JP2008537366A - I2cバス用エッジレート制御回路 - Google Patents
I2cバス用エッジレート制御回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008537366A JP2008537366A JP2007556704A JP2007556704A JP2008537366A JP 2008537366 A JP2008537366 A JP 2008537366A JP 2007556704 A JP2007556704 A JP 2007556704A JP 2007556704 A JP2007556704 A JP 2007556704A JP 2008537366 A JP2008537366 A JP 2008537366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- terminal
- transition
- edge
- rate control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
- H03K17/165—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches by feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/166—Soft switching
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
I2Cバス応用向けのエッジレート制御回路装置(300)が、受信信号の状態遷移に応答する第1回路段(10, M1, M3)を具えている。さらに、第2回路段(310, 25, 20, 35, 45, M4, ESD)が受信信号の状態遷移に応答し、第2回路段は、受信信号の状態遷移に応答して起動されてI2Cバス用のエッジ遷移信号を供給する駆動回路(M4)、及びこの駆動回路を制御してエッジ遷移信号の遷移レートを調整すべく構成された調整回路(310, R1, R2, M0, M2)を含み、この遷移レートは第1回路段における受信信号の遷移レートより大きく、かつI2Cバス上での通信用に指定された最小遷移レートより大きく最大遷移レートより小さい。
Description
本願は、米国特許仮出願第60/656,736号、発明の名称”Edge-Rate Control”、2005年2月25日出願に基づいて優先権を主張する。
本発明は、IC間通信(I2C(Inter-IC Communication))回路用のエッジレート制御に関するものである。特に、本発明は、広範囲の電源電圧にわたる使用を意図したI2Cデバイス用のエッジレート制御を提供することに関するものである。
I2C(アイ−スクエア−アイ)バスとして一般に知られているIC間バスは、システム内の集積回路間の通信リンクを提供する制御バスである。ソフトウェアで規定されたプロトコルを伴うこの単純な二線バスは、フィリップス社によって1980年代初期に開発され、システム制御用の世界的なデファクト・スタンダード(事実上の業界標準)になるまで進化し、温度センサ及び電圧レベル変換器から、EEPROM、汎用I/O、A/D及びD/A変換器、コーデック(CODEC:符号復号器)及びすべての種類のマイクロプロセッサまでのあらゆるものに進出している。Moelands他による米国特許第4,689,740号、発明の名称”Two-Wire Bus-System Comprising a Clock Wire and a Data Wire for Interconnecting a Number of Stations”は、クロックバス配線及びデータバス配線によって相互接続された多数のステーションを具えたコンピュータシステムを記載し、これらの配線は共に、ステーションによって配線上に生成される信号の配線論理機能を形成し、上記米国特許はその全文を参考文献として本明細書に含める。
I2Cバスが20年以上持ちこたえたことにはいくつかの理由が存在する。初めに、このバスは性能に後れを取らずについていき、今日は3レベルのデータ転送レートを提供し、即ち標準モードでは100kbpsまで、ファストモードでは400kbpsまで、そしてハイスピードモードでは3.4Mbpsまでを提供する。近年導入されたハブ、バスレピータ(バス中継器)、双方向スイッチ、及びマルチプレクサ(多重器)は、このバスがサポートすることのできる装置の数を増加させ、バスのキャパシタンスをその当初の最大値400pFを十分上回るまで拡大させた。また、ソフトウェア制御の衝突検出及びアービトレーション(調停)は、複雑なシステムにおいてもデータ破壊を防止して信頼性のある性能を保証する。しかし、性能以上に使い易さが存在する。単純な2本の線はシステム内のすべてのICを接続する。あらゆるI2Cデバイスを共通のI2Cバスに取り付けることができ、そしてあらゆるマスター装置があらゆるスレーブ装置と情報を交換することができる。ソフトウェア制御のアドレス指定方式はアドレス復号化ハードウェアの必要性を解消し、そして外部論理を設計してデバッグする必要性は存在しない、というのは、こうした論理はI2Cプロトコルによって既に提供されているからである。
