JP2008522410A - 炭素ナノチューブ電極を用いた高電力密度スーパーコンデンサ - Google Patents
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Abstract
本発明の一実施形態は、炭素ナノチューブ(CNT)を使用するコンデンサのための電極を製作するプロセスを提供し、該電極は、金属基板と、該金属基板の上にコーティングされる活物質(CNT)の層とを備える。具体的には、該プロセスは、懸濁液を形成するためにCNTを溶媒中に分散させることに始まる。次に、CNTが懸濁液の中で荷電される。次に、金属基板が懸濁液の中に浸される。次に、電気泳動堆積(EPD)を使用してCNTを金属基板の上に堆積させ、金属基板の上に活物質の層を形成する。特に、活物質の層は、結合剤を使用することなく、金属基板の上に形成され、それにより活物質と金属基板との間の接触抵抗を効率的に低減する。
Description
(技術分野)
本発明は、エネルギー蓄積デバイスに関する。より具体的には、本発明は炭素ナノチューブ電極を備えたスーパーコンデンサに関する。
本発明は、エネルギー蓄積デバイスに関する。より具体的には、本発明は炭素ナノチューブ電極を備えたスーパーコンデンサに関する。
(従来技術)
ナノ科学およびナノテクノロジーにおける急速な進歩は、炭素ナノチューブの革新的な発見をもたらした。炭素ナノチューブは、新しい形の炭素ベースの材料であり、驚くべき強度および優れた導電率と熱伝導率などの、多くの独自の特性を示し、それによって多くの重要なアプリケーションのための理想的な候補となっている。
ナノ科学およびナノテクノロジーにおける急速な進歩は、炭素ナノチューブの革新的な発見をもたらした。炭素ナノチューブは、新しい形の炭素ベースの材料であり、驚くべき強度および優れた導電率と熱伝導率などの、多くの独自の特性を示し、それによって多くの重要なアプリケーションのための理想的な候補となっている。
特に、炭素ナノチューブは、高い導電率、化学的安定性、低い質量密度、および大きなアクセス可能な表面積のために、電気化学的エネルギー蓄積デバイスを製作するための魅力的な電極材料である。それゆえ、炭素ナノチューブに基づいた電気化学的エネルギー蓄積システムのための、広い範囲の潜在的なアプリケーションが最近提案されている。たとえば、炭素ナノチューブは、リチウムイオン二次電池のための電極、燃料電池における水素蓄積のための電極、およびスーパーコンデンサのための電極に形成されている。
独自のエネルギー蓄積デバイスとして、スーパーコンデンサは、短時間においてかなりの量のエネルギー、すなわち高電力密度を提供し得る。実際に、スーパーコンデンサの電力密度は、二次電池の電力密度の何倍にもなり得、ハイブリッド電気車両および燃料電池によって電力を供給される車両などにおいて、サージ電力送出のために不可欠なものになっている。
一般的に、スーパーコンデンサは、電解質によって分離される2つの電極を備え、それぞれの電極は、金属基板(集電器)の上に準備された活物質(たとえば炭素ナノチューブ)の薄い層をさらに備える。理論的に、スーパーコンデンサの最大電力は、Pmax=Vi 2/4Rによって与えられ、ここで、Viは初期電圧、Rはスーパーコンデンサの等価直列抵抗であり、活物質の層における内部抵抗と、活物質の層と集電器との間の接触抵抗との両方を含む。したがって、ESRを低減することは、高い電力密度を達成する鍵である。
炭素ナノチューブに基づいた高い電力密度のスーパーコンデンサの、いくつかの成功した証明がある。これまでのところ、多層炭素ナノチューブと単層炭素ナノチューブとを使用して、それぞれ8kW/kgの電力密度と20kW/kgとの電力密度とが報告されている。残念ながら、単層炭素ナノチューブは、多層炭素ナノチューブよりもかなり高価である。さらに、これらのスーパーコンデンサにおいて炭素ナノチューブを保持するために結合剤の使用がしばしば必要とされ、このことが一般的に、活物質の層と集電器との間の接触抵抗を増加させる結果になる。さらに、20kW/kgを達成し得るこれらのスーパーコンデンサは、炭素ナノチューブが構成された後で、次の高い温度処理(1000℃)を一般的に必要とする。
したがって、上述の問題のない、高い電力密度の炭素ナノチューブスーパーコンデンサを製作するための方法が、必要とされる。
(概要)
本発明の一実施形態は、炭素ナノチューブ(CNT)を使用するコンデンサのための電極を製作するプロセスを提供し、該電極は、金属基板と、該金属基板の上にコーティングされる活物質(CNT)の層とを備える。具体的には、該プロセスは、懸濁液を形成するためにCNTを溶媒中に分散させることに始まる。次に、CNTが懸濁液の中で荷電される。次に、金属基板が懸濁液の中に浸される。次に、電気泳動堆積(EPD)を使用してCNTを金属基板の上に堆積させ、金属基板の上に活物質の層を形成する。特に、活物質の層は、結合剤を使用することなく、金属基板の上に形成され、それにより活物質と金属基板との間の接触抵抗を効率的に低減する。
本発明の一実施形態は、炭素ナノチューブ(CNT)を使用するコンデンサのための電極を製作するプロセスを提供し、該電極は、金属基板と、該金属基板の上にコーティングされる活物質(CNT)の層とを備える。具体的には、該プロセスは、懸濁液を形成するためにCNTを溶媒中に分散させることに始まる。次に、CNTが懸濁液の中で荷電される。次に、金属基板が懸濁液の中に浸される。次に、電気泳動堆積(EPD)を使用してCNTを金属基板の上に堆積させ、金属基板の上に活物質の層を形成する。特に、活物質の層は、結合剤を使用することなく、金属基板の上に形成され、それにより活物質と金属基板との間の接触抵抗を効率的に低減する。
この実施形態の変化において、上記CNTは、単層CNT(SWNT)と多層CNT(MWNT)とを含み得る。
この実施形態の変化において、プロセスは、上記EPDを使用して上記金属基板の上の上記CNTを堆積させた後に、水素(H2)環境において該金属基板の上の上記活物質の層を焼成することをさらに含む。
この実施形態の変化において、上記溶媒中で上記CNTを分散させることは、所定の時間にわたって該溶媒とCNT混合物とを超音波処理することを含む。
この実施形態の変化において、上記懸濁液中で上記CNTを荷電させることは、電解質として該懸濁液の中にMg(NO3)・6H2Oを追加することを含み、それにより該CNTを正に荷電する。
この実施形態の変化において、上記金属基板は、一定電圧源の負の端子に結合される。
この実施形態の変化において、上記金属基板は、上記懸濁液中で、水平に、垂直に、または任意の角度に置かれ得る。
この実施形態の変化において、上記EPDを使用して上記金属基板の上に上記CNTを堆積させる間に、電場が印加されると、荷電したCNTが、該金属基板に向かって上方に移動し、該金属基板が、上記懸濁液中で水平に置かれる。
この実施形態の変化において、上記金属基板は、ニッケル、銅、アルミニウム、金、またはプラチナを含み得る。
この実施形態の変化において、上記溶媒は、エタノールである。
この実施形態の変化において、上記活物質は、炭素ナノチューブ、カーボンブラック、炭素繊維、活性炭、または上述のいずれかの混合物を含み得る
本発明の別の実施形態は、高いパッキング密度で活物質の層を製作するプロセスを提供し、該活物質の層は、電極を形成するために使用され、該電極は、金属基板と、該金属基板の上にコーティングされた該活物質の層とを備える。具体的には、該プロセスは、官能性を持たせられた活物質を得ることに始まる。次に、該活物質の高濃度のコロイド懸濁液を形成するために、該官能性を持たせられた活物質を溶媒中に分散させる。次に、該活物質の層を形成するために、該活物質の懸濁液を該金属基板の上に直接的に堆積させる。特に、結合剤を使用することなく高いパッキング密度で該金属基板の上に該活物質の層が形成され、それにより該活物質と該金属基板との間の接触抵抗を効率的に低減する。
本発明の別の実施形態は、高いパッキング密度で活物質の層を製作するプロセスを提供し、該活物質の層は、電極を形成するために使用され、該電極は、金属基板と、該金属基板の上にコーティングされた該活物質の層とを備える。具体的には、該プロセスは、官能性を持たせられた活物質を得ることに始まる。次に、該活物質の高濃度のコロイド懸濁液を形成するために、該官能性を持たせられた活物質を溶媒中に分散させる。次に、該活物質の層を形成するために、該活物質の懸濁液を該金属基板の上に直接的に堆積させる。特に、結合剤を使用することなく高いパッキング密度で該金属基板の上に該活物質の層が形成され、それにより該活物質と該金属基板との間の接触抵抗を効率的に低減する。
この実施形態の変化において、上記官能性を持たせられた活物質を得ることは、複数の官能基を該活物質の上に結合させるために、濃縮された酸の中で該活物質を処理することと、次に、該濃縮された酸を該処理された活物質から除去することとを含む。
