JP2008545886A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 隣接する少なくとも一方の面（３）が少なくとも１０重量％のクロムを含有する基体合金より成る、厚さが３ｍｍより薄い金属ストリップ（２）を含み、該金属ストリップの少なくとも一方の面の基体合金がニッケル、ルテニウム、コバルト、パラジウムまたはこれらの合金の表面層（４）を備える金属ストリップ要素（１）であって、炭素原子および／または窒素原子（５）が、圧縮応力を与える表面層に隣接する基体合金に溶解し、基体合金に炭化物および／または窒化物が実質的に存在しないことを特徴とする金属ストリップ要素（１）。
2. 基体合金がステンレス鋼またはニッケル基合金であることを特徴とする請求項１に記載の金属ストリップ要素。
3. 金属ストリップ（２）の全体が基体金属より成ることを特徴とする請求項１または２に記載の金属ストリップ部材。
4. 基体合金が析出硬化型ステンレス鋼、好ましくはマルテンサイト系析出硬化型ステンレス鋼であることを特徴とする請求項３に記載の金属ストリップ部材。
5. 両方の面（３）、（８）が前記表面層（４）を備えていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の金属ストリップ部材。
6. 金属ストリップが冷間圧延され、１０００ＭＰａ以上の引張り強さを有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の金属ストリップ部材。
7. 表面層（４）の平均厚さが２μｍより薄く、好ましくは０．３μｍより薄いことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の金属ストリップ部材。
8. 請求項１〜７のいずれかに記載の金属ストリップ部材より作られることを特徴とする弾力性を有するコンタクトスプリング部材（９）。
9. 厚さが３ｍｍより薄く、隣接する少なくとも一方の面が、少なくとも１０重量％のクロムを含有する基体合金より成る金属ストリップを備える工程と、
   金属ストリップの少なくとも一方の面の基体合金の酸化物層を除去する工程と、
   金属ストリップの前記面にニッケル、ルテニウム、コバルト、パラジウムまたはこれらの合金である表面層をコーティングする工程と、
   炭素および／または窒素を含むガスを用い、前記表面層を介して基体合金の表面硬化を行い、これにより表面層を介して炭素原子および／または窒素原子を拡散し、炭素原子および／または窒素原子を表面層に隣接する基体合金に溶解し、圧縮応力が表面層に隣接する基体合金に生じる工程であって、表面硬化を炭化物および／または窒化物が形成する温度より低い温度で実施する工程と、
   を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の金属ストリップ部材の製造方法。
10. 表面硬化がＮＨ_３のような窒素を含有するガスを用い、窒化物が形成する温度よりも低い温度、好ましくは約４５０℃より低い温度で実施する窒化工程であることを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
11. 表面硬化がＣＯのような炭素を含有するガスを用い、炭化物が形成する温度よりも低い温度、好ましくは約５５０℃より低い温度、より好ましくは約５１０℃よりも低い温度での浸炭工程であることを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
12. 前記金属ストリップの全体が基体合金より成り、基体合金が析出硬化型ステンレス鋼、好ましくはマルテンサイト系析出硬化型ステンレス鋼であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の製造方法。
13. 化学めっき法または電気めっき法により表面層を付与することを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載の製造方法。
14. 電子ビーム蒸着法のような物理的気相成長法により表面層を付与することを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載の製造方法。
15. 連続的なロールツーロール法で金属ストリップバンドが、電子ビーム蒸着チャンバを通り、電子ビーム蒸着チャンバで表面層が付与され、その後金属ストリップバンドより金属ストリップが切り出されることを特徴とする請求項１４に記載の製造方法。
16. 電子ビーム蒸着チャンバに入る前に、金属ストリップバンドが、エッチチャンバーを通り、イオンアシストエッチングを実施して酸化物層を除去することを特徴とする請求項１５に記載の製造方法。
17. 表面硬化の前に、金属ストリップを所望の形状の曲げることを特徴とする請求項９〜１６のいずれかに記載の製造方法。