JP2008511986A - 仮想モジュールを用いた半導体処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
metrology)と呼ばれている。また、IMは、ウエハ・トウ・ウエハ(W2W)レベルの測定およびプロセスレシピ調整機能を可能にした。大量のデータが収集され、ウエハの測定と次の処理との間の時間が短いため、ファブレベルではなくて、ツールでウエハ・トウ・ウエハ(W2W)制御を実施する機能を提供することが必要であろう。
Tool)、および/またはトリアスツール(Trias Tool)ならびにその関連のプロセスサブシステムおよびプロセスモジュールを含むことができる、東京エレクトロン株式会社(Tokyo
Electron Limited)製の自動プロセス制御(APC)システムを備えることができる。また、このシステムは、東京エレクトロン株式会社製のIngenio
TL ESサーバおよび東京エレクトロン株式会社製の装置組込み型計測モジュール(IMM:integlated metrology module)などのラン・ツウ・ラン(R2R)コントローラを備えることができる。あるいは、コントローラ120は他のプロセスツールおよび他のプロセスモジュールを支援することもできる。
SEM情報は手作業で供給することもできる。IMおよびCD SEM測定値間のずれを調整するために調整係数が用いられる。CD SEMデータの手動および自動入力は、R2Rコントローラ」のフィードバック(FB)制御ループの履歴に適切に挿入するための、日付などのタイムスタンプを含む。
Plan)またはフィードバックプラン(Feedback Plan)に送ることができる。
Strategy))を含むことができ、制御ストラテジはシステムレシピと関連させることができる。制御ストラテジは制御プラン(Control Plan)を含むことができ、制御下の物理的モジュールは物理的モジュールへのアクセスについて定義した少なくとも1つの制御プランを有することができる。制御プランは、モデル、限界、目標を含むことができ、モジュール内の多数のプロセスステップを対象とすることができる。一実施形態において、仮想制御ストラテジおよび/またはプランを確立し、物理的モジュールへマッピングすることができる。制御ストラテジおよび/またはプランは、プロセスジョブ(Process
Job; PJ)が受け取られおよび/または作成されるときに確立できる。
DCストラテジの選択および開始はコンテキストベースとすることもできる。PM DCストラテジが実行されるときに物理的モジュール内で処理されるウエハに関するPMデータ収集を収集できる。
DCストラテジが実行されるとき、ウエハに関するVMデータを収集できる。
DCストラテジの選択および開始はコンテキストベースとすることもできる。PM DCストラテジが実行されるときに物理的モジュール内で処理されるウエハに関するPMデータを収集できる。
DCストラテジが実行されるとき、ウエハに関するVMデータを収集できる。
Port Update)ボタンはリフレッシュ機能として用いることができ、プロセスツールから現在のロードポート情報を入手するために使うことができる。
Recipe)フィールドを用いることができる。システムレシピ更新(System Recipe Update)ボタンはリフレッシュ機能として用いることができ、プロセスツールから現在のレシピ情報を入手するために使うことができる。例えば、システムレシピ名などの1つまたはそれより多いコンテキストアイテムをマッチングさせることによってVM制御ストラテジを起動させるためにシステムレシピ名を用いることができる。
Route)フィールドを用いることができる。移送ルート更新(Transfer Route Update)ボタンはリフレッシュ機能として用いることができ、プロセスツールから現在のレシピ情報を入手するために使うことができる。
Route)フィールドを用いることができる。例えば、ウエハを装置組込み型計測モジュール(IMM)にいつ移送するか、およびウエハをウエハプロセスモジュール(PMxx)内でいつ処理するかを決定するために、移送ルートを用いることができる。VMモデルの説明を提供するために説明(Description)フィールドを用いることができる。
Tool Process Recipe (Nominal Recip))−ソフトウェアがプロセスツールに指示を送り、プロセスツールはツールプロセスレシピを使用する;(2)プロセスレシピ不使用(「ヌル」レシピ)(Do