設計者は、単に新たな装置及び機能を既存のバスに取り付けて、ブロック図から最終的なハードウェアに迅速に移行させることができる。I2Cバスは空間も節減し、全体的なコストを低下させる。二線構造はより少数の配線を意味し、従ってPCB(プリント回路基板)をずっと小さくすることができる。デバッグ及びテストも容易になる、というのは、検証すべき配線及び情報源がより少数であるからである。システムが何世代かにわたって進化すると共に、システムの残りの部分に影響を与えずにI2Cデバイスを容易に追加または除去することが可能になる。
I2Cバス及び他のバス内で信号伝送するに当たり、デバイスの入力からデバイスの出力へのノイズの伝搬を最小化することが重要である。例えば、複数入力の同時切換は、論理値「0」から論理値「1」への場合のように入力が1つの論理状態から他の論理状態に遷移する際にノイズを発生させ得る。出力ノイズの尤度を最小化するために、エッジレート制御がしばしば用いられる。遅延を導入して、入力に誘起される過渡ノイズ(例えばリンギング、スイッチングノイズ、等)から十分な時間が経過するまで、出力が異なる論理状態に遷移しないようにする。
一部のI2C応用では、I2C出力用のエッジレート制御はキャパシタ・フィードバックを用いて立下りエッジを低速にする。一定のエッジレートを生成する1つの方法は、立下りエッジを固定のdv/dtに設定するために、固定電流源をフィードバック・キャパシタと共に使用することを必要とする。エッジレートを制御する他の方法は、静的電流を消散させずに抵抗器を使用して充電電流を制限する。この方法はRC型のエッジ制御となる。
一つの応用例では、エッジレート制御方法が電流(カレント)ミラーを使用し、これは静的電流を消費する。またこの方法は、固定のdv/dtレート(速度)により、立下り時間にバス電圧の関数としての変化を生じさせる(即ち、Vddが大きい際には、0.7×Vddから0.3×Vddまでの遷移を行うのにより長時間を要する)。
(従来技術の)IC(電流源−キャパシタ)エッジレート制御法を示す図1を参照しながら説明する。図には、立上り/立下り時間に対する入力電圧Vin及び出力電圧Voutの波形プロットの例を示す。約2.25V及び約5.5Vの2例の入力電圧(125,130)が共に、約3.52μS(T1)の所で論理値「1」から論理値「0」に遷移している。所定の遅延後に、出力は「ハイ(高)」から「ロー(低)」への遷移で応答している。波形125’の遅延は波形130’の遅延よりずっと小さい。波形125’は約3.6μSの所で、Tdelay125=(T2−T1)でハイからローに遷移し、即ちTdelay125=(3.60μS−3.52μS)=0.08μSである。波形130’は約3.75μSの所で、Tdelay130=(T3−T1)でハイからローに遷移し、即ちTdelay130=(3.75μS−3.52μS)=0.23μSである。波形125’と130’との遅延の差は約0.15μSである。
他方では、他の応用例(即ちRCエッジレート制御)では、一旦遷移が完了すると、抵抗器で制限された電流は静的電流を有しない。しかし、0.7×Vddから0.3×Vddへの遷移はVddが増加すると共に加速される、というのは、利用可能な充電電流はVddの関数であり、出力が下降し始める前の遅延はVddが低下すると共に急速に増加する。1つのI2C部品を多数の応用に用いる状況では、こうした立上り及び立下り時間の変動は部品の多用性を制限する。
(従来技術の)RCエッジレート制御法を示す図2を参照しながら説明する。図には、立上り/立下り時間に対する入力電圧Vin及び出力電圧Voutの波形プロットの例を示す。約2.25V及び約5.5Vの2例の入力電圧(225,230)が共に、約3.52μS(T4で示す)の所で論理値「1」から論理値「0」に遷移している。所定の遅延後に、出力は「ハイ(高)」から「ロー(低)」への遷移で応答している。波形225’の遅延は波形230’の遅延よりずっと大きい。波形225’は約3.64μSの所で、Tdelay225’=(T5−T4)でハイからローに遷移し、即ちTdelay225’=(3.64μS−3.52μS)=0.12μSである。波形230’は約3.75μSの所で、Tdelay230’=(T6−T4)でハイからローに遷移し、即ちTdelay230’=(3.57μS−3.52μS)=0.05μSである。波形225’と230’との遅延の差は約0.07μSである。
同じ部品を広範囲の電源電圧にわたって使用することができ、最小の伝搬遅延を有し、エッジレート制御のノイズ低減の有益性を保ちつつ、また携帯型ハンドヘルド装置のような電力に敏感な応用において静的電力が0である、I2C部品にとって有用な回路の必要性が存在する。
本発明は、広範囲の電源電圧のような動作条件にわたってその性能を維持する構成部品を必要とするI2C応用において有用であることが判明している。本発明は、抵抗−キャパシタ・エッジレート制御法の0の静的電力を、電流ミラー制御の出力立下りエッジ制御のより高速なターンオン(オン状態への切換)の特徴と組み合わせる。本発明は、広いVdd範囲にわたるより不変な遷移時間も生成する。
本発明の好適例では、I2Cバス用途向けのエッジレート制御回路装置が存在し、この回路装置は第1回路段を具え、第1回路段は受信信号の状態遷移に応答する。さらに第2回路段が、この受信信号の状態遷移に応答する。第2回路段は、受信信号の状態遷移に応答して起動されてI2Cバス用のエッジ遷移信号を供給する駆動回路、及びこの駆動回路を制御して上記エッジ遷移信号の遷移レート(遷移速度)を調整すべく構成された調整(レギュレーション)回路を含む。この遷移レートは、第1回路段における受信信号の遷移レートより大きく、かつI2Cバス上での通信用に指定された最大遷移レートより小さく最小遷移レートより大きい。
