JP2008511115A5 - - Google Patents
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- 被加工物をミリングするためにイオンビームを方向付けかつ多数回偏向させるための方法であって、前記方法が、
イオンビームを発生させること;および
イオンビーム第1偏向組立体によって前記発生したイオンビームを偏向させかつ方向付け、有向1回偏向イオンビームを形成させ、そしてイオンビーム第2偏向組立体によって前記有向1回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付け、前記有向多偏向イオンビームの一種である有向2回偏向イオンビームを形成させることによって、前記発生したイオンビームを方向付けかつ少なくとも2回偏向させ、有向多偏向イオンビームを形成させること
を含み、前記有向多偏向イオンビームが被加工物の表面に向かって方向付けられ、入射し、衝突し、かつミリングし、前記イオンビーム第2偏向アセンブリが、前記有向1回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付けるための静電板または電極を含み、前記静電板または電極は、内側および外側に対称的にかつ同心上に配置され、分離され、球状または楕円状に形成されている場合において、被加工物が前記有向多偏向イオンビームに対して静止(静的または固定)構成であること、およびイオンビームミリングの種類が幅広イオンビーム(BIB)ミリングであり、従って前記有向多偏向イオンビームが、約30ミクロンから約2000ミクロン(2ミリメートル)の範囲の直径または幅を有する有向多偏向幅広イオンビームであることを特徴とする方法。 - 前記発生したイオンビームを方向付けかつ少なくとも2回偏向させることは、前記発生したイオンビームを抽出しかつ方向付け、有向抽出イオンビームを形成させることを含む請求項1に記載の方法。
- 前記発生したイオンビームを方向付けかつ少なくとも2回偏向させることは、前記有向2回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付け、前記有向多偏向幅広イオンビームの別の種類である有向3回偏向イオンビームを形成させることを含む請求項1に記載の方法。
- 前記直径または幅は、約200ミクロンから約1000ミクロン(1ミリメートル)の範囲にある請求項1に記載の方法。
- 被加工物の厚さ、被加工物内の標的の深さ、および被加工物の少なくとも1つの表面のトポグラフィから成る群から選択された被加工物の少なくとも1つのパラメータの予め定められた値の組を提供すること;
次の主要ステップならびにコンポーネントおよび機能性を含む方法、すなわちイオンビームを発生させるステップと、イオンビーム第1偏向組立体によって前記発生したイオンビームを偏向させかつ方向付け、有向1回偏向イオンビームを形成させ、そしてイオンビーム第2偏向組立体によって前記有向1回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付け、前記有向多偏向イオンビームの一種である有向2回偏向イオンビームを形成させることによって、前記発生したイオンビームを方向付けかつ少なくとも2回偏向させ、有向多偏向イオンビームを形成させるステップとを含み、有向多偏向イオンビームが被加工物の表面に向かって方向付けられ、入射し、衝突し、かつミリングする方法、を使用して被加工物のイオンビームミリングを実行するためにイオンビームを方向付けかつ多数回偏向させること;
被加工物の前記少なくとも1つのパラメータをその場で実時間測定し、前記少なくとも1つのパラメータの測定値の組を形成させること;
前記測定値の組を、前記予め定められた値の前記提供された組と比較し、前記比較に関連する値差の組を形成させること;および
前記値差が予め定められた範囲内になるまで被加工物のイオンビームミリングのために前記イオンビームを方向付けかつ多数回偏向することを続けるために、前記値差の前記組をフィードバックすること
を含む、被加工物のイオンビームミリングの程度を決定し、かつ制御するための方法において、前記イオンビームミリングを実行するために前記イオンビームを方向付けかつ多数回偏向させるために、前記イオンビーム第2偏向アセンブリが、前記有向1回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付けるための静電板または電極を含み、前記静電板または電極は、内側および外側に対称的にかつ同心上に配置され、分離され、球状または楕円状に形成されていることを特徴とする方法。 - 被加工物の前記少なくとも1つの表面の選択性の程度は、被加工物の前記トポグラフィに対応する請求項5に記載の方法。
- 被加工物の実時間のその場でのSEMまたは/およびSTEM撮像または/および測定をさらに含む請求項5に記載の方法。
- 前記被加工物のパラメータは、前記被加工物の厚さであり、前記実時間測定は、透過電子検出器の使用を含む請求項5に記載の方法。
- 前記フィードバックすることは、閉ループフィードバック制御に応じて実行される請求項5に記載の方法。
- 前記表面は、選択性の有無に関わらず、制御されたトポグラフィを有する請求項5に記載の方法。
- 被加工物は、前記有向多偏向イオンビームに対して静止(静的または固定)構成である請求項5に記載の方法。
- イオンビームミリングの種類は幅広イオンビーム(BIB)ミリングであり、従って前記有向多偏向イオンビームは有向多偏向幅広イオンビームである請求項5に記載の方法。
- 前記有向多偏向幅広イオンビームは、約30ミクロンから約2000ミクロン(2ミリメートル)の範囲の直径または幅を有する請求項12に記載の方法。
- 前記有向多偏向幅広イオンビームは、約200ミクロンから約1000ミクロン(1ミリメートル)の範囲の直径または幅を有する請求項12に記載の方法。
- イオンビームミリングの種類は集束イオンビーム(FIB)ミリングであり、従って前記有向多偏向イオンビームは有向多偏向集束イオンビームである請求項5に記載の方法。
- 前記有向多偏向集束イオンビームは、約5ナノメートルから約100ナノメートルの範囲の直径または幅を有する請求項15に記載の方法。
- 被加工物の厚さ、被加工物内の標的の深さ、および被加工物の少なくとも1つの表面のトポグラフィから成る群から選択された被加工物の少なくとも1つのパラメータの予め定められた値の組を提供すること;
