TWI308705B - Method of operating process control using physical moudles and virtual modules in a semiconductor processing system - Google Patents

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TWI308705B
TWI308705B TW094127904A TW94127904A TWI308705B TW I308705 B TWI308705 B TW I308705B TW 094127904 A TW094127904 A TW 094127904A TW 94127904 A TW94127904 A TW 94127904A TW I308705 B TWI308705 B TW I308705B
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Description

1308705 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 ^室工具在半導趙晶圓的處理期^所進行虛由ί 【先前技術】 i統f 2控制系統之間的分界線變成越ί越模糊。’ .作 與 薇 實際所發生的直接知識交給相同的平;——、爾晶圓 半導體產業所使用的處理工具已發展 ,組,複雜的處理系統。至少部份由^^^^相關的處理 外艾取咫來越模糊。工 ίίίϊΐί,!?處理順序的特”分。這能夠產生量身定作 .晶圓與 的控制交給工具平台的;::須Γ薇 因此 外狀;ί箄二社ί ’包括配方、測量所得之資料、事件、例 =if i 構必難要錢系統建立供卫具平台依循的 “二舌^f限值、可允許的條件,且需要對例外狀況回應。 MPiun ’二板、,且工具必須透過遵守半導體設備暨材料協會 (SEMI)規格之界面連接工廠系統。 罝平:同之模組的下-個到訪之後’將可以藉由工 U,制◎巧由工料、統控制器寫下來自多重事件而在特 疋、、、且之所進行的資料,而必須將其對工廢系統報告。此種配 6 1308705 的狀態所採取的動作。這些動作包括 預钱刻量測資料筛選;(e)控制ϋ初始的模型載入;⑻ 料篩選;(e)回饋計算;及⑺°模型j擇;(d)後蝕刻量測資 可以將業務規則定義在控制 制模型層次。無論什麼時候遇到特定二s &控制計劃層次、或控 規則。不僅在較低層次遇到比對環产士展^,皆可指定執行業務 關的業務規則、更可在較高,可以執行與較高層次相 則。允許使用者以大於-般的安全1紅維護業務規 MES130係利用由與處理工具11〇" ®; 料庫所報告之資料而監測某4b㈣處控制& 12G相關的資 務規則決定監測那些處理及使料可 收集處理進行某種程度的控統=對資料 或停可以利用工薇層次的業務規;it it外’MES130係提供運作時的架構資 1 或控制器12G。例如,從ό 處理工具110及/
Pi ,廢將自動處理控制(APC)設定值、目 t值極限值、規則、及運算法下 器120而當作運作眛的「Apr跑十「 八1川汉/ 工制
配方參數」 方」紙祕細」、及「APC 甘結構及/或架構資訊一開始是由系統_所形成時, 2理工具110及/或控制器120加以決定。可以利用系 、、曰-人的業務規則(系統規則)建立控制制度。例如,處理工具 110及/或控制器120係獨立地樹乍或可以藉由控制器12〇對處理 ^具,進行控制到某種程度。此外,可以利用系統規則決定何 日守暫停及/或停止處理,且決定當處理暫停及/或停止時何者完 成。此外’可以利用系統規則決定何時改變處理及如何改變處理。 1308705 又’ ^制器12G係利用工具層次的規則控制某些工具層次的操作 態而iin’規則允許系統及/或工具操作基於系統的動態狀 雖然圖1顯示出-個處理工具110與一個控制器12 應理解:這並非本發明之必要條件。除了獨立的處理工且σ 模組以外,半導體處理系統_可以包含任意數量的處^工且” 110,而其具有與其相關的任意數量之控制器。 八 除了任意數量之獨立的處理工具110與模組以外,可以 處理工具110及/或控制态120構成任意數量的處理工具1 其具有與其相關的任意數量之處理工具η〇。處理工具 控制器120,收集、提供、處理、儲存、及顯示來自涉及處理二 具、處理次系統、處理模組、及感測器之處理的資料。 處理工具110及/或控制器圏系包含多數的應用軟體 括.(a)至少一工具相關的應用軟體;(b)至少一 用軟體,·⑷至少-感測器相關的應用軟體;⑷至少m 關的應用軟體;(e)至少-資料庫侧的應用軟體;⑺至,丨、一 GUI相關的應用軟體;及(g)至少一架構應用軟體。 夕一 例如,系統100係包含東京威力科創股份有限公司的 理控制(APC )系、统,其包括優勒提(Unity )工具、特利厄斯㈤= 工具、及/½里亞斯(Trias)卫具與其相_處理次系統及 理模組。此外,本系統係包含批次間(腿)控制器 ^科創股份錄公_英哲級(IngeniG) TLES刪B H戚 厅、威力科創股份有限公司的整合之量測模組(IMM)。又, 120可以支援其它的處理工具及其它的處理模組。 长剌益 GUI元件(未ffi示)提供使用界面的便利性,其匕 夠:(a)查看工具狀況與處理模組狀況;⑻i生與編輯 晶圓的總和與原始(追蹤)參數資料之χ-γ圖;(c)查 且邀 報記錄;⑷構以確認將資料g人倾庫或輸^ “ 的資料收集計劃;(e)輸人槽案到統計製程控制(spc/繪圖、& 1308705 的圓之晶圓處理資訊,且再檢 且設定用以產ΐ及編輯處理參數之spc圖, 數PCA及/或PLS模型運作1^ J,警報;fh)使多變 故障診斷及報告問題而查看診斷晝面 1。‘、、、了精*控制11 120進行 將來自工具之原始資料與追縱資料 ’丸可1將M f料與主量測資料儲存在資料*之貝中。資t ' =於構成__犧。將從處理=、车處t里作室、 .感測Is、及猶系統所獲得之資料儲存在賊庫之中。 在又-實施例中,系統⑽係包含 複數戶端工作站。二工=2= 工麻二看包括工具、控制器、處理之狀況,及 能;及⑷輸入資料到控制器。例如,可以賦 而允許使用者控制由控制器所進行之一個或更;;==理桢限 擦“使處理工具110與控制杰120 ♦禺合於MES13〇且可以是E吟 =統的-部份。處理工具11G及/或控制器12〇與工廠系統交^ .