TH84565B - Mixture for removal of post-etching residue and residue, ash-raised photoresist and blistering photoresist - Google Patents
Mixture for removal of post-etching residue and residue, ash-raised photoresist and blistering photoresistInfo
- Publication number
- TH84565B TH84565B TH601002020A TH0601002020A TH84565B TH 84565 B TH84565 B TH 84565B TH 601002020 A TH601002020 A TH 601002020A TH 0601002020 A TH0601002020 A TH 0601002020A TH 84565 B TH84565 B TH 84565B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- cleaning
- mixture
- mixtures
- photoresist
- residue
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 title 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract 14
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims abstract 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 230000002378 acidificating Effects 0.000 claims 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 abstract 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001264 neutralization Effects 0.000 abstract 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract 1
Abstract
การประดิษฐ์จะจัดเตรียมให้มีสารผสมทำความสะอาดสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรอง วงจรอิเล็กทรอนิกส์ที่อย่างสำคัญจะสามารถทำความสะอาดแผ่นรองวงจรดังกล่าวอย่างสมบูรณ์และ จะยับยั้งการกัดกร่อน โลหะหรืออย่างสำคัญจะไม่ทำให้เกิดการกัดกร่อนของโลหะของแผ่นรองวงจร ดังกล่าวเพื่อดำเนินการดังกล่าวที่เวลาการทำความสะอาดค่อนข้างสั้นและอุณหภูมิค่อนข้างต่ำ เปรียบเทียบกับเวลาทำความสะอาดที่ต้องการสำหรับสารผสมทำความสะอาดที่มีอัลคาไลน์ตาม ศิลปวิทยาการก่อนนี้ การประดิษฐ์นี้ยังจะจัดเตรียมให้มีวิธีการของการใช้สารผสมทำความสะอาด ดังกล่าวเพื่อทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ โดยปราศจากการทำให้เกิดการกัด กร่อนที่มีนัยสำคัญใด ๆ ของชิ้นส่วนโลหะของแผ่นรองวงจรไมโครอีเล็กทรอนิกส์ สารผสมทำ ความสะอาดของการประดิษฐ์นี้จะประกอบรวมด้วย (a) ตัวทำละลายชนิดอินทรีย์อย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชนิด (b) กรดที่มีฟอสฟอรัสชนิดอนินทรีย์ที่ไม่ผ่านการทำให้เป็นกลางอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, และ (c) น้ำ สารผสมทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้อย่างเป็นทางเลือกสามารถมีอยู่ในสารผสมที่เป็น ส่วนประกอบอื่น ๆ ตัวอย่างเช่นเซอร์แฟกเทนท์, ตัวกระทำการเชิงซ้อนที่เป็นโลหะหรือตัวกระทำการ ซีเลท, ตัวยับยั้งการกัดกร่อนและทำนองเดียวกัน สารผสมทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้จะมี ลักษณะเฉพาะโดยการไม่มีร่วมอยู่ของแอมีนชนิดอินทรีย์, ไฮดรอกซิลเอมีนหรือด่างแก่อื่น ๆ เช่นด่าง ที่เป็นแอมโมเนียมและในทำนองเดียวกันที่ซึ่งน่าจะทำให้ส่วนประกอบกรดที่มีฟอสฟอรัสชนิด อนินทรีย์เป็นกลาง สารผสมทำความสะอาดและสารนำเอาสิ่งตกค้างของการประดิษฐ์นี้จะ เหมาะสมโดยเฉพาะสำหรับการทำความสะอาดแผ่นรองวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่มีอะลูมินัม, ไทเนทเนียม, และทังสะเตน The invention will provide a cleaning compound for cleaning the mat. A critical electronic circuit will be able to completely clean the pad and Will inhibit corrosion Metal, or significantly, will not cause corrosion of the metal of the circuit board. Therefore, to perform such operations at relatively short cleaning times and relatively low temperatures. Compare with the cleaning time required for cleaning mixtures with alkaline-based Early Renaissance The invention will also provide a method for applying cleaning mixtures. Above to clean the microelectronic circuit pads. Without causing the bite Any significant corrosion of the metal components of the microelectronic circuit board pad, the cleaning mixture of this invention will contain (a) at least one organic solvent (b). ) An acid containing at least one non-neutralized inorganic phosphorus, and (c) water. An optional cleaning mixture of this invention can be contained in a mixtures as Other components, for example serfactants, metallic complex agents or selate agents, corrosion inhibitors and the like. The cleaning mixture of this invention contains Characteristic by the absence of organic amines, hydroxylamines or other strong bases such as ammonium bases and likewise, which may make phosphorous acid components Inorganic neutral Cleaning mixtures and residue removers of this invention will Especially suitable for cleaning aluminum, titanium, and tungsten microelectronic pads.
