KR100753080B1 - 내부전원 생성장치 - Google Patents

내부전원 생성장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100753080B1
KR100753080B1 KR1020050133959A KR20050133959A KR100753080B1 KR 100753080 B1 KR100753080 B1 KR 100753080B1 KR 1020050133959 A KR1020050133959 A KR 1020050133959A KR 20050133959 A KR20050133959 A KR 20050133959A KR 100753080 B1 KR100753080 B1 KR 100753080B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
internal power
signal
pull
unit
voltage
Prior art date
Application number
KR1020050133959A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070036572A (ko
Inventor
도창호
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to US11/529,253 priority Critical patent/US20070069808A1/en
Priority to TW095136305A priority patent/TWI313009B/zh
Publication of KR20070036572A publication Critical patent/KR20070036572A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100753080B1 publication Critical patent/KR100753080B1/ko
Priority to US12/479,055 priority patent/US7843256B2/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10Regulating voltage or current
    • G05F1/46Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/462Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc as a function of the requirements of the load, e.g. delay, temperature, specific voltage/current characteristic
    • G05F1/465Internal voltage generators for integrated circuits, e.g. step down generators
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
    • G11C29/021Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in voltage or current generators
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0008Arrangements for reducing power consumption
    • H03K19/0016Arrangements for reducing power consumption by using a control or a clock signal, e.g. in order to apply power supply
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C2207/00Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C2207/22Control and timing of internal memory operations
    • G11C2207/2227Standby or low power modes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

본 발명은 전류소모가 적으며 안정적이 내부전원을 공급하기 위한 내부전원 공급장치를 제공하기 위한 것으로, 이를 위한 본 발명으로 내부전원의 공급단을 풀업 구동하기 위한 풀업 드라이버; 상기 내부전원의 공급단을 풀다운 구동하기 위한 풀다운 드라이버; 상기 내부전원에 대응되는 제1 피드백전압이 기준전압 보다 낮을 경우 상기 풀업 드라이버를 턴온시키기 위한 풀업 드라이빙 제어수단; 및 상기 내부전원에 대응되는 전압 레벨을 갖되, 상기 제1 피드백전압 보다 낮은 전압 레벨을 갖는 제2 피드백전압이 상기 기준전압 보다 높은 경우 상기 풀다운 드라이버를 턴온시키기 위한 풀다운 드라이빙 제어수단을 구비하는 내부전원 생성장치를 제공한다.
내부전원, 비교, 상승제한, 전류소모, 안정