此^ MESn〇係送出命令及/或撤銷資訊到處理工且 及/或控制②12G。例如,MES13G將任意數量的處理模组、 ^到ίΪίί 的配方,連同各配方之可變的參數, Γίϋ /或控制器120。可變的參數係包括最終關 f尺寸iCD)目標值、極限值、偏差值、及必須隨批量加以調整 的工具層次之系統之中的變數。此外,可以將4光刻CD量測 貧料前饋至控制器120。 〜 又,可以利用MES130提供測量資料,例如將關鍵尺寸掃 ,子顯微鏡(CDSEM)資訊提供給控制器12〇。又,可以手動地 提供CD SEM資訊。調整因子係用以調整IM與CD SEM測量值 之間的任何偏差值。CD SEM資料的手動與自動輸入係包括時間 12 1308705 戳記’例如日期,用以正確地插入到幻尺控 控制迴圈之歷程之中。 心之中的回饋(FB) 構的項目係構成為從工廠祕_泛用模型SEMI設備 ^規格(GEM SECS)通信協定送出的-組可變的錄。例如, 變的參數當作「APC配方」的—部份加以進出。Apc配 心日如上所述’雖細1亦顯示出單—處社具⑽,^這並非本 亦可使用額外的處理工具。在—實施例中,處 里工具110係包含一個或更多個處理模組。處理工呈11()係包含, 組、沉積模組、研磨模組、塗佈模組、、顯影模組、 及熱處理模組的至少一個。 理工具11G係包含鍵結112、114,用以耦合於至少一個其 匕的處理工具及/或控制II。例如,其它的處理U及 進行的處理有關及/或其它的控制器係與之後^進 1 有關。鍵結112、114可以利用前饋及/或回饋資訊。例 二=含與送來的晶圓相關之資料。此資料係包括批 作貧料、成份資料、及晶圓歷程資料。資 枓係包含可以用以建立晶圓之輸人狀態的預處理資料。部 ==理資料提供給控制1112(),且將第二部份的預處理資料提 供…處理工具110。又,這兩部份包含相同的資料。
一處理工具110係包含單一整合之量測模組(imm)裝置 ,示)或夕重測畺裝置。系、统100係、包括與模組相 與工具相_啦裝置、及外部㈣裝置。例如,可^H
j或更^處理模組之感測器聽合於處理卫具之感測器獲得 貝料。此外,可以從外部裝置獲得資料,例如SEM工且及 位輪廓(ODP)卫具。0DP工具可由迪伯技術公得(為^ 司)’其提供用以測量半導體裝置之中的特徵部之輪® _ ^專利之技術。例如’可以彻〇Dp技術獲得關鍵尺 X 貧訊、特徵部輪廓資訊、介層構造輪廓資訊。 13 1308705 ιϊ控制器120轉合於處理工具110及MES130,且其之間可以 =_貝訊’例如預處理資料與後處理資料。例如,當卫具η 在產生内部重設事件時,控· 12G將送出訊息,例如 MES130。這允許工廠系統及/或工廠人員在主要=1 例如在修復或猶__所發生之 改變而使有危險的晶圓數量降到最低。了_出必要的 雖然圖1亦顯示出單一控制器12〇,但這並非本發明之 =,亦可使用額外的控制器。例如,其中—個控制器 -次間(R2R)控制器、前鑛(FF)控制器、處理模型 ^由f/或其匕的控制器12G係與之後將進行之處理相關。可以 利用鍵結122、124前饋及/或回饋資訊。 控制器120利用送來的材料之測量出的關鍵尺 Ϊ目f S3寸(預期的狀態)之間的差異預測、5十 .g。例如’此組預測之處理參以 於輸入狀,。與預期的狀恶而加以使用之配方的第一 可以從主系統獲料,例如輸入狀態及/或預期的 在其中一個情況中,控制器12〇係識別出輸入盘曰 預期狀態的模型方程式,且控制器12〇決 進而使晶圓從輸人狀態改變成處理之狀= 配方撝述涉及一組處理模組的多步驟處理。 匕、、且 =器12G的時間常數係基於測量值之間 + 才取得測量的資料時,控制器的時間常數將 糾間。在晶0完成之後才取侧量的㈣時,控繼的時^ 14 1308705 數將基於晶圓之間的時間 控制器的時間常數將基^卩4地提伽if資料時, ,、而在晶圓完成之後或在步驟。當取得树量的資 态120將具有多個時間常數,其=後正在處理晶圓時,控制 之間,間、及/或批次之間ίί間Γ理步驟之間的時間、晶圓 另-控制器可以在模擬模制斋則處於監測模式。此外, 重迴圈,且迴圈器係包含單一迴圈或多 晶圓時序、批次時序 序 =j如’迴圈係取決於 或工薇時序。 ?匕里呀序、處理室時序、工具時序、及/ 當作多輸人多輸出早裝置、及 例如CD與側壁角度等多 之間。例如,當使用 晶圓輸入狀態、處理特徵、及處理模型而計算 計算預測之修::σ ’可以_修整速率模型連同處理時間而 計算钱刻、可丨可以彻糊速率模型連同處理時間而 此外,模型係包括spc圖、pls模型、荔 距離關聯(fdc)模型、及多變數分析(MVA)模型 適應 處理參數1Γ元件係提供手動輸人 而的裝置。此外,工廠層次的控制器係提供各 1308705 處理模組所需之處理參數的極限值。 控制器120係接收及執行由市售之模型化軟體所產生的模 型。例如,控制器120接收及執行模型(pLS、pcA等等),豆 外部的應用軟體所產生且送至控制器12〇。 /、 ,了 除隨機的雜訊,故控制器12。包含-個或更多個用以 貝料的滤波器(未圖示可以利用異常值滤波器去除非 也確且必須視為晶圓測量之中間值計算結果的異常值。可以 ,用雜訊;波n絲隨機的雜訊且使控制 -數加權平均(EWMA)或卡爾曼(Kalman)m了以祕 - 控制器120係送出及接收例外狀況之通知。例如中制写120 此外’在確認例外狀況之後,可以藉由時斷網路、電 子郵件(e-mail)、或傳呼器送出通知。 控制器120係包含資料庫元件,用以 例如,控制器120將接收的輪入、接概出貝科存私。 换取_輸 出的輸出、及控制器12〇所 娜的動作存棺於可搜尋的資料庫之中。此吓 資訊、架構資訊、及歷程資訊庫係包括模型 及復^過去與目前的模型資訊與才i型i構資訊。貝料庫兀件備份 控制器120係包含網路為主的使去農 包含網絡致能的GUI元件,用以^用=面。^如,控制請 120係包含安全元件,其根據安全g艾的資料。控制器 層次的存取。控制器!20係包含 U核准的許可而提供多 俾能將控制H重設回職狀況3。、、碌女爲傾置的預設模型, 控制器120係根據例外狀況的本 狀況。可以基於就由系統配方、處理配種動作回應例外 數量、載入埠數量、卡£數量、批次、,、、且種類、模組確認 業ID及/或插槽數量所限定的 ^、控制作業ID、處理作 採取動作。 ’、建立之業務規則對例外狀況 16 1308705 控制器120具有管理多重處理 則同時執行且受到不同組的處理方约:知而夕重處理模型 =模式進行運作:模擬模;、器,三種 糾處雜歧躲ί作控制器 ^目同的實體模組(ΡΜ)之中進行兩 未使用虛擬模組時,與通過實體模 配方¥,且若 通過實體模組之第二進出相關_料混目=資料將與 時,控制器120及/或主控制写脾杰 未使用虛擬模組 *資料覆寫過來自通過模組之第—進出的資料過模組之第二進出的 I · 在只施例中,可以利用通用名稱例如(VM )。 視為VMl,且將第n個趣模組:為。:3 利用“匕的通用名稱,例如模組(χχ)或(m〇d n 了 乂 ^用虛擬模組名稱作為索引項而將虛擬模組資料儲存於資料^ ..^ ^ cdsemI^J^ :利用虛,模組建立處理順序,其包括到“測量上=到= 2立與外部制频組_之f料财 、声的 案。此外,可以利用不同的外部測量模組 田 」利用虛擬模組而允許工具層次及人_=二己:排3 二至1=的用法,俾使外部測量模組的利用性最大且““ 此外,當處理系統控制器執行模擬模_,就可以利用虛擬 拉、、且。利用虛擬模組可以儲存模擬模型執行及所產生的結果。 在其中-個情況中’主系統係提供路由順序,其指示控制器 12〇,用-個或更多個虛擬模組。當儲存資料及/或資料在控制器 ,主系統之間進出時,主系統係提供通用名稱供使用。主系統將 虛擬模組名稱指定給處理順序之中的一個或更多個處理步驟。控 17 1308705 制器120係產生各虛擬模組的處里作 虛擬模組(vm)聯繫在—起。m使組⑽)與各 次,制器產生虛擬模組。t處理工具;得更允^交^ 使資源利用性最大且使產出時間最小旦田、,^ y 土; /或系統層次的控制H決定使_—個==工具層次的及 以利用虛擬模組而允許工具測量模組。可 r组的用法’俾使處理模組的利雜最大二 士當f導體處理系統100包括主系統與一個或更 ί作主主操作且控制及/或監測大部份的處理 =出之靜態虛擬模組計劃(晴), ㈣處理系統。在—實施例中,處理順序係包含-連串^虛擬模組(VM)物件及/或實體模組⑽)物件。 圖。K顯^據本發明之—實施例的工廠整合架構之簡化方塊 二成中’所示之工廢系統係轉合於處理系統。東 使用的一個處理系統。然而:丄技藝 採用===要在蘭本發明之細的情況下,亦可 ΓλρΪΓΛ示,-工薇系統為順130 ’尤其包括,先進處理控制 S3 =。在所Μ示的例子中,MESm工廠系統係藉由時 斷鍵=特利厄斯(TELIUS™)處理系統通訊並與其交換資訊。 括®圖+頌不根據本發明之一實施例的整合之處理系統的簡化方 的實施财,穌之處_統,例如制厄斯™ aiu 、)處理系統,係包含處理工具、整合之量測模組 C ΜΜ)、及工具層次的先進處理控制(Apc)控制器。 18 1308705 圖。ΐ二顯:ϊΐ,發明之—實施例的整合之測量處理的簡化 (〇ί)斤^術而’整合之量測(IM)係基於光學數位輪# 或ii;之上::?::]如’收集受處理的晶圓(例如蝕刻 具有CD、膜厚與侧壁聚合= #對處理^統及/或主系統報告量測資料。 根ft明之一實施例的多步驟之處理順序的簡化 '產生個或更夕個虛擬模組物件。這並非本發明所必% 二可以利用其它的處理順序,且可以利用不同組 在所實_的控制處理之簡化方塊圖。 在所不的a例中’顯不出控制計劃 擬拉組控制,劃及/或策略且映對到實體模組: 业 圖7顯不根據本發明之一實施例實 所:的實施例中’顯示出六個實體模組且在 這並非本發明所必須。在$jIMM1與1_)。 置可以是不同的。 只施例中,貫體模組的數量及其配 ^圖7中顯示出例示性的路由 順J並非本發明之必要條件。在又—實施例中序可 順序。例如’可以就各實際的路由步驟 吏,:同^ 各跳過的路由步驟使用虛擬模组。 b -、、、’,可以就 綱,但這並非本發明之必要條件雖1主的程序 或以批量融_。程序8_始敎/⑽,主 19 1308705 白ί事Γ晶圓送人事件、批次開始事件、批量開始事件、 次采自另一處理的結束事件。 處理纽係包含處理模組及測量模組。處賴_包含侧 ΐ二沉t模f、化學氧化物去除(C0R)模組、加熱模組、傳 組顯影模組、或其中兩個或更多個處理模組的 ί 口ς^τν' 1里模且係匕括光學測量模組、光學數位輪廓(0DP)模 、、且、S,M模組、TEM模組、或其中兩個或更多個測量模組的組合、。
♦撼ίΓ作時’處理系統控制器係從主系統接收晶圓之靜態 ,,拉、,且計劃(SVMP)。為了處理—個或更多個晶圓,故SVMp i二=ί理系統的指令。當使用svmp時,主系統係當作主 要控制态使用。 —SVMP亦包含晶圓的預期處理結果,而這可由主系統加以決 疋。預期的處理結果係包括修整量、蝕刻量、沉積量、戋並 個或更多個的組合。 、 /、 ^ 又,SVMP係包含通過可使晶圓達成預期之處理結果的實體 模組之進出的實際數量(Naet)、通過可使晶圓達成翻之處理結 ,的實,模組之進出的最大數量(Nmax)、及未到實體模組之未到 訪的數量(Nnc)n)。SVMP係包含各實體模組之處理配方。
又,SVMP係包含多重到訪計劃,其中當不同的晶圓使到達 處理模組的到訪數量不同時,將可以利用計劃。多重到訪計劃為 取決於晶圓的,亦即,某些晶圓必須多重到訪才能到處理模組‘, 而其它的晶圓則需要單一或未到訪就能到處理模組。 在一實施例中,可以由主控制器決定多重到訪計劃且送至 R2R控制器。在又一實施例中,可以利用另一控制器,例如R2R 控制器’產生及/或修正多重到訪計劃。 θ此外’ SVMP係包含取樣計劃,其中當不同的晶圓使到達測 1¼組的到访數置不同時,將可以利用取樣計劃。亦可利用取樣 計劃決定何時作出預處理與後處理的測量值。如同多重到訪計 劃’取樣計劃為取決於晶圓的,其中某些晶圓需要多重到訪才能 20 1308705 到測量模組,而其它的晶圓貝卜。口 在一實施例中,可以由^^單或未到訪就能到測量模組。 制器。在又一實施例中,可以制器決定取樣計劃且送至R2R控 產生及/或修正取樣計劃。I用另—控制器’例如R2R控制器, SVMP需要晶圓到訪實 的整數,且SVMP需要曰圓,、$、、、、且X次,其中X為等於或大於零 大於零的整數。處理順力,實體模組Y次’其中Y為等於或 的最大數量(跳過之到訪)。叼判访的最大數置及¥咖\為未到訪 表格1