次の主要ステップならびにコンポーネントおよび機能性を含む方法、すなわちイオンビームを発生させるステップと、イオンビーム第1偏向組立体によって前記発生したイオンビームを偏向させかつ方向付け、有向1回偏向イオンビームを形成させ、そしてイオンビーム第2偏向組立体によって前記有向1回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付け、前記有向多偏向イオンビームの一種である有向2回偏向イオンビームを形成させることによって、前記発生したイオンビームを方向付けかつ少なくとも2回偏向させ、有向多偏向イオンビームを形成させるステップとを含み、有向多偏向イオンビームが被加工物の表面に向かって方向付けられ、入射し、衝突し、かつミリングする方法、を使用して被加工物のイオンビームミリングを実行するためにイオンビームを方向付けかつ多数回偏向させること;
被加工物の前記少なくとも1つのパラメータをその場で実時間測定し、前記少なくとも1つのパラメータの測定値の組を形成させること;
前記測定値の組を、前記予め定められた値の前記提供された組と比較し、前記比較に関連する値差の組を形成させること;および
前記値差が予め定められた範囲内になるまで被加工物のイオンビームミリングのために前記イオンビームを方向付けかつ多数回偏向することを続けるために、前記値差の前記組をフィードバックすること
を含む、被加工物のイオンビームミリングの程度を決定し、かつ制御するための方法。 - 被加工物の前記少なくとも1つの表面の選択性の程度は、被加工物の前記トポグラフィに対応する請求項17に記載の方法。
- 被加工物の実時間のその場でのSEMまたは/およびSTEM撮像または/および測定をさらに含む請求項17に記載の方法。
- 前記被加工物のパラメータは、前記被加工物の厚さであり、前記実時間測定は、透過電子検出器の使用を含む請求項17に記載の方法。
- 前記フィードバックすることは、閉ループフィードバック制御に応じて実行される請求項17に記載の方法。
- 前記表面は、選択性の有無に関わらず、制御されたトポグラフィを有する請求項17に記載の方法。
- 被加工物は、前記有向多偏向イオンビームに対して静止(静的または固定)構成である請求項17に記載の方法。
- イオンビームミリングの種類は幅広イオンビーム(BIB)ミリングであり、従って前記有向多偏向イオンビームは有向多偏向幅広イオンビームである請求項17に記載の方法。
- 前記有向多偏向幅広イオンビームは、約30ミクロンから約2000ミクロン(2ミリメートル)の範囲の直径または幅を有する請求項24に記載の方法。
- 前記有向多偏向幅広イオンビームは、約200ミクロンから約1000ミクロン(1ミリメートル)の範囲の直径または幅を有する請求項24に記載の方法。
- イオンビームミリングの種類は集束イオンビーム(FIB)ミリングであり、従って前記有向多偏向イオンビームは有向多偏向集束イオンビームである請求項17に記載の方法。
- 前記有向多偏向集束イオンビームは、約5ナノメートルから約100ナノメートルの範囲の直径または幅を有する請求項27に記載の方法。
- イオンビームを発生させるためのイオンビーム源組立体と、前記発生したイオンビームを方向付けかつ少なくとも2回偏向させ、有向多偏向イオンビームを形成させるためのイオンビーム方向付け兼多偏向組立体とを備え、前記有向多偏向イオンビームが被加工物の表面に向かって方向付けられ、入射し、衝突し、かつミリングする、被加工物をミリングするためにイオンビームを方向付けかつ多数回偏向させるのに好適な装置であって、前記イオンビーム方向付け兼多偏向組立体は、前記発生したイオンビームを偏向させかつ方向付け、有向1回偏向イオンビームを形成させるためのイオンビーム第1偏向組立体と、前記有向1回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付け、前記有向多偏向イオンビームの一種である有向2回偏向イオンビームを形成させるためのイオンビーム第2偏向組立体とを含み、前記イオンビーム第2偏向アセンブリが、前記有向1回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付けるための静電板または電極を含み、前記静電板または電極は、内側および外側に対称的にかつ同心上に配置され、分離され、球状または楕円状に形成されている場合において、被加工物が前記有向多偏向イオンビームに対して静止(静的または固定)構成であること、およびイオンビームミリングの種類が幅広イオンビーム(BIB)ミリングであり、従って前記有向多偏向イオンビームが、約30ミクロンから約2000ミクロン(2ミリメートル)の範囲の直径または幅を有する有向多偏向幅広イオンビームであることを特徴とする装置。
- 前記イオンビーム方向付け兼多偏向組立体は、前記発生したイオンビームを抽出しかつ方向付け、有向抽出イオンビームを形成させるためのイオンビーム抽出器組立体を含む請求項29に記載の装置。
- 前記イオンビーム方向付け兼多偏向組立体は、前記有向2回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付け、前記有向多偏向イオンビームの別の種類である有向3回偏向イオンビームを形成させるためのイオンビーム第3偏向組立体を含む請求項29に記載の装置。
- 前記直径または幅は、約200ミクロンから約1000ミクロン(1ミリメートル)の範囲にある請求項29に記載の装置。
- イオンビームを発生させるためのイオンビーム源組立体と、前記発生したイオンビームを方向付けかつ少なくとも2回偏向させ、有向多偏向イオンビームを形成させるためのイオンビーム方向付け兼多偏向組立体とを含み、前記有向多偏向イオンビームが被加工物の表面に向かって方向付けられ、入射し、衝突し、かつミリングするイオンビームユニットと;
前記イオンビームユニットおよび被加工物のために真空環境を提供し、かつ維持するために、前記イオンビームユニットに作動的に接続された真空ユニットと