Description

내부전원 생성장치{INTERNAL VOLTAGE GENERATOR}
도 1은 종래기술에 따른 내부전원 생성장치의 회로도.
도 2는 도 1의 동작 파형도.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 내부전원 생성장치의 회로도.
도 4는 도 3의 동작 파형도.
도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 내부전원 생성장치의 회로도.
도 6은 도 5의 디바이딩부의 내부 회로도.
도 7은 도 6의 선택부의 내부 회로도.
도 8은 도 5의 신호 생성부의 내부 회로도.
도 9는 다른 실시 예에 따른 도 5의 디바이딩부의 내부 회로도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
300 : 풀업 드라이빙 제어부
400 : 풀다운 드라이빙 제어부
420, 460 : 제2 피드백부
440 : 제2 제어신호 생성부
480 : 테스트부
본 발명은 반도체 설계 기술에 관한 것으로, 특히 내부전원 생성장치에 관한 것이다.
반도체 메모리소자의 공급전압은 세대가 지날수록 낮아지고 있다. 이러한 과정에서 안정적인 메모리의 동작 특성을 얻기 위한 여러가지 기술들이 제안되어 있는데, 이중 전압 다운 컨버터를 이용한 내부전원 공급장치도 다양한 형태로 만들어 진다.
한편, 일반적인 내부전원 공급장치 내 풀업 및 풀다운 드라이버의 응답 특성이나, 회로 구성 및 동작 환경 상의 차이로 인하여 목표값보다 지나치게 상승되는 경우가 발생한다. 이 불안정한 내부전원으로 인한 다양한 불량들이 발생할 수 있고, 특히 내부전원의 변화에 의한 불량은 동작 환경에 민감하게 반응하므로 안정적인 동작 성능을 확보하기 어렵다.
따라서, 이렇게 상승된 전압을 디스차지 시켜 원하는 목표값이 되도록 하는 블록을 포함하는 내부전원 생성장치를 도면을 참조하여 구체적으로 살펴보도록 한다.
도 1은 종래기술에 따른 내부전원 생성장치의 회로도이다.
도 1을 참조하면, 종래기술에 내부전원 생성장치는 내부전원(VINT)의 공급단을 풀업 구동하기 위한 풀업 드라이버(PM1)와, 내부전원(VINT)의 공급단을 풀다운 구동하기 위한 풀다운 드라이버(NM1)와, 기준전압(VR)에 비해 내부전원의 레벨이 낮을 경우 풀업 드라이버(PM1)를 턴온시키기 위한 풀업 제어부(10)와, 기준전압(VR)에 비해 내부전원(VINT)의 레벨이 높은 경우 풀다운 드라이버(NM1)를 턴온시키기 위한 풀다운 제어부(20)를 구비한다.
그리고 풀업 제어부(10)는 내부전원(VINT)의 레벨에 대해 일정한 레벨을 갖는 제1 피드백전압(Vfd1)을 생성하기 위한 제1 피드백부(12)와, 기준전압(VR)과 제1 피드백전압(Vfd1)을 비교하여 풀업 드라이빙 신호(DRV_ONB)를 생성하기 위한 제1제어신호 생성부(14)를 구비한다.
제1 피드백부(12)는 내부전원(VINT)과 접지전원(VSS)의 공급단 사이에 MOS트랜지스터로 구현된 액티브 저항이 직렬 연결되어 구현된다. 이렇게 출력되는 제1 피드백전압(Vfd1)은 내부전원(VINT)의 레벨에 1/2비율을 갖는다.
제1 제어신호 생성부(14)는 제1 피드백전압(Vfd1)과 기준전압(VR)의 레벨 차이를 비교하여, 제1 피드백전압(Vfd1)의 레벨이 기준전압(VR)보다 낮은 경우 풀업 드라이빙신호(DRV_ONB)를 논리레벨 'L'로 활성화시키는 제1 비교기를 포함한다.
풀다운 제어부(20)는 내부전원(VINT)의 레벨에 대해 일정한 레벨을 갖는 제2 피드백전압(Vfd2)을 생성하기 위한 제2 피드백부(22)와, 구동오프신호(DIS_ENB)에 응답하여 기준전압(VR)과 제2 피드백전압(Vfd2)을 비교하여 풀다운 드라이빙 신호(DIS_ON)를 생성하기 위한 제2 제어신호 생성부(24)를 구비한다.
제2 피드백부(22)는 내부전원(VINT)과 접지전원(VSS)의 공급단 사이에 MOS트랜지스터로 구현된 액티브 저항이 직렬 연결되어 구현된다. 이렇게 출력되는 제2 피드백전압(Vfd2)은 내부전원(VINT)의 레벨에 1/2비율을 가져, 제1 피드백전압(Vfd1)과 동일한 레벨을 갖는다.
제2 제어신호 생성부(24)는 구동오프신호(DIS_ENB)의 비활성화 시 제2 피드백전압(Vfd2)과 기준전압(VR)의 레벨 차이를 비교하여, 제2 피드백전압(Vfd2)의 레벨이 기준전압(VR)보다 높은 경우 풀다운 드라이빙신호(DIS_ON)를 논리레벨 'H'로 활성화시키는 제2 비교기(24a)와, 구동오프신호(DIS_ENB)의 활성화 시 풀다운 드라이빙신호(DIS_ON)를 논리레벨 'L'로 비활성화시키기 위한 오프부(NM2)를 구비한다.