X X X X X 2 X X X X X X X 1 _4 5 6 7 8 X X X X X X _χ X X X X X ~~ — X X X X X X X X X X X X X 處理物件 4 處理順堯# IMP 1(1 PM01(1 上 PMQ1(2) IMP 1(2) PM02(1) PM02(2) IMP 1(3) 順序in、顯示八個處理物件之不同的例示性處理 以於ίΗΓίΐ 一 •模組(IMOl)之到訪的最 二,處理模組(ΡΜ°υ之到訪的最大數量係等於 nt到弟二/理模組(ΡΜ02)之到訪的最大數量斜於兩個。 Κ%例中’處理模組的數量為不同的數量、測量模組的數 里為不同的數篁、且到訪的最大數量為不同的數量。 21 1308705 組的實_量等於本實例可允許的最大日。曰,到=二測量模 一處理模組的實際數量料本實例可 #^圓到訪第 ^曰®,第二處理模組的實際數f等於本^ 數 :^非本發明所必須。所示之處理順序可適用 -⑴在之第第:=以 ⑴之ί ί夕!第二處理物件係與到第-處理模組ΡΜ(Μ (2)之㈡=:件係與到第-測量模組疆 i^ί t (3之ί:一 關it處/物件係與· ⑴之t 从X處理嶋細:糊組臓 模組的到^ ns 晶圓可以有一個或更多個到實體 —個^多_訪(例如取樣;;)劃)且晶圓可以跳過到實體模組的 第—ί=ϊίί結果需要三個到第—測量模組的到訪、兩個到 以藉由處理步驟的不同;。當可 出無法達成預期的處“果組處理模組的單一進 例如,所需的斜糾旦7尤而要到處理模組的多重到訪。 由一個處理模組的,,沉積量係大於經 、口 1亦顯τρ:紐其它處理财的實例,當晶關訪實麵 22 1308705 ΐΐ實”於可允許的最大數量時,就會產生某些其它處理 到訪處理模組的實際數量可以等於或大於零。例如,當不 ,例如修整處理或蝕刻處理,,則到訪處理模組的實 際,,。此外,到訪測量模組的魏數量可以等於或大於零。 Γ 士要測量處理時’例如與處理工具相關的測量處理或 與主j相1的測量處理,則到訪測量模組的實際數量為零。 t第處理順序中,第人處理與未到第二測量模組(臓) (跳過之到訪)相關。當允許晶圓跳過—個或更多個到 .以建立虛擬模組(VM)物件。當虛擬模 虛擬模組使用時,將產生最少的資料量。例如,資 料庫係包含虛擬模組名稱與「無效」的識別符號。 、 理-ί要==實體模組之數量而達成不同晶圓之預期的處 模C數量υΐϊϊ”建立之SVMP代表不同的到訪實體 須k到一個赤S夕加、老戶^品之虛擬模組物件的數量可以等於必 Ϊ模組之未i訪ί最組5未到訪的最大數量與必須未到測 如到訪Γίίΐίί。貫體模組(ΡΜ)物件係代表通過(例 貫體核,◊且的早一進出。ΡΜ物件的最大數量孫耸於iii岛营 ^組之進出的最大數量。在此情況 ^際^传等 ». 之進出的最大數量;=物 ,件將PM貝枓,例如事件資料與測量資料,送至主 .月之物件係代表未到實體模組之未到訪(例如跳 ΐ =況Γ=大數;係等於未到訪^^ 個未到訪之實體模έ且的實際數量係等於未到訪一個或更多 例如事件資=^=際=到物件將VM資料’ 23 1308705 表格2
晶圓# 1 2 3 4 5 6 7 8 虛擬 模組 實體 模組 VM] IM01(1) PM, PM1 PM, PM, PM, PM, PM, PM, VM, PM01(1) PM, PM? PM, pm2 PM0 VM, PM, VM^ PM01(2) pm3 ρμί PM飞 PM? PM, VM, --l·— VM, -丄__ VM, VM, IM01(2) PM, PM, 4— pm4 VM| PM, PM, - VM, VM, VMS PM02(1) PMS PM^ PM, VM, PM, PM0 - vm3 VM, PM02(2) PM, PM^ § PM, VM0 VM, VM, VM VM. vm7 IM01(3) pm7 pm7 VM1 pm5 PM, VM, - VM, -4_ VM. VMa- IM02(1) 愚 VM] VM, VM^ PM, -Θ__1 VM, -4- VM, VM, -:_6J 表格2,如上述,顯示與表格1所示之處理順序相關的實體模 組(PM)物件及虛擬模組(VM)物件。在本實例中,到訪第一 測量模組(IM01)的最大數量係等於三個、到訪第二測量模組 (IM02)的最大數量係等於一個、到訪第一處理模組(PM〇1)的 最大數量係等於兩個、及到訪第二處理模組(PM02)的最大數量 係等於兩個。例示性的處理順序具有等於八個的長度(例如 3+1+2+2=8)。在又一實施例中,處理模組的數量為不同的數量、 測量模組的數量為不同的數量、且到訪的最大數量為不同的數量。 在本實例中,與晶圓編號1相關的實體模組(PM)物件的實 際數量係等於本實例之中的到訪第一測量模組之晶圓編號1的實 ,數量加上到訪第二測量模組之晶圓編號丨的實際數量加上到訪 第—處理模組之到訪晶圓編號1的實際數量加上到訪第二處理模 組之到訪晶圓編號1的實際數量。此種特定實施並非本發明所必 ^員。就晶圓編號1所示之處理順序亦適用於一個或更多個晶圓。 表格2亦顯示:當晶圓到訪模組的實際數量小於可允許的最 大數量時’可以產生其它處理順序的實例。未到訪的數量係等於 24 1308705 組的實際數量,且未到訪之虛擬 模組的實際數量。例如,當不以減去到訪實體 模組之物件之數量係等於到訪實體 未到訪實,組之晶_實;f帽的VM物件之數量係等於 -取樣ί劃;:::模、 .量模組到訪的最大數量之Μ 可以猎由具有所需之測 測量模組樣本使用相同的系:=糸統配f且接著就不同的 制計劃或回饋計劃。…、-。可以將測量模組資料送至控 ::ss:=:= 序包=件,且處理順 劃’且受嫩實=且:^ ===略齡有控制計 組之中的多重係”、極限值、目標值,且涵蓋模 及/或計劃且體=實=7以建立虛擬控制策略 時,就可或產生處理作業 將可以執行^物件被執行時’處理系統控制器120 更多個實體模組二= 以背景為主的。工 策略的選擇與開始是 中受到處理。又:當=器圓模= 體模組控制策略不存在時,控“=== 25 1308705 組控制策略。 可以利用SQL語法實現背景比對’其比對含有背景項 有配方。又,不需要SQL。 、 此外,處理系統控制器120係執行實體模組(PM)資料 (DC)策略,而PM資料收集(DC)策略包含至少一實體模組(pM' 資料收集(DC)計劃。PM DC策略的選擇與開始亦是以^景 的。當PM DC策略被執行時,將可以收集到正在實體模組 到處理的晶圓之PM資料。 、、 又 DC计里彳係决疋收集那一個資料、如何收集資料、將資 .在那裡。控制器120係自動產生實體模組之資料收集計劃。典 地,一次就特定的模組啟動一個資料收集計劃,且控制器 Ϊί擇ί利用與晶Μ景相配的資料收集計劃。