TH84565A - สารผสมสำหรับการนำออกของสิ่งตกค้างภายหลังการกัดสลักและสิ่งตกค้างโฟโตรีซีสท์ที่เป็นขึ้เถ้าและโฟโตรีซิสท์ที่พองฟู - Google Patents

สารผสมสำหรับการนำออกของสิ่งตกค้างภายหลังการกัดสลักและสิ่งตกค้างโฟโตรีซีสท์ที่เป็นขึ้เถ้าและโฟโตรีซิสท์ที่พองฟู

Info

Publication number
TH84565A
TH84565A TH601002020A TH0601002020A TH84565A TH 84565 A TH84565 A TH 84565A TH 601002020 A TH601002020 A TH 601002020A TH 0601002020 A TH0601002020 A TH 0601002020A TH 84565 A TH84565 A TH 84565A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
cleaning
circuit boards
boards
mixture
residue
Prior art date
Application number
TH601002020A
Other languages
English (en)
Inventor
เอ็ม เคน นายชอน
Original Assignee
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายรุทร นพคุณ
อแวนเทอร์ เพอร์ฟอร์แมนซ์ แมทีเรียลส์
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายรุทร นพคุณ, อแวนเทอร์ เพอร์ฟอร์แมนซ์ แมทีเรียลส์ filed Critical นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
Publication of TH84565A publication Critical patent/TH84565A/th

Links

Abstract

DC60 (01/08/49) การประดิษฐ์จะจัดเตรียมให้มีสารผสมทำความสะอาดสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรอง วงจรอิเล็กทรอนิกส์ที่อย่างสำคัญจะสามารถทำความสะอาดแผ่นรองวงจรดังกล่าวอย่างสมบูรณ์และ จะยับยั้งการกัดกร่อนโลหะหรืออย่างสำคัญจะไม่ทำให้เกิดการกัดกร่อนของโลหะของแผ่นรองวงจร ดังกล่าวเพื่อดำเนินการดังกล่าวที่เวลาการทำความสะอาดค่อนข้างสั้นและอุณหภูมิค่อนข้างต่ำ เปรียบเทียบกับเวลาทำความสะอาดที่ต้องการสำหรับสารผสมทำความสะอาดที่มีอัลคาไลน์ตาม ศิลปวิทยาการก่อนนี้ การประดิษฐ์นี้ยังจะจัดเตรียมให้มีวิธีการของการใช้สารผสมทำความสะอาด ดังกล่าวเพื่อทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ โดยปราศจากการทำให้เกิดการกัด กร่อนที่มีนัยสำคัญใด ๆ ของชิ้นส่วนโลหะของแผ่นรองวงจรไมโครอีเล็กทรอนิกส์ สารผสมทำ ความสะอาดของการประดิษฐ์นี้จะประกอบรวมด้วย (a) ตัวทำละลายชนิดอินทรีย์อย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชนิด (b) กรดที่มีฟอสฟอรัสชนิดอนินทรีย์ที่ไม่ผ่านการทำให้เป็นกลางอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, และ (c) น้ำ สารผสมทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้อย่างเป็นทางเลือกสามารถมีอยู่ในสารผสมที่เป็น ส่วนประกอบอื่น ๆ ตัวอย่างเช่นเซอร์แฟกเทนท์, ตัวกระทำการเชิงซ้อนที่เป็นโลหะหรือตัวกระทำการ ซีเลท, ตัวยับยั้งการกัดกร่อนและทำนองเดียวกัน สารผสมทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้จะมี ลักษณะเฉพาะโดยการไม่มีร่วมอยู่ของแอมีนชนิดอินทรีย์, ไฮดรอกซิลเอมีนหรือด่างแก่อื่น ๆ เช่นด่าง ที่เป็นแอมโมเนียมและในทำนองเดียวกันที่ซึ่งน่าจะทำให้ส่วนประกอบกรดที่มีฟอสฟอรัสชนิด อนินทรีย์เป็นกลาง สารผสมทำความสะอาดและสารผสมนำเอาสิ่งตกค้างของการประดิษฐ์นี้จะ เหมาะสมโดยเฉพาะสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่มีอะลูมินัม, ไทเนทเนียม, และทังสะเตน การประดิษฐ์จะจัดเตรียมให้มีสารผสมทำความสะอาดสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรอง วงจรอิเล็กทรอนิกส์ที่อย่างสำคัญจะสามารถทำความสะอาดแผ่นรองวงจรดังกล่าวอย่างสมบูรณ์และ จะยับยั้งการกัดกร่อน โลหะหรืออย่างสำคัญจะไม่ทำให้เกิดการกัดกร่อนของโลหะของแผ่นรองวงจร ดังกล่าวเพื่อดำเนินการดังกล่าวที่เวลาการทำความสะอาดค่อนข้างสั้นและอุณหภูมิค่อนข้างต่ำ เปรียบเทียบกับเวลาทำความสะอาดที่ต้องการสำหรับสารผสมทำความสะอาดที่มีอัลคาไลน์ตาม ศิลปวิทยาการก่อนนี้ การประดิษฐ์นี้ยังจะจัดเตรียมให้มีวิธีการของการใช้สารผสมทำความสะอาด ดังกล่าวเพื่อทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ โดยปราศจากการทำให้เกิดการกัด กร่อนที่มีนัยสำคัญใด ๆ ของชิ้นส่วนโลหะของแผ่นรองวงจรไมโครอีเล็กทรอนิกส์ สารผสมทำ ความสะอาดของการประดิษฐ์นี้จะประกอบรวมด้วย (a) ตัวทำละลายชนิดอินทรีย์อย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชนิด (b) กรดที่มีฟอสฟอรัสชนิดอนินทรีย์ที่ไม่ผ่านการทำให้เป็นกลางอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, และ (c) น้ำ สารผสมทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้อย่างเป็นทางเลือกสามารถมีอยู่ในสารผสมที่เป็น ส่วนประกอบอื่น ๆ ตัวอย่างเช่นเซอร์แฟกเทนท์, ตัวกระทำการเชิงซ้อนที่เป็นโลหะหรือตัวกระทำการ ซีเลท, ตัวยับยั้งการกัดกร่อนและทำนองเดียวกัน สารผสมทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้จะมี ลักษณะเฉพาะโดยการไม่มีร่วมอยู่ของแอมีนชนิดอินทรีย์, ไฮดรอกซิลเอมีนหรือด่างแก่อื่น ๆ เช่นด่าง ที่เป็นแอมโมเนียมและในทำนองเดียวกันที่ซึ่งน่าจะทำให้ส่วนประกอบกรดที่มีฟอสฟอรัสชนิด อนินทรีย์เป็นกลาง สารผสมทำความสะอาดและสารนำเอาสิ่งตกค้างของการประดิษฐ์นี้จะ เหมาะสมโดยเฉพาะสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่มีอะลูมินัม, ไทเนทเนียม, และทังสะเตน

