JP2010206126A - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビームの光軸ずれ補正方法 - Google Patents

Abstract

【目的】高速にブランカーでビームをＯＮ／ＯＦＦさせた場合でもビームの光軸ずれを補正する装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、ＸＹステージ１０５と、ステージ側に電子ビーム２００を放出する電子銃２０１と、ブランキングアパーチャ２１４と、電圧反射を抑えるためにブランキング用の電極に終端抵抗を有し、この電極に所定の電圧を印加することにより電極を通過する電子ビームをブランキングアパーチャ２１４上へと偏向するブランカー２１２と、ブランカー２１２への電圧印加を繰り返してビームＯＮ／ＯＦＦさせることで発生する電子ビームの光軸ずれを補正するアライメントコイル２１６と、光軸ずれ量を補正するようにアライメントコイル２１６を制御するアライメントコイル制御回路１３０と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビームの光軸ずれ補正方法に係り、例えば、電子ビームを可変成形させながら試料にパターンを描画する描画装置における電子ビームの光軸ずれ補正に関する。

半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。

図８は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。

ここで、電子ビーム描画装置では、ビームを試料上に照射する動作とビームが照射されないようにカットする動作を行なう。ビームを試料上に照射する動作では、電子ビームにブランキングアパーチャの開口部を通過させる。また、ビームが照射されないようにカットする動作では、ブランカーで電子ビームをブランキングアパーチャの遮へい部分に偏向することで電子ビームを遮へいする。これらの動作を繰り返し行なうことによってパターンを試料上に描画している。半導体デバイスの微細化に伴って描画パターンの図形数が増加するため高い生産性を得るためにはこれらの動作を高速に行なうことが可能なブランキング機構が必要となる。かかる高速性を実現するために、ブランカーの電極に終端抵抗を接続してインピーダンスマッチングを取り、電圧を印加した際にブランキング信号の反射波を抑制する方法がある（例えば、特許文献１参照）。

また、描画する前には、電子ビームの光軸を調整する必要があるが、従来、電子ビームの光軸は、ブランカーに印加する電圧をある定常状態（ここでは０Ｖ）に設定してビームＯＮ状態にしてブランキングアパーチャの開口部の中心を電子ビームが通過するように調整していた。そして、調整後の描画装置を用いて、上述した構成のブランカーの電極に、電子ビームのＯＮ／ＯＦＦを制御するためのブランキング信号となる高周波パルスを印加すると、調整したはずの電子ビームの光軸がずれてしまうといった問題があった。かかる現象は、例えば、反射波を抑えるためにブランキング電極に終端抵抗を取り付けた場合、電極に高周波パルスを印加した際に各電極では表皮効果により電極の表面に電流が集中してしまうことで、高周波パルスの印加電圧をゼロにした瞬間、電極の表面を流れていた残留する電流によって渦電流が発生し、磁界が発生したことが原因として考えられる。

電子ビームの光軸がずれるとビームをＯＮにしてブランキングアパーチャに電子ビームが通過できる状態にしても電子ビームの一部がブランキングアパーチャによってカットされ電流透過率が低下してしまう。そのため、試料上へ到達する電子ビームの照射量が減少してしまう場合がある。電子ビームの照射量の減少は、パターン寸法精度を劣化させてしまうといった問題につながる。

さらに、電子ビームの光軸がずれるとその後に通過するはずの対物レンズ等の電子レンズの中心を電子ビームが通らなくなり、軸上非点、偏向非点、及び偏向歪みの原因にもなってしまう。

特開平１１−１５００５５号公報

上述したように、上述した構成のブランカーの電極に、高周波パルスを印加すると、調整したはずの電子ビームの光軸がずれてしまうといった問題があった。発明者等の実験によれば、かかるずれは、照射サイクル比に応じてずれ量が顕著になった。このように電子ビームの光軸がずれてしまうと、パターン寸法精度の劣化や、軸上非点、偏向非点、及び偏向歪みを引き起こし得るといった問題があった。しかし、従来、かかる問題を解決する手法が確立されていなかった。

