JP2008504627A - ホルダ挿入用チップカード - Google Patents
ホルダ挿入用チップカード Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008504627A JP2008504627A JP2007518752A JP2007518752A JP2008504627A JP 2008504627 A JP2008504627 A JP 2008504627A JP 2007518752 A JP2007518752 A JP 2007518752A JP 2007518752 A JP2007518752 A JP 2007518752A JP 2008504627 A JP2008504627 A JP 2008504627A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- chip card
- contact
- substrate
- seal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
- G06K19/07745—Mounting details of integrated circuit chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49855—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5388—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates for flat cards, e.g. credit cards
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
- H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15182—Fan-in arrangement of the internal vias
- H01L2924/15184—Fan-in arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
本発明は、動作のため、電気デバイスコンタクト部(GK)及び加圧デバイス(AE)を備えるホルダ(HH)に挿入されるチップカード(CC)、特に、SIMカードに関係する。チップカード(CC)は、基板(S)と、コンタクトフィールド(K)と、チップ(C)と、シングルピース封止(V)とを備える。本発明によれば、封止(V)は、チップカード(CC)の挿入中に、封止(V)が加圧デバイス(AE)とボディ接触し、コンタクトフィールド(K)がデバイスコンタクト部(GK)とボディ接触し、コンタクトフィールド(K)がデバイスコンタクト部(GK)と確実に電気接触することを保証する厚さ(dV)を有する。さらなるキャリア材料(T)は設けられない。
Description
本発明は、第1の表面及び反対側の第2の表面を伴う電気絶縁平面基板と、第1の表面に塗布された金属平面コンタクトフィールドと、第2の表面に位置付けられ、コンタクトフィールドに電気接続されたチップと、第2の表面に位置付けられ、チップを封入するシングルピース封止とを備える、電気デバイスコンタクト部及び加圧デバイスが備え付けられたホルダに挿入するチップカードに関係する。
本発明は上記のような複数個のチップカードの配置にさらに関係する。
現代世界では、たとえば、電話カード、ATMカード、有料テレビ用アクセスカード、及び、いわゆる「加入者識別モジュール」、すなわち、略してSIMカードのようなチップカードの多数のアプリケーションが存在する。できる限りよい費用対効果でカードを製造するため、85×54mmの統一サイズ、すなわち、クレジットカードのフォーマットが合意された。これは、上記カードの簡単な取り扱いを保証する。90年代前半のGSM時代の最初には、SIMカードでさえこのフォーマットで使用されていた。しかし、小型化の増大の結果として、今日のSIMカードは、元のサイズのほんの一部に過ぎない。
SIMカードは、それにもかかわらず、90年代前半と同じプロセスを使用して製造されている。このプロセスでは、ISO7810に従って標準化された、ほぼコンタクトフィールドのサイズからなる比較的小型のチップカードモジュールが85×54mmのサイズのキャリアに組み込まれる。一つの可能な方法は、チップカードモジュールをチップカードの切削加工された凹部に接着させることに基づいている。別の可能な方法は、カードをモールドし、このようにしてキャリアに挿入するときに、チップカードモジュールを金型中にセットすることに基づいている。