Claims (1)
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH84565B true TH84565B (en) | 2007-05-17 |
| TH84565A TH84565A (en) | 2007-05-17 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200728454A (en) | Formulations for removing copper-containing post-etch residue from microelectronic devices | |
| JP2005292288A5 (en) | ||
| DE60323143D1 (en) | OVERCRITICAL CARBON DIOXIDE BASED FORMULATION FOR THE REMOVAL OF WHEN ALUMINUM RESTORED AFTER COOKING | |
| TW200940706A (en) | Methods of cleaning semiconductor devices at the back end of line using amidoxime compositions | |
| TW200710611A (en) | Photoresist remover composition for removing modified photoresist of semiconductor device | |
| ATE331020T1 (en) | COMPOSITIONS FOR CLEANING AND REMOVAL OF ORGANIC AND PLASMA ETCH RESIDUE ON SEMICONDUCTOR DEVICES | |
| DE602004009595D1 (en) | REMOVAL AND CLEANING COMPOSITIONS FOR MICROELECTRONICS | |
| MY144723A (en) | Compositions for the removal of post-etch and ashed photoresist residues and bulk photoresist | |
| TWI263676B (en) | Compositions for chemically treating a substrate using foam technology | |
| ATE421905T1 (en) | LACTAM COMPOSITIONS FOR REMOVAL OF ORGANIC AND PLASMA-ETCHED RESIDUE ON SEMICONDUCTORS | |
| ATE288468T1 (en) | STABLE ALKALINE COMPOSITIONS FOR CLEANING MICROELECTRONIC SUBSTRATES | |
| TW200718775A (en) | Composition and method for removing thick film photoresist | |
| DK1105778T3 (en) | Silicate-containing alkaline compositions for the purification of micorelectronic substrates | |
| MY137363A (en) | Compositions suitable for removing photoresist, photoresist byproducts and etching residue, and use thereof | |
| MY127401A (en) | Low surface tension, low viscosity, aqueous, acidic compositions containing fluoride and organic, polar solvents for removal of photoresist and organic and inorganic etch residues at room temperature | |
| ATE429480T1 (en) | IMPROVED ACID CHEMISTRY FOR CMP CLEANUP | |
| ATE488569T1 (en) | CLEANING AGENT, METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE PATHS ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE | |
| TW200732864A (en) | Composition for removing residue of a wiring substrate, and washing method thereof | |
| ATE320620T1 (en) | PHOTORESIST REMOVER/CLEANING COMPOSITIONS CONTAINING AROMATIC ACID INHIBITORS | |
| JP2008541426A5 (en) | ||
| SG152961A1 (en) | Flouride-containing photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction | |
| TW201416809A (en) | Photoresist stripping solution composition | |
| ATE487776T1 (en) | AQUEOUS CLEANING AGENT WITH COPPER-SPECIFIC CORROSION PROTECTION AGENT FOR CLEANING INORGANIC RESIDUE FROM SEMICONDUCTOR SUBSTRATES | |
| TW200717633A (en) | Semiconductor cleaning formulation containing phosphonic acid and ascorbic acid, and cleaning method | |
| TH84565B (en) | Mixture for removal of post-etching residue and residue, ash-raised photoresist and blistering photoresist |