本発明は、かかる問題を克服し、高速でビームをＯＮ／ＯＦＦさせた場合でもビームの光軸ずれを補正する装置および方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
試料を載置するステージと、
ステージ側に荷電粒子ビームを放出する放出部と、
放出部とステージとの間に配置され、放出された荷電粒子ビームを遮へいする遮へい部と、
電圧が印加されることで電流が流れる電極を有し、電極に所定の電圧を印加することにより電極を通過する荷電粒子ビームを遮へい部上へと偏向する偏向器と、
偏向器への２段階の電圧を印加し、荷電粒子ビームの試料上への照射（ビームＯＮ）とビームの遮蔽（ビームＯＦＦ）を連続的に繰り返させることで発生する荷電粒子ビームの光軸ずれを補正する光軸調整部と、
光軸ずれ量を補正するように光軸調整部を制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする。

かかる電極には、印加電圧の反射波を抑えるために終端抵抗が取り付けられる。

また、光軸調整部を制御する複数の制御値が定義され、実際の描画の際には、レジストの種類に応じて露光量が変わるため、レジストに応じて決定される平均的な照射サイクル比を得て、この比に応じた制御値が設定されるようにコントロールされると好適である。

本発明の一態様の荷電粒子ビームの光軸ずれ補正方法は、
電圧が印加されることで電流が流れる電極を有するブランカーへの印加電圧をビームＯＮさせる電圧に設定した状態で、荷電粒子ビームの光軸を調整する工程と、
荷電粒子ビームの光軸が調整された後に、ブランカーへ２段階の電圧印加を繰り返すことによりビームをＯＮ／ＯＦＦさせながら前記光軸の位置を調整することで荷電粒子ビームの光軸ずれ量を補正する工程と、
を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、高速でビームをＯＮ／ＯＦＦさせた場合でもビームの光軸ずれを補正することができる。

実施の形態１における電子ビーム描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態１における電子ビーム描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態１における荷電粒子ビームの光軸ずれ補正方法の主要工程を示すフローチャート図である。 実施の形態１における電子ビームの光軸の状態を示す概念図である。 実施の形態１における電子ビームの光軸がずれた状態と補正した状態とを示す概念図である。 実施の形態１における照射サイクル比を説明するためのフロー図である。 実施の形態１における電流が流れるブランカーに高周波パルスを印加した際の電流透過率と照射サイクル比との関係を示す図である。 従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。

以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。

実施の形態１．
図１及び図２は、実施の形態１における電子ビーム描画装置の構成を示す概念図である。図１及び図２において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例となる。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を有している。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１（放出部）、照明レンズ２０２、ブランカー２１２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、アライメントコイル２１６、ブランキングアパーチャ２１４（制限アパーチャ）、縮小レンズ２０９、対物レンズ２０７、及び偏向器２０８が配置されている。また、描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置されている。ＸＹステージ１０５上には、ファラディカップ２１８が配置されている。描画する際には、ＸＹステージ１０５上のファラディカップ２１８が配置されている位置とは異なる位置に描画対象となる試料が配置されることになる。また、ブランカー２１２は、一対の電極で構成され、電圧が印加される各電極にはそれぞれ抵抗１２６（終端抵抗）が接続され、抵抗１２６の他方の接続側はアース（地絡）されている。電極は一対に限定されるものではなく、電極間を電子ビーム２００が通過する対となる対向する電極を備えていればよく、４極、或いはそれ以上の複数の電極でも構わない。

また、配置順序は、例えば、電子銃２０１、ブランカー２１２、第１のアパーチャ２０３、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、アライメントコイル２１６、ブランキングアパーチャ２１４、対物レンズ２０７、偏向器２０８及びＸＹステージ１０５の順で上方から配置されている。対物レンズ２０７と偏向器２０８の順序は逆でも同位置でも構わない。また、ブランキングアパーチャ２１４の位置はブランカー２１２の下流側であれば適宜変更しても構わない。また、電子鏡筒１０２内およびＸＹステージ１０５が配置された描画室１０３内は、図示していない真空ポンプにより真空引きされ、大気圧よりも低い圧力となる真空雰囲気となっている。