今日の小型SIMカードは、次に、キャリアから打ち抜かれるか、又は、SIMカードをキャリアから取り外すことを可能にするために穿孔される。このプロセスより前に、SIMモジュールは個人化され、すなわち、電話ネットワークへの加入者の確実な確認を後で可能にする固有の電子コードが与えられる。SIMカードは、キャリアから打ち抜かれるか、又は、外された後に限り、携帯電話機のホルダに挿入する準備が完了する。
携帯電話機のような、チップカードと共に使用するための装置は、この目的のためのデバイスコンタクト部及び加圧デバイスを伴うホルダが設けられる。チップカードがホルダに挿入されるならば、加圧デバイスは、チップカードの平面コンタクトフィールドとデバイスコンタクト部との間に確実な接触を保証する。
一般的に使用される加圧デバイスの設計のため、チップカードの厚さは、一方で規定された厚さだけがチップカードのホルダへの挿入を可能にし、他方で必要とされる接触力を保証するので、重要な役目を果たす。チップカードの上端に圧力を加える加圧デバイスは、チップカードが挿入されるときに弾性変形し、チップカードの厚さに応じて増減する度合いの力をチップカードに導入する。チップカードが厚くなると、圧力、したがって、接触力がより高くなり、チップカードが薄くなると、圧力、したがって、接触力がより低くなる。多くの場合に、比較的低いバネ定数が原因で、コンポーネント公差をより良く補償することができる付加的なバネ式接点が使用される。
加圧デバイスの例は、カードが下側に挿入されるガイドレールである。これらのガイドレールは、横方向へのあらゆる動きを阻止しながら、チップカードが挿入方向に移動することを可能にする。チップカードがバネ式接点を備えたホルダに挿入されるとき、チップカードはこれらの接点を押し返し、このバネ定数の結果として、コンタクトフィールドをデバイスコンタクト部の方へ圧迫する。
加圧デバイスのさらなる例は、コンタクトフィールドによって表された表面と直角に延在し、チップカードの上端で圧迫されるフラップ、又は、挿入方向に規定された位置からの挿入の間にチップカードの逆の動きを阻止するラッチデバイスである。
上記の理由のため、一般的に使用されるホルダは、約0.8mmのクレジットカードの厚さに合わせて設計される。逆に、このことは、チップカードが申し分なく機能すべであるならば、この厚さを持つべきであることを意味する。これは、上記のように、チップカードモジュールを、非常に精細な許容誤差まで製造されるカードキャリアに組み込むことにより達成される。チップカードモジュールは、対応して薄くされるべきであり、約0.6mmの厚さを有する。
不必要な廃棄物で環境を汚染することはともかくとして、従来の製造方法は、技術的に複雑であり、多数のプロセスステップが関連するので費用がかかる。その上、このチップのため利用可能な容積は、このテクノロジーの結果として極めて制限される。チップの製造は小型構造体を許容する高価な方法を必要とするか、又は、機能性が犠牲にされるべきである。いずれの場合も、チップカードを製造する条件は決して満足できない。
したがって、発明の目的は、上記の問題を解決するチップカードを特定することである。
本目的は、チップカードの封止が、チップカードの挿入中に、封止が加圧デバイスとボディ接触し、コンタクトフィールドがデバイスコンタクト部とボディ接触し、コンタクトフィールドがデバイスコンタクト部と確実に電気接触する厚さを有する、冒頭の段落に提示されたようなチップカードを明らかにすることにより達成される。
チップを封入する封止の厚さは、したがって、チップカードが満足できる接触のためホルダと協働するように選択される。基板の厚さとコンタクトフィールドの厚さは、当然ながら、考慮されるべきである。さらなるキャリア材料は必要とされず、チップカードの製造プロセスを著しく簡単化する。チップカードモジュールのキャリアへの接着と、その後のチップカードの打ち抜きは、もはや必要とはされない。したがって、環境はもはや打ち抜き残留物によって汚染されない。毎年非常に多数のチップカードが生成されることを考慮して、特に、これは実質的な進歩を与える。