資料係包括追^ =料、處理記錄資訊 '配方資料、維修計數資料、〇ES資料、卿 二貝料、或類比資料、或其中兩個或更多個的組合。可以 ^劃使測量裝置及/或感·_及停止。D 修整資料、截割資料,且處理阻止#料與異常值、貝訊、、、。 120 &當紅中的ρμ物件被執行時,處理系統控制器 120係執仃貝體杈組(ΡΜ)分析策略。ρ (ΡΜ) 二于時,將可以分析晶圓資料、處理資料、及 /或核,、且貝料,且可以識別出故障狀況。 (sp^^ 集到麵之後’就可以將㈣送至料製程控制 倾躲麟估。基於歷程㈣可以自動地計算 侑、客戶的經驗或處理知識而手動地輸人spc極限 地產電腦獲得SPC極限值。可以藉由控制器120自動 也產生虛,杈組及/或實體模組的SPC圖。 則時可告及控制極限值加以比較,且在違反運轉法 生日Ϊ,控制哭ϋ處I里已超過統計極限值的spc警報。當警報產 "°°係進行通知或介入。可以藉由電子郵件(e-mail) 26 1308705 或電子郵件(e_mail)致_傳呼器進行通知。此外 I以進行以下之任-種介人:在目前批次結束時暫停處目 前晶圓結束時暫停處理。控制器12G可以識 生 擬模組及/或㈣模組。 ⑨^產生的虛 在-實施例巾,處理系統控制器12〇係決定處理順序之 各m物件之處理配方。又,可以藉由主 、 或核對處細&方。 &㈣及/ /當處理順序之中的處理物件與未到訪實體模組相關時 純行虛擬模組(VM)控制策略。虛擬模組(_
資料收集⑽策略亦可被執行,且华虛(= ^略係包含—個或更多個虛擬模組(vm)資料收 用以收集VM資料。 ^ TsJ 當VM控制策略被執行時,並無晶圓在處理模、组之中 =在測量模組之中受到測量。當VMDC策略被 =
集晶圓之VM資料。 M45C 在-實施例中,可以彻處理純控制器12G決定處理 的各VM物件之「無效」的配方。例如,可以利用「益效 =配方將晶圓移人實體模組之中而當作操作的「保持」型態、、。又, °,利用「無效」的配方將晶圓移到暫存點’例如傳送模租 入楔組、儲存模組、加熱模組、或冷卻模組。 、、,載 〜丨當νΜ物件被執行時,處理系統控制器12〇係產生具有最少 的資料檔案。當晶圓在其中—個實體模組之付需要一個 ί ί夕ϊ處理步驟時,就可以產生_物件。在VM物件的執行 =,處理系統控制器120能夠使晶圓到達目前的位置或丁 持巧置。又’可以_「無效」的配方將晶圓移到暫存點, 專送模組、載入模組、儲存模組、加熱模組、或冷卻模組。 當虛擬模組#作佔位使用時,將產生最少量的㈣。例如, 貝料檔案係包含虛擬模組的名稱與r無效」的識別碼。 27 1308705 理物件與通過實i莫組處理順序之中的處 就收集實體模組⑽)資料理系統控制器120 g體模__,處理_^ =中可以將㈣_資嶋於與 資料ΐ虛T係送出實體模組(PM) •圓。-個晶 圓不需要處理 法的實:例的主系統控制器之操作方 以批量為主。程是以批次為主或 ίί:㈣辦件、__事件中開 需的處理順序!)寺主控制盗係利用晶圓的預期處理結果決定所 其包虛賴峨(SVMP), VM物件的數詈、、長又(N)、PM物件的數量(Nact)、 體模组^進出的實之^理結果的晶圓通過實 晶圓的各實際之Ιί 。’ =以2使通過實體模組之 以達成版植辦冑細實實= 28 1308705 里’且可以就與晶圓相關之各未到訪( 件。主控制器亦決定用以達成ϋ建立VM物 理順序長度(N),其幅理轉長圓之處
=之到訪與未到訪的最大數量之“。又:、主;J J 曰曰B相關之到訪實體模組的數量(,ϋ係決疋與 建立到訪之實體模組_ ^之=實各频 .到實體模組的未到訪(N_) ^數量工,且疋與/曰圓 此外,主咖躲 =4(序物件。 實際的進出相:處:ΐ;:中各 組相關。 、+的各VM物件與未到訪實體模 到處,主祕_ _ 料。ίΐ ’處理系統可以與主系統交換資 且夺’主系統亦接收虛 之二::處;===,各_件 ^控制°°达出處理順序之中的各彻物件之處理配方到處理系 整量主亦的處理結果且預期的處理結果係包含修 當或其中兩個或更多個的組合。 飞,、、、’已括主系統與一個或更多個處理系統時, 29 1308705 $系,,處理系統將可以—起操作而控制及 方法=根在= 實之二^ 序酬,但這並非本發明之必^件 1顯^;曰曰曰圓曰為主的程 果。預期:處:果ίΓ:ί】]器:以?:的處理結 兩個或更多個的組合。 或,儿積量、或其中 組的-個進出,且其它的晶圓需要通過而要COR模 理順序之中的處理物===圓建立進出的數量而管理處 模組計劃(dvmp)。 垂:凡、、口果而產生日日圓之動態虛擬 *"ν (ν) 咖)。處理順序係包括Νμ個處理物件,且處理順序 30 1308705 實體模組(PM)物倾通過實體模 組(VM)物件與未_實體模進出侧,且虛擬模 ii m處理系統控制器送出〇替到主李统。 處理===件將執行處理順序,且 組(PM)資料,且去處執行時,將可以收集實體模 mMmm ^ (vM)m 〇 - ίί i IJw 的資料庫之中/ 、/、…子在〆、處理系統及/或主系統相關 程序1000終止於工作1050。 行實體模組日^略^祕控制器係執 此外’處理系統控制器係執行實體模組(p •桌略,而PM資料收集(DC)策略則包含集(=) 貧料收集(DC)計劃。PMDC策略的 二體拉、、且(PM) 主的。當mDC策略被執行時背景為 處理的晶圓之PM #料。 了以收集實_組之中正受到 係執行實體模組=中:略控制器 =略=行時,將可以分_^=^ 、,且貝枓,且可以識別出故障狀況。 t /及衩 物件 1308705 ΐ ϊ L處1序之中的處理物件與未到訪實體模組相關 k ’處理糸統控制器亦執行虛擬模組(VM)控 (則控制策略包含-個或更多個虛擬模組( ^^、、且 虛擬模組⑽)資料收集(DC)策略亦可被執行,且料 收集(DC)策略係包含-個或更多個虛擬模 收隼 (DC)計劃,用以收集VMf料。 ~貝枓收集 當VM控制策略被執行時,晶圓在實體模組之 理。當VMDC策略被執行時,將可以收集晶圓的谓^到處 在-實施财,可以拥處理祕控㈣ 體;r」r方。例如,可以利用「無= 方將曰曰η移人貝體她之中而#作操作的「保持」型離 :用:j效」的配方將晶圓移到暫存點,;: 扠組、儲存模組、加熱模組、或冷卻模組。 、、載入 實施例中,處理系統控·係接收處 j更多個處理物件之處理配方。例如 ㈡:: 執行的特定之處理配方。此外’主系統將需要核組 圓所需的特定之處理步驟。例如,1a $ 樣的」晶 組。 邱w 了叫晶®运至外部的測量模 模組==組 f合。