Not Use Process Recipe (Null Recipe))−ソフトウェアがウエハに対応するヌルレシピ情報をプロセスツールに送り、ウエハはチャンバに入り処理されることなくチャンバから出てくる;(c)PM一時停止(PM
Pause)−プロセスモジュールを一時停止する;(4)システム一時停止(System Pause)−移送システムを含むシステムを一時停止する。
Tool Process Recipe (Nominal Recip))−ソフトウェアがプロセスツールに指示を送り、プロセスツールはツールプロセスレシピを使用する;(2)プロセスレシピ不使用(「ヌル」レシピ)(Do
Not Use Process Recipe (Null Recipe))−ソフトウェアがウエハに対応するヌルレシピ情報をプロセスツールに送り、ウエハはチャンバに入り処理されることなくチャンバから出てくる;(3)PM一時停止(PM
Pause)−プロセスモジュールを一時停止する;(4)システム一時停止(System Pause)−移送システムを含むシステムを一時停止する。
Context Specification)フィールドを用いることができる。ロット識別名の入力/編集にLotID(s)フィールドを用いることができ、ウエハ識別名の入力/編集にWafer
ID(s)フィールドを用いることができ、制御ジョブ識別名の入力/編集にCJID(s)フィールドを用いることができ、プロセスジョブ識別名の入力/編集にPJID(s)フィールドを用いることができ、カセット識別名の入力/編集にCassette
ID(s)フィールドを用いることができ、キャリア識別名の入力/編集にCarrier ID(s)フィールドを用いることができ、スロット番号の入力/編集にSlot(s)フィールドを用いることができ、基材(基板)識別名の入力/編集にSubstrate
ID(s)フィールドを用いることができ、ウエハタイプの入力/編集にWafer Type(s)フィールドを用いることができ、スクライブ処理済ウエハ識別名の入力/編集にScribed Wafer ID(s)フィールドを用いることができ、開始時間の入力/編集に1つのStart Timeフィールドを用いることができ、終了時間の入力/編集に第2のStart Timeフィールドを用いることができる。
Strategy)画面を使用して、ユーザはVM制御ストラテジ(VM Control Strategy)設定の実施し、既存のVM制御ストラテジを閲覧し、新しいVM制御ストラテジを作成し、既存のVM制御ストラテジをコピーし、既存のVM制御ストラテジを編集し、既存のVM制御ストラテジを削除し、VM制御ストラテジをテストすることができる。例えば、一連のアクションを選択するためにドロップダウンリストを使用できる。
Control Plan)画面が示されている。あるいは、他のプロセスモジュール(PMxx)および測定モジュール(IMxx)など、他のモジュールを用いることもできる。
Source Type)ドロップダウンメニューからソースタイプを選択することができる。例えば、選択されたデータソースに応じてデータソース情報フィールドが変化してもよい。
Name)フィールドには、使用可能なモデルの名称が列挙される。例えば、新モデルを作成するために「新静的レシピ(New Static Recipe)」オプションまたは「新数式レシピ(New
Formula Recipe)」オプションをドロップダウンリストから選択することができる。1つまたはそれより多い静的レシピを含む静的制御プランを作成することができる。例えば、10またはそれより多い静的モデルを示すことができる。同じ目標値(t1)に対して複数の静的モデルが示されているが、これは必要事項ではない。別の数の静的および/または数式モデルを使用することができ、また、モデル毎に異なる目標値を有することができる。各静的レシピが使用されるときに新目標値を計算できる。図13に示されるように、複数の静的モデルは、上限値と下限値で定められる別々の有効範囲を有することができる。また、静的レシピモデルは別々の静的レシピ出力を有することができ、別々の静的レシピ出力は静的レシピ毎に求めることができる。
Claims (36)
- ホストシステムとプロセスシステムとを含む半導体プロセスシステムのプロセスシステムコントローラを操作する方法であって、