発明はSIMカードとして使用されるチップカードに限定されないことをここに記載すべきである。特に、小型化は、将来、クレジッドカード、ATMカード、カスタマカード、デジタルテレビ又はラジオなどのアクセスカードに影響を与える可能性がある。たとえば、比較的小型のクレジットカードが、移動電話機又はPDAのような移動端末設備に挿入され、支払取引が、将来には、上記の端末機器を介して無線システムを使用して終了する。
チップカードの挿入中にコンタクトフィールドがデバイスコンタクト部に確実に接触させられるように、コンタクトフィールドの領域における封止がベース面を有するならば有利である。基板とコンタクトフィールドは比較的薄いので、それらの機械的強度はかなり弱い。このために、チップカードは、何か他の方法による日常の使用中に発生させられる接触力と負荷の点から見て必要とされる強度を備えるべきである。このために、チップの保護を主たる目的とする封止は、コンタクトフィールドの最も重要な領域まで拡張され、ホルダの加圧デバイスがコンタクトフィールドと確実に接触することを可能にする。
封止のベース面が、基板のエッジを越えて突出することなく、少なくともコンタクトフィールドと同じ大きさであるならば、特に有利である。このことは、コンタクトフィールド全体がホルダのデバイスコンタクト部に確実に接触させられることを保証する。封止は、当然ながら、接触に影響を与えることなく、コンタクトフィールドを越えることがある。しかし、封止が基板を越えなければ、封止は本発明によるチップカードの製造を単純化するので、望ましい。封止の適用に続いて、チップカードは基板から打ち抜かれ、又は、基板はハウジングエッジに沿って穿孔される。基板が封止より少し突出するならば、どちらのプロセスも容易になる。約0.2mmの突出が実際的な寸法として提案される。
発明によるチップカードの特に有利な設計では、基板に向かうエッジはコンタクトフィールドの周りに設けられる。この手段もまた、基板を打ち抜くか、又は、基板に穿孔するときに有利である。その理由は、コンタクトフィールを作り、一般的に、金メッキされた銅で構成されている金属層は、通常は、エポキシ樹脂が含浸されたグラスファイバで作られている基板のようにそれほど容易に切り離されないからである。基板は直ぐに折れるが、金属層は切り離される時に擦り切れる傾向がある。穿孔された基板を伴うチップカードが、たとえば、手で切り離されるならば、金属層は、極端な例では、基板から少なくとも部分的に切り離される。基板へ向かうコンタクトフィールドのエッジは、チップカードのホルダへの挿入をさらに簡単化する。バネ式接点を伴うユニットでは、特に、比較的頑丈な基板は、最初にデバイスコンタクト部と機械接触し、デバイスコンタクト部を押し返す。その後に限り、コンタクトフィールドがデバイスコンタクトと接触し、頻繁な使用中にコンタクトフィールドが基板から分離することを阻止する。
基板が第1の面から第2の面に通じる孔を有し、封止がそれらの孔の中へ延びるならば、さらに特に有利である。上記の孔は二つの機能を実現する。一方で、孔は、いわゆる「ボンディング」を、すなわち、一般に金で作られたワイヤを用いて、基板の第2の面に位置するチップを基板の第1の面に位置するコンタクトフィールドへ接合することを可能にする。他方で、射出成形のようなプロセスによって付け加えられる封止は、孔の中にも侵入し得るので、基板により良く接合される。特に、チップカードがホルダに挿入されるとき、剪断応力がチップカード内に発生され、最悪の場合には、封止を基板から分離し、その結果、チップカードを破壊する。孔に突出する封止の部分によって行われる基板と封止との間の明確な接続は、この傾向を妨げる。通常プラスチック製の封止は金メッキされた金属層に非常に弱く接着するだけであるので、問題となる影響は特に両面が金属化された基板において起こる。
外形寸法は、便宜的に携帯電話機のSIMカードの外形寸法と一致する。封止の寸法が基板及びコンタクトフィールドと共にSIMカードサイズのチップカードを提供するように定められるならば、本発明によるチップカードは、対象となる機器を修正することを必要とすることなく、携帯電話機のような機器において直ぐに使用される。コンタクトフィールドが約35μmの厚さであり、基板が110μmの厚さである広く使用されているチップカードでは、部品公差を考慮して、約655μmの厚さが封止のため選ばれるであろう。すなわち、封止の厚さは、当然ながら、上記の寸法とは異なる。