오프부(NM2)는 구동오프신호(DIS_ENB)를 게이트 입력으로 가지며 제2 비교기(24a)의 출력노드와 접지전원(VSS)의 공급단 사이에 드레인-소스 경로를 갖는 NMOS트랜지스터(NM2)를 구비한다.
도 2는 도 1의 동작 파형도로서, 이를 참조하여 종래기술에 따른 내부전원 생성장치의 구동을 살펴보도록 한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 읽기나 쓰기 동작의 수행으로 인해 내부전원(VINT)의 큰 소모가 발생하게 되면, 내부전원(VINT_실제)의 레벨이 목표값(VINT_목표값) 보다 하강하게 된다.
따라서, 제1 피드백부(12)에 의한 제1 피드백전압(Vfd1) 역시 기준전압(VR) 보다 레벨이 하강하므로, 제1 비교기(14)가 풀업 드라이빙신호(DRV_ONB)를 논리레벨 'L'로 활성화 시키게 된다. 따라서, 풀업 드라이버(PM1)가 액티브되어 내부전원 (VINT)을 공급하므로 내부전원(VINT_실제)의 레벨이 상승한다.
이와같이 내부전원(VINT_실제)의 레벨이 목표 값(VINT_목표값) 이하로 하강하면, 풀업 제어부(10) 및 풀업 드라이버(PM1)가 액티브되어 내부전원(VINT)을 공급하여 내부전원(VINT_실제)이 목표값 이상으로 상승되도록 한다.
또한, 내부전원(VINT_실제)의 레벨이 목표값 이상으로 상승하게 되면, 제2 피드백부(22)에 의한 제2 피드백전압(Vfd2)이 기준전압(VR)보다 상승하게 된다.
따라서, 제2 비교기(24a)가 구동오프신호(DIS_ENB)의 비활성화 시 제2 피드백전압(Vfd2)이 기준전압(VR) 보다 상승하는 것을 감지하여 풀다운 드라이빙신호(DIS_ON)를 논리레벨 'H'로 활성화한다. 따라서, 풀다운 드라이버(NM1)가 액티브되어 내부전원(VINT)의 공급단을 풀다운 구동하므로, 내부전원(VINT_실제)이 목표값(VINT_목표값) 이상으로 상승되지 않도록 한다.
전술한 바와 같은 과정을 반복하여, 내부전원(VINT_실제)의 레벨이 목표값(VINT_목표값)에 대응되는 레벨로 유지되도록 한다.
그런데, 실제적으로 제1 및 제2 비교기(14, 24a)의 응답 특성이 동일하지 않고, 풀다운 드라이빙신호(DIS_ON) 및 풀업 드라이빙신호(DRV_ONB)가 가진 로딩이 다르다. 때문에, 제1 및 제2 비교기(14, 24a)의 풀업 및 풀다운 드라이빙신호(DRV_ONB, DIS_ON)의 천이 특성에 있어서 각기 다른 지연시간과, 다른 기울기로 천이한다.
또한, 각 풀업 및 풀다운 드라이버(PM1, NM1)와, 각 피드백부(12, 22)의 환경이 다르고, 동일한 환경이라 할지라도 풀업 드라이버(PM1)와 풀다운 드라이버 (NN1)가 스위칭하는 순간 두 드라이버가 동시에 턴온되는 구간이 발생된다. 이 경우, 풀다운 드라이버(PM1)와, 풀업 드라이버(NM1) 사이에 직접적인 전류(Idirect) 소모가 발생되어 전체적인 전류소모의 증가를 가져와 제품 경쟁력을 약화시킨다.
따라서, 이러한 경우에 시간적으로 내부전원의 사용이 많은 경우를 피해 풀다운 드라이버를 구동시키기 위해, 제2 비교기의 동작을 지연시켜 구동되도록 하기도 하지만, 기본적으로 제1 및 제2 비교기의 감지동작이 수행되는 동안에는 풀업 드라이버 및 풀다운 드라이버가 동시에 턴온되는 구간의 발생은 필연적인 것 이다. 이로 인한 추가 전류소모는 피할 수 없다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 전류소모가 적으며 안정적이 내부전원을 공급하기 위한 내부전원 공급장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따른 내부전원 공급장치는 내부전원의 공급단을 풀업 구동하기 위한 풀업 드라이버; 상기 내부전원의 공급단을 풀다운 구동하기 위한 풀다운 드라이버; 상기 내부전원에 대응되는 제1 피드백전압이 기준전압 보다 낮을 경우 상기 풀업 드라이버를 턴온시키기 위한 풀업 드라이빙 제어수단; 및 상기 내부전원에 대응되는 전압 레벨을 갖되, 상기 제 1 피드백전압 보다 낮은 전압 레벨을 갖는 제2 피드백전압이 상기 기준전압 보다 높은 경우 상기 풀다운 드라이버를 턴온시키기 위한 풀다운 드라이빙 제어수단을 포함한다.
본 발명의 타 측면에 따른 내부전원 공급장치는 내부전원의 공급단을 풀업 구동하기 위한 풀업 드라이버; 상기 내부전원의 공급단을 풀다운 구동하기 위한 풀다운 드라이버; 상기 내부전원에 대응되는 제1 피드백전압을 통해 기준전압 보다 낮을 경우 상기 풀업 드라이버를 턴온시키기 위한 풀업 드라이빙 제어수단; 선택신호를 생성하기 위한 테스트부와, 상기 내부전원에 대응되는 복수의 전압 레벨 중 하나를 상기 선택신호에 응답하여 제2 피드백전압으로 전달하기 위한 피드백부와, 상기 제2 피드백전압의 레벨이 상기 기준전압 보다 높은 경우 상기 풀다운 드라이버를 턴온시키기 위한 제어신호 생성부를 포함하는 풀다운 드라이빙 제어수단을 포함한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 내부전원 생성장치의 회로도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 내부전원 생성장치는 내부전원(VINT)의 공급단을 풀업 구동하기 위한 풀업 드라이버(100)와, 내부전원(VINT)의 공급단을 풀다운 구동하기 위한 풀다운 드라이버(200)와, 내부전원(VINT)에 대 응되는 제1 피드백전압(Vfd1)이 기준전압(VR) 보다 낮을 경우 풀업 드라이버(100)를 턴온시키기 위한 풀업 드라이빙 제어부(300)와, 내부전원(VINT)에 대응되는 전압 레벨을 갖되, 제1 피드백전압(Vfd1) 보다 낮은 전압 레벨을 갖는 제2 피드백전압(Vfd2)이 기준전압(VR) 보다 높은 경우 풀다운 드라이버(200)를 턴온시키기 위한 풀다운 드라이빙 제어부(400)를 구비한다.
그리고 풀업 드라이빙 제어부(300)는 내부전원(VINT)의 레벨에 대해 일정한 레벨을 갖는 제1 피드백전압(Vfd1)을 생성하기 위한 제1 피드백부(320)와, 기준전압(VR)과 제1 피드백전압(Vfd1)을 비교하여 풀업 드라이빙 신호(DRV_ONB)를 생성하기 위한 제1 제어신호 생성부(340)를 구비한다.
이때, 출력되는 제1 피드백전압(Vfd1)은 내부전원(VINT)의 레벨에 대해 1/2비율을 갖는다.
제1 제어신호 생성부(340)는 제1 피드백전압(Vfd1)과 기준전압(VR)의 레벨 차이를 차동 입력으로 가져, 제1 피드백전압(Vfd1)의 레벨이 기준전압(VR)보다 낮은 경우 풀업 드라이빙신호(DRV_ONB)를 논리레벨 'L'로 활성화시키는 비교기를 포함한다.
또한, 풀다운 드라이빙 제어부(400)는 내부전원(VINT)의 공급단과 접지전원(VSS)의 공급단 사이에 직렬 연결된 패시브 소자의 저항을 통해 제2 피드백전압(Vfd2)을 생성하기 위한 제2 피드백부(420)와, 구동오프신호(DIS_ENB)에 응답하여 기준전압(VR)과 제2 피드백전압(Vfd2)을 비교하여 풀다운 드라이빙 신호(DIS_ON)를 생성하기 위한 제2 제어신호 생성부(440)를 구비한다.
제2 피드백부(420)는 내부전원(VINT)의 공급단과 접지전원(VSS)의 공급단 사이에 직렬 연결된 제1 및 제2 저항(RA, RB)를 구비하여, 제1 및 제2 저항(RA, RB)의 연결노드에 걸린 전압을 제2 피드백전압(Vfd2)으로 전달한다.
이때, 제2 피드백전압(Vfd2)은 제1 및 제2 저항(RA, RB) 비율에 의해 결정되는데, 이를 수식으로 살펴보면, 하기 수학식 1과 같다.
Figure 112005077995310-pat00001
이때, RB < RA 가 성립하므로, 제2 피드백전압(Vfd2)은 내부전원(VINT)의 레벨에 대해 1/2비율보다 작은 레벨을 갖게 되므로, 제2 피드백전압(Vfd2)은 제1 피드백전압(Vfd1)에 비해 낮은 전압 레벨을 갖는다.
제2 제어신호 생성부(440)는 구동오프신호(DIS_ENB)의 비활성화 시 제2 피드백전압(Vfd2)과 기준전압(VR)의 레벨 차이를 비교하여, 제2 피드백전압(Vfd2)의 레벨이 기준전압(VR)보다 높은 경우 풀다운 드라이빙신호(DIS_ON)를 논리레벨 'H'로 활성화시키는 비교기(442)와, 구동오프신호(DIS_ENB)의 활성화 시 풀다운 드라이빙신호(DIS_ON)를 논리레벨 'L'로 비활성화시키기 위한 오프부(NM4)를 구비한다.
오프부(NM4)는 구동오프신호(DIS_ENB)를 게이트 입력으로 가지며 비교기(442)의 출력노드와 접지전원(VSS)의 공급단 사이에 드레인-소스 경로를 갖는 NMOS트랜지스터(NM4)를 구비한다.
참고적으로, 구동오프신호(DIS_ENB)는 액티브커맨드(ACT)와 같이 내부전원의 소모가 많이 발생되는 신호에 동기되어 비활성화되며, 프리차지커맨드(PCG)와 같이 내부전원의 소모가 발생되지 않을 경우 이에 동기되어 활성화된다.
이와같이, 본 발명에 따른 내부전원 생성장치는 제1 피드백전압(Vfd1) 보다 낮은 제2 피드백전압(Vfd2)을 사용하므로서, 풀다운 드라이버(PM2) 및 풀업 드라이버(NM3)와 동시에 턴온되어 직접적인 전류소모가 발생되지 않도록 한다.
도 4는 도 3의 동작 파형도로서, 이를 참조하여 내부전원 생성장치의 동작을 간략히 살펴보도록 한다.
먼저, 소자 내에서 발생된 내부전원(VINT)의 소모로 인해 내부전원(VINT_실제)의 레벨이 목표값(VINT_목표값) 이하로 하강하게 된다.
따라서, 제1 피드백부(340)에 의한 제1 피드백전압(Vfd1)의 레벨이 기준전압(VR) 보다 하강하므로, 제1 비교기(340)가 풀업 드라이빙신호(DRV_ONB)를 논리레벨 'L'로 활성화 시키므로 풀업 드라이버(100)가 액티브되어 내부전원(VINT)을 공급한다.