他の好適例では、シリアル通信バス応用向けのエッジレート制御回路装置が存在する。この回路装置は、受信信号の状態遷移に応答する第1手段を具えている。さらに、受信信号の状態遷移に応答する第2手段が存在する。第2手段は、受信信号の状態遷移に応答して起動されてI2Cバス用のエッジ遷移信号を供給する駆動手段、及びこの駆動手段を制御して上記エッジ制御信号の遷移レートを調整する調整手段を含む。この遷移レートは受信信号の遷移レートより大きく、かつI2Cバス上での通信用に指定された最大遷移レートより小さく最小遷移レートより大きい。
さらに他の好適例では、I2Cバスにおいて使用されるエッジレート制御回路が存在する。この回路は、第1端子、分圧端子、及び第2端子を有する抵抗分圧器を具えている。ソース、ドレイン、及びゲート端子を有する第1NMOSトランジスタ、及びソース、ドレイン、及びゲート端子を有する第1PMOSトランジスタが存在し、第1NMOS及び第1PMOSトランジスタのドレイン端子どうしは互いに結合され、第1PMOSトランジスタのソース端子は抵抗分圧器の分圧端子に結合され、第1PMOSトランジスタのゲート端子は抵抗分圧器の第2端子に結合され、そして第1NMOSトランジスタのソース端子は接地に結合されている。この好適例はさらに、ソース、ドレイン、及びゲート端子を有する第2NMOSトランジスタ、及びソース、ドレイン、及びゲート端子を有する第2PMOSトランジスタを具え、第2PMOSトランジスタのゲート端子は入力端子において第2NMOSトランジスタのゲート端子に結合され、第2PMOSトランジスタのドレイン端子は抵抗分圧器の第1端子に結合され、第2NMOSトランジスタのドレイン端子は抵抗分圧器の第2端子に結合されている。さらに、ソース、ドレイン、及びゲート端子を有する第3NMOSトランジスタが存在する。さらに、第1端子及び第2端子を有するキャパシタが存在し、このキャパシタの第1端子は第3NMOSトランジスタのゲート端子、及び抵抗分圧器の第2端子に結合されている。上記キャパシタの第2端子は出力端子において第3NMOSトランジスタのドレイン端子に結合され、第3NMOSトランジスタのソース端子は接地に結合されている。ESD(静電気放電)保護回路が、出力端子と第1NMOSトランジスタのゲート端子との間に挿入されている。
上述した本発明の概要は、開示する本発明の各実施例、あるいは本発明のすべての態様を表現することを意図したものではない。他の態様及び実施例は、以下の図面及び詳細な説明において提供される。
本発明は、以下の図面を参照した本発明の種々の実施例の詳細な説明を考慮すれば、より完全に理解することができる。
本発明は、電源電圧及び温度のような広範囲の動作条件にわたってその性能を維持する構成部品を必要とするI2C応用において有用であることが判明している。本発明は、抵抗−キャパシタ(RC)エッジレート制御法の0の静的電力を、電流ミラー制御(IC:電流−キャパシタ)の出力立下りエッジ制御のより高速なターンオン(オン状態への切換)の特徴と組み合わせる。本発明は、広いVdd範囲にわたるより不変な遷移時間も生成する。
本発明による一実施例では、エッジレート制御回路が第1回路段を含む。第1回路段は、入力端子で受信した信号の状態遷移に応答する。さらに第2回路段が、受信信号の状態遷移に応答する。第2回路段には駆動回路及び調整回路が含まれる。駆動回路は受信信号の状態遷移に応答して起動されてI2Cバス用のエッジ遷移信号を供給する。調整回路は、駆動回路を制御してエッジ遷移信号の遷移レートを調整するように構成されている。この遷移レートは、第1回路段の入力端子における受信信号の遷移レートより大きいことが望ましい。しかし、この遷移レートは、I2Cバス上での通信用に指定された最小遷移レートより大きく、かつ最大遷移レートより小さいべきである。
エッジレート制御回路内では、調整回路は、駆動回路の出力に結合されたフィードバック信号に応答する。I2Cのような特定のバス応用については、駆動回路をI2Cバスに接続することができる。他の応用については、駆動回路及び調整回路が少なくとも1つの回路ノードを共用することができる。調整回路はさらに、エッジ遷移信号の遷移レートを、第2回路段のパラメータの関数として、かつI2Cバスによる負荷パラメータ及び第2回路段の外部にある回路素子のパラメータに依存せずに提供することができる。これに加えて、調整回路はエッジ遷移信号の遷移レートを、第2回路段の回路パラメータの関数として、かつ第2回路段に電力を供給する電力ノードからの電力供給レベルにおける電圧及び電流の変動に依存せずに提供することができる。
上述したエッジレート制御回路は他の特徴を含むことができる。第2回路段は、過剰な電流を駆動回路から離れて分流させることによって、受信信号の状態遷移に対して一貫性のある応答を提供する分流回路を含むことができる。この分流回路はさらに、分圧回路、及びこの分圧回路内のあるノードに存在する電圧変化に応答して起動される電流切換回路を含むことができる。
上記調整回路は、上記駆動回路の出力に結合されたフィードバック信号に応答し、このフィードバック信号は上記分流回路に結合されて、エッジ遷移信号の遷移レートの調整を促進する。特定実施例では、第2回路段は、受信信号の状態遷移に対する高速の応答を提供して上記駆動回路を起動するRCベースの回路を含む。
なお、I2Cバスには少なくとも2本の配線が存在する。I2Cは、能動的なプルダウン及び受動的なプルアップによる信号伝送を可能にすることによって受動的な通信を提供する。本発明による回路装置は、I2Cバス、及び上記第1回路段及び上記第2回路段に相当する1つ以上の追加的回路に適している。
なお、構成部品の配置を述べれば、MOSデバイスでは、P−MOSデバイスについては、ソースは高電位(例えばVdd)に接続され、ドレインは低電位に接続される。N−MOSデバイスについては、ソースは低電位(例えばVss)に接続され、ドレインは高電位に接続される。電気的には、ソースとドレインとは類似している。MOSトランジスタでは、ソース及びドレイン端子をソース/ドレイン端子またはS/D端子と称することが便利であることが多い。
図3を参照しながら説明する。本発明による一実施例では、上記エッジレート制御回路において、抵抗−キャパシタ・エッジレート制御回路の抵抗器が、出力の立下りエッジの期間中のみにスイッチオンされる電流源に置き換わっている。このエッジレート制御回路は2つの抵抗器及び2つの能動トランジスタを含む。
回路300は、入力10、出力20、及び副回路310を含む。P型トランジスタM1のゲート端子はN型トランジスタM3のゲート端子に結合されている。これらのゲート端子は入力10に結合されている。M1のソースはVdd(70)に結合されている。M3のソースは接地(65)に結合されている。副回路310は、M1(5)のドレイン端子及びM3(15)のドレイン端子に結合されている。追加的な端子25及び35はそれぞれ、キャパシタC0及びESD保護回路に結合されている。副回路310は、分圧器として構成された抵抗器R1及びR2を含む。この分圧器にはトランジスタM0及びM2が結合されている。ノード5では、M1のドレイン端子がR1に結合されている。接続15では、M3のドレイン端子がR2に結合されている。抵抗器R1及びR2はRdiv(60)に結合されている。トランジスタM0はP型である。M0のソースはRdivに結合されている。ノード55では、M0及びM2のドレインが互いに結合されている。M2のソースは接地(65)に結合されている。さらに、R2に接続された接続15は、トランジスタM0のゲートにも結合されている。ノード25では、キャパシタC0の第1端子が、トランジスタM0のゲート端子及びN型トランジスタM4のゲート端子に結合されている。トランジスタM4のドレインは、キャパシタC0の第2端子及び出力20に結合されている。トランジスタM4のソースは接地(65)に結合されている。ノード35では、静電気保護回路(ESD)ブロックの第1端子がトランジスタM2のゲート端子に結合されている。ESD保護回路の第2端子45は出力20に結合されている。ESD保護回路は、本発明を製造するために使用される所与のプロセス技術に適したあらゆる回路とすることができる。
動作中には、抵抗器R1及びR2はトランジスタM0及びM2と共に、出力エッジレート制御回路の単一の抵抗器を置き換える。抵抗器R2はトランジスタM0のソースノードとゲートノードの間に配置されて、R2内の電流がM0のしきい値に等しい電圧降下を生じさせると、M0がスイッチオンされて(オン状態に切り換わって)、R1、M0及びM2を通って接地に至る電流経路を作る。出力がハイである限り、トランジスタM2は導通している。抵抗分圧器R1及びR2の両端の電圧降下が十分大きく、R2上の電圧降下がM0のしきい値に等しいと、M0はR2に行く電流を、M2を通して接地に分路させ始める。このことはR1における電圧降下を増加させる。従って、R1及びR2の両端の電圧がR2上でM0のしきい値に達するのに必要な最小値以上に増加すると、R2内の電流はほぼ一定に留まる。従って、出力をプルダウン(低電位に)するために使用される出力トランジスタ(M4)のゲートに入る電流はVddに依存せずほぼ一定である。M2は、出力がおよそしきい値電圧に降下するまでオン状態のままであるように設計され、このしきい値においてM2がターンオフし(オフ状態に切り換わり)、出力トランジスタのゲートが完全に電源電圧まで充電されると共に上記電流が0まで下降する。
図4を参照しながら説明する。図には、本発明による実施例の入力/出力特性が見られる。約10pFの固定負荷キャパシタンス、及び2.3Vから5.5Vまで変化するVddにおける、Vin及びVout対時間(μS)の曲線をプロットする。曲線410は多数のVddにおけるVinを示し、曲線410aはVinに対応するVoutを示す。遅延Tdelay(Tout−Tin)=(3.62μS−3.52μS)である。入力と出力の間のTdelayは、ある範囲のVddについてプロットした曲線どうしの間では大幅には変化していない。従って、本発明は電源電圧により依存しないエッジレート制御を提供する。
図5を参照しながら説明する。本発明の一実施例では、100pFから4000pFまで変化する負荷キャパシタンス、及び約2.3〜3.5Vの範囲のVddにおいて、曲線510どうしは、ローからハイへの切換(TST)、及び約3.7μS間でローに戻る切換(TFN)において、類似の遅延特性を示している。
シリアルバス応用、特にI2Cバスに関するエッジレート制御を達成するために、図3に概略を示す回路装置に必ずしも限定されない。本発明によるさらに他の実施例では、バス上のシリアル通信用のエッジレート制御装置を、受信信号の状態遷移に応答する第1手段で構成することができる。さらに、第2手段が受信信号の状態遷移に応答する。第2手段は、上記状態遷移に応答して起動されてI2Cバス用のエッジ遷移信号を供給する駆動手段、及びこの駆動手段を制御して上記エッジ遷移信号の遷移レートを調整する調整手段を含む。この遷移レートは受信信号の遷移レートより大きく、かつ上記シリアル通信バス上での通信用に指定された最小遷移レートより大きく最大遷移レートより小さい。このシリアル通信バスはI2Cバスのようなバスを含むことができる。
