JP2008541426A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008541426A5 JP2008541426A5 JP2008510018A JP2008510018A JP2008541426A5 JP 2008541426 A5 JP2008541426 A5 JP 2008541426A5 JP 2008510018 A JP2008510018 A JP 2008510018A JP 2008510018 A JP2008510018 A JP 2008510018A JP 2008541426 A5 JP2008541426 A5 JP 2008541426A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- water
- composition
- inorganic phosphorus
- organic solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Claims (20)
- 以下の成分：
（ａ）少なくとも１種の水溶性または水混和性有機溶媒、
（ｂ）少なくとも１種の中和されていない無機リン含有酸、および、
（ｃ）水
を必ず含み、場合により、
（ｄ）少なくとも１種の界面活性剤、
（ｅ）少なくとも１種の腐食阻害剤、および、
（ｆ）少なくとも１種の金属キレート化または錯体化剤、
を含み、無機リン含有酸成分を中和する有機アミン、ヒドロキシルアミンおよび強塩基を含まない、マイクロエレクトロニクスの基板を洗浄するための組成物。 - 水混和性有機溶媒が、本質的に組成物の約３５重量％ないし約９５重量％を占め、有機溶媒成分の中和されていない無機リン含有酸成分に対する重量比が、約３：１ないし約４０：１の範囲にある、請求項１に記載の組成物。
- 水が、組成物の重量に基づき、約５％ないし約１０％の量で組成物中に存在する、請求項２に記載の組成物。
- 中和されていない無機リン含有酸が、亜リン酸（Ｈ３ＰＯ３）、次亜リン酸（Ｈ３ＰＯ２）およびリン酸（Ｈ３ＰＯ４）からなる群から選択される酸を含む、請求項１に記載の組成物。
- 水溶性または水混和性有機溶媒成分が、Ｎ−メチルピロリジノン、スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコール、プロピレングリコールおよびジメチルアセトアミドからなる群から選択される、請求項４に記載の組成物。
- 中和されていない無機リン含有酸が、亜リン酸（Ｈ３ＰＯ３）、次亜リン酸（Ｈ３ＰＯ２）およびリン酸（Ｈ３ＰＯ４）からなる群から選択される酸を含む、請求項２に記載の組成物。
- 水溶性または水混和性有機溶媒成分が、Ｎ−メチルピロリジノン、スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコール、プロピレングリコールおよびジメチルアセトアミドからなる群から選択される、請求項６に記載の組成物。
- 中和されていない無機リン含有酸が亜リン酸（Ｈ３ＰＯ３）を含む、請求項６に記載の組成物。
- 中和されていない無機リン含有酸が次亜リン酸（Ｈ３ＰＯ２）を含む、請求項６に記載の組成物。
- １−ヒドロキシエタン−１,１,−ジホスホン酸が腐食阻害剤として存在する、請求項１に記載の組成物。
- マイクロエレクトロニクスの基板の洗浄方法であって、該基板は、フォトレジスト重合性物質、残渣および金属を含有し、該方法は、該基板を、洗浄組成物と、該基板を洗浄するのに十分な時間接触させることを含み、ここで、該洗浄組成物は、以下の成分：
（ａ）少なくとも１種の水溶性または水混和性有機溶媒、
（ｂ）少なくとも１種の中和されていない無機リン含有酸、および、
（ｃ）水
を必ず含み、場合により、
（ｄ）少なくとも１種の界面活性剤、
（ｅ）少なくとも１種の腐食阻害剤、および、
（ｆ）少なくとも１種の金属キレート化または錯体化剤、
を含み、無機リン含有酸成分を中和する有機アミン類、ヒドロキシルアミン類および強塩基を含まないものである、方法。 - 水混和性有機溶媒が、本質的に組成物の約３５重量％ないし約９５重量％を占め、有機溶媒成分の中和されていない無機リン含有酸成分に対する重量比が、約３：１ないし約４０：１の範囲にある、請求項１１に記載の方法。
- 水が、組成物の重量に基づき、約５％ないし約１０％の量で組成物中に存在する、請求項１２に記載の方法。
- 中和されていない無機リン含有酸が、亜リン酸（Ｈ３ＰＯ３）、次亜リン酸（Ｈ３ＰＯ２）およびリン酸（Ｈ３ＰＯ４）からなる群から選択される酸を含む、請求項１１に記載の方法。
- 水溶性または水混和性有機溶媒成分が、Ｎ−メチルピロリジノン、スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコール、プロピレングリコールおよびジメチルアセトアミドからなる群から選択される、請求項１４に記載の方法。
- 中和されていない無機リン含有酸が、亜リン酸（Ｈ３ＰＯ３）、次亜リン酸（Ｈ３ＰＯ２）およびリン酸（Ｈ３ＰＯ４）からなる群から選択される酸を含む、請求項１２に記載の方法。
- 水溶性または水混和性有機溶媒成分が、Ｎ−メチルピロリジノン、スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコール、プロピレングリコールおよびジメチルアセトアミドからなる群から選択される、請求項１６に記載の方法。
- 中和されていない無機リン含有酸が亜リン酸（Ｈ３ＰＯ３）を含む、請求項１６に記載の方法。
- 中和されていない無機リン含有酸が次亜リン酸（Ｈ３ＰＯ２）を含む、請求項１６に記載の方法。
- １−ヒドロキシエタン−１,１,−ジホスホン酸が腐食阻害剤として存在する、請求項１１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US67853405P | 2005-05-06 | 2005-05-06 | |
| PCT/US2006/014466 WO2006121580A2 (en) | 2005-05-06 | 2006-04-18 | Compositions for the removal of post-etch and ashed photoresist residues and bulk photoresist |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008541426A JP2008541426A (ja) | 2008-11-20 |
| JP2008541426A5 true JP2008541426A5 (ja) | 2009-06-04 |
Family
ID=36809154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008510018A Pending JP2008541426A (ja) | 2005-05-06 | 2006-04-18 | エッチングおよび灰化後のフォトレジスト残渣およびバルクのフォトレジストを除去するための組成物 |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7754668B2 (ja) |