さらなる変化において、上記濃縮された酸を上記処理された活物質から除去することは、該活物質を蒸留水で洗浄することと、該洗浄された活物質をエタノールでゆすぐことと、該活物質を所定の温度で乾燥させることとを含む。
この実施形態の変化において、上記溶媒は、ジメチルホルムアミド(DMF)または蒸留水であり得る。
この実施形態の変化において、上記活物質を上記溶媒中に分散させることは、所定の時間にわたって該溶媒と活物質混合物とを超音波処理をすることを含む。
さらなる変化において、上記官能基は、−COOHと、>C=Oと、−OHとを含む。
この実施形態の変化において、上記活物質は、上記溶媒中に分散される前に酸化される。
本発明の別の実施形態は、エネルギー蓄積デバイスのための電極を提供し、該電極は、金属基板と、該金属基板の上にコーティングされる活物質の層とを備え、該活物質は炭素ナノチューブ(CNT)である。具体的には、該活物質の層は、結合剤を使用することなく、電気泳動堆積(EPD)によって該金属基板の上にコーティングされ、それにより該活物質と該金属基板との間の接触抵抗を効率的に低減する。
この実施形態の変化において、上記エネルギー蓄積デバイスは、コンデンサと、バッテリとを含み得る。
(詳細な説明)
以下の説明は、任意の当業者が本発明を作成および使用することを可能にするために提示され、特定のアプリケーションおよびその要件の文脈において提供される。開示される実施形態への種々の変更は、当業者にとって容易に明らかであり、本明細書において定義される一般的原理は、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、他の実施形態およびアプリケーションに適用され得る。したがって、本発明は、示される実施形態に限定されず、本明細書において開示される原理および特徴と一致した最も広い範囲に一致する。
以下の説明は、任意の当業者が本発明を作成および使用することを可能にするために提示され、特定のアプリケーションおよびその要件の文脈において提供される。開示される実施形態への種々の変更は、当業者にとって容易に明らかであり、本明細書において定義される一般的原理は、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、他の実施形態およびアプリケーションに適用され得る。したがって、本発明は、示される実施形態に限定されず、本明細書において開示される原理および特徴と一致した最も広い範囲に一致する。
(スーパーコンデンサ)
図1は、本発明の実施形態に従った一般的なスーパーコンデンサ(supercapacitor)の構造を図示する。スーパーコンデンサ100は、2つの平行電極(parallel electrode)102および104を備える。電極のそれぞれは、金属基板106、すなわち「集電器」106と、集電器106の内側表面にコーティングされる活物質層108とをさらに備える。集電器106および活物質層108は、事実上、電極構造を形成し、活物質層108は、集電器106よりも一般的に薄い。活物質層108は、活性炭ベースの材料からなり、該材料は単位体積あたりの表面積の高い比を有する。本発明の一実施形態において、活性炭は炭素ナノチューブ(CNT)であり、より具体的には、多層炭素ナノチューブ(multi−walled carbon nanotube)(MWNT)である。
図1は、本発明の実施形態に従った一般的なスーパーコンデンサ(supercapacitor)の構造を図示する。スーパーコンデンサ100は、2つの平行電極(parallel electrode)102および104を備える。電極のそれぞれは、金属基板106、すなわち「集電器」106と、集電器106の内側表面にコーティングされる活物質層108とをさらに備える。集電器106および活物質層108は、事実上、電極構造を形成し、活物質層108は、集電器106よりも一般的に薄い。活物質層108は、活性炭ベースの材料からなり、該材料は単位体積あたりの表面積の高い比を有する。本発明の一実施形態において、活性炭は炭素ナノチューブ(CNT)であり、より具体的には、多層炭素ナノチューブ(multi−walled carbon nanotube)(MWNT)である。
電極102および104は、充電/放電の間に2つの電極の間の伝導を促進する電解質110によって分離されている。スーパーコンデンサ100における電解質110は、KOH、H2SO4、またはNa2SO4を含み得る。活物質層108は、事実上、電解質110に浸されている。荷電イオンが電解質110を介して2つの電極の間で交換され得るので、このことは重要である。
固体セパレータ112は、2つの電極の間の短絡を防ぐため、ならびに電極の間の電解質110を分離するために、使用される。セパレータ112は、電解質110が通過することを可能にするように、一般的に多孔性構造を有する。代表的なスーパーコンデンサに使用されるセパレータの材料は、セルロースフィルタ紙およびガラス繊維フィルタ紙を含み得る。
スーパーコンデンサ100はバッテリに類似して構築されるが、スーパーコンデンサ100は、電極/電解質界面における静電荷蓄積の形でエネルギーを蓄積し、電気化学反応プロセスを含まないことに留意されたい。
(直接堆積によってCNT電極を製作すること)
図2Aは、本発明の実施形態に従った、直接堆積によって薄層CNTを製作するプロセスを図示するフローチャートを示す。プロセスは、いくつかの精製されたCNTを受け取ることによって始まる(ステップ200)。スーパーコンデンサの電極102および104のための活物質として使用されるCNTは、単層炭素ナノチューブ(single−walled carbon nanotube)(SWNT)または多層炭素ナノチューブ(MWNT)を含み得ることに留意されたい。一般的に、SWNTは、MWNTよりも、合成するために著しく高価である。
図2Aは、本発明の実施形態に従った、直接堆積によって薄層CNTを製作するプロセスを図示するフローチャートを示す。プロセスは、いくつかの精製されたCNTを受け取ることによって始まる(ステップ200)。スーパーコンデンサの電極102および104のための活物質として使用されるCNTは、単層炭素ナノチューブ(single−walled carbon nanotube)(SWNT)または多層炭素ナノチューブ(MWNT)を含み得ることに留意されたい。一般的に、SWNTは、MWNTよりも、合成するために著しく高価である。
本発明の一実施形態において、CNTは、以下に説明される化学蒸着(CVD)法から作られるMWNTである。より具体的には、CVD法によってMWNTを合成することが、炉の中の水平の石英(horizontal quartz)において行われる。MWNTを作るための金属触媒粉(Fe/Al2O3)が、セラミックボートの中に置かれ、セラミックボートは次に管状炉の中にローディングされる。次に水素(H2)ガスが炉の中に導入され、炉は700℃まで加熱される。温度は約30分にわたって保持され、その間に炭素を含むガス(エチレン)が石英チューブの中に導入される。次にエチレンは遮断され、システムは室温まで冷却される。CVD法の最後に、Fe/Al2O3/MWNT粉混合物が形成される。
CVD法の後に、Fe/Al2O3/MWNT粉混合物からMWNTを抽出するために、精製プロセスが続く。特に、Fe/Al2O3/MWNT粉は、酸の中のAl2O3および鉄粒子を溶解するために、フッ化水素(HF)水溶液によって、次に引き続いて塩酸塩(HCl)酸によって、両方とも室温において処理される。次に、MWNTが、濾過プロセスを通して抽出および収集される。収集されたMWNTは、次に蒸留水によって洗浄され、乾燥させられる。
次に、精製されたCNTは、官能基をCNTの表面に結合する酸処理プロセスを通して、官能性を持たせられる(functionalized)(ステップ202)。具体的には、CNTは、沸騰状態にもたらされた濃縮硝酸(HNO3)を用いて、長時間(>10時間)にわたって環流させられる。酸処理の後でCNTに結合させられた官能基の一部は、−COOH、>C=O、および−OHを含み得る。CNTの表面におけるこれらの官能基は、コロイド懸濁液の準備のために、CNTが溶媒の中で溶解することを促進する。官能基がどのように働くかについてのより詳細が、以下に提供される。
次に、官能性を持たせられたCNTから残留酸が除去される(ステップ204)。残留酸の除去は、いくつかの追加ステップを含む。図2Bは、本発明の実施形態に従って、官能性を持たせられたCNTから残留酸を除去するプロセスを図示するフローチャートを示す。まず、官能性を持たせられたCNTは、pH値が7と等しく(酸が残留しなく)なるまで蒸留水で洗浄される(ステップ220)。次に、洗浄されたCNTはエタノールでゆすがれる(ステップ222)。最後に、CNTは、約60℃の空気中で乾燥させられる(ステップ224)。