㈣餘純括光光 個的組合 廢(⑽^組、觀池、或簡触、或射 主=系統時, 與主系統-致動作的處理系統:產乍則處理操作。 處理 ί 的虛擬模組_物件及 32 1308705 圖11顯示根據本發明之另一每A 方法的流賴。在所科實_巾\ =處_統控制器之操作 1100,但這並非本發明之必要條件 出晶圓為主的程序 以批量為主。程序11GG開始於n ’’j可以是批次為主或 晶圓送入事件、批次開始事件’二二開始事件為,例如, 理的結束事件。 / I開始事件、或來自另一處 劃(DVMP)。DVMP係里系統接收動態虛擬模組計 (n)係等於通過實體模組之進出的最大un理=長度 可以具有N個處理物件。處理喵皮 里(max)。處理順序 的進出相關的處理順序之中的各卢理過實體模組之實際 件,且包括與未到訪實體^==2之實體模組⑽)物 之虛擬模組(VM)物件。、 、順序之中的各處理物件 程序,緒細嶋DVMP,且㈣_時, 士在一實施例巾,當處理系統執行處理順序且p 日寸,主控制器係接收實體模组⑽) 理順被執行時,將接收虛擬模組‘= (PM) 體模組⑽)物件的處理配==序之中的—個或更多個實 的至少-虛擬模組 擬模組(彻)物件的處出到處序之中的—個或更多個虛 建立ΐ訪iin且過實體模組之各實際的進出 貝耀模、,且⑽)貝枓物件,而可以就與晶圓相關的各 33 1308705 未到訪實體模組(NnQn)建立虛擬模組(vm)資料物件。 當半導體處理系統包括主系統與—個或更多個處理 主系統係當作主要系統般操作且能夠控制及/或監測大部份】 理操作。主㈣係產生包括有處理順序的靜態虛擬模1 fSVMP) ’且㈣SVMP到處理綠。在—實施财,處^ 係包含-連串的實體模組(PM)與虛擬模組(VM)物件。、 SV^iP及/或DVMP可以是取決於晶圓的,亦即某些晶 ^要到實雜組的多#到訪’而其它的晶瞻需制實體模組的 單一或未到訪。 v 圖12顯示根據本發明之一實施例的虛擬模組(v 略晝面之例示圖。VM控制策略晝面係包含多個架構項目 利用策略名稱攔輸入/編輯VM控制策略名稱。可以利 輸入^編輯VM控制策略說明。可以利用模式攔輪入z編輯^ 控制策略之模式。例如’模式係包括標準模式與模擬 利用賦能框賦能或失能VM控制策略。 、 可以利用載人埠欄從處理卫具獲得—列的載人埠:#訊以 作更新功能,且可以利用載入埠攔從處理 工具獲付目刚的載入璋資訊。 了以彻系統配方欄從處理1具獲得—列的系統配方。可以 ,系,配方更新餘當作更新功能,且可以_ _配方更新 獲得目前的配方資訊。例如,可以藉由比對-個 ===目’例如_方名稱,而利用系統配方名稱觸 可以利用傳送路由攔從處理工具獲得選擇之載入蜂與系統配 所需的傳送路由。可以利轉送路由更新胁t作更新功能, 可以利用傳送路由更新按紐從處理工具獲得目前配方資訊。 可以_傳送路由攔從處理卫具獲得選擇之載人埠與系統配 =的傳送路由。例如’可以利用傳送路由決定何時將晶圓 明整合之量測模組⑽M)之中,及決定何時在處轉^(ρι^) 34 1308705 之中處,晶圓]可以利用說明攔提供VM模型之說明。 傳达路由係顯:^出晶圓移麵IM模組而進行預處理測量盘 理· °在_處理期間’可以利用—個或更多個整合之量 在Γ示的實施例中,雖然傳送路由顯示出六個步 並ί ϊ ϊ=要:;ΙΜΜ1:ΡΜ02—麵 路由ϊίϊίίΓ一實施例中’可以使用不同的傳送 .障動從=====故 ""Tm 統。*果、且及⑷系統暫停-暫停含有傳送系統的系 ⑴從町魏輸人/編輯控做障功能: …-峨_爾理工具 且晶圓在不受到ί理無效」的配方資訊到處理工具 •暫停纽麵、ΐ (4)彳=^*^_室、⑶暫停— .工且声次@;5 /+\糸、,'先暫停—暫停含有傳送系統的系統。 制故障產1時次的控制器係偵測控制故障。若控 方)、利用「無效的」配方具處理配方(額定配 或暫停整個系統。 及知止VM處理、或暫停處理模組、 境明=提ίί Ltff貝目時,可以利用多個躲環 攔輸入,編輯批次識別符號;可多財ID) 入/編輯晶圓識別符號;可以 日jID (夕晶圓1D)欄輸 控制作業識別符號;可以利用PJID (多PJ=輸 35 1308705 符ϊ他D (多卡11 ID)攔輪入/編輯卡® =台ID (多載置台id)欄輸入/編輯載置 多基板ID)欄輸入/編輯基板識別符號;可以 切到:曰鬥m(^Ba圓種類)棚輸入/編輯晶圓種類;可以利用 ^ 割之晶圓1D)攔輪入/編輯切割之晶圓識別 .用ΐ二個開始關輯開始時間;及可以利 :劃二圖二個或更多個爾制計 t看:生新的爾:==:的 亍圖圖據t發明之一實施例的控制計劃編輯器晝面之例 f模組(,之虛擬顯;== =的=計劃或現有的計_模型。例如在 面中,將出現下拉選單且可以選擇增加計到選^。乂控财略旦 /編用稱欄輸人 =例如,若計劃與策略相關時,將自動地填 用配擇㈣:組 地填入配方欄。若計劃與其無關時,可 之處理配方或選擇測量模組之測量配方。本搁&擇處理核組 可以利用朗攔輸v編輯計_酬。更新的襴係顯示出 36 1308705 計劃改變的最後時間。 可以利用資料來源表格輸入/編輯資料來源。例如,可以開 啟VM計劃資料來源晝面。資料來源表格係包括來源種類、資料 ^源忒明、及資料來源參數/數值。例如,選擇之來源種類係決 定顯示在資料來源晝面之上的功能;可以利用「特利厄斯(Tdius) ODP」種類疋義為處理工具之一部份的整合之量測模組資料來 源;「預期的輸出」種類允許使用者就控制器輸入固定的單位;「回 饋偏差值」種類允許制者定義持續的回饋魏;「 -允許使用者產生查詢不同之控制計劃的結果之變數(m直的 .计劃);當選擇各資料來源時,「整合之量測點筛選」種類係產生 =各功能之說_表格;且「環境項目」種類者 查询環境項㈣變數,例如插槽ID、晶圓ID、或晶圓的數量。 ιΐΐ從舰下拉表選擇符號,且可以從#料來源種類下拉選 類。例如,資料來源資訊攔係隨著所選的資料來Ϊ 雖然顯示出-個輸入資料來源(dl),但這並 以利用不同數量的輸人資料來源,且各輸且^ 同的符號值。例如,其中一個資料來源可以是貝^ 具的-部份,例如制厄斯(Te 貧料來源可以是聰,且參數/數值可以是實際二夕L4 如CD-SEM資料。 只丨不的測里貝枓,例 -般而言,處理控制係包括:在晶圓 用在晶圓之上測量所得之量測資訊更新處利 利用預處理⑽決朗各種實職組f 益係 理結果為模型方程式之中的「值。有。預期的處 正確的值時,就可以決定二乍y。」值田預期的處理結果「y」為 4笪ΐ目計算欄中,在w控制計割晝面時,可時入日扭 .