を備え、前記真空ユニットが被加工物を含む、被加工物をミリングするためにイオンビームを方向付けかつ多数回偏向させるのに好適なシステムであって、前記イオンビーム方向付け兼多偏向組立体は、前記発生したイオンビームを偏向させかつ方向付け、有向1回偏向イオンビームを形成させるためのイオンビーム第1偏向組立体と、前記有向1回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付け、前記有向多偏向イオンビームの一種である有向2回偏向イオンビームを形成させるためのイオンビーム第2偏向組立体とを含み、前記イオンビーム第2偏向アセンブリが、前記有向1回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付けるための静電板または電極を含み、前記静電板または電極は、内側および外側に対称的にかつ同心上に配置され、分離され、球状または楕円状に形成されている場合において、被加工物が前記有向多偏向イオンビームに対して静止(静的または固定)構成であること、およびイオンビームミリングの種類が幅広イオンビーム(BIB)ミリングであり、従って前記有向多偏向イオンビームが、約30ミクロンから約2000ミクロン(2ミリメートル)の範囲の直径または幅を有する有向多偏向幅広イオンビームであることを特徴とするシステム。 - 前記イオンビーム方向付け兼多偏向組立体は、前記発生したイオンビームを抽出しかつ方向付け、有向抽出イオンビームを形成させるためのイオンビーム抽出器組立体を含む請求項33に記載のシステム。
- 前記イオンビーム方向付け兼多偏向組立体は、前記有向2回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付け、前記有向多偏向イオンビームの別の種類である有向3回偏向イオンビームを形成させるためのイオンビーム第3偏向組立体を含む請求項33に記載のシステム。
- 前記イオンビームユニットおよび前記真空ユニットにエレクトロニクスを提供し、かつそのプロセス制御を行なうために、前記イオンビームユニットおよび前記真空ユニットに作動的に接続されたエレクトロニクスおよびプロセス制御ユーティリティをさらに含む請求項33に記載のシステム。
- 被加工物撮像兼ミリング検出ユニット、被加工物操作兼位置決めユニット、防振ユニット、コンポーネント撮像ユニット、ならびに少なくとも1つの被加工物分析ユニットから成る群から選択された少なくとも1つの追加ユニットをさらに含み、前記追加ユニットの各々は前記真空ユニットに作動的に接続される請求項33に記載のシステム。
- 前記直径または幅は、約200ミクロンから約1000ミクロン(1ミリメートル)の範囲にある請求項33に記載のシステム。
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DE102007046783A1 (de) * | 2007-09-29 | 2009-04-23 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Vorrichtung zur Ablenkung oder Einlenkung eines Teilchenstrahls |
US8232532B2 (en) * | 2009-06-23 | 2012-07-31 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Off-axis ion milling device for manufacture of magnetic recording media and method for using the same |
SG177822A1 (en) * | 2010-07-06 | 2012-02-28 | Camtek Ltd | Method and system for preparing a sample |
SG177823A1 (en) * | 2010-07-06 | 2012-02-28 | Camtek Ltd | Method and system for preparing a lamella |
US9330885B2 (en) * | 2011-06-30 | 2016-05-03 | Seagate Technology Llc | Method of stack patterning using a ion etching |
CA2791249C (en) | 2011-11-10 | 2014-02-25 | Semiconductor Insights Inc. | Method and system for ion beam delayering of a sample and control thereof |
US20160048066A1 (en) * | 2013-08-07 | 2016-02-18 | Sakai Display Products Corporation | Method for Manufacturing Display Panel and Display Panel |
US9911573B2 (en) * | 2014-03-09 | 2018-03-06 | Ib Labs, Inc. | Methods, apparatuses, systems and software for treatment of a specimen by ion-milling |
US10354836B2 (en) | 2014-03-09 | 2019-07-16 | Ib Labs, Inc. | Methods, apparatuses, systems and software for treatment of a specimen by ion-milling |
US9779914B2 (en) | 2014-07-25 | 2017-10-03 | E.A. Fischione Instruments, Inc. | Apparatus for preparing a sample for microscopy |
CN105957789B (zh) * | 2015-03-09 | 2020-05-12 | Ib实验室有限公司 | 用于通过离子铣处理试样的方法、设备、系统和软件 |
US9779910B1 (en) * | 2016-09-13 | 2017-10-03 | Qualcomm Incorporated | Utilization of voltage contrast during sample preparation for transmission electron microscopy |
WO2018140903A2 (en) * | 2017-01-27 | 2018-08-02 | Howard Hughes Medical Institute | Enhanced fib-sem systems for large-volume 3d imaging |
US11119012B2 (en) | 2017-04-25 | 2021-09-14 | Ib Labs, Inc. | Device and method for cleaving a liquid sample |