本発明はいくつかの特定実施例を参照して説明してきたが、請求項に記載された本発明の範囲を逸脱することなしにこれらの実施例に多くの変更を加え得ることは、当業者の認めるところである。
Claims (18)
- I2Cバス応用向けのエッジレート制御回路装置において:
受信信号の状態遷移に応答する第1回路段と;
前記受信信号の状態遷移に応答する第2回路段とを具え、
前記第2回路段は、前記受信信号の状態遷移に応答して起動されて前記I2Cバス用のエッジ遷移信号を供給する駆動回路と、該駆動回路を制御して前記エッジ遷移信号の遷移レートを調整すべく構成された調整回路とを含み、前記遷移レートは前記第1回路段における前記受信信号の遷移レートより大きく、かつ前記I2Cバス上での通信用に指定された最小遷移レートより大きく最大遷移レートより小さいことを特徴とするエッジレート制御回路装置。 - 前記調整回路は、前記駆動回路の出力に結合されたフィードバック信号に応答することを特徴とする請求項1に記載のエッジレート制御回路装置。
- 前記駆動回路が前記I2Cバスに接続されていることを特徴とする請求項1に記載のエッジレート制御回路装置。
- 前記駆動回路及び前記調整回路が少なくとも1つの回路ノードを共用することを特徴とする請求項1に記載のエッジレート制御回路装置。
- 前記調整回路が、前記エッジ遷移信号の遷移レートを、前記第2回路段の回路パラメータの関数として、かつ前記I2Cバスによる負荷パラメータに依存せずに提供することを特徴とする請求項1に記載のエッジレート制御回路装置。
- 前記調整回路が、前記エッジ遷移信号の遷移レートを、前記第2回路段の回路パラメータの関数として、かつ前記第2回路段の外部にある回路素子のパラメータに依存せずに提供することを特徴とする請求項1に記載のエッジレート制御回路装置。
- 前記調整回路が、前記エッジ遷移信号の遷移レートを、前記第2回路段の回路パラメータの関数として、かつ前記第2回路段に電力を供給する電力ノードから供給される電力供給レベルにおける電圧及び電流変動に依存せずに提供することを特徴とする請求項1に記載のエッジレート制御回路装置。
- 前記第2回路段がさらに、過剰な電流を前記駆動回路から離れて分流させることによって、前記受信信号の状態遷移に対して一貫性のある応答を提供する分流回路を含むことを特徴とする請求項1に記載のエッジレート制御回路装置。
- 前記分流回路が、分圧回路と、該分圧回路内のノードに存在する電圧変化に応答して起動される電流スイッチ回路とを含むことを特徴とする請求項8に記載のエッジレート制御回路装置。
- 前記調整回路が前記駆動回路の出力に結合されたフィードバック信号に応答し、前記フィードバック信号は前記分流回路に結合されて、前記エッジ遷移信号の遷移レートの調整を促進することを特徴とする請求項8に記載のエッジレート制御回路装置。
- 前記第2回路段はさらに、前記受信信号の状態遷移に対する高速の応答を提供して前記駆動回路を起動させるRCベースの回路を含むことを特徴とする請求項8に記載のエッジレート制御回路装置。
- 前記I2Cバスは少なくとも2本の配線を有し、能動的なプルダウン及び受動的なプルアップによる信号伝送を可能にすることによって受動的な通信を提供することを特徴とする請求項8に記載のエッジレート制御回路装置。
- 前記I2Cバスは少なくとも2本の配線を有し、受動的なプルアップによる信号伝送を可能にすることによって受動的な通信を提供することを特徴とする請求項8に記載のエッジレート制御回路装置。
- さらに、前記I2Cバス、及び前記第1回路段及び前記第2回路段に相当する回路を含む少なくとも1つの追加的回路を含むことを特徴とする請求項1に記載のエッジレート制御回路装置。
- シリアル通信バス応用向けのエッジレート制御回路装置において:
受信信号の状態遷移に応答する第1手段と;
前記受信信号の状態遷移に応答する第2手段とを具え、
前記第2手段は、前記受信信号の状態遷移に応答して起動されて前記シリアル通信バス用のエッジ遷移信号を供給する駆動手段と、該駆動手段を制御して前記エッジ遷移信号の遷移レートを調整する調整手段とを含み、前記遷移レートは前記受信信号の遷移レートより大きく、かつ前記シリアル通信バス上での通信用に指定された最小遷移レートより大きく最大遷移レートより小さいことを特徴とするエッジレート制御回路装置。 - 前記シリアル通信バスがI2Cバスであることを特徴とする請求項15に記載のエッジレート制御回路装置。
- I2Cバスに使用されるエッジレート制御回路において:
第1端子、分圧端子、及び第2端子を有する抵抗分圧器と;
ソース端子、ドレイン端子、及びゲート端子を有する第1NMOSトランジスタと;
ソース端子、ドレイン端子、及びゲート端子を有する第1PMOSトランジスタとを具え、
前記第1NMOSトランジスタ及び前記第1PMOSトランジスタの前記ドレイン端子どうしが互いに結合され、前記第1PMOSトランジスタの前記ソース端子が前記抵抗分圧器の前記分圧端子に結合され、前記第1PMOSトランジスタの前記ゲート端子が前記抵抗分圧器の前記第2端子に結合され、前記第1NMOSトランジスタの前記ソース端子が接地に結合されていることを特徴とするエッジレート制御回路。 - さらに、