풀업 드라이버(100)의 풀업 구동에 의해 내부전원(VINT_실제)의 레벨이 상승하게 된다.
이때, 내부전원(VINT_실제)의 레벨이 목표값(VINT_목표값) 보다 상승하는 시점에 동일하게 제1 피드백전압(Vfd1)도 기준전압(VR) 보다 상승하게 되므로, 제1 비교기(340)가 풀업 드라이빙신호(DRV_ONB)를 논리레벨 'H'로 천이시키게 된다. 이러한 천이 과정 동안에도 풀업 드라이빙신호(DRV_ONB)가 논리레벨 'H'로 판별되기 전까지는 풀업 드라이버(100)가 소정시간 구동되기 때문에, 풀업 드라이버(100)가 턴오프되기 전 까지는 내부전원(VINT_실제)의 레벨이 상승하게 된다.
따라서, 제2 피드백전압(Vfd2)의 레벨이 기준전압(VR) 보다 상승하게 되면, 제2 비교기(442)가 풀다운 드라이빙신호(DIS_ON)를 논리레벨 'H'로 활성화시킨다. 그러나, 제2 피드백전압(Vfd2)의 레벨이 제1 피드백전압(Vfd1)에 비해 낮기 때문에, 풀업 드라이빙신호(DRV_ONB)의 활성화 구간과 풀다운 드라이빙신호(DIS_ON)의 활성화 구간이 중복되진 않는다.
이어, 풀업 드라이빙신호(DIS_ON)에 액티브된 풀다운 드라이버(200)가 내부전원(VINT)의 공급단을 풀다운 구동하며, 이는 제2 피드백전압(Vfd2)의 레벨이 기준전압(VR) 보다 낮아질 때까지 이뤄진다.
이와같이, 본 발명에 따른 내부전원 공급장치는 내부전원(VINT)의 상승 레벨을 제한하기 위한 제2 피드백전압(Vfd2)을, 하강레벨을 제한하기 위한 제1 피드백전압(Vfd1) 보다 낮게 하므로서, 풀업 드라이버(100) 및 풀다운 드라이버(200)가 동시에 턴온되지 않는다. 따라서, 드라이버가 동시에 턴온되어 직접적인 전류()가 흘러 발생되는 전류소모가 없다.
한편, 도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 내부전원 생성장치의 회로도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 내부전원 생성장치는 내부전원(VINT)의 공급단을 풀업 구동하기 위한 풀업 드라이버(100)와, 내부전원(VINT)의 공급단을 풀다운 구동하기 위한 풀다운 드라이버(200)와, 내부전원(VINT)에 대 응되는 제1 피드백전압(Vfd1)을 통해 기준전압(VR) 보다 낮을 경우 풀업 드라이버(100)를 턴온시키기 위한 풀업 드라이빙 제어부(300)와, 선택신호(SEL1 ~ M)를 생성하기 위한 테스트부(480)와, 내부전원(VINT)에 대응되는 복수의 전압 레벨 중 하나를 선택신호(SEL0 ~ 5)에 응답하여 제2 피드백전압(Vfd2)으로 전달하기 위한 피드백부(460)와, 제2 피드백전압(Vfd2)의 레벨이 기준전압(VR) 보다 높은 경우 풀다운 드라이버(200)를 턴온시키기 위한 제2 제어신호 생성부(440)를 포함하는 풀다운 드라이빙 제어부(400)를 구비한다.
그리고 제2 피드백부(460)는 내부전원(VINT)에 대해 일정한 레벨을 갖는 복수의 신호를 생성하기 위한 디바이딩부(462)와, 선택신호(SEL1 ~ M)에 응답하여 복수의 신호 중 하나를 선택하여 제2 피드백전압(Vfd2)으로 전달하기 위한 선택부(464)를 포함한다.
테스트부(480)는 테스트신호(EN0 ~ L)를 생성하기 위한 신호 생성부(484)와, 테스트신호(EN0 ~ L)를 디코딩하여 복수의 선택신호(SEL0 ~ 5) 중 하나를 활성화시키기 위한 디코딩부(482)를 포함한다.
제2 실시 예에 따른 내부전원 생성장치는 제1 실시 예에 따른 내부전원 생성장치에 비해 피드백부(460) 및 테스트부(480)를 더 포함하므로서, 피드백전압의 레벨을 선택할 수 있어, 내부전원(VINT)의 상승 레벨을 제한하기 위해 가장 효과적인 제2 피드백전압(Vfd2)의 레벨을 알 수 있다.
한편, 제2 실시 예에 따른 내부전원 생성장치는 테스트부(480) 및 제2 피드백부(460)만을 더 포함하므로, 이에 관해서만 다음 도면을 참조하여 구체적으로 살 펴보도록 한다.
도 6은 도 5의 디바이딩부(462)의 내부 회로도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 디바이딩부(462)는 내부전원(VINT)의 공급단과 접지전원(VSS)의 공급단 사이에 직렬 연결된 복수의 패시브 소자의 저항(R1, R2 ~ RN)을 포함하여, 각 연결노드에 걸린 전압을 각각 출력한다.
따라서, 디바이딩부(462)는 직렬 연결된 복수의 패시브 소자의 저항(R1, R2 ~ RN)을 통해 내부전원(VINT)을 디바이딩하여 복수의 출력신호(V1, V2, ~ VM -1, VM)로 출력한다.