制御部１６０は、制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１２０、デジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）１２２、アンプ１２４、アライメントコイル制御回路１３０、検出アンプ１４０を有している。制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１２０、アライメントコイル制御回路１３０、及び検出アンプ１４０は、図示しないバスにより互いに接続されている。偏向制御回路１２０は、ＤＡＣ１２２及びアンプ１２４を介してブランカー２１２に接続されている。アライメントコイル制御回路１３０はアライメントコイル２１６に接続されている。検出アンプ１４０はファラディカップ２１８に接続されている。

図１及び図２では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。また、図２では、電子ビーム２００の流れを詳細に示している。

電子銃２０１から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴（開口部）を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、ブランキングアパーチャ２１４の開口部を通過し、縮小レンズ２０９で所定の倍率で縮小された後、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向器２０８により偏向され、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５上のレジストが塗布された試料１０１に照射される。このように第２のアパーチャ像の電子ビーム２００が所望の位置に照射されることで試料１０１上に所望のパターンが描画される。ブランキングアパーチャ２１４の開口部は、光軸が実質的に理想位置に調整されないとビーム全体が通過できない程度の大きさに形成される。

ビームＯＮの場合、ブランカー２１２には電圧が０Ｖに設定され、電子銃２０１から出た電子ビーム２００が、照明レンズ２０２により図１或いは図２に示したように第１のアパーチャ全体を照明する。そして、上述したような軌道を通って、電子ビーム２００が試料１０１の所望の位置に照射される。

これに対して、ビームＯＦＦ（ブランキング電圧がＶｂ）の場合、偏向制御回路１２０から出力されたブランキング信号がＤＡＣ１２２でアナログ信号（電圧）に変換され、アンプ１２４で増幅された上でブランカー２１２に印加される。ブランカー２１２の対向電極には他方と正負の符号が逆になる電圧がそれぞれ印加されている。また、この対向電極はアース電位となっていても良い。実施の形態１では、ブランカー２１２の各電極には抵抗１２６を介してアースされているので電圧が印加されることで電流が流れる。ブランカー２１２に電圧が印加されると、電子ビーム２００が偏向され、下流側のブランキングアパーチャ２１４の開口部以外の遮へい部に照射される。これにより、ブランキングアパーチャ２１４で電子ビームがカットされ、それ以降には照射されなくなる。

以上のようにビームのＯＮ／ＯＦＦを行なうことで、１つのショットが試料面に照射され、必要な箇所に必要な照射量の電子ビーム２００のショットを行なうことができる。かかる構成にすることにより可変成形型（ＶＳＢ型）ＥＢ描画装置とすることができる。

図３は、実施の形態１における荷電粒子ビームの光軸ずれ補正方法の主要工程を示すフローチャート図である。図３において、実施の形態１における荷電粒子ビームの光軸ずれ補正方法は、光軸調整工程（Ｓ１０２）と、光軸ずれ補正工程（Ｓ１０４）といった一連の各工程を実施する。そして、荷電粒子ビームの光軸ずれ補正が終了した後に描画工程（Ｓ１０６）を行なう。

光軸調整工程（Ｓ１０２）として、まず、ブランカー２１２にビームがＯＮ状態になる電圧を印加（ここでは０Ｖ）してアパーチャ中心にビームが通るように、電子ビーム２００の光軸を調整する。例えば、まず、理想上での光軸上にファラディカップ２１８が位置するようにＸＹステージ１０５を移動させる。そして、偏向器２０５を調整して、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００全体が第２のアパーチャ２０６の開口部を通過するようにし、通過後の電子ビーム２００をファラディカップ２１８に照射する。そして、ファラディカップ２１８で検出される電流量が最大となるようにアライメントコイル２１６（光軸調整部）で電子ビーム２００の光軸を移動させることで調整する。アライメントコイル２１６は、アライメントコイル制御回路１３０（制御部）によって制御される。