ソース端子、ドレイン端子、及びゲート端子を有する第2NMOSトランジスタと;
ソース端子、ドレイン端子、及びゲート端子を有する第2PMOSトランジスタと;
ソース端子、ドレイン端子、及びゲート端子を有する第3NMOSトランジスタと;
第1端子及び第2端子を有するキャパシタと;
静電気放電(ESD)保護回路とを具え、
前記第2PMOSトランジスタの前記ゲート端子は、入力端子において前記第2NMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合され、前記第2PMOSトランジスタの前記ドレイン端子は前記抵抗分圧器の前記第1端子に結合され、前記第2NMOSトランジスタの前記ドレイン端子は前記抵抗分圧器の前記第2端子に結合され、
前記キャパシタの前記第1端子は前記第3NMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合され、前記キャパシタの前記第2端子は、出力端子において前記第3NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第3NMOSトランジスタの前記ソース端子は接地に結合され、前記静電気保護回路は、前記出力端子と前記第1NMOSトランジスタの前記ゲート端子との間に挿入されている
ことを特徴とする請求項17に記載のエッジレート制御回路。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US65673605P | 2005-02-25 | 2005-02-25 | |
US68684305P | 2005-06-01 | 2005-06-01 | |
PCT/IB2006/050596 WO2006090344A1 (en) | 2005-02-25 | 2006-02-24 | Edge rate control for i2c bus applications |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008537366A true JP2008537366A (ja) | 2008-09-11 |
Family
ID=36589242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007556704A Withdrawn JP2008537366A (ja) | 2005-02-25 | 2006-02-24 | I2cバス用エッジレート制御回路 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7733142B2 (ja) |
EP (1) | EP1856802B1 (ja) |
JP (1) | JP2008537366A (ja) |
CN (1) | CN101228693B (ja) |
DE (1) | DE602006007821D1 (ja) |
WO (1) | WO2006090344A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7966438B2 (en) * | 2007-09-27 | 2011-06-21 | Honeywell International Inc. | Two-wire communications bus system |
DE102007053874B3 (de) * | 2007-11-09 | 2009-04-09 | Atmel Germany Gmbh | Monolithisch integrierter Schaltkreis und Verwendung eines Halbleiterschalters |
US7852110B2 (en) * | 2008-05-21 | 2010-12-14 | Texas Instruments Incorporated | Controlling the slew-rate of an output buffer |
US7999569B2 (en) * | 2009-12-03 | 2011-08-16 | Nxp B.V. | Edge rate suppression for open drain buses |
DE102014019426B3 (de) * | 2014-07-08 | 2015-06-03 | Elmos Semiconductor Aktiengesellschaft | EMV gerechte Flanken-Regelung für Transceiver eines Eindrahtbussystems, insbesondere für einen LINBUS-Transceiver |
DE102014010202B3 (de) * | 2014-07-08 | 2015-05-07 | Elmos Semiconductor Aktiengesellschaft | EMV gerechte Flanken-Regelung für Transceiver eines Eindrahtbussystems, insbesondere für einen LINBUS-Transceiver |
