TH84565A - Mixture for removal of post-etching residue and residue, ash and photoresist residue. - Google Patents

Mixture for removal of post-etching residue and residue, ash and photoresist residue.

Info

Publication number
TH84565A
TH84565A TH601002020A TH0601002020A TH84565A TH 84565 A TH84565 A TH 84565A TH 601002020 A TH601002020 A TH 601002020A TH 0601002020 A TH0601002020 A TH 0601002020A TH 84565 A TH84565 A TH 84565A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
cleaning
mixtures
metal
corrosion
mixture
Prior art date
Application number
TH601002020A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH84565B (en
Inventor
เอ็ม. เคน นายชอน
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายรุทร นพคุณ
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายรุทร นพคุณ filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Publication of TH84565B publication Critical patent/TH84565B/en
Publication of TH84565A publication Critical patent/TH84565A/en

Links

Abstract

DC60 (01/08/49) การประดิษฐ์จะจัดเตรียมให้มีสารผสมทำความสะอาดสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรอง วงจรอิเล็กทรอนิกส์ที่อย่างสำคัญจะสามารถทำความสะอาดแผ่นรองวงจรดังกล่าวอย่างสมบูรณ์และ จะยับยั้งการกัดกร่อนโลหะหรืออย่างสำคัญจะไม่ทำให้เกิดการกัดกร่อนของโลหะของแผ่นรองวงจร ดังกล่าวเพื่อดำเนินการดังกล่าวที่เวลาการทำความสะอาดค่อนข้างสั้นและอุณหภูมิค่อนข้างต่ำ เปรียบเทียบกับเวลาทำความสะอาดที่ต้องการสำหรับสารผสมทำความสะอาดที่มีอัลคาไลน์ตาม ศิลปวิทยาการก่อนนี้ การประดิษฐ์นี้ยังจะจัดเตรียมให้มีวิธีการของการใช้สารผสมทำความสะอาด ดังกล่าวเพื่อทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ โดยปราศจากการทำให้เกิดการกัด กร่อนที่มีนัยสำคัญใด ๆ ของชิ้นส่วนโลหะของแผ่นรองวงจรไมโครอีเล็กทรอนิกส์ สารผสมทำ ความสะอาดของการประดิษฐ์นี้จะประกอบรวมด้วย (a) ตัวทำละลายชนิดอินทรีย์อย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชนิด (b) กรดที่มีฟอสฟอรัสชนิดอนินทรีย์ที่ไม่ผ่านการทำให้เป็นกลางอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, และ (c) น้ำ สารผสมทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้อย่างเป็นทางเลือกสามารถมีอยู่ในสารผสมที่เป็น ส่วนประกอบอื่น ๆ ตัวอย่างเช่นเซอร์แฟกเทนท์, ตัวกระทำการเชิงซ้อนที่เป็นโลหะหรือตัวกระทำการ ซีเลท, ตัวยับยั้งการกัดกร่อนและทำนองเดียวกัน สารผสมทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้จะมี ลักษณะเฉพาะโดยการไม่มีร่วมอยู่ของแอมีนชนิดอินทรีย์, ไฮดรอกซิลเอมีนหรือด่างแก่อื่น ๆ เช่นด่าง ที่เป็นแอมโมเนียมและในทำนองเดียวกันที่ซึ่งน่าจะทำให้ส่วนประกอบกรดที่มีฟอสฟอรัสชนิด อนินทรีย์เป็นกลาง สารผสมทำความสะอาดและสารผสมนำเอาสิ่งตกค้างของการประดิษฐ์นี้จะ เหมาะสมโดยเฉพาะสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่มีอะลูมินัม, ไทเนทเนียม, และทังสะเตน การประดิษฐ์จะจัดเตรียมให้มีสารผสมทำความสะอาดสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรอง วงจรอิเล็กทรอนิกส์ที่อย่างสำคัญจะสามารถทำความสะอาดแผ่นรองวงจรดังกล่าวอย่างสมบูรณ์และ จะยับยั้งการกัดกร่อน โลหะหรืออย่างสำคัญจะไม่ทำให้เกิดการกัดกร่อนของโลหะของแผ่นรองวงจร ดังกล่าวเพื่อดำเนินการดังกล่าวที่เวลาการทำความสะอาดค่อนข้างสั้นและอุณหภูมิค่อนข้างต่ำ เปรียบเทียบกับเวลาทำความสะอาดที่ต้องการสำหรับสารผสมทำความสะอาดที่มีอัลคาไลน์ตาม ศิลปวิทยาการก่อนนี้ การประดิษฐ์นี้ยังจะจัดเตรียมให้มีวิธีการของการใช้สารผสมทำความสะอาด ดังกล่าวเพื่อทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ โดยปราศจากการทำให้เกิดการกัด กร่อนที่มีนัยสำคัญใด ๆ ของชิ้นส่วนโลหะของแผ่นรองวงจรไมโครอีเล็กทรอนิกส์ สารผสมทำ ความสะอาดของการประดิษฐ์นี้จะประกอบรวมด้วย (a) ตัวทำละลายชนิดอินทรีย์อย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชนิด (b) กรดที่มีฟอสฟอรัสชนิดอนินทรีย์ที่ไม่ผ่านการทำให้เป็นกลางอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, และ (c) น้ำ สารผสมทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้อย่างเป็นทางเลือกสามารถมีอยู่ในสารผสมที่เป็น ส่วนประกอบอื่น ๆ ตัวอย่างเช่นเซอร์แฟกเทนท์, ตัวกระทำการเชิงซ้อนที่เป็นโลหะหรือตัวกระทำการ ซีเลท, ตัวยับยั้งการกัดกร่อนและทำนองเดียวกัน สารผสมทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้จะมี ลักษณะเฉพาะโดยการไม่มีร่วมอยู่ของแอมีนชนิดอินทรีย์, ไฮดรอกซิลเอมีนหรือด่างแก่อื่น ๆ เช่นด่าง ที่เป็นแอมโมเนียมและในทำนองเดียวกันที่ซึ่งน่าจะทำให้ส่วนประกอบกรดที่มีฟอสฟอรัสชนิด อนินทรีย์เป็นกลาง สารผสมทำความสะอาดและสารนำเอาสิ่งตกค้างของการประดิษฐ์นี้จะ เหมาะสมโดยเฉพาะสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่มีอะลูมินัม, ไทเนทเนียม, และทังสะเตน DC60 (01/08/49) The invention provides a cleaning compound for cleaning the pads. A critical electronic circuit will be able to completely clean the pad and Will inhibit metal corrosion, or, significantly, will not cause corrosion of the metal of the circuit board. Therefore, to perform such operations at relatively short cleaning times and relatively low temperatures. Compare with the cleaning time required for cleaning mixtures with alkaline-based Early Renaissance The invention will also provide a method for applying cleaning mixtures. Above to clean the microelectronic circuit pads. Without causing the bite Any significant corrosion of the metal components of the microelectronic circuit board pad, the cleaning mixture of this invention will contain (a) at least one organic solvent (b). ) An acid containing at least one non-neutralized inorganic phosphorus, and (c) water. An optional cleaning mixture of this invention can be contained in a mixtures as a Other components, for example serfactants, metal complexes or selate agents, corrosion inhibitors and the like. The cleaning mixture of this invention contains Characteristic by the absence of organic amines, hydroxylamines or other strong bases such as ammonium bases and likewise, which may make phosphorous acid components Inorganic neutral The cleaning mixtures and the remover mixtures of this invention will Especially suitable for the cleaning of microelectronic circuit pads containing aluminum, titanium, and tungsten, the fabrication is provided with a cleaning compound for cleaning the pads. A critical electronic circuit will be able to completely clean the pad and Will inhibit corrosion Metal, or significantly, will not cause corrosion of the metal of the circuit board. Therefore, to perform such operations at relatively short cleaning times and relatively low temperatures. Compare with the cleaning time required for cleaning mixtures with alkaline-based Early Renaissance The invention will also provide a method for applying cleaning mixtures. Above to clean the microelectronic circuit pads. Without causing the bite Any significant corrosion of the metal components of the microelectronic circuit board pad, the cleaning mixture of this invention will contain (a) at least one organic solvent (b). ) An acid containing at least one non-neutralized inorganic phosphorus, and (c) water. An optional cleaning mixture of this invention can be contained in a mixtures as Other components, for example serfactants, metal complexes or selate agents, corrosion inhibitors and the like The cleaning mixture of this invention contains Characteristic by the absence of organic amines, hydroxylamines or other strong bases such as ammonium bases and likewise, which may make phosphorous acid components Inorganic neutral Cleaning mixtures and residue removers for this invention Especially suitable for cleaning aluminum, titanium, and tungane microelectronic circuit pads.