도 7은 도 6의 선택부(464)의 내부 회로도로서, 선택부(464)는 해당 선택신호(SEL1 ~ M)의 활성화에 응답하여 디바이딩부(462)의 출력신호(V1, V2, ~ VM -1, VM) 중 하나를 제2 피드백전압(Vfd2)으로 전달하기 위한 복수의 스위치를 포함한다.
동작을 살펴보면, 예를 들어, 선택신호 SEL2이 활성화되면, 스위치가 활성화되어 해당 디바이딩부(462)의 출력신호(V2)가 제2 피드백신호(Vfd2)로 출력된다.
이때, 출력되는 제2 피드백신호(Vfd2)의 전압 레벨은 하기 수학식 2와 같다.
Figure 112005077995310-pat00002
이와같이, 제2 피드백부(460)에 의해 출력되는 제2 피드백전압(Vfd2)은 인가되는 선택신호(SEL1 ~ M)에 따라 그 레벨을 달리한다.
도 8은 도 5의 신호 생성부(484)의 내부 회로도이다.
도 8을 참조하면, 신호 생성부(484)는 해당 테스트신호(EN0 ~ L)를 생성하기 위한 복수의 신호 생성부(484a, 484b)를 포함한다. 제1 신호 생성부(484a)를 예시로서 살펴보면, 제1 신호 생성부(484a)는 인가된 입력신호를 통해 테스트모드 및 해당 테스트신호의 인가를 감지하기 위한 테스트 감지부(1)와, 퓨즈옵션부(2)과, 퓨즈옵션부(2)과 테스트감지부(1)의 출력신호를 인가받아 제1 테스트신호(EN0)를 생성하기 위한 출력부(3)를 구비한다.
출력부(3)는 퓨즈옵션부(2)의 출력신호를 반전시키기 위한 인버터(I1)와, 인버터(I1)의 출력신호와 테스트감지부(1)의 출력신호를 입력으로 갖는 낸드게이트(ND1)와, 낸드게이트(ND1)의 출력신호를 반전시켜 제1 테스트신호(EN0)로 출력하기 위한 인버터(I1)를 포함한다.
신호 생성부(484a)는 테스트모드에서 인가된 어드레스를 감지하여 해당 테스트신호(EN0)를 활성화시키거나, 입력과는 관계없이 퓨즈옵션부(2)가 설정된 경우 해당 테스트신호(EN0)를 활성화 시킨다.
다음에서는 도 5 내지 도 8에 도시된 제2 실시 예에 따른 내부전원 생성장치의 동작 중, 특히, 제2 피드백전압(Vfd2)을 선택하는 과정에 대해서 살펴보도록 한다.
먼저, 테스트부(480)는 테스트모드에서 인가되는 어드레스를 통해 해당 선택신호(EN0 ~ L)를 활성화시킨다. 따라서, 디바이딩부(462)에 의해 내부전원에 대해 일정한 레벨을 가지고 출력되는 복수의 출력신호(V1, V2, ~ VM -1, VM) 중 해당 선택신호(SEL0 ~ M)에 대응되는 신호가 선택부(464)에 의해 제2 피드백신호(Vfd2)로 출력된다.
한편, 이렇게 선택된 제2 피드백전압(Vfd2)의 레벨이 기준전압(VR) 이상으로 상승하게 되면, 제2 비교기(442)가 풀다운 드라이빙신호(DIS_ON)를 활성화시켜 풀다운 드라이버(200)를 액티브시킨다.
전술한 바와 같이, 테스트모드에서 제2 피드백전압(Vfd2)의 레벨을 다양하게 선택하고, 이에 따른 내부전원 생성장치의 구동 및 전류소모를 테스트할 수 있다. 좋은 효율을 갖는 제2 피드백전압(Vfd2)이 설정되며, 디바이딩부(462)의 해당 출력신호가 제2 피드백전압(Vfd2)으로 항상 출력되도록 퓨즈옵션을 설정한다.
따라서, 제2 실시 예에 따른 내부전원 생성장치는 테스트모드를 통해 적은 전류소모를 갖는 피드백전압의 레벨을 선택하고, 칩의 재설계 과정 없이 이를 설정할 수 있다.
한편, 제2 실시 예의 내부전원 생성장치와 같이, 직렬 연결되는 복수의 패시브 소자의 저항을 포함하는 디바이딩부(462)를 구비하면, 스태틱 커런트(Static Current)가 증가하는 문제점이 있다.
따라서, 도 9에 도시된 바와 같이, 디바이딩부(462) 내 저항(RN)과 접지전원(VSS)의 공급단 사이에 구동오프신호(DIS_ENB)에 구동되는 스위치를 더 포함하면, 스태틱 커런트를 줄일 수 있다.
한편, 도 9에서는 제2 실시 예에 따른 내부전원 생성장치의 디바이딩부(462)만을 예시하였으나, 이는 제1 실시 예에 따른 본 발명의 제2 피드백부(420)에도 적용할 수 있으며, 스태틱 전류의 감소라는 동일한 효과를 얻을 수 있다.
전술한 본 발명은 내부전원의 풀업 및 풀다운 구동을 제어하기 위한 제1 및 제2 피드백전압의 레벨을 다르게 하므로서, 풀업 드라이버 및 풀다운 드라이버가 함께 턴온되어 발생되는 전류소모를 줄인다. 또한, 가장 전류소모가 적은 피드백전압의 레벨을 테스트하고, 칩의 재설계 없이 설정이 가능하다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
전술한 본 발명은 피드백전압의 레벨 조절을 통해, 풀업 드라이버 및 풀다운 드라이버가 동시에 턴온되어 발생되는 전류소모를 줄이면서도 안정적인 내부전원을 공급할 수 있다.

