JP2009009996A - フリップチップボンディング方法およびフリップチップボンディング装置 - Google Patents
フリップチップボンディング方法およびフリップチップボンディング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009009996A JP2009009996A JP2007167436A JP2007167436A JP2009009996A JP 2009009996 A JP2009009996 A JP 2009009996A JP 2007167436 A JP2007167436 A JP 2007167436A JP 2007167436 A JP2007167436 A JP 2007167436A JP 2009009996 A JP2009009996 A JP 2009009996A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- head
- semiconductor element
- substrate
- bonding
- conductive material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【解決手段】ボンディングヘッド100により半導体素子10を加熱して支持し、半導体素子に形成されたバンプ12を、基板20の接続パッド22に被着された接合用の導電材24に接触させて押圧しながら導電材を溶融させる工程においては、規制手段44a、44bによりヘッド軸40の横方向の変位を規制して半導体素子10を基板20に押圧し、導電材24を溶融する工程に引き続いて、前記バンプ12を前記接続パッド22に当接させ、前記ボンディングヘッド100により半導体素子を基板に加圧する工程においては、規制手段44a、44bによる規制を解除し、前記ガイド部42により前記ヘッド軸40をガイドして加圧する。
【選択図】図2
Description
図5(a)に示すように、ボンディングヘッド100は半導体素子10をエア吸着によって支持するヘッド部30と、ヘッド部30を昇降させるヘッド軸40とを備える。ヘッド部30は半導体素子10を吸着支持するアタッチ部30aと、放熱フィン部30bと、ヒータアタッチ部30cとを備え、ヒータアタッチ部30c、放熱フィン部30b、アタッチ部30aの内部を経由して、アタッチ部30aの半導体素子10の吸着面で一端が開口するエア流路32が設けられている。ヘッド軸40はエアベアリングを利用してガイド部42により摺動可能に支持されている。
フリップチップボンディングでは、バンプ12をはんだ24に当接させ、はんだ24を軟化させて若干押し下げながら溶融させる。したがって、バンプ12が接続パッド22に対して位置ずれした状態で押圧すると、図6(b)、(d)に示すように、はんだ24の斜面にバンプ12が当接し、バンプ12に対してバンプ12を横方向に偏位させる向きに横荷重が作用する。この横荷重は、図6(d)に示すように、はんだ24が山形にプリコートされている場合にはより強く作用し、エアベアリングは横方向の荷重に対しては弱いため、図6(c)に示すように、ボンディング装置のヘッド軸40が横方向に偏位し、バンプ12が接続パッド22に対してさらに位置ずれして接合されるという結果を招く。
ヘッド軸40とガイド部42とのエアベアリングによる空隙は5μm程度であるが、最近の半導体装置は接続パッド22のピッチが狭くなっているから、数μm程度の位置ずれであっても製品の製造精度、信頼性、歩留まりの点で無視できない。はんだ24の凸形を抑えるため、はんだ24をプリコートした後に、平押し成形によってはんだ24の頂部を平坦化する方法も考えられるが、この方法の場合は、押し型にはんだ24が転写されるといった不具合も生じるため現実的ではない。
すなわち、ボンディングヘッドにより半導体素子を加熱して支持し、半導体素子に形成されたバンプを、基板の接続パッドに被着された接合用の導電材に接触させて押圧しながら導電材を溶融させる工程と、該導電材を溶融する工程に引き続いて、前記バンプを前記接続パッドに当接させ、前記ボンディングヘッドにより半導体素子を基板に加圧する工程とを備えるフリップチップボンディング方法において、前記ボンディングヘッドは、前記半導体素子を支持するヘッド部と、該ヘッド部を支持するヘッド軸と、前記ヘッド軸の押圧方向への移動をエアベアリング作用によりガイドするガイド部と、前記ヘッド軸の、前記押圧方向に直交する横方向への、変位を規制する規制手段とを備え、前記導電材を溶融させる工程においては、前記規制手段により前記ヘッド軸の横方向の変位を規制して前記半導体素子を前記基板に押圧し、前記半導体素子を基板に加圧する工程においては、前記規制手段による規制を解除し、前記ガイド部により前記ヘッド軸をガイドして加圧することを特徴とする。なお、ガイド部によりヘッド軸をガイドして加圧する際には、エアベアリング作用によってヘッド軸がガイドされて加圧される。
また、前記半導体素子を基板に加圧する工程に引き続き、前記ボンディングヘッドを強制的に冷却し、前記導電材を硬化させて半導体素子を基板に接合する工程を備えることにより、効率的に半導体素子が基板に接合される。
また、前記ヘッド部は、半導体素子をエア吸着して支持するアタッチ部と、前記導電材を硬化させる際にヘッド部を冷却するための放熱フィン部と、前記導電材を溶融する温度にヘッド部を加圧するヒータが内蔵されたヒータアタッチ部とを備えることにより、フリップチップボンディング操作を効率的に行うことができる。
(フリップチップボンディング装置の構成)
図1は本発明に係るフリップチップボンディング装置の主要構成部分であるボンディングヘッドの構成を示す。本実施形態のボンディングヘッド100は、半導体素子10を支持するヘッド部30と、ヘッド部30を昇降駆動するヘッド軸40とを備える。ヘッド部30は、半導体素子10を吸着支持するアタッチ部30aと、放熱フィン部30bと、ヒータアタッチ部30cとから構成される。ヘッド軸40はガイド部42により、エアベアリング作用によって昇降方向がガイドされる。
