TH84565A - สารผสมสำหรับการนำออกของสิ่งตกค้างภายหลังการกัดสลักและสิ่งตกค้างโฟโตรีซีสท์ที่เป็นขึ้เถ้าและโฟโตรีซิสท์ที่พองฟู - Google Patents
สารผสมสำหรับการนำออกของสิ่งตกค้างภายหลังการกัดสลักและสิ่งตกค้างโฟโตรีซีสท์ที่เป็นขึ้เถ้าและโฟโตรีซิสท์ที่พองฟูInfo
- Publication number
- TH84565A TH84565A TH601002020A TH0601002020A TH84565A TH 84565 A TH84565 A TH 84565A TH 601002020 A TH601002020 A TH 601002020A TH 0601002020 A TH0601002020 A TH 0601002020A TH 84565 A TH84565 A TH 84565A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- cleaning
- circuit boards
- boards
- mixture
- residue
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (01/08/49) การประดิษฐ์จะจัดเตรียมให้มีสารผสมทำความสะอาดสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรอง วงจรอิเล็กทรอนิกส์ที่อย่างสำคัญจะสามารถทำความสะอาดแผ่นรองวงจรดังกล่าวอย่างสมบูรณ์และ จะยับยั้งการกัดกร่อนโลหะหรืออย่างสำคัญจะไม่ทำให้เกิดการกัดกร่อนของโลหะของแผ่นรองวงจร ดังกล่าวเพื่อดำเนินการดังกล่าวที่เวลาการทำความสะอาดค่อนข้างสั้นและอุณหภูมิค่อนข้างต่ำ เปรียบเทียบกับเวลาทำความสะอาดที่ต้องการสำหรับสารผสมทำความสะอาดที่มีอัลคาไลน์ตาม ศิลปวิทยาการก่อนนี้ การประดิษฐ์นี้ยังจะจัดเตรียมให้มีวิธีการของการใช้สารผสมทำความสะอาด ดังกล่าวเพื่อทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ โดยปราศจากการทำให้เกิดการกัด กร่อนที่มีนัยสำคัญใด ๆ ของชิ้นส่วนโลหะของแผ่นรองวงจรไมโครอีเล็กทรอนิกส์ สารผสมทำ ความสะอาดของการประดิษฐ์นี้จะประกอบรวมด้วย (a) ตัวทำละลายชนิดอินทรีย์อย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชนิด (b) กรดที่มีฟอสฟอรัสชนิดอนินทรีย์ที่ไม่ผ่านการทำให้เป็นกลางอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, และ (c) น้ำ สารผสมทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้อย่างเป็นทางเลือกสามารถมีอยู่ในสารผสมที่เป็น ส่วนประกอบอื่น ๆ ตัวอย่างเช่นเซอร์แฟกเทนท์, ตัวกระทำการเชิงซ้อนที่เป็นโลหะหรือตัวกระทำการ ซีเลท, ตัวยับยั้งการกัดกร่อนและทำนองเดียวกัน สารผสมทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้จะมี ลักษณะเฉพาะโดยการไม่มีร่วมอยู่ของแอมีนชนิดอินทรีย์, ไฮดรอกซิลเอมีนหรือด่างแก่อื่น ๆ เช่นด่าง ที่เป็นแอมโมเนียมและในทำนองเดียวกันที่ซึ่งน่าจะทำให้ส่วนประกอบกรดที่มีฟอสฟอรัสชนิด อนินทรีย์เป็นกลาง สารผสมทำความสะอาดและสารผสมนำเอาสิ่งตกค้างของการประดิษฐ์นี้จะ เหมาะสมโดยเฉพาะสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่มีอะลูมินัม, ไทเนทเนียม, และทังสะเตน การประดิษฐ์จะจัดเตรียมให้มีสารผสมทำความสะอาดสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรอง วงจรอิเล็กทรอนิกส์ที่อย่างสำคัญจะสามารถทำความสะอาดแผ่นรองวงจรดังกล่าวอย่างสมบูรณ์และ จะยับยั้งการกัดกร่อน โลหะหรืออย่างสำคัญจะไม่ทำให้เกิดการกัดกร่อนของโลหะของแผ่นรองวงจร ดังกล่าวเพื่อดำเนินการดังกล่าวที่เวลาการทำความสะอาดค่อนข้างสั้นและอุณหภูมิค่อนข้างต่ำ เปรียบเทียบกับเวลาทำความสะอาดที่ต้องการสำหรับสารผสมทำความสะอาดที่มีอัลคาไลน์ตาม ศิลปวิทยาการก่อนนี้ การประดิษฐ์นี้ยังจะจัดเตรียมให้มีวิธีการของการใช้สารผสมทำความสะอาด ดังกล่าวเพื่อทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ โดยปราศจากการทำให้เกิดการกัด กร่อนที่มีนัยสำคัญใด ๆ ของชิ้นส่วนโลหะของแผ่นรองวงจรไมโครอีเล็กทรอนิกส์ สารผสมทำ ความสะอาดของการประดิษฐ์นี้จะประกอบรวมด้วย (a) ตัวทำละลายชนิดอินทรีย์อย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชนิด (b) กรดที่มีฟอสฟอรัสชนิดอนินทรีย์ที่ไม่ผ่านการทำให้เป็นกลางอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, และ (c) น้ำ สารผสมทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้อย่างเป็นทางเลือกสามารถมีอยู่ในสารผสมที่เป็น ส่วนประกอบอื่น ๆ ตัวอย่างเช่นเซอร์แฟกเทนท์, ตัวกระทำการเชิงซ้อนที่เป็นโลหะหรือตัวกระทำการ ซีเลท, ตัวยับยั้งการกัดกร่อนและทำนองเดียวกัน สารผสมทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้จะมี ลักษณะเฉพาะโดยการไม่มีร่วมอยู่ของแอมีนชนิดอินทรีย์, ไฮดรอกซิลเอมีนหรือด่างแก่อื่น ๆ เช่นด่าง ที่เป็นแอมโมเนียมและในทำนองเดียวกันที่ซึ่งน่าจะทำให้ส่วนประกอบกรดที่มีฟอสฟอรัสชนิด อนินทรีย์เป็นกลาง สารผสมทำความสะอาดและสารนำเอาสิ่งตกค้างของการประดิษฐ์นี้จะ เหมาะสมโดยเฉพาะสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่มีอะลูมินัม, ไทเนทเนียม, และทังสะเตน