RU171656U1 (ru) * | 2017-01-10 | 2017-06-08 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Комсомольский-на-Амуре государственный технический университет" (ФГБОУ ВО "КнАГТУ") | Устройство мониторинга линии интерфейса последовательной асимметричной шины |
DE102018210061A1 (de) * | 2018-06-21 | 2019-12-24 | Robert Bosch Gmbh | I3C-Slave-Schnittstelle, integrierte Schaltung mit einer I3C-Slave-Schnittstelle und Verfahren zum Betreiben einer I3C-Slave-Schnittstelle |
CN114676088B (zh) * | 2022-02-18 | 2024-06-04 | 珠海全志科技股份有限公司 | 一种通讯方法、装置及存储介质 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4689740A (en) * | 1980-10-31 | 1987-08-25 | U.S. Philips Corporation | Two-wire bus-system comprising a clock wire and a data wire for interconnecting a number of stations |
US4906867A (en) | 1988-11-09 | 1990-03-06 | Ncr Corporation | Buffer circuit with load sensitive transition control |
JPH077404A (ja) | 1992-11-03 | 1995-01-10 | Texas Instr Deutschland Gmbh | トランジスタ駆動回路配置 |
US5559502A (en) * | 1993-01-14 | 1996-09-24 | Schutte; Herman | Two-wire bus system comprising a clock wire and a data wire for interconnecting a number of stations and allowing both long-format and short-format slave addresses |
US5557223A (en) * | 1993-06-08 | 1996-09-17 | National Semiconductor Corporation | CMOS bus and transmission line driver having compensated edge rate control |
US5818260A (en) * | 1996-04-24 | 1998-10-06 | National Semiconductor Corporation | Transmission line driver having controllable rise and fall times with variable output low and minimal on/off delay |
US5883531A (en) * | 1997-08-18 | 1999-03-16 | National Semiconductor Corporation | Universal serial bus driver having MOS transistor gate capacitor |
JP3844120B2 (ja) * | 2001-10-19 | 2006-11-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP3464471B2 (ja) * | 2002-01-17 | 2003-11-10 | 沖電気工業株式会社 | 出力バッファ回路 |
CN2687949Y (zh) * | 2003-10-22 | 2005-03-23 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 脉冲信号的自动切换控制装置 |
-
2006
- 2006-02-24 EP EP06710969A patent/EP1856802B1/en active Active
- 2006-02-24 DE DE602006007821T patent/DE602006007821D1/de active Active
- 2006-02-24 JP JP2007556704A patent/JP2008537366A/ja not_active Withdrawn
- 2006-02-24 US US11/816,710 patent/US7733142B2/en active Active
- 2006-02-24 CN CN2006800105399A patent/CN101228693B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-02-24 WO PCT/IB2006/050596 patent/WO2006090344A1/en active Application Filing