ヒータアタッチ部30cは、はんだ24が溶融する温度にまでヘッド部30を加熱するためのもので、ヒータ(不図示)を内蔵している。ヒータには通電装置が接続され、通電装置は制御部によってヒータへの通電が制御される。ヒータアタッチ部30cも平面形状が矩形に形成される。
放熱フィン部30bにはエアブロー装置(不図示)が接続され、放熱フィン部30bから放熱させる際に放熱フィンの間から冷却用のエアが放出されるよう構成される。
上記アタッチ部30a、放熱フィン部30bおよびヒータアタッチ部30cは、銅あるいはアルミニウム等の熱伝導性の良好な素材によって形成される。
本実施形態においては、ヘッド軸40が横方向に偏位することを防止する規制手段として、ガイド部42の下端と上端にヘッド軸40の側面に当接して転動する規制用のローラ44a、44bを設けたことを特徴とする。
図2、3に上記ボンディングヘッドを備えたフリップチップボンディング装置を用いて半導体素子10を基板20にフリップチップボンディングする工程を示す。
図2(a)は、ベース25に基板20を位置合わせしてセットし、ボンディングヘッドに半導体素子10をエア吸着した状態を示す。基板20はベース25にエア吸着して支持される。半導体素子10はエア流路32を介してエア吸引機構によりアタッチ部30aの下面に裏面がエア吸着されて支持される。
ヘッド部30のヒータアタッチ部30cは300℃程度に加熱されており、放熱フィン部30bおよびアタッチ部30aから半導体素子10に熱伝導し、バンプ12がはんだ24に接触することによってはんだ24が溶融しはじめる。
バンプ12をはんだ24に接触させる操作は、はんだ24を溶融させることを主たる目的とするが、はんだ24は溶融するまでは固体であるから、ヘッド部30によって半導体素子10を押し下げてバンプ12によってはんだ24を加圧すると、前述したようにヘッド部30は横荷重を受ける。
この冷却工程は、半導体素子10をエア流路32を介してエア吸引しアタッチ部30aにエア吸着した状態で行う。放熱フィン部30bの放熱作用を利用することによってはんだ24を効率的に硬化させることができる。図3(c)は、ヘッド部30が温度降下し、はんだ24が硬化した状態を示している。
この状態から次回のフリップチップボンディング操作に移行する。すなわち、ヘッド部30が温度降下した状態でヘッド部30に次の半導体素子10がエア吸着され、上述したサイクルにしたがって、次回のフリップチップボンディング操作がなされる。
12 バンプ
20 基板
22 接続パッド
24 はんだ
30 ヘッド部
30a アタッチ部
30b 放熱フィン部
30c ヒータアタッチ部
32 エア流路
40 ヘッド軸
42 ガイド部
44a、44b ローラ
46a、46b 逃げ凹部
50 カメラ
Claims (6)
- ボンディングヘッドにより半導体素子を加熱して支持し、半導体素子に形成されたバンプを、基板の接続パッドに被着された接合用の導電材に接触させて押圧しながら導電材を溶融させる工程と、
該導電材を溶融する工程に引き続いて、前記バンプを前記接続パッドに当接させ、前記ボンディングヘッドにより半導体素子を基板に加圧する工程とを備えるフリップチップボンディング方法において、
前記ボンディングヘッドは、前記半導体素子を支持するヘッド部と、該ヘッド部を支持するヘッド軸と、前記ヘッド軸の押圧方向への移動をエアベアリング作用によりガイドするガイド部と、前記ヘッド軸の、前記押圧方向に直交する横方向への、変位を規制する規制手段とを備え、
前記導電材を溶融させる工程においては、前記規制手段により前記ヘッド軸の横方向の変位を規制して前記半導体素子を前記基板に押圧し、
前記半導体素子を基板に加圧する工程においては、前記規制手段による規制を解除し、前記ガイド部により前記ヘッド軸をガイドして加圧することを特徴とするフリップチップボンディング方法。 - 前記半導体素子をボンディングヘッドに支持し、前記基板をベースに支持した後、
前記バンプと接続パッドとをボンディング位置に位置合わせする位置合わせ工程を備えることを特徴とする請求項1記載のフリップチップボンディング方法。 - 前記半導体素子を基板に加圧する工程に引き続き、前記ボンディングヘッドを強制的に冷却し、前記導電材を硬化させて半導体素子を基板に接合する工程を備えることを特徴とする請求項1または2記載のフリップチップボンディング方法。
- 半導体素子を支持するヘッド部と、該ヘッド部を支持するヘッド軸と、該ヘッド軸の押圧方向への移動ををエアベアリング作用によりガイドするガイド部と、前記ヘッド軸の、前記押圧方向に直交する横方向への、変位を規制する規制手段とを有するボンディングヘッドを備えたフリップチップボンディング装置であって、
前記ヘッド軸と前記ガイド部との一方に規制手段を、他方に前記規制手段と干渉しない非干渉部を設け、
前記ボンディングヘッドにより半導体素子を支持して半導体素子に形成されたバンプを、基板の接続パッドに被着された接合用の導電材に接触させて押圧しながら導電材を溶融させる工程においては、前記規制手段により前記ヘッド軸の横方向の変位を規制して前記半導体素子を前記基板に押圧し、
前記導電材が溶融し、前記半導体素子を基板に加圧する工程においては、前記ヘッド軸と前記ガイド部とを相対的に移動させ、前記規制手段を前記非干渉部に位置させ、前記ガイド部により前記ヘッド軸をガイドして加圧することを特徴とするフリップチップボンディング装置。 - 前記規制手段が、前記ガイド部に取り付けられ、前記ヘッド軸の側面に当接して転動するローラであり、
前記非干渉部が、前記ヘッド軸の側面に形成された逃げ凹部であることを特徴とする請求項4記載のフリップチップボンディング装置。 - 前記ヘッド部は、半導体素子をエア吸着して支持するアタッチ部と、前記導電材を硬化させる際にヘッド部を冷却するための放熱フィン部と、前記導電材を溶融する温度にヘッド部を加圧するヒータが内蔵されたヒータアタッチ部とを備えることを特徴とする請求項4または5記載のフリップチップボンディング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007167436A JP4879828B2 (ja) | 2007-06-26 | 2007-06-26 | フリップチップボンディング方法およびフリップチップボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007167436A JP4879828B2 (ja) | 2007-06-26 | 2007-06-26 | フリップチップボンディング方法およびフリップチップボンディング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009009996A true JP2009009996A (ja) | 2009-01-15 |