図４は、実施の形態１における電子ビームの光軸の状態を示す概念図である。図４に示すように、光軸調整がされた電子ビーム２００は、ブランカー２１２にビームがＯＮ状態になる電圧を印加（ここでは０Ｖ）して、ブランキングアパーチャ２１４の開口部の中心を通過するように調整される。少なくともブランキングアパーチャ２１４に照射されるビーム全体がブランキングアパーチャ２１４の開口部の中心を通過するように調整される。そして、ブランカー２１２に電圧Ｖｂが印加された（ビームＯＦＦ）状態では、ビーム全体がブランキングアパーチャ２１４の遮へい部に照射され、開口部を通過しないように偏向される。かかる状態が維持できれば、そのまま描画することができる。

図５は、実施の形態１における電子ビームの光軸がずれた状態と補正した状態とを示す概念図である。上述したように光軸を調整した後でも、ブランカー２１２の各電極に、高周波パルスを印加すると、図５（ａ）に示すように、調整したはずの電子ビーム２００の光軸がずれてしまう。そこで、実施の形態１では、かかる光軸ずれを補正する。例えば、まず、理想上での光軸上にファラディカップ２１８が位置するようにＸＹステージ１０５を移動させておく。そして、偏向器２０５を調整して、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００全体が第２のアパーチャ２０６の開口部を通過するようにし、ビームＯＮの状態で、ブランキングアパーチャ２１４を通過後の電子ビーム２００がファラディカップ２１８に照射されるように各構成を制御しておく。

光軸ずれ補正工程（Ｓ１０４）として、電子ビーム２００の光軸が調整された後に、ブランカー２１２への電圧の印加を繰り返しＯＮ／ＯＦＦさせながら光軸調整させることで電子ビーム２００の光軸ずれ量を補正する。具体的には、まず、ブランカー２１２の電極に、描画時と同じ動作条件でビームＯＮ／ＯＦＦの高周波パルスを印加する。そして、検出アンプ１４０（測定部）は、所定の期間、ブランカー２１２への電圧の印加を繰り返させてビームＯＮ／ＯＦＦさせた際にブランキングアパーチャ２１４（遮へい部）を通過してファラディカップ２１８に照射される電子ビーム２００の電流値を測定する。測定された電流値は制御計算機１１０に出力される。アライメントコイル２１６で電子ビーム２００の位置を移動させながら同様に電流値を測定する。図５（ａ）に示したように一部の電子ビーム２００がブランキングアパーチャ２１４で遮へいされると、ファラディカップ２１８に照射される電子ビーム２００の照射量が減少する。そのため、ファラディカップ２１８に照射される電子ビーム２００の電流値を測定することで、電子ビーム２００の照射位置がずれているかどうかを把握することができる。瞬時の電流値では光軸ずれの検出は困難であるが、実施の形態１では、所定の期間の電流量の平均値を電流値の測定値とすることで、誤差を抑制することができる。そして、制御計算機１１０は検出アンプ１４０からの出力を受け、電子ビーム２００の光軸の位置が累積された電流値が最大となる位置になるようにアライメントコイル制御回路１３０に制御信号を出力する。アライメントコイル制御回路１３０（制御部）は、アライメントコイル２１６（光軸調整部）を制御して、アライメントコイル２１６で電流値が最大となる位置に電子ビーム２００の光軸の位置を移動させる。電流値が最大となる位置は図５（ｂ）に示すように、電子ビーム２００がブランキングアパーチャ２１４で遮へいされなくなる位置のはずである。言い換えれば、制御計算機１１０からの信号に基づいてアライメントコイル制御回路１３０（制御部）はアライメントコイル２１６により光軸ずれ量を補正するようにアライメントコイル２１６を制御する。これにより、ずれた光軸を補正することができる。