酸除去の後で、CNTの表面は負に荷電することに留意されたい。そうなるのは、一部の官能基は、酸表面基(acidic surface group)、たとえば−COOHであるからである。これらは、H+を失うことによって、イオン化プロセスを通して負に荷電し得る。これらの負の電荷は、後のステップで溶媒中でCNTを適切に分散させるために必要である。中和剤は残留酸の除去には好ましくないことにも留意されたい。なぜなら、残留酸と反応することに加えて、中和剤(NaOH、KOH、NaHCO3、またはNa2CO3など)もまた酸表面基と反応し、それによってCNTの表面における負の電荷を低減するからである。
製作プロセスは、次に、官能性を持たせられた所定の量のCNTが溶媒中で分散することを可能にする(ステップ206)。溶媒は、一般的に、蒸留水、エタノール、ジメチルホルムアミド(DMF)、および蒸留水とエタノールとの混合物を含み得る。さらに、一定の種類の有機溶媒もまた使用され得る。しかし、DMFおよび蒸留水は、それらの強い極性特性のために、官能性を持たせられたCNTのためのより良い溶媒としての役割を果たし得る。溶媒中にCNTを分散することは、プロセスを改善するために、CNTおよび溶媒混合物を超音波処理することを一般的に含むことに留意されたい(ステップ206)。
上述のように、負に荷電したCNT表面は、個々のCNTの間の静電反発力を促進する。結果として、そのような官能性を持たせられたCNTは、蒸留水、DMF、または水とメタノールとの高濃度の混合物(〜5mg/ml)の中で、容易に分散させられ得る。さらに、結果として得られるCNT間の静電反発力はもまた、安定した懸濁液につながり得る。そのような安定性は、コロイド懸濁液を形成するために必要とされる。しかるべく準備された懸濁液は、長期にわたり沈殿する凝集された物質なしに、安定状態に留まり得る。
懸濁液の超音波処理時間を延長することによって、一般的により高い濃度の懸濁液が得られ得る留意されたい(DMFを溶媒として使用して、本発明において26.7mg/mlの濃度が得られた)。さらに、懸濁液の濃度は、エタノールが溶媒として使用されるときに、はるかに低くなる(1mg/ml)ことにも留意されたい。
最後に、単位表面あたりの活物質の質量に基づいて、金属基板(集電器)の上に所定の量の高濃度のCNTコロイド懸濁液を直接的に堆積することによって、CNT電極が形成される(ステップ208)。本発明の一実施形態において、1.2cm×2cmの金属箔の上に正確に0.1mlのMWNT/DMF懸濁液を計量分配するためにデジタルピペットが使用されて、活物質の層を形成する。二重層の電極は、次に、室温下でまたは60〜70℃のオーブンの中で乾燥され、続いて約150℃で炉の中で加熱して、活物質における残留溶媒を除去する。本発明においては、MWNT膜堆積の後に、高熱処理が必要とされないことに留意されたい。
懸濁液におけるCNTの体積パーセンテージが十分に高いので、集電器の上に直接的に堆積されるCNT層は、集電器に確実に付着する相互接続構造を形成することに留意されたい。したがって、CNTを結合させる結合剤(たとえばポリフッ化ビニリデンまたはポリ塩化ビニリデン)を必要とせず、結果として高純度のCNT層になる。高純度のCNTのすばらしい導電率のために、集電器に直接的に結合されたそのようなCNT層からなるスーパーコンデンサ電極は、CNT層と集電器との間の接触抵抗と、CNT層の内部抵抗との両方を効率的に低減する。
集電器をコーティングするために使用され得る活物質は、CNTに限定されないことに留意されたい。上述のプロセスにおいて、他の炭素ベースの活物質もまた使用され得、それはカーボンブラック、炭素繊維、活性炭、または異なる活物質の混合物を含み得る。特に、複合CNTベースの電極を形成するために、活物質はCNTと別の活性炭物質との混合物であり得る。複合体における炭素ナノチューブの体積割合が十分に高くなって、相互接続構造を形成するときには、結合剤を使用することなくこの複合電極を製作するために、上述のプロセスが使用され得ることに留意されたい。
(直接堆積によって製作された電極の特性)
(構造特性)
直接堆積によって製作されたCNT膜は、CNTの高いパッキング濃度(packing density)を示す。このことは、懸濁液中のCNT間の静電反発力が、懸濁液中のCNTの高濃度(26.7mg/mlまで)を促進するからである。さらに、CNT膜は、膜におけるナノチューブ間のいくつかの局所的なアラインメント(alignment)を示した。そのようなアラインメントは、Chunsheng Du、Jeff Yeh、およびNing Panの著者による、「Carbon Nanotube Thin Films with Ordered Structures」というタイトルの、別の出版物(Journal of Materials Chemistry、15[5]、548〜550頁、2005年)において、より詳細に説明されている。
(構造特性)
直接堆積によって製作されたCNT膜は、CNTの高いパッキング濃度(packing density)を示す。このことは、懸濁液中のCNT間の静電反発力が、懸濁液中のCNTの高濃度(26.7mg/mlまで)を促進するからである。さらに、CNT膜は、膜におけるナノチューブ間のいくつかの局所的なアラインメント(alignment)を示した。そのようなアラインメントは、Chunsheng Du、Jeff Yeh、およびNing Panの著者による、「Carbon Nanotube Thin Films with Ordered Structures」というタイトルの、別の出版物(Journal of Materials Chemistry、15[5]、548〜550頁、2005年)において、より詳細に説明されている。
金属基板の上にコーティングされたCNT膜を炉の中で加熱して、2つの間の熱膨張の不一致を導入することによって、CNT膜は、金属基板から都合良くはがされ得、このことは、CNT膜は金属基板から収集され得、他の場所で使用され得ることを示す、ということに留意されたい。
(電気的特性)
CNT電極の電気的特性を調査するために、テスト用のスーパーコンデンサが組み立てられる。0.1mlのCNT懸濁液(濃度:1mlのDMFにおいて26.7mgのMWNT)を、2つの12mm×12mmのニッケル箔(集電器として)に堆積することによって、2つの電極がそれぞれ準備され、引き続いて室温にて乾燥される。6N KOHが電解質として使用され、電解質に浸されたガラス繊維フィルタ紙が、2つの電極の間のセパレータとして使用される。ポテンシオスタット(Potentiostat)/ガルバノスタット(Galvanostat)(EG&G Princeton Applied Research、モデル263A)を用いて、サイクリックボルタンメトリー(CV)テストが実行される。
CNT電極の電気的特性を調査するために、テスト用のスーパーコンデンサが組み立てられる。0.1mlのCNT懸濁液(濃度:1mlのDMFにおいて26.7mgのMWNT)を、2つの12mm×12mmのニッケル箔(集電器として)に堆積することによって、2つの電極がそれぞれ準備され、引き続いて室温にて乾燥される。6N KOHが電解質として使用され、電解質に浸されたガラス繊維フィルタ紙が、2つの電極の間のセパレータとして使用される。ポテンシオスタット(Potentiostat)/ガルバノスタット(Galvanostat)(EG&G Princeton Applied Research、モデル263A)を用いて、サイクリックボルタンメトリー(CV)テストが実行される。
6N KOHを電解質として使用することに加えて、KOHの濃度が変化し得ることに留意されたい。代替的には、KOHの代わりにH2SO4が使用され得る。さらに、アセトニトリル(AN)、γブチロラクトン(GBL)およびプロピレンカーボネート(PC)において、テトラエチルアンモニウムテトラフルオロホウ酸塩(TEMA)を溶解することによって得られる、有機的電解質もまた、電解質として使用され得る。
図3は、本発明の実施形態に従った、組み立てられたスーパーコンデンサの種々の走査速度(scan rate)におけるサイクリックボルタンメトリー(CV)特性を図示する。コンデンサにおいて内部の界面の接触抵抗がない場合には、コンデンサのI(電流)−V(電圧)応答の形状は長方形であることが周知である(B.E.Conway、「Electrochemical Supercapacitor」、Kluwer Academic/Plenum Publisher、1999年、を参照)。一方、大きな抵抗は、CVループを歪め得、それによって、特にCV測定の高い走査速度において、傾斜した形状のより狭いループという結果になる。