CA3120208A1 (en) * | 2018-11-21 | 2020-05-28 | Techinsights Inc. | Ion beam delayering system and method, topographically enhanced delayered sample produced thereby, and imaging methods and systems related thereto |
US11440151B2 (en) * | 2019-06-07 | 2022-09-13 | Applied Materials Israel Ltd. | Milling a multi-layered object |
US10971618B2 (en) | 2019-08-02 | 2021-04-06 | Applied Materials Israel Ltd. | Generating milled structural elements with a flat upper surface |
US11276557B2 (en) | 2019-09-17 | 2022-03-15 | Applied Materials Israel Ltd. | Forming a vertical surface |
US10903044B1 (en) * | 2020-02-12 | 2021-01-26 | Applied Materials Israel Ltd. | Filling empty structures with deposition under high-energy SEM for uniform DE layering |
US11784025B1 (en) | 2022-05-10 | 2023-10-10 | Plasma-Therm Nes Llc | Integral sweep in ion beam system |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US563879A (en) * | 1896-07-14 | Automatic valve | ||
JPS5013851Y1 (ja) * | 1970-03-17 | 1975-04-28 | ||
US4209698A (en) * | 1971-12-28 | 1980-06-24 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschaften E.V. | Transmission-type charged particle beam apparatus |
JPS5013851U (ja) * | 1973-06-06 | 1975-02-13 | ||
JPS5271354A (en) * | 1975-12-11 | 1977-06-14 | Nippon Electric Co | Electron beam welding machine |
US4128765A (en) * | 1976-10-29 | 1978-12-05 | Joseph Franks | Ion beam machining techniques and apparatus |
JPS61240553A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | Jeol Ltd | イオンビ−ム描画装置 |
JP2706471B2 (ja) * | 1987-09-30 | 1998-01-28 | 日本真空技術株式会社 | 静電掃引型イオン注入機用平行掃引装置 |
JPH0233848A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Hitachi Ltd | 二次イオン質量分析装置 |
US5173582A (en) * | 1988-10-31 | 1992-12-22 | Fujitsu Limited | Charged particle beam lithography system and method |
US4923585A (en) * | 1988-11-02 | 1990-05-08 | Arch Development Corporation | Sputter deposition for multi-component thin films |
JP2881649B2 (ja) * | 1989-03-22 | 1999-04-12 | 日本真空技術株式会社 | イオン注入装置 |
KR950004968B1 (ko) * | 1991-10-15 | 1995-05-16 | 가부시키가이샤 도시바 | 투영노광 장치 |
JPH0613013A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | イオンビームを集束して加工を行う装置 |
US5650378A (en) * | 1992-10-02 | 1997-07-22 | Fujikura Ltd. | Method of making polycrystalline thin film and superconducting oxide body |
JP3119959B2 (ja) * | 1993-02-05 | 2000-12-25 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 集束イオンビーム装置および加工観察装置 |
JPH0817800A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム装置およびそれを用いた試料加工方法 |
US5989779A (en) * | 1994-10-18 | 1999-11-23 | Ebara Corporation | Fabrication method employing and energy beam source |
US5628659A (en) * | 1995-04-24 | 1997-05-13 | Microelectronics And Computer Corporation | Method of making a field emission electron source with random micro-tip structures |
DE29507225U1 (de) * | 1995-04-29 | 1995-07-13 | Gruenewald Wolfgang Dr Rer Nat | Ionenstrahlpräparationsvorrichtung für die Elektronenmikroskopie |