-
2010
- 2010-04-30 US US12/770,793 patent/US7940102B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE602006007821D1 (de) | 2009-08-27 |
CN101228693B (zh) | 2012-03-28 |
US7733142B2 (en) | 2010-06-08 |
US7940102B2 (en) | 2011-05-10 |
US20090066381A1 (en) | 2009-03-12 |
EP1856802B1 (en) | 2009-07-15 |
CN101228693A (zh) | 2008-07-23 |
US20100264970A1 (en) | 2010-10-21 |
EP1856802A1 (en) | 2007-11-21 |
WO2006090344A1 (en) | 2006-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7940102B2 (en) | Edge rate control for I2C bus applications | |
EP0942562B1 (en) | Driver for a serial bus | |
US7859314B2 (en) | Method and system for a signal driver using capacitive feedback | |
WO1993021572A1 (en) | Electrical current source circuitry for a bus | |
JP5690341B2 (ja) | 選択的にac結合又はdc結合されるように適合される集積回路 | |
WO2018005115A1 (en) | Edp mipi dsi combination architecture | |
KR100511824B1 (ko) | 프로그램가능한슬루레이트제어출력드라이버를제공하기위한장치및방법 | |
US7298200B2 (en) | Voltage generation circuits for supplying an internal voltage to an internal circuit and related methods | |
US20070247192A1 (en) | Open drain output circuit | |
US5652528A (en) | Transceiver circuit and method of transmitting a signal which uses an output transistor to send data and assist in pulling up a bus | |
JPH09232940A (ja) | 可変電圧可変インピーダンスcmosオフチップ・ドライバおよびレシーバ・インタフェースおよび回路 | |
US7268578B2 (en) | Transmission circuit, data-transfer control device and electronic equipment | |
US7009435B2 (en) | Output buffer with controlled slew rate for driving a range of capacitive loads | |
JP4480229B2 (ja) | パワーオフ検出回路 | |
JP2022129021A (ja) | リセット用半導体集積回路およびそれを用いた電子回路システム | |
KR20180047209A (ko) | 레퍼런스 선택 회로 | |
KR100753080B1 (ko) | 내부전원 생성장치 | |
Anderson et al. | Edge rate control for 1 2 C bus applications | |
US6392441B1 (en) | Fast response circuit | |
KR100656426B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 내부 전원 생성 회로 | |
WO2007113764A1 (en) | Method and system for signal control | |
JP2008042336A (ja) | ドライバ回路、ドライバ装置ならびにそれらを用いた電子機器 | |
JP3031223B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
US6259303B1 (en) | Wave shaping circuit | |
JPWO2003013085A1 (ja) | 半導体装置及びデータ転送システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20081015 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20081014 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20081106 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090909 |