖの各ベクトルと電子の質量ｍと電荷ｅとを用いて、以下の式（５）で表わすことができる。メッシュ空間毎に順に電子の位置を計算していき、試料１０１面上での各位置を描画する際の電子ビーム２００のずれ量を計算する。

Ｓ１１２において、補正量計算工程として、求めた試料１０１面上での各位置を描画する際の電子ビーム２００のずれ量を補正する補正量（ΔＸ，ΔＹ）を計算する。

Ｓ１１４において、マップ作成工程として、試料１０１面上の複数の位置で求めた補正量についてステージ速度Ｖを因数として近似した以下の近似式（６−１）及び近似式（６−２）の各係数（Ａ_ｉ，ｊ，Ｂ_ｉ，ｊ，Ｃ_ｉ，ｊ，Ｄ_ｉ，ｊ）を試料１０１面上の各位置と関連させて定義した相関マップ１３４を作成する。渦電流２０の電流Ｊは、ステージ速度Ｖに比例するので、磁場３０の磁束密度Ｂ_２もステージ速度Ｖに比例する。その結果、電子ビーム２００の補正量（ΔＸ，ΔＹ）はステージ速度Ｖを因数として近似することができる。ｘ方向のステージ速度をＶ_ｘ、ｙ方向のステージ速度をＶ_ｙとする。また、試料１０１面上の各位置の座標は、（ｉ，ｊ）で表わすものとする。

以上のようにして求めた相関マップ１３４を磁気ディスク装置１１８に格納しておく。そして、次に実際の描画段階へと移る。

図６は、実施の形態１における位置ずれ補正の方法を説明するための概念図である。
Ｓ２０２において、位置測長工程として、レーザ測長計１１２は、描画中に描画の進行に合わせてリアルタイムでミラー１０９に照射したレーザの反射光を受光して、ＸＹステージ１０５の位置（Ｘ，Ｙ）を測長する。

Ｓ２０４において、係数取得工程として、マップ係数取得部１２２は、まず、描画中にリアルタイムでＸＹステージ１０５のレーザ座標（Ｘ，Ｙ）から描画面上の座標（ｉ，ｊ）を求める。続いて、マップ係数取得部１２２は、リアルタイムで磁気ディスク装置１１８から相関マップ１３４を読み出し、座標（ｉ，ｊ）の各係数（Ａ_ｉ，ｊ，Ｂ_ｉ，ｊ，Ｃ_ｉ，ｊ，Ｄ_ｉ，ｊ）を取得する。

Ｓ２０６において、ステージ速度計算工程として、速度計算部１２４は、描画中に描画の進行に合わせてリアルタイムでＸＹステージ１０５のレーザ座標（Ｘ，Ｙ）を微分して、ｘ方向のステージ速度Ｖ_ｘとｙ方向のステージ速度Ｖ_ｙを求める。

Ｓ２０８において、補正量計算工程として、補正量計算部１２６は、座標（ｉ，ｊ）での試料１０１面での電子ビーム２００の位置ずれを補正する補正量（ΔＸ，ΔＹ）を計算する。補正量計算部１２６は、描画中に描画の進行に合わせてリアルタイムでステージ速度（Ｖ_ｘ，Ｖ_ｙ）と各係数（Ａ_ｉ，ｊ，Ｂ_ｉ，ｊ，Ｃ_ｉ，ｊ，Ｄ_ｉ，ｊ）を入力する。そして、補正量（ΔＸ，ΔＹ）は、式（６−１）及び式（６−２）に従って求めればよい。

Ｓ２１０において、オフセット工程として、オフセット部１２８は、ｘ方向のレーザ座標Ｘに補正量ΔＸを加算し、ｙ方向のレーザ座標Ｙに補正量ΔＹを加算して、電子ビーム２００を偏向する位置をオフセットする。このようにして、試料面での位置ずれ量を補正した位置（Ｘ＋ΔＸ，Ｙ＋ΔＹ）を計算する。オフセット部１２８は、補正位置計算部の一例となる。

Ｓ２１２において、描画工程として、描画部１５０は、試料１０１面での位置ずれ量を補正した補正位置（Ｘ＋ΔＸ，Ｙ＋ΔＹ）に電子ビーム２００を照射して、試料１０１面上に所定のパターンを描画する。具体的には、オフセットした補正位置（Ｘ＋ΔＸ，Ｙ＋ΔＹ）を描画中に描画の進行に合わせてリアルタイムで偏向制御回路１１０に設定する。そして、偏向制御回路１１０は、デジタル制御信号をＤＡＣ１１４に出力する。そして、ＤＡＣ１１４ではデジタル制御信号をアナログ電圧信号に変換する。そして、アンプ１１６でアナログ電圧信号を増幅して、主偏向器２１４に印加する。その結果、主偏向位置が補正位置（Ｘ＋ΔＸ，Ｙ＋ΔＹ）に補正される。このように、偏向制御回路１１０は、渦電流２０に起因した磁場３０等によって曲げられる電子ビーム２００が補正位置に偏向されるように主偏向器２１４を制御することができる。

以上のように実施の形態１では、ステージ速度を落とすことなく描画を行なうことが可能となる。そのため、スループットの低下を抑えることができる。また、予め、渦電流による位置ずれ量が予測できるので必要な精度に応じて部品の材質を選択することができる。その結果、費用の削減にもつなげることができる。