Claims (1)

1. สารผสมสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่ประกอบรวมด้วย ส่วนประกอบต่อไปนี้ (a) ตัวทำละลายชนิดอินทรีย์ที่ละลายน้ำได้หรือที่ผสมกับน้ำได้อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด (b) กรดที่มีฟอฟอรัสชนิดอนินทรีย์ที่ไม่ผ่านการทำให้เป็นกลางอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชนิด และ (c) น้ำ ที่ซึ่งสารผสมจะเป็นอิสระจากเอมีนชนิดอินทรีย์, ไฮดรอกซิเลเอมีนและด่างแก่ที่น่าจะ ทำให้ส่วนประกอบกรดที่มีแท็ก :
TH601002020A 2006-05-04 สารผสมสำหรับการนำออกของสิ่งตกค้างภายหลังการกัดสลักและสิ่งตกค้างโฟโตรีซีสท์ที่เป็นขึ้เถ้าและโฟโตรีซิสท์ที่พองฟู TH84565A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH84565A true TH84565A (th) 2007-05-17

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200728454A (en) Formulations for removing copper-containing post-etch residue from microelectronic devices
JP2005292288A5 (th)
DE60323143D1 (de) Aufüberkritischem kohlenstoffdioxid beruhende formulierung für die entfernung von gegebenenfalls veraschten aluminiumresten nach dem ätzen
TW200801854A (en) Composition and method for photoresist removal
TW200509237A (en) Compositions suitable for removing photoresist, photoresist byproducts and etching residue, and use thereof
TW200710205A (en) Dense fluid compositions for removal of hardened photoresist, post-etch residue and/or bottom anti-reflective coating layers
DE602004009595D1 (de) Ablös- und reinigungszusammensetzungen für die mikroelektronik
DE60108774D1 (de) Stabile alkalische zusammensetzungen zum reinigen von mikroelektronischen substraten
ATE421905T1 (de) Lactam-zusammensetzungen zum entfernen von organischen und plasma-geätzten rückständen auf halbleitern
ATE405622T1 (de) Wässrige phosphorsäurezusammensetzung zur reinigung von halbleiter-vorrichtungen
TW200718775A (en) Composition and method for removing thick film photoresist
ATE320620T1 (de) Fotoresist-entfernungs- /reinigungszusammensetzungen mit aromatischen säureinhibitoren
TW200714707A (en) Aqueous cleaning composition for removing residues and method using same
JP2002543272A5 (th)
JP2008509554A5 (th)
EP1688798A3 (en) Aqueous based residue removers comprising fluoride
ATE487776T1 (de) Wässriges reinigungsmittel mit kupferspezifischem korrosionsschutzmittel zur abreinigung anorganischer reste von halbleitersubstraten
TW200715074A (en) Aqueous cleaning composition and method for using same
WO2006121580A3 (en) Compositions for the removal of post-etch and ashed photoresist residues and bulk photoresist
TW200702435A (en) Phosphonic acid-containing formulation for cleaning semiconductor wafer and cleaning method
JP2008252100A (ja) 半導体エッチング残渣の除去剤及び洗浄剤
CN113201743B (zh) 一种适用于电子器件的除锈剂及其制备方法
JP2008541426A5 (th)
WO2006052692A3 (en) Post etch cleaning composition for use with substrates having aluminum
TW200700937A (en) Remover composition for photoresist of semiconductor device