| EP (1) | EP1883863B1 (ja) |
| JP (1) | JP2008541426A (ja) |
| KR (1) | KR20080005408A (ja) |
| CN (1) | CN101171551B (ja) |
| BR (1) | BRPI0611377A2 (ja) |
| CA (1) | CA2606849A1 (ja) |
| IL (1) | IL187121A (ja) |
| MY (1) | MY144723A (ja) |
| NO (1) | NO20075670L (ja) |
| TW (1) | TWI425323B (ja) |
| WO (1) | WO2006121580A2 (ja) |
| ZA (1) | ZA200706853B (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2912151B1 (fr) * | 2007-02-05 | 2009-05-08 | Arkema France | Formulation de dimethylsulfoxyde en melange avec un additif permettant d'abaisser le point de cristallisation de ce dernier, et applications de ce melange |
| US20090148335A1 (en) * | 2007-02-28 | 2009-06-11 | Adair Richard E | Process for surface treatment of metals |
| US20110056516A1 (en) * | 2007-02-28 | 2011-03-10 | Adair Richard E | Process for surface treatment of metals |
| CN101373342B (zh) * | 2008-10-23 | 2011-03-02 | 江阴江化微电子材料股份有限公司 | 一种酸性剥离液及其制备方法 |
| US20110253171A1 (en) * | 2010-04-15 | 2011-10-20 | John Moore | Chemical Composition and Methods for Removing Epoxy-Based Photoimageable Coatings Utilized In Microelectronic Fabrication |
| US8921295B2 (en) | 2010-07-23 | 2014-12-30 | American Sterilizer Company | Biodegradable concentrated neutral detergent composition |
| EP3480288A1 (en) * | 2017-11-07 | 2019-05-08 | Henkel AG & Co. KGaA | Fluoride based cleaning composition |
| CN114008181A (zh) * | 2019-06-19 | 2022-02-01 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于半导体衬底的清洁组合物 |
| JP2023046519A (ja) | 2021-09-24 | 2023-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、処理方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3138557A (en) * | 1961-09-05 | 1964-06-23 | Purex Corp Ltd | Composition and process for removal of coatings base on epoxy resins |
| TW416987B (en) * | 1996-06-05 | 2001-01-01 | Wako Pure Chem Ind Ltd | A composition for cleaning the semiconductor substrate surface |
| JPH1055993A (ja) * | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Hitachi Ltd | 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| JP3975301B2 (ja) * | 1997-08-22 | 2007-09-12 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体素子製造用洗浄液及びこれを用いた半導体素子 の製造方法 |
| JP2000208467A (ja) * | 1999-01-14 | 2000-07-28 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体基板洗浄液およびそれを用いた半導体基板の洗浄方法 |
| JP4224652B2 (ja) | 1999-03-08 | 2009-02-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法 |
| JP2000284506A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Sharp Corp | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
| US6562726B1 (en) * | 1999-06-29 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Acid blend for removing etch residue |
| US6486108B1 (en) * | 2000-05-31 | 2002-11-26 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| JP2002113431A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法 |
| MY143399A (en) * | 2001-07-09 | 2011-05-13 | Avantor Performance Mat Inc | Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning |
| KR20040032855A (ko) * | 2001-07-13 | 2004-04-17 | 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 | 술폭시드 피롤리드(인)온 알칸올아민 박리 및 세정 조성물 |
| JP2003177556A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Sharp Corp | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
| JP4304154B2 (ja) * | 2002-06-07 | 2009-07-29 | マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド | 酸化剤および有機溶媒を含有するマイクロエレクトロニクス洗浄組成物 |
| JP2006503972A (ja) * | 2002-10-22 | 2006-02-02 | イーケーシー テクノロジー，インコーポレイティド | 半導体デバイスを洗浄するための水性リン酸組成物 |
| JP4085262B2 (ja) * | 2003-01-09 | 2008-05-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離剤 |
| WO2004109788A1 (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-16 | Kao Corporation | 剥離剤組成物およびこれを用いた剥離洗浄方法 |
-
2006
- 2006-04-18 JP JP2008510018A patent/JP2008541426A/ja active Pending
- 2006-04-18 CA CA002606849A patent/CA2606849A1/en not_active Abandoned
- 2006-04-18 BR BRPI0611377-0A patent/BRPI0611377A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2006-04-18 EP EP06750494.4A patent/EP1883863B1/en not_active Not-in-force
- 2006-04-18 KR KR1020077025627A patent/KR20080005408A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-04-18 WO PCT/US2006/014466 patent/WO2006121580A2/en active Application Filing
- 2006-04-18 CN CN2006800155059A patent/CN101171551B/zh active Active
- 2006-04-18 US US11/911,346 patent/US7754668B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-03 MY MYPI20062030A patent/MY144723A/en unknown
- 2006-05-03 TW TW095115752A patent/TWI425323B/zh active
-
2007
- 2007-08-16 ZA ZA200706853A patent/ZA200706853B/xx unknown
- 2007-11-01 IL IL187121A patent/IL187121A/en not_active IP Right Cessation
- 2007-11-06 NO NO20075670A patent/NO20075670L/no not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2008541426A5 (ja) | ||
| KR101960351B1 (ko) | 세정 포뮬레이션 | |
| ES2293340T3 (es) | Composiciones decapantes y de limpieza para microelectronica. | |
| JP5662365B2 (ja) | クリーニング調合物およびそのクリーニング調合物の使用方法 | |
| US20170145311A1 (en) | Etching Compositions and Methods for Using Same | |
| KR101724559B1 (ko) | 세정 조성물, 세정 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP4625842B2 (ja) | マイクロエレクトロニクスの基板用の洗浄組成物 | |
| JP2007503115A5 (ja) | ||
| DE60108774T2 (de) | Stabile alkalische zusammensetzungen zum reinigen von mikroelektronischen substraten | |
| JP2007243162A (ja) | 洗浄組成物 | |
| TWI425323B (zh) | 用以移除後蝕刻及灰化之光阻劑殘餘物及總體光阻劑之組合物 | |
| JP2009231354A (ja) | 半導体デバイス用洗浄液、および洗浄方法 | |
| CN103975052B (zh) | 具有铜/唑类聚合物抑制作用的微电子衬底清洁组合物 | |
| JP2004510204A (ja) | 芳香族酸阻害剤を含むフォトレジスト除去剤／洗浄液 | |
| TWI417683B (zh) | 用於微電子基板之穩定化，非水性清潔組合物 | |
| JP5839226B2 (ja) | レジスト残渣除去組成物 | |
| JP5513181B2 (ja) | 洗浄組成物及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2008252100A (ja) | 半導体エッチング残渣の除去剤及び洗浄剤 | |
| KR101880305B1 (ko) | 전자재료용 세정액 조성물 | |
| EP4323491A1 (en) | Cleaning composition | |
| CN113201743A (zh) | 一种适用于电子器件的除锈剂及其制备方法 | |
| TWI732885B (zh) | 用於含鋁之微電子基板的清潔組合物 | |
| TW200536936A (en) | Stripping and cleaning compositions for microelectronics | |
| TH84565A (th) | สารผสมสำหรับการนำออกของสิ่งตกค้างภายหลังการกัดสลักและสิ่งตกค้างโฟโตรีซีสท์ที่เป็นขึ้เถ้าและโฟโตรีซิสท์ที่พองฟู |