ここでは、ファラディカップ２１８で電流値を測定することで、電子ビーム２００の照射位置がずれているかどうかを把握する場合について説明したが、これに限るものではない。例えば、ブランキングアパーチャ２１４の上部に図示しない検出器を配置して、ブランキングアパーチャ２１４に遮へいされて反射した反射電子をかかる検出器で測定し、反射電子が最小になる位置にアライメントコイル２１６で電子ビーム２００の光軸の位置を移動させるようにしても好適である。

図６は、実施の形態１における照射サイクル比を説明するためのフロー図である。照射サイクル比は、ショット毎のビームＯＮ時間とＯＦＦ時間の割合で定義している。例えば、図６（ａ）に示す設定では、ビームＯＮとなるブランカー２１２への印加電圧を０ＶにするビームＯＮ時間（第１の時間）とビームＯＦＦとなるブランカー２１２への印加電圧をＶｂにするビームＯＦＦ時間（第２の時間）とが７：３の比率で示されている。この場合の照射サイクル比は、０．３（すなわち３０％）となる。一方、図６（ｂ）に示す設定では、ビームＯＮ時間とビームＯＦＦ時間が１：１の比率となるので、照射サイクル比＝０．５（すなわち５０％）の場合を示している。渦電流が存在する場合、照射サイクル比に応じて照射量が変化してしまうため、描画する際に使用するレジストの感度によって平均的な照射サイクル比を求めておき、この比に合わせたアライメント値の調整が必要になる。

図７は、実施の形態１における電流が流れるブランカーに高周波パルスを印加した際の電流透過率と照射サイクル比との関係を示す図である。図７において、”アライメントシフト無し”で示す実施の形態１における光軸ずれの補正をしない場合、照射サイクル比が１００％に近いほど（ビームＯＮ時間が長いほど）電流透過率は１００％に近い。すなわち、ブランカー２１２に高周波パルスを印加した際の光軸ずれが小さいことがわかる。逆に、照射サイクル比が０％に近いほど（ビームＯＦＦ時間が長いほど）電流透過率は劣化する。すなわち、ブランカー２１２に高周波パルスを印加した際の光軸ずれが大きいことがわかる。図７の例では、光軸ずれ補正工程（Ｓ１０４）として、照射サイクル比が５０％の場合に電流透過率は１００％になるように補正した例を示している。言い換えれば、照射サイクル比が５０％の場合に電子ビーム２００の光軸ずれが無くなるように補正した例を示している。

ここで、描画の際に使用するレジストの感度によって、かかる照射サイクル比は変更されるので、実施の形態１では、かかる光軸ずれを補正するアライメントコイル２１６を制御するための複数の制御値を定義しておく。複数の制御値はメモリ１１２或いは図示しない記憶装置に格納しておけばよい。図７に示すグラフを予め実験により求めておき、所望するデューティ比で１００％の電流透過率となる制御値を各デューティ比で求めておけばよい。

そして、描画対象となる試料上に低感度のレジストが選択された場合には、そのレジスト感度に一致する照射サイクル比を求め、この比に対応した制御値がメモリから読み出されて、描画時にアライメントコイル２１６が読み出された制御値で制御されることによってアライメント補正が行なわれる。このように制御すると電子ビーム２００の透過量が最大となる制御値が用いられ、無補正の状態に比較して効率の良い描画が可能になる。

逆に、基準となるレジストよりも高感度で感光する高感度レジストが選択される場合にも同様に、照射サイクル比に応じた制御値がメモリから読み出され、描画時にアライメントコイル２１６が読み出された制御値で制御されることによってアライメント補正が行なわれる。このように制御すると電子ビーム２００の透過量が最大となる制御値が用いられる、無補正の状態に比較して効率の良い描画が可能になる。

以上のように、ブランカー２１２に高周波パルスを印加した際の光軸ずれを補正することで、ビームＯＮの状態で電子ビーム２００の一部がブランキングアパーチャ２１４によってカットされてしまうことを防止することができる。その結果、パターン寸法精度の劣化を抑制することができる。