Claims (1)
1. สารผสมสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่ประกอบรวมด้วย ส่วนประกอบต่อไปนี้ (a) ตัวทำละลายชนิดอินทรีย์ที่ละลายน้ำได้หรือที่ผสมกับน้ำได้อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด (b) กรดที่มีฟอฟอรัสชนิดอนินทรีย์ที่ไม่ผ่านการทำให้เป็นกลางอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชนิด และ (c) น้ำ ที่ซึ่งสารผสมจะเป็นอิสระจากเอมีนชนิดอินทรีย์, ไฮดรอกซิเลเอมีนและด่างแก่ที่น่าจะ ทำให้ส่วนประกอบกรดที่มีแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH84565A true TH84565A (th) | 2007-05-17 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200728454A (en) | Formulations for removing copper-containing post-etch residue from microelectronic devices | |
| JP2005292288A5 (th) | ||
| DE60323143D1 (de) | Aufüberkritischem kohlenstoffdioxid beruhende formulierung für die entfernung von gegebenenfalls veraschten aluminiumresten nach dem ätzen | |
| TW200801854A (en) | Composition and method for photoresist removal | |
| TW200509237A (en) | Compositions suitable for removing photoresist, photoresist byproducts and etching residue, and use thereof | |
| TW200710205A (en) | Dense fluid compositions for removal of hardened photoresist, post-etch residue and/or bottom anti-reflective coating layers | |
| DE602004009595D1 (de) | Ablös- und reinigungszusammensetzungen für die mikroelektronik | |
| DE60108774D1 (de) | Stabile alkalische zusammensetzungen zum reinigen von mikroelektronischen substraten | |
| ATE421905T1 (de) | Lactam-zusammensetzungen zum entfernen von organischen und plasma-geätzten rückständen auf halbleitern | |
| ATE405622T1 (de) | Wässrige phosphorsäurezusammensetzung zur reinigung von halbleiter-vorrichtungen | |
| TW200718775A (en) | Composition and method for removing thick film photoresist | |
| ATE320620T1 (de) | Fotoresist-entfernungs- /reinigungszusammensetzungen mit aromatischen säureinhibitoren | |
| TW200714707A (en) | Aqueous cleaning composition for removing residues and method using same | |
| JP2002543272A5 (th) | ||
| JP2008509554A5 (th) | ||
| EP1688798A3 (en) | Aqueous based residue removers comprising fluoride | |
| ATE487776T1 (de) | Wässriges reinigungsmittel mit kupferspezifischem korrosionsschutzmittel zur abreinigung anorganischer reste von halbleitersubstraten | |
| TW200715074A (en) | Aqueous cleaning composition and method for using same | |
| WO2006121580A3 (en) | Compositions for the removal of post-etch and ashed photoresist residues and bulk photoresist | |
| TW200702435A (en) | Phosphonic acid-containing formulation for cleaning semiconductor wafer and cleaning method | |
| JP2008252100A (ja) | 半導体エッチング残渣の除去剤及び洗浄剤 | |
| CN113201743B (zh) | 一种适用于电子器件的除锈剂及其制备方法 | |
| JP2008541426A5 (th) | ||
| WO2006052692A3 (en) | Post etch cleaning composition for use with substrates having aluminum | |
| TW200700937A (en) | Remover composition for photoresist of semiconductor device |