JP2008538868A - 自己整合型stisonos - Google Patents
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Abstract
Description
およびその個々のデータビットが、個々のフラッシュセルの第1のおよび第2のソース/ドレイン領域に接続されたそれぞれのビット線と、ゲートに接続されたワード線とによって、周辺デコーダおよび制御回路を用いて、プログラミング(書込)、読出、消去またはその他の機能のためにアドレス指定される。
本発明のいくつかの局面が根本的に理解できるように、本発明の簡略な概要を以下に示す。本概要は、本発明の広範な全体像ではない。本概要は、本発明の主要または不可欠な要素を特定するものでも、本発明の範囲を限定するものでもない。むしろ本概要の主目的は、後述するより詳細な説明への導入として本発明のいくつかの概念を簡略に示すことである。
(ポリ1)は、ポリシリコンゲートとして用いるために、コア領域の多層絶縁−電荷トラッピング−絶縁スタック(たとえばONO)と、周辺領域のゲート絶縁層との上に形成される。開口部またはSTI分離トレンチを、コア領域のポリ1層およびスタックを貫通して、ならびに周辺領域のポリ1層およびゲート絶縁層を貫通して基板に同時形成し、それによってウェハの両方の領域に分離トレンチを規定する。
図面を参照して、本発明の1以上の実施例を述べる。図面全体を通じて同じ要素に言及するのに同じ参照符号を用い、また図面において種々の構造が必ずしも同じ縮尺で描かれているとは限らない。本発明は、以下に例示し説明するデュアルビットまたは他のマルチビットSONOS型フラッシュメモリセルに関連する、フラッシュメモリ構造および装置を製造するためのシステムおよび方法に関する。しかし本発明は、その他の種類のフラッ
シュメモリデバイス、たとえば単一のまたはマルチビットのセル等の製造に用いてもよいことを、および本発明はここに具体的に例示し説明する実施例に限定されないことが理解されるであろう。
化層210の高さと一致する高さの段差を有する。
50は一連の行為または事象として下に例示し、説明するが、本発明はそのような行為または事象の例示した順序によって限定されないことが理解されるであろう。たとえば、本発明に係るここに例示および/または説明する行為もしくは事象とは別に、いくつかの行為は異なった順序で、および/または他の行為もしくは事象と同時に生じてもよい。また、本発明に係る手法を実施するのに、例示したすべての工程が必要とは限らない。さらに本発明に係る方法は、ここに例示し説明する構造の形成および/または処理ならびに例示しないその他の構造に関連して実施してもよい。一例では、方法300および350またはその変形例を、図8から図24に関して以下に例示し説明するように、デュアルビットメモリデバイスおよびその関連構造を製造するのに用いてもよい。したがって、方法300および350はウェハのコア領域、周辺領域または両方の領域において同時に実施してもよい。
ハを平坦化してもよい。
用いて)ウェハを平坦化および研磨してもよい。
図8から図13は、図14および図15の例示的なSONOS型の単一のまたはマルチビットのNANDアレイの半導体ウェハ402のコア領域および周辺領域における分離構造の製造を示す断面図であり、たとえば図7Aの方法300および図7Bの方法350による本発明の一局面によって製造することができる。図8から図13の方法はさらに、基板408のコア領域404および周辺領域406における分離トレンチ開口部および構造の形成を示す。
、アレイの各ビットの電荷保持のためのONO層420をさらに含む。
28およびゲート絶縁層526を貫通して基板508内に進行し、それによって図17のウェハ502においてシャロー分離トレンチ(STI)538を規定する。第1のポリシリコン層528およびゲート絶縁層526をパターニングおよびエッチングする際に、公知のドライエッチングの化学的作用を含む適切な処理工程および材料を採用してもよい。
Claims (10)
- ウェハ(402)にシャロー分離トレンチ構造(446)を製造する方法(300)であって、
前記ウェハの基板上に多層絶縁−電荷トラッピング−絶縁スタックを形成するステップ(310)と、