少なくとも1個のさらなるチップが第2の面に位置するチップの上に配置され、封止が全チップを封入するならば、さらに特に有利である。キャリア材料を省くことにより、部品高さに約200μmの利益が得られ、その利益は約150μmの厚さをもつ付加的なチップのため利用可能である。メモリチップは、機能的な範囲を拡大するため、たとえば、チップカードのプロセッサチップ上にピギーバック形式で置かれる。「近距離無線通信」、簡単にNFCの規格に対応する機能を網羅する付加的なプロセッサチップの統合もまた考えられる。デジタル規格チップとアナログ規格チップの組み合わせであっても比較的簡単に行われる。
同様に、少なくとも1個のさらなるチップが第2の面に位置するチップの隣りに追加され、封止が全チップを封入するならば有利である。本例では、付加的なチップは、既存のチップの上ではなく、隣りに置かれる。接合のため必要とされるフランジを省くことにより、付加的なチップのための容積が利用可能になる。現在のテクノロジーによって利用可能な容積に加えられる制約は、本発明によるチップカードによって便宜的に取り除かれる。しかし、代替的に、より安価な、すなわち、より粗いチップテクノロジーのため獲得された空間を使用することも考えられる。等価的な機能が、より大型の、したがって、技術的に複雑さの程度が低いチップに統合され得る。
この点に関して、チップのうちの少なくとも1個がプロセッサとして設計され、少なくとも1個の他のチップがメモリとして設計されるならば好都合である。メモリチップは、たとえば、既存のプロセッサチップの上端にピギーバック形式で置かれる。すなわち、プロセッサチップ上のメモリエリアより安価に大量生産され得る標準的なメモリチップが使用される。発明のこの変形例のさらなる利点は、粗い構造のチップテクノロジーで作ったプロセッサチップは、微細な構造のチップテクノロジーで作ったメモリチップと、全く同一のチップカード内に統合され得るという事実にある。この機能は、従来技術の製造方法のために、これまでは利用できなかった。
発明の有利な変形例は、少なくとも一つの挿入方向をもつチップカードと、適切な方向での挿入を容易化する封止とを特色とする。封止が一般に射出成形によって製造されるという事実は、チップカードの成形に関して新たな可能性を開く。封止は、たとえば、チップカードのホルダへの挿入をより簡単にするため、挿入方向の先端で面取りされるか、丸められる。この面取り又は丸めは、射出成形プロセス中に製造されるか、又は、切削若しくは研削によって製造される。知られている製造方法の打ち抜きプロセスの点から見ると、この形状のチップカードを製造することはこれまで可能ではなかった。
発明のさらなる有利な変形例は、少なくとも一つの挿入方向をもつチップカードと、挿入方向に反する挿入を阻止する封止とを特色とする。射出成形テクノロジーの結果として、チップカードは、チップカードのホルダへの挿入を一方向だけで許可する挿入方向に広がる片側溝を設けることが可能である。挿入プロセス中に、ホルダの特別に設計されたガイドレールがこの溝と係合する。溝とガイドレールがないので、チップカードは逆さに挿入できない。その他の考えられる設計には、挿入方向に対してチップカードの先端に位置する凹部とラグが含まれる。この場合も、対応する手段が逆方向の挿入を阻止するためにホルダに設けられるべきである。
発明の目的は、複数個のチップカードが共通基板上に位置付けられ、個別のチップカードの封止は、チップカードが容易に切り離されるように間隔を空けられている、複数個のチップカードの配置によってさらに実現される。
チップカードのさらなる処理のため、複数個のチップカードを同時に操作することが有用である。SIMカードのストリップ又はロールは、たとえば、携帯無線電話機オペレータに供給され、オペレータが経済的な方法でチップカードを個人化することを可能にする。このプロセスの後に続いて、SIMカードは、たとえば、切断又はクリッピングによって切り離され、エンドユーザへ送られる。
これに関連して、基板が個別のチップカードの封止の間で穿孔されるならば有利である。上記の例に基づいて、カードは道具を用いなくても切り離される。穿孔のお陰で、個別のSIMカードは、ストリップ又はロールから容易に折り取られる。完全を期すために、発明のこの設計は、当然ながら、SIMカードに限定されることなく、チップカード一般に適用され得ることについて記載されるべきである。
発明の上記態様及びその他の態様は、後述される実施形態から明白であり、これらの実施形態に限定されることなく、実施形態を参照して説明される。