JP4879828B2 JP4879828B2 (ja) | 2012-02-22 |
Family
ID=40324835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007167436A Active JP4879828B2 (ja) | 2007-06-26 | 2007-06-26 | フリップチップボンディング方法およびフリップチップボンディング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4879828B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000353725A (ja) * | 1999-04-05 | 2000-12-19 | Toray Eng Co Ltd | チップ実装方法及びその装置 |
JP2003303856A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体チップボンディング用ヘッドおよび半導体チップボンディング方法 |
JP2005277407A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-10-06 | Isel Co Ltd | 電子部品実装装置 |
-
2007
- 2007-06-26 JP JP2007167436A patent/JP4879828B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000353725A (ja) * | 1999-04-05 | 2000-12-19 | Toray Eng Co Ltd | チップ実装方法及びその装置 |
JP2003303856A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体チップボンディング用ヘッドおよび半導体チップボンディング方法 |
JP2005277407A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-10-06 | Isel Co Ltd | 電子部品実装装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4879828B2 (ja) | 2012-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101163590B1 (ko) | 실장장치 | |
EP1777738A1 (en) | Component mounting method and component mounting apparatus | |
KR20080079885A (ko) | 칩 본딩 툴, 그 본딩 툴을 구비하는 플립 칩 본딩 장치 및 방법 | |
JP2010034423A (ja) | 加圧加熱装置及び方法 | |
JP2012015255A (ja) | 電子部品実装装置及び電子部品実装方法 | |
KR102497661B1 (ko) | 실장 장치 및 실장 방법 | |
KR100826862B1 (ko) | 접합 방법 및 접합 장치 | |
US10847434B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, and mounting apparatus | |
TW201705323A (zh) | 安裝裝置及安裝方法 | |
JP4879828B2 (ja) | フリップチップボンディング方法およびフリップチップボンディング装置 | |
WO2019054284A1 (ja) | 圧着ヘッドおよび実装装置 | |
KR102347123B1 (ko) | 본딩 헤드 및 이를 갖는 본딩 장치 | |
JP6325053B2 (ja) | 接合システム、接合方法、および半導体デバイスの製造方法 | |
JP2006303060A (ja) | ボンディング装置およびボンディングヘッドならびに電子部品のボンディング方法 | |
JP2013012539A (ja) | 圧着装置および圧着方法 | |
JP6530234B2 (ja) | 電子部品搭載装置及び電子部品の搭載方法 | |
JP3848893B2 (ja) | 部品の基板への部品押圧接合装置及び接合方法 | |
JP2513052B2 (ja) | フリップチップ用実装装置 | |
JP4354873B2 (ja) | 電子部品実装ツール | |
JPH08293525A (ja) | リード付き基板の接合方法 | |
JP5973753B2 (ja) | チップ受け渡し治具およびチップ受け渡し方法 | |
JPH11345816A (ja) | はんだバンプ形成方法および装置 | |
JP3780214B2 (ja) | Icの加圧圧着方法 | |
KR101150672B1 (ko) | 솔더 전사 장치 및 이를 이용한 솔더 전사 방법 | |
JP2008300508A (ja) | 圧着装置および電子装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111117 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111122 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4879828 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209 Year of fee payment: 3 |