JP2008526048A - コーティングされた基体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2003年9月24日に出願された米国特許出願第10/669,403号明細書、2003年9月24日に出願された米国特許出願第10/669,404号明細書、および2004年8月3日に出願された米国特許出願第10/910,496号明細書の一部継続出願である。また、本出願は、2004年12月29日に出願された米国仮特許出願第60/640,817号明細書、および2005年6月28日に出願された米国仮特許出願第60/694,875号明細書に対する優先権を主張する。以上の出願のそれぞれの開示は、それらの記載内容全体が本明細書に援用される。
表面から延在して空間を画定する複数の壁を有し、少なくとも1つの壁が全体的に負の勾配を有する基体構造と、
上記空間内にあり30mN/m以下の第1の表面エネルギーを有する第1の層と、
第1の層の上面上にある第2の層とを有する、閉じ込め構造が提供される。
表面から延在して空間を画定する複数の壁を有し、少なくとも1つの壁が全体的に負の勾配を有する基体構造と、
上記空間内にあり30mN/m以下の第1の表面エネルギーを有する第1の層と、
第1の層の上面上に配置された第2の層とを有する、閉じ込め構造が提供される。
表面から延在して空間を画定する複数の壁を有し、少なくとも1つの壁が全体的に負の勾配を有する基体構造を提供するステップと、
上記空間内にあり30mN/m以下の第1の表面エネルギーを有する第1の層を形成するステップと、
第1の層の上および上記空間内に液体組成物を配置するステップであって、液体組成物中の液体媒体が、第1の表面エネルギーよりも大きい第2の表面エネルギーを有するステップと、
液体媒体の実質的な部分を蒸発させて第2の層を形成するステップとを含む。
負の勾配を有する断面図を有する少なくとも1つの開口部を有する基体をするステップであって、平面図からは、各開口部が、有機電子部品の周辺部に実質的に一致する周辺部を有するステップと、
上記開口部内の表面上に層を堆積するステップであって、この表面が30mN/m以下の表面エネルギーを有するステップとを含む。
以下に説明する実施形態の詳細を扱う前に、一部の用語について定義または説明を行う。
δw=γδA
であり、上式中、比例定数のγは、表面エネルギーまたは比表面積自由エネルギーとして定義される。これは力/単位長さの次元を有し、純液体の場合、数値的には表面張力に等しい。通常γは、ミリニュートン毎メートル(mN/m)の単位で測定され、これはCGS単位ではダイン毎センチメートル(ダイン/cm)に等しい。
図1は従来技術の構造102の平面図を示しており、図2は従来技術の構造102の断面図を示している。図2の断面図から分かるように、構造102は、正の勾配を有する周辺部を有する。液体組成物106が、周囲の構造102によって形成されたウェル内に入れられると、空隙が形成されることがある。このような空隙によって、放射線放出または放射線吸収に利用できる表面領域が減少し、そのため性能が低下する。空隙108などの空隙によって、電極などの下地構造104が露出する場合もある。液体組成物を硬化させて得られる有機層上に追加の層が形成されると、これらの層が下地構造104に接触して、電極間で電気的短絡が起こり、有機電子部品が動作不能になることがある。
電子デバイスの代表的な形成方法の1つは、基体の上にあり断面から見て負の勾配を有する1つまたは複数の構造を形成するステップを含む。代表的な方法の1つを、図9〜23に示しており、この方法は、パッシブマトリックスディスプレイに使用することができる。この方法の種々の変法を使用して、他の電子デバイスを形成することができる。
有機電子部品を形成した後、場合により、第1の構造1106および第2の構造1510を修正したり除去したりすることができる。代表的な一実施形態においては、構造1106または構造1510を形成する材料のガラス転移温度付近で、電子デバイスを加熱することができる。このような加熱によってリフローさせることで、断面から見られるように構造の勾配を最終デバイス中で変化させることができる。別の実施形態においては、エッチングプロセスを使用して、構造1106などの構造を除去することができる。したがって、最終電子デバイスの断面の外観は、図21、22、および23に示される構造および層とは異なる場合がある。
Claims (20)
- 表面から延在して空間を画定する複数の壁を有し、前記壁の少なくとも1つが全体的に負の勾配を有する基体構造と、
前記空間内にあり30mN/m以下の第1の表面エネルギーを有する第1の層と、
第1の層の上面上に配置された第2の層とを有することを特徴とする閉じ込め構造。 - 前記第1の層が25mN/m以下の表面エネルギーを有することを特徴とする請求項1に記載の閉じ込め構造。
- 前記第1の層が20mN/m以下の表面エネルギーを有することを特徴とする請求項1に記載の閉じ込め構造。
- 前記第2の層がポリマーを含むことを特徴とする請求項1に記載の閉じ込め構造。
- 前記第1の層がフッ素化ポリマーまたはスルホン化ポリマーを含むことを特徴とする請求項1に記載の閉じ込め構造。
- 前記第1の層がフッ素化ポリマーを含むことを特徴とする請求項5に記載の閉じ込め構造。
- 前記壁が、前記空間の底部において前記壁に沿って初期勾配を有し、前記全体的な勾配よりも前記初期勾配の方が垂直に近いことを特徴とする請求項1に記載の閉じ込め構造。
- 前記基体構造が、1つの壁に沿って、前記第1の表面エネルギーよりも大きい第2の表面エネルギーを有することを特徴とする請求項1に記載の閉じ込め構造。
- 前記第2の層の上に有機活性層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の閉じ込め構造。
- 前記基体構造が、1つの壁に沿って第3の表面エネルギーを有し、前記第3の表面エネルギーが、前記第1の表面エネルギーよりも大きく、前記第2の表面エネルギーよりも小さい請求項9に記載の閉じ込め構造。
- 請求項1に記載の閉じ込め構造を含むことを特徴とする有機電子デバイス。
- 請求項1に記載の閉じ込め構造を含むことを特徴とする有機電子デバイスの製造に有用な物品。
- 前記閉じ込め構造の前記第1の層が、フッ素化ポリマーまたはスルホン化ポリマーを含むことを特徴とする請求項12に記載の物品。
- 電子デバイスの形成方法であって、
表面から延在して空間を画定する複数の壁を有し、前記壁の少なくとも1つが全体的に負の勾配を有する基体構造を提供するステップと、
前記空間内にあり30mN/m以下の第1の表面エネルギーを有する第1の層を形成するステップと、
前記第1の層の上および前記空間内に液体組成物を配置するステップであって、前記液体組成物中の液体媒体が、前記第1の表面エネルギーよりも大きい第2の表面エネルギーを有するステップと、
前記液体媒体の実質的な部分を蒸発させて第2の層を形成するステップとを含むことを特徴とする方法。 - 前記液体媒体の実質的にすべてを蒸発させることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記第1の層が20mN/m以下の第1の表面エネルギーを有することを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記第2の層の上に有機活性層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記第2の層がポリマーを含むことを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記第1の層がフッ素化ポリマーまたはスルホン化ポリマーを含むことを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記第2の層の表面エネルギーが、前記第1の層の表面エネルギーよりも少なくとも15mN/m大きいことを特徴とする請求項14に記載の方法。
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