少なくとも1つのウエハの所望プロセス結果および少なくとも1つのウエハのプロセスシーケンスを含む静的仮想モジュールプランを受け取る工程であって、前記プロセスシーケンスが複数のプロセスオブジェクトを含み、前記複数のプロセスオブジェクトが、物理的モジュールへのウエハによるアクセスに関連する物理的モジュールオブジェクト、および/または、物理的モジュールへのウエハによる非アクセスに関連する仮想モジュールオブジェクトを含む工程と、
前記プロセスシーケンスを実行する工程と、
前記プロセスシーケンスの物理的モジュールオブジェクトが実行されるときに物理的モジュールデータを収集する工程と、
前記プロセスシーケンスの仮想モジュールオブジェクトが実行されるときに物理的モジュールデータを収集する工程と
を含む方法。 - 前記物理的モジュールのデータおよび前記仮想モジュールのデータのうちの少なくとも一方を前記ホストシステムへ送る工程をさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記プロセスシーケンスの物理的モジュールオブジェクトが実行されるときに物理的モジュール制御ストラテジを実行する工程であって、前記物理的モジュール制御ストラテジが1つまたはそれより多いモジュール制御プランを備えている工程と、
物理的モジュールデータ収集ストラテジを実行する工程であって、前記物理的モジュールデータ収集ストラテジが少なくとも1つの物理的モジュールデータ収集プランを備えている工程と
をさらに含む請求項1に記載の方法。 - 前記プロセスシーケンスの物理的モジュールオブジェクトが実行されるときに物理的モジュール解析ストラテジを実行する工程であって、前記物理的モジュール解析ストラテジが物理的モジュール解析プランおよび/または物理的モジュール判定プランを備えている工程
をさらに含む請求項3に記載の方法。 - 前記プロセスシーケンスの前記物理的モジュールオブジェクト毎にプロセスレシピを決定する工程と、
前記プロセスシーケンスの前記仮想モジュールオブジェクト毎にプロセスレシピを決定する工程と
をさらに含む請求項3に記載の方法。 - 前記プロセスシーケンスの仮想モジュールオブジェクトが実行されるときに仮想モジュール制御ストラテジを実行する工程であって、前記仮想モジュール制御ストラテジが1つまたはそれより多い仮想モジュール制御プランを備えている工程と、
仮想モジュールデータ収集ストラテジを実行する工程であって、前記仮想モジュールデータ収集ストラテジが仮想モジュール非アクセスデータを収集する少なくとも1つの仮想モジュールデータ収集プランを備えている工程と
をさらに含む請求項1に記載の方法。 - 前記プロセスシーケンスの前記物理的モジュールオブジェクト毎にプロセスレシピを受け取る工程と、
前記プロセスシーケンスの前記仮想モジュールオブジェクト毎にプロセスレシピを受け取る工程と
をさらに含む請求項1に記載の方法。 - 前記所望プロセス結果が、トリミング量、エッチング量、および/または成膜量を含む請求項1に記載の方法。
- 前記物理的モジュールが、プロセスモジュール、測定モジュール、移送モジュール、および/または保持モジュールを含む請求項1に記載の方法。
- 前記プロセスモジュールが、エッチングモジュール、成膜モジュール、化学的酸化物除去モジュール、加熱モジュール、移送モジュール、冷却モジュール、および/または現像モジュールを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記測定モジュールが、光放射スペクトルモジュール、走査電子顕微鏡モジュール、光学デジタルプロファイルモジュール、および/または透過型電子顕微鏡モジュールを含む請求項9に記載の方法。
- ホストシステムとプロセスシステムとを含む半導体プロセスシステムのホストコントローラを操作する方法であって、
少なくとも1つのウエハの所望プロセス結果およびプロセスシーケンスを含む静的仮想モジュールプランを作成する工程であって、前記プロセスシーケンスが複数のプロセスオブジェクトを含み、かつ前記複数のプロセスオブジェクトが、物理的モジュールへのウエハによるアクセスに関連する物理的モジュールオブジェクト、および/または、物理的モジュールへのウエハによる非アクセスに関連する仮想モジュールオブジェクトを含む工程と、
前記静的仮想モジュールプランを前記プロセスシステムへ送る工程と
を含む方法。 - ウエハの所望プロセス結果を決定する工程と、
前記所望プロセス結果を達成するために前記ウエハが使用する1つまたはそれより多い物理的モジュールへの実際のアクセス回数を求める工程と、