図3Aは、本発明の実施形態に従った、50mV/sの低い走査速度において得られたI−V応答を図示する。CVループは、CVループのそれぞれの終端における電圧逆転に際して、非常に急速な電流レスポンスを示すことに留意されたい。理想的な容量性挙動および垂直長方形側の、ほぼ長方形で対称的なI−V応答は、内部の界面の接触抵抗がごくわずかであることを示す(∂I/∂V→∞)。内部の界面の接触抵抗は、スーパーコンデンサについては、等価直列抵抗(ESR)にひとまとめにされ(lumped into)得ることに留意されたい。
図3Bは、本発明の実施形態に従った、750mV/sの高い走査速度において得られたI−V応答を図示する。CVループは、このかなり高い走査速度においてさえ、やはり理想的な長方形の形状であることに留意されたい。明らかに、この結果は、CNT電極の極めて低いESRを示し、結合剤を使用することなしに集電器の上に高いパッキング密度のCNT膜が形成された電極の構築に起因し得る。
上述のテスト用スーパーコンデンサを使用して、30kW/kgの最大電力密度が得られた。
(EPDによってCNT電極を製作すること)
上述の直接堆積プロセスに対する代替である電気泳動堆積(EPD)テクニックもまた、懸濁液中に分散したCNTを集電器の上に堆積して二層電極を形成し得る。図4は、本発明の実施形態に従った、EPDによってCNT電極を製作するプロセスを図示するフローチャートを示す。溶媒中のCNTの分散の前の手順は、図2のステップ200〜ステップ204に記述されたものと同じであるので、ここでは反復されないことに留意されたい。
上述の直接堆積プロセスに対する代替である電気泳動堆積(EPD)テクニックもまた、懸濁液中に分散したCNTを集電器の上に堆積して二層電極を形成し得る。図4は、本発明の実施形態に従った、EPDによってCNT電極を製作するプロセスを図示するフローチャートを示す。溶媒中のCNTの分散の前の手順は、図2のステップ200〜ステップ204に記述されたものと同じであるので、ここでは反復されないことに留意されたい。
製作プロセスの残りは、溶媒中でCNTを分散して懸濁液を形成することに始まる(ステップ400)。本発明の一実施形態において、溶媒は、直接堆積プロセスにおいて好ましいものとして、蒸留水またはDMFの代わりに、エタノールである。エタノールが好ましいのは、印加された電場のもとで化学的に安定状態に留まるからである(そのような場はEPDプロセスの間に確立される)。さらに、高濃度懸濁液は、EPDプロセスのための必要とされない。超音波処理がやはり分散プロセスを促進し得ることに留意されたい。
次に、CNTは、EPDのための準備において、懸濁液の中で荷電される(ステップ402)。本発明の一実施形態において、懸濁液の中でCNT膜を荷電することは、電解質としてMg(NO3)・6H2Oを懸濁液の中に追加することを含む。結果として、CNTの表面は、Mg2+によって正に荷電される。官能基を持たせるプロセスの間に、CNT表面は以前は負に荷電されたが、負の電荷の量は、正の電荷の量と比較すると、はるかに小さいことに留意されたい。結果として、CNT全体が正に荷電しているように見える。
次に、金属基板がCNT懸濁液の中に浸され(ステップ404)、次に電圧源に結合される。具体的には、コーティングされる金属基板は、電圧源の負の端子に結合され、EPDカソードを形成し(ステップ406)、EPDカソードは、正に荷電したCNTを引きつけ得る。さらに、第1の金属基板に対向して、第2の金属基板がCNT懸濁液の中に浸され、第2の金属基板は、電圧源の正の端子に結合され、EPDアノードを形成する。結果として、2つの金属基板の間に均一な電場が確立される。
懸濁液中の正に荷電したCNTは、電場を印加すると、EPDカソード(第1の金属基板)に向かって移動し、カソードの上にしっかりとくっつく。結果として、CNTの均一な層が、金属基板の上に徐々に堆積され得、薄膜電極を形成する(ステップ408)。直接堆積プロセスと同様に、EPD電極において結合剤は必要とされず、このこともまた、CNTと金属基板との間の接触抵抗を効果的に低減する。一方、直接堆積プロセスと比較すると、EPDプロセスは、より均一ではあるが通常はより薄い層の活物質を生成する。厚さは、一般的におよそ数マイクロメートルである。長時間の堆積から、より厚い層が得られ得る。第2の金属基板は、正に荷電したCNTを反発するので、コーティングされないことに留意されたい。
金属基板は、CNT懸濁液の中で、水平に、垂直に、または任意の角度に置かれ得ることに留意されたい。本発明の一実施形態において、水平の配置が好ましく、なぜなら金属基板全体にわたって均一なコーティングを得ることを促進するからである。具体的には、そのような配置は、電場を印加すると、荷電したCNTが、負に荷電した金属基板に向かって移動することを可能にする。そのような上への動きは、引力に逆らって働くことによって、懸濁液中の沈殿物をCNTから効果的に分離し得る。
堆積の後で、CNT層の付着性を改善するために、EPDカソードは懸濁液から除去されて焼成される(ステップ410)。具体的には、金属基板の上のCNTの層が、還元ガス環境において、炉の中で約500℃で30分にわたって加熱される。本発明の一実施形態において、ガスは水素(H2)である。
上述のEPD堆積プロセスは、CNT以外の、カーボンブラック、炭素繊維、活性炭、または異なる活物質の混合物を含み得る、他の炭素ベースの活物質に容易に適用され得る。
図5は、本発明の実施形態に従った、CNT電極を製作するための一般的なEPDセットアップ500を図示する。コンテナ502は、エタノール506において分散させられた、正に荷電したMWNT504の懸濁液を含む。2片のニッケル箔508および510が、EPD電極として使用され、一定の距離をおいて互いに平行に、懸濁液の中に水平に浸される。
上方の金属箔508がカソードとして電圧512の負の端子に結合され、一方、下方の金属箔510がアノードとして正の端子に結合されるように、DC電圧512がEPD電極の上に印加される。正に荷電したMWNTは、カソードに向かって上方に引き付けられ、金属箔(カソード)508の上に堆積し、高密度ではあるが均一にパッキングされた(packed)活性層514を形成する。
カソード508は、保護フレーム516に固定され、保護フレーム516は、金属箔508を保持し、上方の金属箔508がコーティングされることを防ぎもすることに留意されたい。
金属基板は、ニッケル、銅、アルミニウム、金、プラチナ、および電池化学に適合した他の電極金属などの、良好な導電率を提供する任意の金属を一般的に含み得ることに留意されたい。一定の制約が存在し、たとえば、KOHが電解質として使用される場合には、アルミニウムは電解質と反応するので、金属基板として使用され得ないことに留意されたい。
(EPDによって製作される電極の特性)
(構造的特性)
EPDによって製作されるCNT薄膜電極は、もつれたナノチューブの間の開いたスペースのために、薄膜において多孔性構造を有する。薄膜における細孔は、細孔の大きさに依存して、微細孔およびメソ細孔に分類され得る。微細孔(<2mm)は、EPD電極においてあまり目立たないのに対して、2〜50nmのメソ細孔は、より目立つ。開いた多孔性構造は、溶媒和イオンの電極/電解質界面への容易なアクセスを促進し、活物質のアクセス可能な面積を顕著に増加させ、それによってスーパーコンデンサの電荷蓄積容量を改善する。高度にアクセス可能な表面積を有するそのような開いた多孔性構造は、他の炭素ベースの物質を用いては一般的に得られないことに留意されたい。
(構造的特性)
EPDによって製作されるCNT薄膜電極は、もつれたナノチューブの間の開いたスペースのために、薄膜において多孔性構造を有する。薄膜における細孔は、細孔の大きさに依存して、微細孔およびメソ細孔に分類され得る。微細孔(<2mm)は、EPD電極においてあまり目立たないのに対して、2〜50nmのメソ細孔は、より目立つ。開いた多孔性構造は、溶媒和イオンの電極/電解質界面への容易なアクセスを促進し、活物質のアクセス可能な面積を顕著に増加させ、それによってスーパーコンデンサの電荷蓄積容量を改善する。高度にアクセス可能な表面積を有するそのような開いた多孔性構造は、他の炭素ベースの物質を用いては一般的に得られないことに留意されたい。
(電気的特性)
CNT電極の電気的特性を調査するために、テスト用のスーパーコンデンサが組み立てられる。EPDによってニッケル箔の上に堆積させられる2枚のニッケル箔(集電器)およびCNT薄膜が、電極を形成する。6N KOHが電解質として使用され、電解質に浸されたガラス繊維フィルタ紙が、2つの電極の間のセパレータとして使用される。次に、ポテンシオスタット/ガルバノスタット(EG&G Princeton Applied Research、モデル263A)を用いて、サイクリックボルタンメトリー(CV)テストが実行される。
