KR100753080B1 - 내부전원 생성장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (25)
- 내부전원의 공급단을 풀업 구동하기 위한 풀업 드라이버;상기 내부전원의 공급단을 풀다운 구동하기 위한 풀다운 드라이버;상기 내부전원에 대응되는 제1 피드백전압이 기준전압 보다 낮을 경우 상기 풀업 드라이버를 턴온시키기 위한 풀업 드라이빙 제어수단; 및상기 내부전원에 대응되는 전압 레벨을 갖되, 상기 제1 피드백전압보다 일정 비율만큼 낮은 전압 레벨을 갖는 제2 피드백전압이 상기 기준전압보다 높은 경우 상기 풀다운 드라이버를 턴온시키기 위한 풀다운 드라이빙 제어수단을 구비하는 내부전원 생성장치.
- 제1항에 있어서,상기 풀다운 드라이빙 제어수단은,상기 내부전원의 공급단과 접지전원의 공급단 사이에 직렬 연결된 패시브 소자의 저항을 통해 상기 제2 피드백전압을 생성하기 위한 피드백부와,구동오프신호의 비활성화 시 상기 기준전압과 상기 제2 피드백전압을 비교하여 풀다운 드라이빙 신호를 생성하기 위한 제어신호 생성부를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 제2항에 있어서,상기 피드백부는,상기 내부전원의 공급단과 상기 접지전원의 공급단 사이에 직렬 연결된 제1 및 제2 저항를 구비하여 상기 제1 및 제2 저항의 연결노드에 걸린 전압을 상기 제2 피드백전압으로 출력하되,상기 제1 저항의 저항값은 상기 제2 저항의 저항값 보다 큰 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 제1항에 있어서,상기 풀다운 드라이빙 제어수단은,구동오프신호의 비활성화 시 상기 내부전원의 공급단과 접지전원의 공급단 사이에 직렬 연결된 패시브 소자의 저항을 통해 상기 제2 피드백전압을 생성하기 위한 피드백부와,상기 구동오프신호의 비활성화 시 상기 기준전압과 상기 제2 피드백전압을 비교하여 풀다운 드라이빙 신호를 생성하기 위한 제어신호 생성부를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 제4항에 있어서,상기 피드백부는,상기 내부전원의 공급단에 일측단이 접속된 제1 저항과,제1 저항의 타측단에 자신의 일측단이 접속된 제2 저항과,상기 구동오프신호에 응답하여 제2 저항의 일측단과 상기 접지전원의 공급단을 연결하기 위한 스위치를 구비하여,상기 제1 및 제2 저항의 연결노드에 걸린 전압을 상기 제2 피드백전압으로 출력하되 상기 제1 저항의 저항값은 상기 제2 저항의 저항값 보다 큰 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 제5항에 있어서,상기 구동오프신호는 액티브커맨드와 같이 상기 내부전원의 많은 소모가 예견되는 커맨드에 동기되어 비활성화되며,프리차지커맨드와 같이 상기 내부전원의 소모가 발생되지 않을 경우 이에 동기되어 활성화되는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 제6항에 있어서,상기 제1 피드백전압은 상기 내부전원의 레벨에 대해 1/2비율을 갖는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 내부전원의 공급단을 풀업 구동하기 위한 풀업 드라이버;상기 내부전원의 공급단을 풀다운 구동하기 위한 풀다운 드라이버;상기 내부전원에 대응되는 제1 피드백전압을 통해 기준전압 보다 낮을 경우 상기 풀업 드라이버를 턴온시키기 위한 풀업 드라이빙 제어수단;선택신호를 생성하기 위한 테스트부와, 상기 내부전원에 대응되는 복수의 전압 레벨 중 하나를 상기 선택신호에 응답하여 제2 피드백전압 - 상기 제1 피드백전압보다 일정 비율만큼 낮은 전압 레벨을 가짐 - 으로 전달하기 위한 피드백부와, 상기 제2 피드백전압의 레벨이 상기 기준전압 보다 높은 경우 상기 풀다운 드라이버를 턴온시키기 위한 제어신호 생성부를 포함하는 풀다운 드라이빙 제어수단을 포함하는 내부전원 생성장치.