アクセス毎に物理的モジュールオブジェクトを確立する工程と、
前記所望プロセス結果を達成するために前記ウエハが使用する物理的モジュールへの非アクセス回数を求める工程と、
非アクセス毎に仮想物理的モジュールオブジェクトを確立する工程と、
前記ウエハのプロセスシーケンス長を求める工程であって、前記プロセスシーケンス長が前記アクセス回数と前記非アクセス回数の合計に等しい工程と
をさらに含む請求項12に記載の方法。 - 前記所望結果を達成するためにウエハが使用できる1つまたはそれより多い物理的モジュールへのウエハによる最大アクセス回数を求める工程であって、前記最大アクセス回数がゼロ以上の整数である、工程と、
前記ウエハのプロセスシーケンス長を求める工程であって、前記プロセスシーケンス長が最大アクセス回数に等しい工程と
をさらに含む請求項12に記載の方法。 - 前記所望プロセス結果を達成するために前記ウエハが使用する各物理的モジュールへのアクセス回数を求める工程と、
アクセス毎に物理的モジュールオブジェクトを確立する工程と、
前記所望結果を達成するために前記ウエハが使用する物理的モジュールへの非アクセス回数を求める工程であって、前記非アクセス回数がゼロ以上の整数である工程と、
非アクセス毎に仮想モジュールオブジェクトを確立する工程と
をさらに含む請求項14に記載の方法。 - 前記プロセスシステムが前記プロセスシーケンスを実行し且つ物理的モジュールオブジェクトが実行されるときに物理的モジュールデータを受け取る工程と、
前記プロセスシステムが前記プロセスシーケンスを実行し且つ仮想モジュールオブジェクトが実行されるときに仮想モジュールデータを受け取る工程と
をさらに含む請求項12に記載の方法。 - 前記プロセスシーケンスの前記物理的モジュールオブジェクト毎にプロセスレシピを決定する工程と、
前記プロセスシーケンスの前記物理的モジュールオブジェクト毎の前記プロセスレシピを前記プロセスシステムへ送る工程と
をさらに含む請求項12に記載の方法。 - 前記プロセスシーケンスの前記仮想モジュールオブジェクト毎にプロセスレシピを決定する工程と、
前記プロセスシーケンスの前記仮想モジュールオブジェクト毎の前記プロセスレシピを前記プロセスシステムへ送る工程と
をさらに含む請求項12に記載の方法。 - 前記物理的モジュールがプロセスモジュール、測定モジュール、移送モジュールおよび/または保持モジュールを含む請求項12に記載の方法。
- ホストシステムとプロセスシステムとを含む半導体プロセスシステムのプロセスシステムコントローラを操作する方法であって、
少なくとも1つのウエハの所望処理結果を前記ホストシステムから受け取る工程と、
前記少なくとも1つのウエハの所望プロセス結果を達成するために前記プロセスシーケンスが作成される前記少なくとも1つのウエハのプロセスシーケンスを含む動的仮想モジュールプランを作成する工程であって、前記プロセスシーケンスが複数のプロセスオブジェクトを含み、前記複数のプロセスオブジェクトが、物理的モジュールへの前記少なくとも1つのウエハによるアクセスに関連する、アクセスされた物理的モジュールオブジェクト、および/または、物理的モジュールへの前記少なくとも1つのウエハによる非アクセスに関連する仮想モジュールオブジェクトを含む工程と、
前記動的仮想モジュールプランを前記ホストシステムへ送る工程と
を含む方法。 - 前記プロセスシーケンスを実行する工程と、
物理的モジュールオブジェクトが実行されるときに物理的モジュールデータを収集する工程と、
仮想モジュールオブジェクトが実行されるときに仮想モジュールデータを収集する工程と
をさらに含む請求項20に記載の方法。 - 前記物理的モジュールのデータおよび前記仮想モジュールのデータのうちの少なくとも一方を前記ホストシステムへ送る工程をさらに含む請求項21に記載の方法。
- 物理的モジュールオブジェクトが実行されるときに物理的モジュール制御ストラテジを実行する工程であって、前記物理的モジュール制御ストラテジが1つまたはそれより多いモジュール制御プランを備えている、工程と、
物理的モジュールデータ収集ストラテジを実行する工程であって、前記物理的モジュールデータ収集ストラテジが少なくとも1つの物理的モジュールデータ収集プランを備えている工程と