ウェハの周辺領域から前記多層絶縁−電荷トラッピング−絶縁スタックを除去するステップ(312)とを備え、それによって前記多層絶縁−電荷トラッピング−絶縁スタックを前記ウェハのコア領域に規定し、さらに、
前記基板の前記周辺領域上にゲート絶縁層を形成するステップ(314)と、
前記コア領域の多層絶縁−電荷トラッピング−絶縁スタックと、前記周辺領域の前記ゲート絶縁物との上に第1のポリシリコン層を形成するステップ(316)と、
分離トレンチを、コア領域の第1のポリシリコン層および多層絶縁−電荷トラッピング−絶縁スタックを貫通して、ならびに周辺領域の第1のポリシリコン層およびゲート絶縁層を貫通して、基板に同時形成するステップ(318)とを備え、それによって分離トレンチを規定し、さらに、
前記分離トレンチを絶縁物で充填するステップ(326)と、
第1のポリシリコン層と充填したトレンチとの上に第2のポリシリコン層を形成するステップ(332)とを備える、方法。 - 分離トレンチをコア領域および周辺領域に同時形成した後、かつ分離トレンチを絶縁物で充填する前に、分離トレンチに対応する基板にドーパントイオン種を注入するステップ(370)をさらに備える、請求項1に記載の方法。
- 分離トレンチに対応する基板に注入されるドーパントイオン種は、B、BF2およびp型ドーパントイオン種のうちの1つである、請求項2に記載の方法。
- 分離トレンチを絶縁物で充填した後、かつ第1のポリシリコン層と充填したトレンチとの上に第2のポリシリコン層を形成する前に、個々の分離構造を分離させるためにウェハを平坦化するステップ(378)をさらに備える、請求項1に記載の方法。
- シャロー分離トレンチ(438)はマルチビットSONOSフラッシュメモリに製造される、請求項1に記載の方法。
- ウェハ(402)にシャロー分離トレンチ構造(446)を製造する方法(350)であって、
前記ウェハの基板上に多層絶縁−電荷トラッピング−絶縁スタックを形成するステップ(360)と、
ウェハの周辺領域の前記多層絶縁−電荷トラッピング−絶縁スタックを除去するステップ(362)とを備え、それによって前記多層絶縁−電荷トラッピング−絶縁スタックをウェハのコア領域に規定し、さらに、
前記基板の前記周辺領域上にゲート絶縁層を形成するステップ(364)と、
前記コア領域の多層絶縁−電荷トラッピング−絶縁スタックと、前記周辺領域の前記ゲート絶縁物との上に第1のポリシリコン層を形成するステップ(366)と、
分離トレンチを、前記周辺領域の前記第1のポリシリコン層およびゲート絶縁層を貫通して前記基板に形成するステップ(368)とを備え、それによって分離トレンチを規定し、さらに、
前記分離トレンチを絶縁物で充填するステップ(376)と、
第1のポリシリコン層と充填したトレンチとの上に第2のポリシリコン層を形成するステップ(382)とを備える、方法。 - 分離トレンチをコア領域および周辺領域に同時形成した後、かつ分離トレンチを絶縁物で充填する前に、分離トレンチに対応する基板にドーパントイオン種を注入するステップ(370)をさらに備える、請求項6に記載の方法。
- 分離トレンチを絶縁物で充填した後、かつ第1のポリシリコン層と充填したトレンチとの上に第2のポリシリコン層を形成する前に、個々の分離構造を分離させるためにウェハを平坦化するステップ(378)をさらに備える、請求項6に記載の方法。
- マルチビットSONOSフラッシュメモリセルを製造する方法(300)であって、
ウェハの基板上に多層絶縁−電荷トラッピング−絶縁スタックを形成するステップ(310)と、
前記多層絶縁−電荷トラッピング−絶縁スタック上に第1のポリシリコン層を形成するステップ(316)と、
分離トレンチを、前記第1のポリシリコン層および多層絶縁−電荷トラッピング−絶縁スタックを貫通して前記基板に形成するステップ(318)とを備え、それによって分離トレンチを規定し、さらに、
前記分離トレンチを絶縁物で充填するステップ(326)と、
前記第1のポリシリコン層と充填したトレンチとの上に第2のポリシリコン層を形成するステップ(332)とを備える、方法。 - コア領域および周辺領域に分離トレンチを同時形成した後、かつ分離トレンチを絶縁物で充填する前に、分離トレンチに対応する基板にドーパントイオン種を注入するステップ(370)をさらに備える、請求項9に記載の方法。
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