CNT電極の電気的特性を調査するために、テスト用のスーパーコンデンサが組み立てられる。EPDによってニッケル箔の上に堆積させられる2枚のニッケル箔(集電器)およびCNT薄膜が、電極を形成する。6N KOHが電解質として使用され、電解質に浸されたガラス繊維フィルタ紙が、2つの電極の間のセパレータとして使用される。次に、ポテンシオスタット/ガルバノスタット(EG&G Princeton Applied Research、モデル263A)を用いて、サイクリックボルタンメトリー(CV)テストが実行される。
6N KOHを電解質として使用する以外は、KOHの濃度が変化し得ることに留意されたい。代替的に、KOHの代わりにH2SO4が使用され得る。さらに、アセトニトリル(AN)、γブチロラクトン(GBL)およびプロピレンカーボネート(PC)において、テトラエチルアンモニウムテトラフルオロホウ酸塩(TEMA)を溶解することによって得られる、有機的電解質もまた、電解質として使用され得る。
図6Aは、本発明の実施形態に従った、熱処理をしない(すなわちステップ410のない)EPD電極を備えるスーパーコンデンサについて、50mV/sの走査速度で得られたI−V応答を図示する。
EPDプロセスによって形成されるCNT電極に熱処理をしないと、測定された膜抵抗は非常に高く(kΩの範囲で)、結果としてスーパーコンデンサの大きなESRにつながる。この大きなESRのために、スーパーコンデンサのCV特性は、傾斜した角度を有する狭いループを示し、良くない性能を示す。
図6Bは、本発明の実施形態に従った、アルゴン(Ar)において熱処理をしたEPD電極を備えるスーパーコンデンサについて、50mV/sの走査速度で得られたI−V応答を図示する。図6Bは、アルゴン処理をした電極を使用したスーパーコンデンサのI−V応答が、図6Aと同様の良くない形状であることを示し、EPD電極の抵抗に顕著な変化がないことを示す。
図7は、本発明の実施形態に従った、水素(H2)において熱処理をしたEPD電極を備えるスーパーコンデンサの、種々の走査速度におけるCV特性を示す。
図7Aおよび7Bは、本発明の実施形態に従って、50mV/sの低い走査速度および1000mV/sの高い走査速度のそれぞれにおいて得られたI−V応答を図示する。500℃で約30分にわたってH2においてEPD電極を焼成した後に、CNT膜の抵抗、したがってスーパーコンデンサのESRが、顕著に減少することに留意されたい。異なる走査速度におけるI−V応答は、ゼロ電流ラインにおいてほぼ同一であり、CVループのそれぞれの終端における電圧逆転に際して、非常に急な電流応答を示す。特に、1000mV/sの高い走査速度において、理想的な容量性挙動と長方形の垂直の辺との、ほぼ長方形で対称的なI−V応答は、スーパーコンデンサにおいて、ESRはごくわずかであり、電解質の非常に速い分散があることを示す。
上述のテスト用スーパーコンデンサを使用して、20kW/kgの最大電力密度が得られた。
(EPDおよび直接堆積を組み合わせた電極)
活物質の厚い層は、スーパーコンデンサの電荷蓄積容量を増加させることによってスーパーコンデンサの出力電流を増加させるために有利である。しかしEPDプロセスは、一般的に、数マイクロメートルの厚さの活物質の層を生成するためのみに適切である。本発明の一実施形態において、EPDプロセスは、集電器を事前にコーティングして、電極のための薄膜CNT界面を形成するために使用され得る。次に、直接堆積プロセスから得られた、より厚いCNT膜は、薄いEPD CNT界面の上に積層されて、より厚い二重層電極を形成し得る。EPD薄膜および直接的に堆積された膜の両方は、高いパッキング密度を有し、製作するために結合剤も必要としないことに留意されたい。
活物質の厚い層は、スーパーコンデンサの電荷蓄積容量を増加させることによってスーパーコンデンサの出力電流を増加させるために有利である。しかしEPDプロセスは、一般的に、数マイクロメートルの厚さの活物質の層を生成するためのみに適切である。本発明の一実施形態において、EPDプロセスは、集電器を事前にコーティングして、電極のための薄膜CNT界面を形成するために使用され得る。次に、直接堆積プロセスから得られた、より厚いCNT膜は、薄いEPD CNT界面の上に積層されて、より厚い二重層電極を形成し得る。EPD薄膜および直接的に堆積された膜の両方は、高いパッキング密度を有し、製作するために結合剤も必要としないことに留意されたい。
(EPDおよびCNTマットによるCNT層を備える電極)
本発明の一実施形態において、より厚い電極は、EPD CNT電極をCNT「マット」または「ケーク」と組み合わせることによって、生成され得る。一般的に、EPDプロセスまたは直接堆積を使用してさえも、厚いマットまたはケークを準備することは、多くの時間を必要とする。しかし、比較的厚いCNTマットを準備するために、濾過プロセスが使用され得る。濾過を通してCNTマットを作成することは、安定した懸濁液を得るためにCNTを処理することを必要としないことに留意されたい。
本発明の一実施形態において、より厚い電極は、EPD CNT電極をCNT「マット」または「ケーク」と組み合わせることによって、生成され得る。一般的に、EPDプロセスまたは直接堆積を使用してさえも、厚いマットまたはケークを準備することは、多くの時間を必要とする。しかし、比較的厚いCNTマットを準備するために、濾過プロセスが使用され得る。濾過を通してCNTマットを作成することは、安定した懸濁液を得るためにCNTを処理することを必要としないことに留意されたい。
比較の目的のために、2つの種類の集電器が準備される。第1の種類は、活物質コーティングを用いないニッケル箔の種類であり、第2の種類は、EPDプロセスによってCNT薄膜によって事前にコーティングされたニッケル箔である。さらにCNTマットが、活物質としての役割を果たすように、濾過を通して準備される。第1の種類の電極において、CNTマットはニッケル箔の上に置かれて、スーパーコンデンサの二重層電極を形成する。それに対して、第2の種類の電極において、CNTマットは事前にコーティングされたニッケル箔の上に置かれて、スーパーコンデンサの二重層電極を形成する。
図8Aは、本発明の実施形態に従った第1の種類の電極を備えるスーパーコンデンサのI−V応答を図示する。図面は、CVループが50mV/sの走査速度においてひどく歪められていることを示し、それはCNTマットと集電器との間の高い接触抵抗に起因する。
対照的に、図8Bは、本発明の実施形態に従った第2の種類の電極を備えるスーパーコンデンサのI−V応答を図示する。図面は、同じ50mV/sの走査速度においてほぼ長方形のCVループを示し、図8AのESRと比較してはるかに低いESRを示す。両方のテストにおいて使用されたマットは同一であることに留意されたい。したがって、EPDプロセスによって集電器を薄膜層で事前にコーティングすることは、二重層電極の界面抵抗を低減するために有益である。
本発明の実施形態の上述の説明は、図示および説明の目的のためのみに提示された。それらは、網羅的であること、または開示された形態に本発明を限定することを意図していない。さらに、当業者にとって多くの変更および変化が明らかである。さらに、上述の開示は、本発明を限定することを意図していない。本発明の範囲は、添付の特許請求項の配意によって定義される。
Claims (25)
- 炭素ナノチューブ(CNT)を使用してコンデンサのための電極を製作するプロセスであって、
該電極は、金属基板と、該金属基板の上のコーティングされた活物質の層とを備え、
該プロセスは、
懸濁液を形成するために溶媒中でCNTを分散させることと、
該懸濁液中のCNTを荷電することと、
該金属基板を該懸濁液に浸すことと、
該金属基板の上に活物質の層を形成するために、電気泳動堆積(EPD)を使用して該金属基板の上にCNTを堆積させることと
を含み、
それによって結合剤を使用することなく該金属基板の上に該活物質の層が形成され、それにより該活物質と該金属基板との間の接触抵抗を効率的に低減する、プロセス。 - 前記CNTが、
単層CNT(SWNT)と、
多層CNT(MWNT)と
を含み得る、請求項1に記載のプロセス。 - 前記EPDを使用して前記金属基板の上の前記CNTを堆積させた後に、水素(H2)環境において該金属基板の上の前記活物質の層を焼成することをさらに含む、請求項1に記載のプロセス。
- 前記溶媒中で前記CNTを分散させることが、所定の時間にわたって該溶媒とCNT混合物とを超音波処理することを含む、請求項1に記載のプロセス。
- 前記懸濁液中で前記CNTを荷電させることが、電解質として該懸濁液の中にMg(NO3)・6H2Oを追加することを含み、それにより該CNTを正に荷電する、請求項1に記載のプロセス。
- 前記金属基板を一定電圧源の負の端子に結合させることをさらに含む、請求項1に記載のプロセス。
- 前記金属基板が、前記懸濁液中で、
水平に、
垂直に、または
任意の角度に、置かれ得る、請求項1に記載のプロセス。 - 前記EPDを使用して前記金属基板の上に前記CNTを堆積させる間に、電場を印加すると、荷電したCNTが、該金属基板に向かって上方に移動し、