をさらに含む請求項21に記載の方法。 - 物理的モジュールオブジェクトが実行されるときに物理的モジュール解析ストラテジを実行する工程であって、前記物理的モジュール解析ストラテジが物理的モジュール解析プランおよび/または物理的モジュール判定プランを備えている工程
をさらに含む請求項23に記載の方法。 - 物理的モジュールオブジェクト毎にプロセスレシピを決定する工程と、
前記物理的モジュールオブジェクト毎のプロセスレシピを前記ホストシステムへ送る工程と
をさらに含む請求項23に記載の方法。 - 仮想モジュールオブジェクトが実行されるときに仮想モジュール制御ストラテジを実行する工程であって、前記仮想モジュール制御ストラテジが1つまたはそれより多い仮想モジュール制御プランを備えている工程と、
仮想モジュールデータ収集ストラテジを実行する工程であって、前記仮想モジュールデータ収集ストラテジが仮想モジュール非アクセスデータを収集する少なくとも1つの仮想モジュールデータ収集プランを備えている工程と
をさらに含む請求項21に記載の方法。 - 仮想モジュールオブジェクト毎にプロセスレシピを決定する工程と、
前記仮想モジュールオブジェクト毎のプロセスレシピを前記ホストシステムへ送る工程と
をさらに含む請求項21に記載の方法。 - 前記プロセスシーケンスの物理的モジュールオブジェクトのプロセスレシピを受け取る工程と、
前記物理的モジュールオブジェクトの前記プロセスレシピを修正する工程と、
前記修正されたプロセスレシピを前記ホストシステムへ送る工程と
をさらに含む請求項21に記載の方法。 - 前記プロセスシーケンスの仮想モジュールオブジェクトのプロセスレシピを受け取る工程と、
前記仮想モジュールオブジェクトの前記プロセスレシピを修正する工程と、
前記修正されたプロセスレシピを前記ホストシステムへ送る工程と
をさらに含む請求項21に記載の方法。 - 前記物理的モジュールがプロセスモジュール、測定モジュール、移送モジュールおよび保持モジュールのうちの少なくとも1つを含む請求項20に記載の方法。
- ホストシステムとプロセスシステムとを含む半導体プロセスシステムのホストコントローラを操作する方法であって、
少なくとも1つのウエハの所望プロセス結果を達成するために前記プロセスシーケンスが作成される前記少なくとも1つのウエハのプロセスシーケンスを含む動的仮想モジュールプランを前記プロセスシステムから受け取る工程であって、前記プロセスシーケンスが複数のプロセスオブジェクトを含み、かつ前記複数のプロセスオブジェクトが、物理的モジュールへの前記少なくとも1つのウエハによるアクセスに関連する物理的モジュールオブジェクト、および/または、物理的モジュールへの前記少なくとも1つのウエハによる非アクセスに関連する仮想モジュールオブジェクトを含む工程と、
前記動的モジュールプランを実行する工程と
を含む方法。 - 前記プロセスシステムが前記プロセスシーケンスを実行し且つ物理的モジュールオブジェクトが実行されるときに物理的モジュールデータを受け取る工程と、
仮想モジュールオブジェクトが実行されるときに仮想モジュールデータを受け取る工程と
をさらに含む請求項31に記載の方法。 - 前記プロセスシーケンスの少なくとも1つの物理的モジュールオブジェクトのプロセスレシピを前記プロセスシステムから受け取る工程と、
前記少なくとも1つの物理的モジュールオブジェクトの前記プロセスレシピをデータベースへ送る工程と
をさらに含む請求項31に記載の方法。 - 前記プロセスシーケンスの少なくとも1つの仮想モジュールオブジェクトのプロセスレシピを前記プロセスシステムから受け取る工程と、
前記少なくとも1つの仮想モジュールオブジェクトの前記プロセスレシピをデータベースへ送る工程と
をさらに含む請求項31に記載の方法。 - 前記プロセスシーケンスの少なくとも1つの物理的モジュールオブジェクトのプロセスレシピを前記プロセスシステムから受け取る工程と、
前記少なくとも1つの物理的モジュールオブジェクトの前記プロセスレシピを修正する工程と、
前記修正されたプロセスレシピを前記プロセスツールへ送る工程と
をさらに含む請求項31に記載の方法。 - 前記プロセスシーケンスの少なくとも1つの仮想モジュールオブジェクトのプロセスレシピを前記プロセスシステムから受け取る工程と、
前記少なくとも1つの仮想モジュールオブジェクトの前記プロセスレシピを修正する工程と、
前記修正されたプロセスレシピを前記プロセスツールへ送る工程と
をさらに含む請求項31に記載の方法。
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