Claims (25)

  1. 내부전원의 공급단을 풀업 구동하기 위한 풀업 드라이버;
    상기 내부전원의 공급단을 풀다운 구동하기 위한 풀다운 드라이버;
    상기 내부전원에 대응되는 제1 피드백전압이 기준전압 보다 낮을 경우 상기 풀업 드라이버를 턴온시키기 위한 풀업 드라이빙 제어수단; 및
    상기 내부전원에 대응되는 전압 레벨을 갖되, 상기 제1 피드백전압보다 일정 비율만큼 낮은 전압 레벨을 갖는 제2 피드백전압이 상기 기준전압보다 높은 경우 상기 풀다운 드라이버를 턴온시키기 위한 풀다운 드라이빙 제어수단
    을 구비하는 내부전원 생성장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 풀다운 드라이빙 제어수단은,
    상기 내부전원의 공급단과 접지전원의 공급단 사이에 직렬 연결된 패시브 소자의 저항을 통해 상기 제2 피드백전압을 생성하기 위한 피드백부와,
    구동오프신호의 비활성화 시 상기 기준전압과 상기 제2 피드백전압을 비교하여 풀다운 드라이빙 신호를 생성하기 위한 제어신호 생성부를 구비하는 것
    을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 피드백부는,
    상기 내부전원의 공급단과 상기 접지전원의 공급단 사이에 직렬 연결된 제1 및 제2 저항를 구비하여 상기 제1 및 제2 저항의 연결노드에 걸린 전압을 상기 제2 피드백전압으로 출력하되,
    상기 제1 저항의 저항값은 상기 제2 저항의 저항값 보다 큰 것
    을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 풀다운 드라이빙 제어수단은,
    구동오프신호의 비활성화 시 상기 내부전원의 공급단과 접지전원의 공급단 사이에 직렬 연결된 패시브 소자의 저항을 통해 상기 제2 피드백전압을 생성하기 위한 피드백부와,
    상기 구동오프신호의 비활성화 시 상기 기준전압과 상기 제2 피드백전압을 비교하여 풀다운 드라이빙 신호를 생성하기 위한 제어신호 생성부를 구비하는 것
    을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 피드백부는,
    상기 내부전원의 공급단에 일측단이 접속된 제1 저항과,
    제1 저항의 타측단에 자신의 일측단이 접속된 제2 저항과,
    상기 구동오프신호에 응답하여 제2 저항의 일측단과 상기 접지전원의 공급단을 연결하기 위한 스위치를 구비하여,
    상기 제1 및 제2 저항의 연결노드에 걸린 전압을 상기 제2 피드백전압으로 출력하되 상기 제1 저항의 저항값은 상기 제2 저항의 저항값 보다 큰 것
    을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 구동오프신호는 액티브커맨드와 같이 상기 내부전원의 많은 소모가 예견되는 커맨드에 동기되어 비활성화되며,
    프리차지커맨드와 같이 상기 내부전원의 소모가 발생되지 않을 경우 이에 동기되어 활성화되는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 피드백전압은 상기 내부전원의 레벨에 대해 1/2비율을 갖는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  8. 내부전원의 공급단을 풀업 구동하기 위한 풀업 드라이버;
    상기 내부전원의 공급단을 풀다운 구동하기 위한 풀다운 드라이버;
    상기 내부전원에 대응되는 제1 피드백전압을 통해 기준전압 보다 낮을 경우 상기 풀업 드라이버를 턴온시키기 위한 풀업 드라이빙 제어수단;
    선택신호를 생성하기 위한 테스트부와, 상기 내부전원에 대응되는 복수의 전압 레벨 중 하나를 상기 선택신호에 응답하여 제2 피드백전압 - 상기 제1 피드백전압보다 일정 비율만큼 낮은 전압 레벨을 가짐 - 으로 전달하기 위한 피드백부와, 상기 제2 피드백전압의 레벨이 상기 기준전압 보다 높은 경우 상기 풀다운 드라이버를 턴온시키기 위한 제어신호 생성부를 포함하는 풀다운 드라이빙 제어수단
    을 포함하는 내부전원 생성장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 테스트부는,
    복수의 테스트신호를 생성하기 위한 신호 생성부와,
    상기 복수의 테스트신호를 디코딩하여 복수의 선택신호 중 하나를 활성화시키기 위한 디코딩부를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  10. 제9항에 있어서,
    신호 생성부는,
    테스트모드에서 인가된 어드레스를 감지하여 해당 테스트신호를 활성화시키거나, 입력과는 관계없이 퓨즈옵션이 설정된 경우 상기 해당 테스트신호를 활성화 시키기 위한 제1 내지 제N 신호 생성부를 포함하는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 내지 제N 신호 생성부는
    테스트모드에서 인가된 상기 어드레스를 통해 테스트모드 및 해당 테스트신호의 인가를 감지하기 위한 테스트 감지부와,
    퓨즈옵션부와,
    상기 퓨즈옵션부와 상기 테스트감지부의 출력신호를 인가받아 상기 해당 테스트신호를 생성하기 위한 출력부를 구비하는 것
    을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 출력부는,
    상기 퓨즈옵션부의 출력신호를 반전시키기 위한 제1 인버터와,
    상기 제1 인버터의 출력신호와 상기 테스트감지부의 출력신호를 입력으로 갖는 낸드게이트와,
    상기 낸드게이트의 출력신호를 반전시켜 상기 해당 테스트신호로 출력하기 위한 제2 인버터를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  13. 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 피드백부는,
    상기 내부전원에 대해 일정한 레벨을 갖는 복수의 신호를 생성하기 위한 디바이딩부와,
    상기 선택신호에 응답하여 상기 복수의 신호 중 하나를 선택하여 상기 제2 피드백전압으로 전달하기 위한 선택부를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 디바이딩부는,
    상기 내부전원의 공급단과 상기 접지전원의 공급단 사이에 직렬 연결된 복수의 패시브 소자의 저항을 포함하여, 각 연결노드에 걸린 전압을 각각 출력하는 것
    을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 선택부는,
    상기 해당 선택신호의 활성화에 응답하여 상기 디바이딩부의 복수의 신호 중 해당 신호를 상기 제2 피드백전압으로 전달하기 위한 복수의 스위치를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 피드백전압은 상기 내부전원의 레벨에 대해 1/2비율을 갖는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  17. 내부전원의 공급단을 풀업 구동하기 위한 풀업 드라이버;
    상기 내부전원의 공급단을 풀다운 구동하기 위한 풀다운 드라이버;
    상기 내부전원에 대응되는 제1 피드백전압을 통해 기준전압 보다 낮을 경우 상기 풀업 드라이버를 턴온시키기 위한 풀업 드라이빙 제어수단;
    선택신호를 생성하기 위한 테스트부와, 구동오프신호의 비활성화 시 상기 내부전원에 대응되는 복수의 전압 레벨 중 하나를 상기 선택신호에 응답하여 제2 피드백전압 - 상기 제1 피드백전압보다 일정 비율만큼 낮은 전압 레벨을 가짐 - 으로 전달하기 위한 피드백부와, 상기 제2 피드백전압의 레벨이 상기 기준전압 보다 높은 경우 상기 풀다운 드라이버를 턴온시키기 위한 제어신호 생성부를 포함하는 풀다운 드라이빙 제어수단
    을 포함하는 내부전원 생성장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 구동오프신호는 액티브커맨드와 같이 상기 내부전원의 많은 소모가 예견되는 커맨드에 동기되어 비활성화되며,
    프리차지커맨드와 같이 상기 내부전원의 소모가 발생되지 않을 경우 이에 동기되어 활성화되는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 피드백부는,
    상기 구동오프신호의 비활성화 시 상기 내부전원에 대해 일정한 레벨을 갖는 복수의 신호를 생성하기 위한 디바이딩부와,
    상기 선택신호에 응답하여 상기 복수의 신호 중 하나를 선택하여 상기 제2 피드백전압으로 전달하기 위한 선택부를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 디바이딩부는,
    상기 내부전원의 공급단에 일측단 접속된 제1 저항과, 상기 제1 저항의 타측단에 직렬 연결된 N개의 저항과, 상기 구동오프신호에 응답하여 상기 N개의 저항 중 마지막 저항의 타측단과 상기 접지전원의 공급단 사이을 연결하기 위한 스위치를 포함하여, 각 상기 저항의 연결노드에 걸린 전압을 각각 출력하는 것
    을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  21. 제19항 또는 제20항에 있어서,
    상기 테스트부는,
    복수의 테스트신호를 생성하기 위한 신호 생성부와,
    상기 복수의 테스트신호를 디코딩하여 복수의 선택신호 중 하나를 활성화시 키기 위한 디코딩부를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  22. 제21항에 있어서,
    신호 생성부는,
    테스트모드에서 인가된 어드레스를 감지하여 해당 테스트신호를 활성화시키거나, 입력과는 관계없이 퓨즈옵션이 설정된 경우 상기 해당 테스트신호를 활성화 시키기 위한 제1 내지 제N 신호 생성부를 포함하는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 제1 내지 제N 신호 생성부는
    테스트모드에서 인가된 상기 어드레스를 통해 테스트모드 및 해당 테스트신호의 인가를 감지하기 위한 테스트 감지부와,
    퓨즈옵션부와,
    상기 퓨즈옵션부와 상기 테스트감지부의 출력신호를 인가받아 상기 해당 테스트신호를 생성하기 위한 출력부를 구비하는 것
    을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 출력부는,
    상기 퓨즈옵션부의 출력신호를 반전시키기 위한 제1 인버터와,
    상기 제1 인버터의 출력신호와 상기 테스트감지부의 출력신호를 입력으로 갖는 낸드게이트와,
    상기 낸드게이트의 출력신호를 반전시켜 상기 해당 테스트신호로 출력하기 위한 제2 인버터를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 제1 피드백전압은 상기 내부전원의 레벨에 대해 1/2비율을 갖는 것
    을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
KR1020050133959A 2005-09-29 2005-12-29 내부전원 생성장치 KR100753080B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/529,253 US20070069808A1 (en) 2005-09-29 2006-09-29 Internal voltage generator
TW095136305A TWI313009B (en) 2005-09-29 2006-09-29 Internal voltage generator
US12/479,055 US7843256B2 (en) 2005-09-29 2009-06-05 Internal voltage generator