該金属基板が、前記懸濁液中で水平に置かれる、請求項1に記載のプロセス。 - 前記金属基板が、
ニッケル、
銅、
アルミニウム、
金、または
プラチナなどの、導電率を提供する任意の金属を含み得る、請求項1に記載のプロセス。 - 前記溶媒が、エタノールである、請求項1に記載のプロセス。
- 前記活物質が、
炭素ナノチューブ、
カーボンブラック、
炭素繊維、
活性炭、または
上述のいずれかの混合物を含み得る、請求項1に記載のプロセス。 - 高いパッキング密度で活物質の層を製作するプロセスであって、
該活物質の層は、電極を形成するために使用され、
該電極は、金属基板と、該金属基板の上にコーティングされた該活物質の層とを備え、
該プロセスは、
官能性を持たせられた活物質を得ることと、
該活物質の高濃度のコロイド懸濁液を形成するために、該官能性を持たせられた活物質を溶媒中に分散させることと、
該活物質の層を形成するために、該活物質の懸濁液を該金属基板の上に直接的に堆積させることと
を含み、
それによって結合剤を使用することなく高いパッキング密度で該金属基板の上に該活物質の層が形成され、それにより該活物質と該金属基板との間の接触抵抗を効率的に低減する、プロセス。 - 前記官能性を持たせられた活物質を得ることが、
複数の官能基を該活物質の上に結合させるために、濃縮された酸の中で該活物質を処理することと、
該濃縮された酸を該処理された活物質から除去することと
を含む、請求項12に記載のプロセス。 - 前記濃縮された酸を前記処理された活物質から除去することは、
該活物質を蒸留水で洗浄することと、
該洗浄された活物質をエタノールでゆすぐことと、
該活物質を所定の温度で乾燥させることと
を含む、請求項13に記載のプロセス。 - 前記溶媒が、ジメチルホルムアミド(DMF)または蒸留水であり得る、請求項12に記載のプロセス。
- 前記官能性を持たせられた活物質を前記溶媒中に分散させることが、所定の時間にわたって該溶媒と活物質混合物とを超音波処理をすることを含む、請求項12に記載のプロセス。
- 前記活物質が、
炭素ナノチューブ、
カーボンブラック、
炭素繊維、
活性炭、または
上述のいずれかの混合物を含み得る、請求項12に記載のプロセス。 - 前記官能基が、
−COOHと、
>C=Oと、
−OHと
を含み得る、請求項13に記載のプロセス。 - 前記活物質を前記溶媒中に分散させる前に、該活物質を酸化することをさらに含む、請求項12に記載のプロセス。
- 電気エネルギーを蓄積するコンデンサであって、
少なくとも2つの対向する電極を備え、
該電極のうちの少なくとも一つは、
金属基板と、
該金属基板の上にコーティングされた活物質の層と
を備え、
該活物質は、炭素ナノチューブ(CNT)であり、
電解質が該電極の間に配置され、
セパレータが該電極の間の電解質に浸され
該活物質は、結合剤を使用することなく、電気泳動堆積(EPD)によって該金属基板の上に堆積され、それにより該活物質と該金属基板との間の接触抵抗を効率的に低減する、コンデンサ。 - 前記CNTが、
単層CNT(SWNT)と、
多層CNT(MWNT)と
を含み得る、請求項20に記載のコンデンサ。 - 前記金属基板が、
ニッケル、
銅、
アルミニウム、
金、または
プラチナなどの、導電率を提供する任意の金属を含み得る、請求項20に記載のコンデンサ。 - 前記活物質が、
炭素ナノチューブ、
カーボンブラック、
炭素繊維、
活性炭、または
上述のいずれかの混合物を含み得る、請求項20に記載のコンデンサ。 - エネルギー蓄積デバイスのための電極であって、該電極は、
金属基板と、
該金属基板の上にコーティングされる活物質の層とを備え、
該活物質は、炭素ナノチューブ(CNT)であり、
該活物質は、結合剤を使用することなく、電気泳動堆積(EPD)によって該金属基板の上に堆積され、それにより該活物質と該金属基板との間の接触抵抗を効率的に低減する、電極。 - 前記エネルギー蓄積デバイスが、
コンデンサと、
バッテリと
を含み得る、請求項24に記載の電極。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009105093A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 電気2重層キャパシタ電極の製造方法、 |
WO2011105021A1 (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-01 | パナソニック株式会社 | カーボンナノチューブ形成用基板、カーボンナノチューブ複合体、エネルギーデバイス、その製造方法及びそれを搭載した装置 |
US9786444B2 (en) | 2009-06-25 | 2017-10-10 | Nokia Technologies Oy | Nano-structured flexible electrodes, and energy storage devices using the same |
KR20180058302A (ko) * | 2016-11-24 | 2018-06-01 | 충북대학교 산학협력단 | Isg 시스템용 울트라 전지의 전극 및 이의 제조방법 |
JP2020536391A (ja) * | 2017-10-03 | 2020-12-10 | ファーストキャップ・システムズ・コーポレイションFastCAP SYSTEMS Corporation | チップ形ウルトラキャパシタ |
Families Citing this family (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2082408A4 (en) * | 2006-10-17 | 2013-07-03 | Maxwell Technologies Inc | ELECTRODE FOR ENERGY STORAGE DEVICE |
US7710709B2 (en) * | 2007-03-30 | 2010-05-04 | Intel Corporation | Carbon nanotube coated capacitor electrodes |
US8496796B2 (en) * | 2007-10-17 | 2013-07-30 | Agency For Science, Technology And Research | Composite films comprising carbon nanotubes and polymer |
CN101425380B (zh) * | 2007-11-02 | 2013-04-24 | 清华大学 | 超级电容器及其制备方法 |
CN101471184B (zh) * | 2007-12-27 | 2011-11-09 | 清华大学 | 超级电容器 |
CN101425381B (zh) | 2007-11-02 | 2012-07-18 | 清华大学 | 超级电容器及其制备方法 |
US7826198B2 (en) * | 2007-12-29 | 2010-11-02 | Tsinghua University | Electrochemical capacitor with carbon nanotubes |
JP5266844B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-08-21 | 日本ケミコン株式会社 | 電気二重層キャパシタ用電極及びその製造方法 |
KR20110051249A (ko) * | 2008-08-15 | 2011-05-17 | 메사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지 | 탄소 기반 나노구조체의 층상 조립체 및 에너지 저장 및 생산 소자에서의 그의 용도 |
WO2011100391A2 (en) * | 2010-02-10 | 2011-08-18 | The Regents Of The University Of California | Asymmetric hybrid supercapacitors based on nanotube nanowire composites |
KR20100064633A (ko) * | 2008-12-05 | 2010-06-15 | 삼성전자주식회사 | 전기 흡착 탈이온화용 전극 및 이를 구비하는 전기 흡착 탈이온 장치와 전기이중층 커패시터 |
US8518253B2 (en) * | 2008-12-17 | 2013-08-27 | General Electric Company | Ion-exchange device and regeneration method of ion-exchange material thereof |