JP2000500265A (ja) * | 1995-07-25 | 2000-01-11 | エヌエムアイ ナツルヴィッセンサフトリヘス ウント メディジニシェス インスティチュト アン デル ユニヴェルシテート テュービンゲン イン ロイトリンゲン | 高分解能透過電子顕微鏡におけるイオン薄肉化方法および装置 |
US5637879A (en) * | 1996-03-20 | 1997-06-10 | Schueler; Bruno W. | Focused ion beam column with electrically variable blanking aperture |
US5922179A (en) * | 1996-12-20 | 1999-07-13 | Gatan, Inc. | Apparatus for etching and coating sample specimens for microscopic analysis |
JP3397151B2 (ja) * | 1998-12-10 | 2003-04-14 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子の駆動方法 |
JP4590590B2 (ja) * | 1998-12-29 | 2010-12-01 | エフ イー アイ カンパニ | 位置感度の高い検出器による透過オペレーションに対するsem |
US6635880B1 (en) * | 1999-10-05 | 2003-10-21 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | High transmission, low energy beamline architecture for ion implanter |
US6331227B1 (en) * | 1999-12-14 | 2001-12-18 | Epion Corporation | Enhanced etching/smoothing of dielectric surfaces |
US6768110B2 (en) * | 2000-06-21 | 2004-07-27 | Gatan, Inc. | Ion beam milling system and method for electron microscopy specimen preparation |
DE60040664D1 (de) * | 2000-09-04 | 2008-12-11 | Lucent Technologies Inc | Elektronenstrahl-Lithographie |
AU2001293294A1 (en) * | 2000-09-20 | 2002-04-02 | Fei Company | Real time monitoring for simultaneous imaging and exposure in charged particle beam systems |
US6355494B1 (en) * | 2000-10-30 | 2002-03-12 | Intel Corporation | Method and apparatus for controlling material removal from a semiconductor substrate using induced current endpointing |
EP1209737B2 (en) * | 2000-11-06 | 2014-04-30 | Hitachi, Ltd. | Method for specimen fabrication |
JP2002270128A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-20 | Seiko Instruments Inc | 集束イオンビーム装置およびそれを用いた加工方法 |
JP4302933B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2009-07-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビームによる穴埋め方法及びイオンビーム装置 |
EP1388883B1 (en) * | 2002-08-07 | 2013-06-05 | Fei Company | Coaxial FIB-SEM column |
US7150811B2 (en) * | 2002-11-26 | 2006-12-19 | Pei Company | Ion beam for target recovery |
US8110814B2 (en) * | 2003-10-16 | 2012-02-07 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
US6992288B2 (en) * | 2004-03-12 | 2006-01-31 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Apparatus and method for directing gas towards a specimen |
EP1787310A2 (en) * | 2004-08-24 | 2007-05-23 | Sela Semiconductor Engineering Laboratories Ltd. | Directed multi-deflected ion beam milling of a work piece and determining and controlling extent thereof |
EP1956630A1 (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-13 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Achromatic mass separator |
US20120140693A1 (en) * | 2009-08-11 | 2012-06-07 | Yu Chen | Method of trimming traffic in an e-mbms system and bm-sc for implementing the method |
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