Claims (1)

1. สารผสมสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่ประกอบรวมด้วย ส่วนประกอบต่อไปนี้ (a) ตัวทำละลายชนิดอินทรีย์ที่ละลายน้ำได้หรือที่ผสมกับน้ำได้อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด (b) กรดที่มีฟอฟอรัสชนิดอนินทรีย์ที่ไม่ผ่านการทำให้เป็นกลางอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชนิด และ (c) น้ำ ที่ซึ่งสารผสมจะเป็นอิสระจากเอมีนชนิดอินทรีย์, ไฮดรอกซิเลเอมีนและด่างแก่ที่น่าจะ ทำให้ส่วนประกอบกรดที่มีแท็ก :1. Mixture for cleaning the microelectronic board pad that contains The following components: (a) at least one water-soluble or mixed organic solvent; (b) non-neutralized inorganic phosphorus acid; And (c) water where the mixture is free from organic amines, hydroxylamine and probable strong bases. Make the acidic component with the tags:
TH601002020A 2006-05-04 Mixture for removal of post-etching residue and residue, ash and photoresist residue. TH84565A (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH84565B TH84565B (en) 2007-05-17
TH84565A true TH84565A (en) 2007-05-17

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200728454A (en) Formulations for removing copper-containing post-etch residue from microelectronic devices
JP2005292288A5 (en)
DE60323143D1 (en) OVERCRITICAL CARBON DIOXIDE BASED FORMULATION FOR THE REMOVAL OF WHEN ALUMINUM RESTORED AFTER COOKING
TW200801854A (en) Composition and method for photoresist removal
TW200634449A (en) Photoresist stripper composition
ATE331020T1 (en) COMPOSITIONS FOR CLEANING AND REMOVAL OF ORGANIC AND PLASMA ETCH RESIDUE ON SEMICONDUCTOR DEVICES
TW200710611A (en) Photoresist remover composition for removing modified photoresist of semiconductor device
MY144723A (en) Compositions for the removal of post-etch and ashed photoresist residues and bulk photoresist
TW200630482A (en) Aqueous based residue removers comprising fluoride
TW200718775A (en) Composition and method for removing thick film photoresist
MY127401A (en) Low surface tension, low viscosity, aqueous, acidic compositions containing fluoride and organic, polar solvents for removal of photoresist and organic and inorganic etch residues at room temperature
TW200509237A (en) Compositions suitable for removing photoresist, photoresist byproducts and etching residue, and use thereof
TW200710205A (en) Dense fluid compositions for removal of hardened photoresist, post-etch residue and/or bottom anti-reflective coating layers
DE602004009595D1 (en) REMOVAL AND CLEANING COMPOSITIONS FOR MICROELECTRONICS
MY121446A (en) Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
ATE288468T1 (en) STABLE ALKALINE COMPOSITIONS FOR CLEANING MICROELECTRONIC SUBSTRATES
ATE421905T1 (en) LACTAM COMPOSITIONS FOR REMOVAL OF ORGANIC AND PLASMA-ETCHED RESIDUE ON SEMICONDUCTORS
TW200732864A (en) Composition for removing residue of a wiring substrate, and washing method thereof
ATE320620T1 (en) PHOTORESIST REMOVER/CLEANING COMPOSITIONS CONTAINING AROMATIC ACID INHIBITORS
TW200702435A (en) Phosphonic acid-containing formulation for cleaning semiconductor wafer and cleaning method
SG152961A1 (en) Flouride-containing photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction
JP2008541426A5 (en)
TW200717633A (en) Semiconductor cleaning formulation containing phosphonic acid and ascorbic acid, and cleaning method
EP1381656A4 (en) Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
WO2006052692A3 (en) Post etch cleaning composition for use with substrates having aluminum