US8333810B1 (en) * | 2009-03-05 | 2012-12-18 | The United States of America as represented by the Administrator of the National Aeronautics & Space Administration (NASA) | Carbon nanotube tower-based supercapacitor |
US8213157B2 (en) * | 2009-04-17 | 2012-07-03 | University Of Delaware | Single-wall carbon nanotube supercapacitor |
JP5465779B2 (ja) | 2009-04-24 | 2014-04-09 | アプライド ナノストラクチャード ソリューションズ リミテッド ライアビリティー カンパニー | カーボンナノチューブベースの性質制御材料 |
US9111658B2 (en) | 2009-04-24 | 2015-08-18 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | CNS-shielded wires |
BRPI1014711A2 (pt) | 2009-04-27 | 2016-04-12 | Applied Nanostrctured Solutions Llc | aquecimento de resistência com base em cnt para descongelar estruturas de compósito |
JP2011108639A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-06-02 | Ronald Anthony Rojeski | カラーストップを含む電極 |
EP2545568A1 (en) | 2009-12-22 | 2013-01-16 | Pasi Moilanen | Fabrication and application of polymer-graphitic material nanocomposites and hybride materials |
US9167736B2 (en) | 2010-01-15 | 2015-10-20 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | CNT-infused fiber as a self shielding wire for enhanced power transmission line |
KR101818640B1 (ko) | 2010-03-02 | 2018-01-15 | 어플라이드 나노스트럭처드 솔루션스, 엘엘씨. | 카본 나노튜브 주입된 섬유를 포함하는 전기 장치 및 그의 제조 방법 |
CN102934267A (zh) * | 2010-03-02 | 2013-02-13 | 应用奈米结构公司 | 具注入碳纳米管电极材料螺旋缠绕式电气装置及其制造方法及装置 |
US8780526B2 (en) | 2010-06-15 | 2014-07-15 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | Electrical devices containing carbon nanotube-infused fibers and methods for production thereof |
CN103443870A (zh) | 2010-09-23 | 2013-12-11 | 应用纳米结构方案公司 | 作为自屏蔽线材用于增强的电力传输线的cnt并入的纤维 |
RU2475445C2 (ru) * | 2010-12-20 | 2013-02-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный университет имени Г.Р. Державина" | Способ получения объемного наноструктурированного материала |
WO2012128763A1 (en) | 2011-03-23 | 2012-09-27 | Empire Technology Development Llc | Capacitor with parallel nanotubes |
US8503161B1 (en) | 2011-03-23 | 2013-08-06 | Hrl Laboratories, Llc | Supercapacitor cells and micro-supercapacitors |
JP6387300B2 (ja) * | 2011-06-20 | 2018-09-05 | 矢崎総業株式会社 | 炭素の凝集アセンブリおよびその用途 |
JP2015513799A (ja) * | 2012-02-22 | 2015-05-14 | セルドン テクノロジーズ,インコーポレーテッド | 電極及び用途 |
US9085464B2 (en) | 2012-03-07 | 2015-07-21 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | Resistance measurement system and method of using the same |
US8971020B2 (en) * | 2012-03-16 | 2015-03-03 | Avx Corporation | Wet capacitor cathode containing a conductive copolymer |
US9642258B2 (en) * | 2012-04-18 | 2017-05-02 | Brewer Science Inc. | All-organic inductor-capacitor tank circuit for radio frequency sensor applications |
US9318271B2 (en) * | 2012-06-21 | 2016-04-19 | Schlumberger Technology Corporation | High temperature supercapacitor |
WO2014025743A1 (en) * | 2012-08-07 | 2014-02-13 | Cornell University | Binder free and carbon free nanoparticle containing component, method and applications |
US20140126112A1 (en) * | 2012-11-06 | 2014-05-08 | Ultora, Inc. | Carbon nanotubes attached to metal foil |
US8766345B2 (en) * | 2012-11-30 | 2014-07-01 | International Business Machines Corporation | Area-efficient capacitor using carbon nanotubes |
CN103065807A (zh) * | 2013-01-11 | 2013-04-24 | 天津理工大学 | 一种基于纳米介电材料层的高能量密度超级电容器 |
DE102013200714A1 (de) | 2013-01-18 | 2014-07-24 | Robert Bosch Gmbh | Schutzmechanismus für Batteriezellen |
DE102013203620A1 (de) | 2013-03-04 | 2014-09-04 | Robert Bosch Gmbh | Schutzmechanismus für Batteriezellen |
DE102013104396A1 (de) | 2013-04-30 | 2014-10-30 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Elektrochemische Speichervorrichtung |
US9478363B2 (en) * | 2013-08-28 | 2016-10-25 | Florida State University Research Foundation, Inc. | Flexible electrical devices and methods |
US9583277B2 (en) * | 2013-09-30 | 2017-02-28 | The Paper Battery Company, Inc. | Ultra-capacitor structures and electronic systems with ultra-capacitor structures |