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20050091678 2005-09-29
KR1020050091678 2005-09-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070036572A KR20070036572A (ko) 2007-04-03
KR100753080B1 true KR100753080B1 (ko) 2007-08-31

Family

ID=38158726

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050133959A KR100753080B1 (ko) 2005-09-29 2005-12-29 내부전원 생성장치

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR100753080B1 (ko)
TW (1) TWI313009B (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101094383B1 (ko) * 2009-12-14 2011-12-15 주식회사 하이닉스반도체 내부전압 발생기
KR101937268B1 (ko) * 2017-10-11 2019-04-09 현대오트론 주식회사 실시간 기울기 제어 장치 및 그것의 동작 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040049939A (ko) * 2002-12-05 2004-06-14 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 내부 전원전압 발생회로

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040049939A (ko) * 2002-12-05 2004-06-14 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 내부 전원전압 발생회로

Also Published As

Publication number Publication date
TWI313009B (en) 2009-08-01
KR20070036572A (ko) 2007-04-03
TW200723291A (en) 2007-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7843256B2 (en) Internal voltage generator
US7315478B2 (en) Internal voltage generator for a semiconductor memory device
US8625380B2 (en) Internal voltage generating circuit of phase change random access memory device and method thereof
KR100795014B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 내부전압 발생기
US7772916B2 (en) Internal voltage generator of semiconductor device and method for generating internal voltage
KR101086858B1 (ko) 라이트 전압을 생성하는 비휘발성 반도체 메모리 회로
KR100909636B1 (ko) 듀얼 파워 업 신호 발생 회로
US9323260B2 (en) Internal voltage generation circuits and semiconductor devices including the same
KR100753080B1 (ko) 내부전원 생성장치
KR20130072085A (ko) 반도체 집적회로의 기준전압 발생회로
KR100753407B1 (ko) 블라인드 구조를 갖는 반도체 장치
KR20080043500A (ko) 내부전압 검출기 및 이를 이용한 내부전압 발생장치
KR100904426B1 (ko) 내부 전압 생성 회로
TW201007758A (en) Sense amplifier driving control circuit and method
US7764112B2 (en) Internal voltage discharge circuit and its control method
KR101153793B1 (ko) 내부 전압 발생 장치
KR20180047209A (ko) 레퍼런스 선택 회로
US20100033210A1 (en) Data Output Circuit
CN114079448A (zh) 被配置为进行电源门控操作的器件
US20090147593A1 (en) Output driver of semiconductor memory apparatus
JP2010232848A (ja) 半導体メモリの内部電源のスタートアップ回路
US20070070720A1 (en) Voltage generator for use in semiconductor device
KR100925391B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 디스차지 회로
KR100825021B1 (ko) 내부전압 생성기
KR20040110317A (ko) 반도체 소자의 파워업 신호 생성 회로 및 생성 방법과이의 테스트방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120720

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130723

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140723

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150721

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160721

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170724

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180725

Year of fee payment: 12