- 제8항에 있어서,상기 테스트부는,복수의 테스트신호를 생성하기 위한 신호 생성부와,상기 복수의 테스트신호를 디코딩하여 복수의 선택신호 중 하나를 활성화시키기 위한 디코딩부를 포함하는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 제9항에 있어서,신호 생성부는,테스트모드에서 인가된 어드레스를 감지하여 해당 테스트신호를 활성화시키거나, 입력과는 관계없이 퓨즈옵션이 설정된 경우 상기 해당 테스트신호를 활성화 시키기 위한 제1 내지 제N 신호 생성부를 포함하는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 제10항에 있어서,상기 제1 내지 제N 신호 생성부는테스트모드에서 인가된 상기 어드레스를 통해 테스트모드 및 해당 테스트신호의 인가를 감지하기 위한 테스트 감지부와,퓨즈옵션부와,상기 퓨즈옵션부와 상기 테스트감지부의 출력신호를 인가받아 상기 해당 테스트신호를 생성하기 위한 출력부를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 제11항에 있어서,상기 출력부는,상기 퓨즈옵션부의 출력신호를 반전시키기 위한 제1 인버터와,상기 제1 인버터의 출력신호와 상기 테스트감지부의 출력신호를 입력으로 갖는 낸드게이트와,상기 낸드게이트의 출력신호를 반전시켜 상기 해당 테스트신호로 출력하기 위한 제2 인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 피드백부는,상기 내부전원에 대해 일정한 레벨을 갖는 복수의 신호를 생성하기 위한 디바이딩부와,상기 선택신호에 응답하여 상기 복수의 신호 중 하나를 선택하여 상기 제2 피드백전압으로 전달하기 위한 선택부를 포함하는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 제13항에 있어서,상기 디바이딩부는,상기 내부전원의 공급단과 상기 접지전원의 공급단 사이에 직렬 연결된 복수의 패시브 소자의 저항을 포함하여, 각 연결노드에 걸린 전압을 각각 출력하는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 제14항에 있어서,상기 선택부는,상기 해당 선택신호의 활성화에 응답하여 상기 디바이딩부의 복수의 신호 중 해당 신호를 상기 제2 피드백전압으로 전달하기 위한 복수의 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 제15항에 있어서,상기 제1 피드백전압은 상기 내부전원의 레벨에 대해 1/2비율을 갖는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 내부전원의 공급단을 풀업 구동하기 위한 풀업 드라이버;상기 내부전원의 공급단을 풀다운 구동하기 위한 풀다운 드라이버;상기 내부전원에 대응되는 제1 피드백전압을 통해 기준전압 보다 낮을 경우 상기 풀업 드라이버를 턴온시키기 위한 풀업 드라이빙 제어수단;선택신호를 생성하기 위한 테스트부와, 구동오프신호의 비활성화 시 상기 내부전원에 대응되는 복수의 전압 레벨 중 하나를 상기 선택신호에 응답하여 제2 피드백전압 - 상기 제1 피드백전압보다 일정 비율만큼 낮은 전압 레벨을 가짐 - 으로 전달하기 위한 피드백부와, 상기 제2 피드백전압의 레벨이 상기 기준전압 보다 높은 경우 상기 풀다운 드라이버를 턴온시키기 위한 제어신호 생성부를 포함하는 풀다운 드라이빙 제어수단을 포함하는 내부전원 생성장치.