CN103762094A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-30 | 电子科技大学 | 一种制造活性碳电化学电容器电极材料的方法 |
CN103767699B (zh) * | 2014-01-23 | 2016-01-20 | 南京理工大学 | 一种基于碳纳米管/导电聚合物的神经元探针及其制备方法 |
KR101659223B1 (ko) * | 2015-04-21 | 2016-09-23 | 고려대학교 산학협력단 | 슈퍼커패시터 및 이의 제조 방법 |
US10147557B2 (en) | 2016-09-13 | 2018-12-04 | The Mitre Corporation | Enhanced structural supercapacitors |
FR3063493B1 (fr) * | 2017-03-01 | 2023-06-09 | Nawatechnologies | Procede de preparation d'une electrode comprenant un support en aluminium, des nanotubes de carbone alignes et un polymere organique electro-conducteur, ladite electrode et ses utilisations |
CN110057897B (zh) * | 2018-01-19 | 2020-10-09 | 中国科学院化学研究所 | 电泳沉积碳纳米管修饰碳纤维电极及其在活体抗坏血酸的检测中的应用 |
US10991935B2 (en) | 2018-03-27 | 2021-04-27 | The Mitre Corporation | Structural lithium-ion batteries with carbon fiber electrodes |
WO2020060062A1 (ko) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | 한국전기연구원 | 금속산화물을 이용한 세라믹소자 및 이의 제조방법 |
CN114207755A (zh) * | 2019-04-17 | 2022-03-18 | 加州理工学院 | 高纵横比电极结构上原子层沉积的改进 |
KR20210077071A (ko) * | 2019-12-16 | 2021-06-25 | 현대자동차주식회사 | 리튬 이차전지용 양극재 및 이의 제조방법 |
CN111118583B (zh) * | 2020-02-27 | 2021-12-21 | 福州大学 | 一种电磁场辅助电泳沉积法制备定向CNTs/Cu复合材料的方法 |
DE112021003224T5 (de) | 2020-06-12 | 2023-04-20 | Analog Devices International Unlimited Company | Selbstkalibrierendes Polymer-Nanokomposit(PNC)-Erfassungselement |
EP3975213A1 (en) | 2020-09-28 | 2022-03-30 | Jozef Stefan Institute | Method for manufacturing hybrid binder-free electrodes for electrochemical supercapacitors |
NO346078B1 (en) | 2020-10-15 | 2022-02-07 | Univ Of South Eastern Norway | Direct growth cross-linked carbon nanotubes on microstructured metal substrate for supercapacitor application |
US12044715B2 (en) | 2020-10-27 | 2024-07-23 | Analog Devices, Inc. | Wireless integrity sensing acquisition module |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1357899A (zh) * | 2000-12-13 | 2002-07-10 | 中国科学院成都有机化学研究所 | 碳纳米管用于超级电容器电极材料 |
CN1308348A (zh) * | 2000-12-21 | 2001-08-15 | 锦州电力电容器有限责任公司 | 掺碳纳米管超大容量电容器 |
US7252749B2 (en) * | 2001-11-30 | 2007-08-07 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Deposition method for nanostructure materials |
US7147894B2 (en) * | 2002-03-25 | 2006-12-12 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Method for assembling nano objects |
US6946410B2 (en) * | 2002-04-05 | 2005-09-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for providing nano-structures of uniform length |
US7061749B2 (en) * | 2002-07-01 | 2006-06-13 | Georgia Tech Research Corporation | Supercapacitor having electrode material comprising single-wall carbon nanotubes and process for making the same |
-
2005
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009105093A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 電気2重層キャパシタ電極の製造方法、 |
US9786444B2 (en) | 2009-06-25 | 2017-10-10 | Nokia Technologies Oy | Nano-structured flexible electrodes, and energy storage devices using the same |
WO2011105021A1 (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-01 | パナソニック株式会社 | カーボンナノチューブ形成用基板、カーボンナノチューブ複合体、エネルギーデバイス、その製造方法及びそれを搭載した装置 |
JP5351264B2 (ja) * | 2010-02-24 | 2013-11-27 | パナソニック株式会社 | カーボンナノチューブ形成用基板、カーボンナノチューブ複合体、エネルギーデバイス、その製造方法及びそれを搭載した装置 |
US8734999B2 (en) | 2010-02-24 | 2014-05-27 | Panasonic Corporation | Carbon nanotube forming substrate, carbon nanotube complex, energy device, method for manufacturing energy device, and apparatus including energy device |
KR20180058302A (ko) * | 2016-11-24 | 2018-06-01 | 충북대학교 산학협력단 | Isg 시스템용 울트라 전지의 전극 및 이의 제조방법 |
KR101953114B1 (ko) * | 2016-11-24 | 2019-05-17 | 충북대학교 산학협력단 | Isg 시스템용 울트라 전지의 전극 및 이의 제조방법 |
JP2020536391A (ja) * | 2017-10-03 | 2020-12-10 | ファーストキャップ・システムズ・コーポレイションFastCAP SYSTEMS Corporation | チップ形ウルトラキャパシタ |
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