以上の説明において、「〜部」或いは「〜工程」と記載したものの処理内容或いは動作内容は、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成してもよい。或いは、ハードウェアにより構成しても構わない。或いは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組み合わせにより実施させても構わない。或いは、ファームウェアとの組み合わせでも構わない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置１１８、図示していない磁気テープ装置、ＦＤ、ＤＶＤ、ＣＤ或いはＲＯＭ（リードオンリメモリ）等の読み取り可能な記録媒体に記録される。

また、図１において、制御計算機１２０は、さらに、図示していないバスを介して、記憶装置の一例となるＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ、磁気ディスク（ＨＤ）装置、入力手段の一例となるキーボード（Ｋ／Ｂ）、マウス、出力手段の一例となるモニタ、プリンタ、或いは、入力出力手段の一例となる外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）、ＦＤ、ＤＶＤ、ＣＤ等に接続されていても構わない。

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画方法及び装置は、本発明の範囲に包含される。

実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態１におけるステージ移動の様子を説明するための図である。 実施の形態１における磁場及び渦電流の発生メカニズムについて説明するための概念図である。 実施の形態１における磁場に起因するパターンの位置ずれについて説明するための概念図である。 実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。 実施の形態１における位置ずれ補正の方法を説明するための概念図である。 従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。

符号の説明

１０，３０ 磁場
２０ 渦電流
４０，５０ パターン
１００ 描画装置
１０１，３４０ 試料
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１１０ 偏向制御回路
１１２ レーザ測長計
１１４ ＤＡＣ
１１６ アンプ
１１８ 磁気ディスク装置
１２０ 制御計算機
１２２ マップ係数取得部
１２４ 速度計算部
１２６ 補正量計算部
１２８ オフセット部
１３０ 描画データ処理部
１３２ メモリ
１３４ 相関マップ
１５０ 描画部
１６０ 制御部
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３，４１０ 第１のアパーチャ
２０４ 投影レンズ
２０５ 偏向器
２０６，４２０ 第２のアパーチャ
２０７ 対物レンズ
２０９ ミラー
２１０ 導電性部品
２１２ 副偏向器
２１４ 主偏向器
３３０ 電子線
４１１ 開口
４２１ 可変成形開口
４３０ 荷電粒子ソース

Claims (5)

1. 荷電粒子ビームを照射する照射部と、
   前記荷電粒子ビームを偏向する偏向器と、
   試料を載置して連続移動するステージと、
   前記荷電粒子ビームを前記試料上に焦点合わせを行なう対物レンズと、
   前記対物レンズに起因する第１の磁場と、前記第１の磁場と前記ステージの移動とによって生じる渦電流によって生じる第２の磁場とに基づく前記試料面上での前記荷電粒子ビームの位置ずれを補正する補正量を計算する補正量計算部と、
   前記補正量を用いて前記試料面での位置ずれを補正した補正位置を計算する補正位置計算部と、
   前記補正位置に前記荷電粒子ビームが偏向されるように前記偏向器を制御する偏向制御部と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. 前記試料面上の複数の位置で求めた、前記ステージ速度を因数として前記補正量を近似した近似式の係数を前記複数の位置と関連させて定義した相関マップを記憶する記憶部と、
   前記ステージ速度を計算する速度計算部と、
   をさらに備え、
   前記補正量計算部は、前記記憶部に記憶された前記係数を用いて、前記速度計算部で計算された前記ステージ速度を因数として前記補正量を計算することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
3. 前記補正量計算部は、前記相関マップを用いて描画の進行に合わせてリアルタイムで前記補正量を計算することを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
4. 試料が載置されたステージを連続移動させながら対物レンズで焦点調整された荷電粒子ビームを用いて前記試料にパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、
   前記ステージ上の描画空間をメッシュ状の複数の小空間に仮想分割する工程と、
   前記対物レンズに起因する第１の磁場と前記ステージの移動とによって生じる渦電流を前記小空間毎に計算する工程と、
   前記渦電流によって生じる第２の磁場を前記小空間毎に計算する工程と、
   前記第１と第２の磁場を合成する工程と、
   前記第１と第２の磁場が合成された第３の磁場に基づく荷電粒子の位置ずれ量を前記小空間毎に計算する工程と、
   前記小空間毎の荷電粒子の位置ずれ量に基づいて、前記試料面での位置ずれを補正する補正量を計算する工程と、
   前記補正量を用いて前記試料面での位置ずれを補正した位置に前記荷電粒子ビームを照射して、前記試料面上に所定のパターンを描画する工程と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
5. 荷電粒子ビームを試料上に焦点合わせを行なう対物レンズに起因する第１の磁場と、前記第１の磁場と前記試料を載置するステージの移動とによって生じる渦電流によって生じる第２の磁場とに基づく前記試料面上での前記荷電粒子ビームの位置ずれを補正する補正量を計算する工程と、
   前記補正量を用いて前記試料面での位置ずれを補正した補正位置を計算する工程と、
   前記補正位置に前記荷電粒子ビームを照射して、前記試料面上に所定のパターンを描画する工程と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。

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