计异值。例如,可以將目標計算值設定成等於資ϋ以f入目標 可以輸入用以使-組資料與另一組資料相關的方^原1此目外又目’ 37 1308705 標值計算係包含額外的補償項目。例如 算i標:撕間時或之前計算的變數,且可以利用方程式ί 值二:利 之前計算的當二= 限值可以是在運作時間時或 之月H兩數或變數,且可以利用方程式計算新 Τ • - «:22;r:^ 模型種類。可以從表格項目啟動下拉表 生·^以拉表中的其中一個功能允許新的模型被產 f可以糊組名稱、目標值、下限值、St、 i二、己f輸出。當產生新的模型時,可以利用新的模型 輸λ:模種類搁之中,可以利用新的模型名稱且將其 的箱預測之結果計算欄輸人新的預測結果值或選擇現有 果值。預測之結果值可以是預期之結果的方程式。例如, 名稱、目標計算值、及模型選擇資訊時,將可以儲存控制 7模型’月單中的模型之編號。模型類型允許選擇靜 ϊίίίίΓ模型名稱棚表列出可用之模型的名稱。例如,為 模型,可以從下拉表選擇「新的聽配方」功能或「新 功能°可以產生包含一個或更多個靜態配方的靜態 二I。f。例如,可以顯示出十個或更多個靜態模型。雖然靜態 模1顯不,有相同的目標值(tl),但這並非是必須的。可以5 用不同數量的靜態及/或公式模型,且各模型可以具有不同的目 標值1Ϊ利用各靜態配方時,將可以計算新的目標值。如圖13所 不’靜祕方模型可以具有由下限健上限值所定義之不同的操 38 1308705 巧模組控制計廳包括靜雜魏方 =組合。控制器係自動產生虛擬模組的控制計tij。處理配: 包含一個或更多個處理步驟:、 =乂在早-處理至或夕重處理室之中進行處理配方。可以利 疋配2二靜態配方、與公式模型的至少一個構成處理配方 '值。可====== 方。當利糊配方作為回饋時,將可以;工 配方的控斷劃之中的單—預測之處理結果。】 、模型方程式、一系列的後模型調整、及配ί 日守)重新表示成模型絲式之中的正確單 i,型!ft·可以是計算預測之處理結果而作為-個 且將其值指定成特定用於配方參數映對二ίϊ 了果=而之接收的變數之間的驗證 式。處理模型可《是綠性u生方程 的處理配方,且更新現有的處理酉己^。了以處理換型核對新 夕人已洋細說明本發明之特定實施例,但孰朵本項姑卞 應〉月相解··只要在不脫離本發明之教示與衡 39 1308705 下,可以對上述例示性實施例進行許多變化。因此,本發明 圍係可包括所有可能之變化樣態。 x 已 【圖式簡單說明】 圖1顯示根據本發明之一實施例的處理系統之方塊略圖。 圖圖2顯示根據本發明之一實施例的工薇整合架構之簡化方塊 圖3顯示根據本發明之—實施綱整合之處理魏的簡 塊圖。 程圖圖4顯報據本發明之一實施例的整合之測量處理的簡化流 流程^顯報據本發明之—實關的多㈣之處理順序的簡化 ξ 發明之—實施例的控制處理之簡化方塊圖。 i明之—實施例的實體模組之關聯略圖。 法的1=根據本發明之—實關的處理祕控彻之操作方 法的示根據本發明之另—實施例的主系統控㈣之操作方 方法根據本發私另-實施_處理緖_器之操作 法:圖顯示根據本發明之另-實施例的主系統控制器之操作方 略畫^^^根據本發明之-實施例的虛擬模組(彻)控制策 劃畫根據本發明之—實施例的虛擬模組(爾)控制計 【主要元件符號說明】 1308705 100 處理系統 110 處理工具 112、114、122、124 鍵結 120 控制器 130 製造設備系統(MES) 1000、1100、800、900 程序 1010、1020、1030、1040、1050、1110、1120、1130、1140、810、 820、830、840、850、910、920、930、940、950 工作 • APC 先進處理控制 DCS 資料收集策略 dl 輸入資料來源 E1 診斷系統 FDC 適應距離關聯模組 IM01 ' IM02 ' IMM1 ' IMM2 測量模組 PM01、PM02、PM1 處理模組 SEM 電子顯微鏡 SPC 統計製程控制 VM1至VM8 虛擬模組 41

Claims (1)

  1. B08705 制器的理系,中利帛實體模組及虛擬模組之處理系統控 統,本操作方法包上處理系統包含一系統與-處理系 劃,而f 的接收步驟’接收—靜態虛擬模組計 少-ϊ;ί擬包ί至少-晶圓之-預期的處理結“ 、申請專利範圍: 至少 中複數之處理物件包2j理順序f包含複數之處理物件,丹 模組物件、及/或鱼一、=圓到2體模組之到訪相關的實體 模組物件;I、θθ®未到—貫體模組之未到訪相關的虛擬 的執行步驟’執行處理順序; 的一實體 的一虛擬 模組物當執行處理順序之中 送出實體模組資料與虛❻ 夕一個到主系統。 3.如申請專利範圍第丨項之 擬模,處理系統控制器之操作方法/更^^實體模纽及虛 ㈣ίϊ行f里順序之中的一實體模組物件日步驟: '體模組控 ;計劃及/、中實體模組控制策略包括- 執行一實體模組資料收集策略,其中银 包括至少—實體模組資料收集賴。/、Λ -驗資料收集策略 】用實體模Μ及虛 4.如申請專種圍第3項之轉體處理系統中 42 1308705 L 擬模組魏_雜彻之獅綠 當執行處理順序之中的一實體握二之I以下步驟: 分析策略,其中實體模袓分析M 、又=時,執行一實體模組 或-倾模組判刀析4略包含-實體模紐分析計劃及/ ;====:件的:處二及 地η厅(千的各虛賴組物件的—處理配方。 理系更組及虛 制計劃;及 匕 個或更多個虛擬模組控 執行虛擬模組資料收隼第略甘ώ 含至少-虛職資料收隼':用其:==二包 =逆理系更及虛 、序之㈣各虛她組物件的—處理配方。 8.如申凊專利範圍第1項之半 擬模組的處理系統控制器之ί桑作中利用實體模組及虛 修整量、糊量、與_量巾的至〗—個。預躺處理結果包含 用實體模級及虛 _方去’其中實體模組包含-處理 43 1308705 模組 f :雜 jfp. ^ ^ P]; 測量模組、一傳送模組、及/或」 f雜組及虛 積模組、-以==處; 複组、-冷卻模組、及/或-顯影模組。 財雜組及虛 或一穿透式電鏡模組一光學數位輪廊模組、及/ 操作方ΐ f3擬模組之主控制器的 操作方法包含處理紐包含—主系統與—處理系統,本 劃,靜ίίί2ΐϊ=:ί 圓,;,態虛擬模組計 處理系統。 —队出步驟,运出靜悲虛擬模組計劃到 13.如申請專利範圍第12項本 虛擬,:則喿作實體模組及 決^一晶圓之預期的處理結果; 模組預期的處理結果之晶圓到訪—個或更多個實體 就各到訪建立一實體模組物件; 44 13〇87〇5 « ; ...