さらに、同様に光軸ずれを補正することで、対物レンズ２０７等の電子レンズの中心を電子ビーム２００が通らなくなることを防止することができる。その結果、軸上非点、偏向非点、及び偏向歪みを抑制することができる。

ブランカー２１２に高周波パルスを印加した際の光軸ずれを補正した後、描画工程（Ｓ１０６）として、描画部１５０は、レジストが塗布された試料１０１上に所定のパターンを描画する。これにより、高精度な寸法のパターンを得ることができる。

なお、ブランカー２１２に高周波パルスを印加せずに光軸調整を行なう場合（光軸調整工程（Ｓ１０２）を行なう場合）には、事前に光軸ずれ補正工程（Ｓ１０４）で補正した分を元に戻しておけばよいことは言うまでもない。

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。ここでは、ＶＳＢ型の描画装置につい説明したが、電極に電流が流れる偏向器を用いた描画装置であれば同様に当てはまる。

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置、描画方法及び荷電粒子ビームの光軸ずれ補正方法は、本発明の範囲に包含される。

１００ 描画装置
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１１０ 制御計算機
１１２ メモリ
１２０ 偏向制御回路
１２２ ＤＡＣ
１２４ アンプ
１２６ 抵抗
１３０ アライメントコイル制御回路
１４０ 検出アンプ
１５０ 描画部
１６０ 制御部
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３，４１０ 第１のアパーチャ
２０４ 投影レンズ
２０５，２０８ 偏向器
２０６，４２０ 第２のアパーチャ
２０７ 対物レンズ
２０９ 縮小レンズ
２１２ ブランカー
２１４ ブランキングアパーチャ
２１６ アライメントコイル
２１８ ファラディカップ
３３０ 電子線
３４０ 試料
４１１ 開口
４２１ 可変成形開口
４３０ 荷電粒子ソース

Claims (5)

1. 試料を載置するステージと、
   前記ステージ側に荷電粒子ビームを放出する放出部と、
   前記放出部と前記ステージとの間に配置され、放出された荷電粒子ビームを遮へいする遮へい部と、
   電圧が印加されることで電流が流れる電極を有し、前記電極に所定の電圧を印加することにより前記電極を通過する前記荷電粒子ビームを前記遮へい部上へと偏向する偏向器と、
   前記偏向器への２段階の電圧を印加し、荷電粒子ビームの試料上への照射（ビームＯＮ）と前記ビームの遮蔽（ビームＯＦＦ）を連続的に繰り返させることで発生する前記荷電粒子ビームの光軸ずれを補正する光軸調整部と、
   前記光軸ずれ量を補正するように前記光軸調整部を制御する制御部と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. 前記光軸調整部を制御する複数の制御値がメモリに格納され、
   レジスト種類に応じて、あらかじめ、ビームＯＮ時間とビームＯＦＦ時間の比となる照射サイクル比を求めておき、前記照射サイクル比に応じた制御値を前記メモリから読み出して、描画時には読み出された制御値で前記光軸調整部は制御されることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
3. 所定の期間、前記偏向器への２段階の電圧印加を繰り返してビームをＯＮ／ＯＦＦさせた際に前記遮へい部を通過する前記荷電粒子ビームの電流値を測定する測定部をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
4. 前記電極には、終端抵抗が取り付けられることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
5. 電圧が印加されることで電流が流れる電極を有するブランカーへの印加電圧をビームＯＮさせる電圧に設定した状態で、荷電粒子ビームの光軸を調整する工程と、
   前記荷電粒子ビームの光軸が調整された後に、前記ブランカーへ２段階の電圧印加を繰り返すことによりビームをＯＮ／ＯＦＦさせながら前記光軸の位置を調整することで前記荷電粒子ビームの光軸ずれ量を補正する工程と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビームの光軸ずれ補正方法。

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