- 제17항에 있어서,상기 구동오프신호는 액티브커맨드와 같이 상기 내부전원의 많은 소모가 예견되는 커맨드에 동기되어 비활성화되며,프리차지커맨드와 같이 상기 내부전원의 소모가 발생되지 않을 경우 이에 동기되어 활성화되는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 제18항에 있어서,상기 피드백부는,상기 구동오프신호의 비활성화 시 상기 내부전원에 대해 일정한 레벨을 갖는 복수의 신호를 생성하기 위한 디바이딩부와,상기 선택신호에 응답하여 상기 복수의 신호 중 하나를 선택하여 상기 제2 피드백전압으로 전달하기 위한 선택부를 포함하는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 제19항에 있어서,상기 디바이딩부는,상기 내부전원의 공급단에 일측단 접속된 제1 저항과, 상기 제1 저항의 타측단에 직렬 연결된 N개의 저항과, 상기 구동오프신호에 응답하여 상기 N개의 저항 중 마지막 저항의 타측단과 상기 접지전원의 공급단 사이을 연결하기 위한 스위치를 포함하여, 각 상기 저항의 연결노드에 걸린 전압을 각각 출력하는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 제19항 또는 제20항에 있어서,상기 테스트부는,복수의 테스트신호를 생성하기 위한 신호 생성부와,상기 복수의 테스트신호를 디코딩하여 복수의 선택신호 중 하나를 활성화시 키기 위한 디코딩부를 포함하는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 제21항에 있어서,신호 생성부는,테스트모드에서 인가된 어드레스를 감지하여 해당 테스트신호를 활성화시키거나, 입력과는 관계없이 퓨즈옵션이 설정된 경우 상기 해당 테스트신호를 활성화 시키기 위한 제1 내지 제N 신호 생성부를 포함하는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 제22항에 있어서,상기 제1 내지 제N 신호 생성부는테스트모드에서 인가된 상기 어드레스를 통해 테스트모드 및 해당 테스트신호의 인가를 감지하기 위한 테스트 감지부와,퓨즈옵션부와,상기 퓨즈옵션부와 상기 테스트감지부의 출력신호를 인가받아 상기 해당 테스트신호를 생성하기 위한 출력부를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 제23항에 있어서,상기 출력부는,상기 퓨즈옵션부의 출력신호를 반전시키기 위한 제1 인버터와,상기 제1 인버터의 출력신호와 상기 테스트감지부의 출력신호를 입력으로 갖는 낸드게이트와,상기 낸드게이트의 출력신호를 반전시켜 상기 해당 테스트신호로 출력하기 위한 제2 인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
- 제24항에 있어서,상기 제1 피드백전압은 상기 내부전원의 레벨에 대해 1/2비율을 갖는 것을 특징으로 하는 내부전원 생성장치.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/529,253 US20070069808A1 (en) | 2005-09-29 | 2006-09-29 | Internal voltage generator |
TW095136305A TWI313009B (en) | 2005-09-29 | 2006-09-29 | Internal voltage generator |
US12/479,055 US7843256B2 (en) | 2005-09-29 | 2009-06-05 | Internal voltage generator |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20050091678 | 2005-09-29 | ||
KR1020050091678 | 2005-09-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070036572A KR20070036572A (ko) | 2007-04-03 |
KR100753080B1 true KR100753080B1 (ko) | 2007-08-31 |
Family
ID=38158726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050133959A KR100753080B1 (ko) | 2005-09-29 | 2005-12-29 | 내부전원 생성장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100753080B1 (ko) |
TW (1) | TWI313009B (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101094383B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2011-12-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 내부전압 발생기 |
KR101937268B1 (ko) * | 2017-10-11 | 2019-04-09 | 현대오트론 주식회사 | 실시간 기울기 제어 장치 및 그것의 동작 방법 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040049939A (ko) * | 2002-12-05 | 2004-06-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 내부 전원전압 발생회로 |
-
2005
- 2005-12-29 KR KR1020050133959A patent/KR100753080B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-09-29 TW TW095136305A patent/TWI313009B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040049939A (ko) * | 2002-12-05 | 2004-06-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 내부 전원전압 발생회로 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI313009B (en) | 2009-08-01 |
KR20070036572A (ko) | 2007-04-03 |
TW200723291A (en) | 2007-06-16 |
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