— 的數 量;決定用以達成預期的處理結果之晶圓未組 的 1各未到訪建立-虛擬模組物件;及 數量度,其中處理順序長度係等於到訪 •虛擬模組半導體處理系統中利用實體模組及 體 模組的最大數量,其中;個或更多個實 數;及 八最大數里為專於或大於零的一整 最大2晶圓之處理順序長度,其中處理順序長度係等於到訪的 虛擬:二半導=系統中利用實體模組及 量;、疋用以達成預期的處理結果之晶圓到訪各實體模組的數 =到訪建立—實職組物件; 的數量疋it,1期的處理結果之晶圓未到訪-實… ί各為等於或大於零的-整數;ί 』边建立—虛擬模組物件。 申f專利範圍第12項之半導體處理系统中利用睿 虛擬=的主控制器之操作方法,更包含以4用實體模组及 接收 實體;s;統r處理順序且一實體模組物:執行時, 接收 虛擬ΐίΐί!1執行處理順序且—虛擬模組物件被執行時, 45 1308705 ϋ申r專利範圍第12項之半導體處理系統中利用實體模組及 虛擬^的主控制器之操作方法,更包含以下步驟: 順序之中的各實體模組物件決定—處理配方;及 运_处理順序之中的各實體模組物件之處理配方到處理系 統。 η月岔利範圍第12項之半導體處理系統中利用實體模組及 虛擬棋^社控㈣之操作方法,更包含以下步驟: 京尤順序之中的各虛擬模組物件決定一處理配方丨及 統。达出處理順序之中的各虛擬模組物件之處理配方到處理系 糊峨模組及 组、-測*船日制巧作其中實體模組包含—處理模 、測里权組、一傳送模組、及/或-支承模組。 制哭白f^理f統,利用實體模組及虛擬模組之處理系統控 ㈡=包處理系統包含-主系統與-處理系 圓之 -預:ϊϊί;結果的接收步驟’從主系統接收至少- 少一晶圓產生處理順序而卜處理順序’其中就至 f刺到訪相關的到訪之實體模組物;:及^盘=到—貫 未到一組的未到訪相關的虛擬模組物件;及/…晶圓 一動恶虛擬模組賴的送出步驟,送出動態虛擬模組計劃到 46 !3〇87〇5 主系統 ffp 21.如申請專利範圍第2〇項之 ..................................一^' 虛擬==統控制器之操作===組及 If ΐ組物件時’收集實體模組資料;及 备執灯虛擬模組物件時,收集虛麵組;二 送咖模組資料與虛二 23.如申請專利範圍第21項 / 虛擬模組的處理系統控制号从处理系統中利用實體模組及 當執行實體模組物件J之S方^^包含以下步驟: _組控制策略包含-個或更f控制策略,其中實 執行一實體模組資料收集策實控制計劃,·及 包含至少—實體模組 資料收ί計其中實體模組資料收集策略 24.如申請專利範圍第幻項之 ^ 虛擬模組的處理系統控制器 理系統中利用實體模組及 當執行實體模組物件^^方f ’更包含以下步驟: 體模組分析策略包含實_ =:貝«組分析策略,其中實 劃。 、、刀析叶劃及/或實體模組判斷言·}· 25.如申請專利範圍第23項之 虛擬模Μ的處理纽控織 ^體處縣統巾利用實體模組及 就各實is模組物件決,更包含以下步驟: 各實體池物件之處理配方到主系統。 47 1308705 如申請專利範圍帛Μ項之半導體處理系統中利用實體模另 虛擬模組的處理系統控制器之操作方法,更包含以下步:、、、 當執灯虛擬模組物件時,執行虛擬模組控制策略, 模、、且控制策略包含-個或更多個虛擬模組控制計劃;及’、 執巧,組資料收集策略,其中虛擬模組#料收集策略包 3至v -虛擬核組貧料收集計劃,用以收集虛擬模組未到訪資料。 27.如申請專利範圍第21.項之半導體處理系統中利 桓 虛擬模,_處理祕控制器之操作方法,更包含以下步 就各虛擬模組物件決定一處理配方;及 送出各虛擬模組物件之處理配方到主系統。 控 接收處理順序之巾的實顧_件之—處理配方; 修正實體模組物件之處理配方;及 送出修正之處理配方到主系統。 21項之轉财_統巾糊㈣模組及 拉、'且的處理純控制II之操作方法,更包含以下步驟: 接收處理順序之中的虛擬模組物件之一處理配方; 修正虛擬模組物件之處理配方;及 送出修正之處理配方到主系統。 1U Λ„ 、,《 ......... .........巴 拉、'且、測置模組、傳送模組、與支承模組中的至少一個。 31·-種轉爾理祕巾利用實體模組及虛擬獅之主控制 Si;申範,第20 之半導體處理系統中利用實體模組及 槿細理糸統控制11之操作方法,其中實體模組包含處理 1 吳 、》目if "S* J:曾彡α、7由,ϋ 士人一 ·》_ 器的 1308705 I -----一^_____ , _________ 操作方法,半導體處理系統包合―…正替— 方法包含以下步驟: ^ 一動態虛擬模組計劃的接/ 擬模組計劃,動態虛擬模組c,從處理系統接收一動態虛 其中就至少一晶圓產生處理順^2—晶圓的一處理順序, 序則包含複數之處理物件,苴 ^成預期的處理結果,處理順 晶圓到-實體模組的到訪相關j理物件包含與至少一 晶圓未到-實體模組的未物件、及/或與至少--動態虛擬翻相:的虛擬模組物件,·及 ^的輪步驟,執行動態虛擬模組計劃。 32.如申晴專利範圍第31項之丰導舻 虛擬模組的主控制器之摔統中利用實體模組及 當處理糸絲n作方法,更包含以下步驟: 實體模組資球斗;及订处理順序且一實體模組物件被執行時,接收 當一處擬模組物件被執行時,接收虛擬模組資料。 ^項之轉體處理系統中彻實體模組及 、控制益之操作方法,更包含以下步驟: 理配系統接收處理順序之中的至少一實體模組物件的一處 送出至少一實體模組物件的處理配方到一資料庫。 卢·,利範圍第31項之半導體處理系統中利用實體模組及 虛擬t組的主控制器之操作方法,更包含以下步驟: 理配彳ί處ΐ系統接收處理順序之中的至少一虛擬模組物件的一處 达出至少—虛擬模組物件的處理配方到一資料庫。 35, 如申請專利範圍第31項之半導體處理系統中利用實體模組及 49 1308705 Λ 虛擬模組的主控制器之操作方法,更包含以^驟,.r- 理配方 =處理系統接收處理順序之中的至少—實體模組物件的_處 ί多正至少一實體模組物件的處理配方;及 送出修正之處理配方到處理系統。
    申f專利範圍第31項之半導航㈣、統巾_實體模蚊 虛㈣讓社㈣ϋ讀作方法,Μ含町步驟 及 理配彳^處理系統接收處理順序之中的至少一虛擬模組物件的一處 修正至少一虛擬模組物件的處理配方;及 送出修正之處理配方到處理系統。 十一、圖式: 50
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