図1aは従来技術によるチップカードモジュールCMを示す。コンタクトフィールドKは基板Sの第1の面に塗布され、チップCは第1の面とは反対側にある基板Sの第2の面に接着させられる。チップCは、ワイヤDによってコンタクトフィールドKに接続され、上記ワイヤDは、基板Sの第1の面から第2の面に通じる基板S内の孔を通り抜ける。チップC及びワイヤDは、外部の影響からチップC及びワイヤDを保護する封止Vに埋め込まれ、この場合には基板Sより著しく小さい。
図1bはチップカードCCを示し、図1aからのこのチップカードモジュールはキャリア材料Tに接着させられている。キャリア材料Tは、切削のような方法によって製造された、チップカードモジュールCMより僅かに大きい凹部を特徴とする。チップカードモジュールは、接着層KLの助けによってキャリア材料Tに取り付けられ、キャリア材料と共にチップカードCCを形成する。キャリア材料Tは、たとえば、クレジットカード又はSIMカードのサイズを有する。ホルダの設計のために、チップカードCCは、チップカードCCの挿入後にコンタクトフィールドKとホルダのデバイスコンタクト部との間で確実な接触のため規定された厚さdをさらに持たなければならない。チップカードCCの挿入方向ERは、一般に、基板Sの第1の面と平行する。しかし、ホルダの設計に応じて、異なる挿入方向ERも可能である。
図2は、従来技術によるいわゆる「スマートメディアカード」SMCを示す。このようなカードは、たとえば、デジタルカメラ用のメモリカードとして使用される。図1bのチップカードCCとは大きく違って、キャリア材料は2部品で作られている。チップカードモジュールCMは、接着層KLの助けによって第1のキャリア部品T1に取り付けられ、その後に第2のキャリア部品T2を第1のキャリア部品に接着させる。代替案として、スマートメディアカードSMCを製造するため、2個のキャリア部品T1とT2を一体的に溶接することも可能である。スマートメディアカードSMCの最も一般的に使用される挿入方向ERは、この場合も、基板Sの第1の面と平行する。ホルダの設計のために、スマートメディアカードSMCは同様に、スマートメディアカードSMCの挿入後にコンタクトフィールドKとホルダのデバイスコンタクト部との間の確実な接触のため規定された厚さdを有することが必要である。
図3は、この場合にもコンタクトフィールドKが第1の面に塗布された基板Sを備える従来技術によるいわゆる「ボールグリッドアレイ」BGAを示す。しかし、この例では、基板Sは、上記のチップモジュールCMの基板よりも僅かに厚い。その理由は、ボールグリッドアレイBGAが、一般的に、複数個の接点をチップCに接続するため複数の導体層を必要とするからである。第1の面とは反対側にある基板Sの第2の面には、導体L1及びL2とチップCが位置付けられる。ここでも、チップCはワイヤDによって導体L1及びL2に接続され、導体L1及びL2が今度はコンタクトフィールドKに接続される。図1aによるチップカードモジュールCMとは大きく異なり、ワイヤDは基板Sの孔を通り抜けることなく、基板Sの第2の面で終端する。チップC及びワイヤDは、ボールグリッドアレイの場合には、基板Sとほぼ同じ大きさである封止Vによって封入される。コンタクトフィールドK上に位置する錫ボールは、ボールグリッドアレイBGAをデバイスボードに接続する。組立のため、ボールグリッドアレイBGAはボード上に置かれ、次に、錫ボールBが溶けてデバイスボード上の接点に接合されるまで上から加熱される。ボールグリッドアレイBGAの厚さdは、したがって、確実な接触に無関係である。
完全を期すため、いわゆる「ピングリッドアレイ」についてもここで取り上げるべきであり、その構造は、ボールグリッドアレイBGAの構造と類似しているが、錫ボールBとの平面コンタクトフィールドKはコンタクトピンによって置き換えられる。ピングリッドアレイの知られている例は、PC用の市販されているプロセッサである。ピングリッドアレイの挿入方向ERは基板Sの第1の面と直交する。ピングリッドアレイの厚さdは、したがって、確実な接触とは同様に無関係である。
図4は、本発明によるチップカードCCを最終的に表す。チップカードモジュールCMとの類比において、その構造は図1aに示された構造と類似するが、封止Vのサイズは基板Sのサイズと本質的に同じであり、封止Vの厚さdVは、チップカードCCの挿入後にコンタクトフィールドKとホルダのデバイスコンタクト部との間の確実な接触を保証するためにホルダの厚さと一致する。チップカードの挿入方向ERは、この場合も、基板Sの第1の面と平行である。しかし、ホルダのタイプに応じて、基板Sの第1の面と直交するようなその他の挿入方向ERもまた可能である。チップカードCCは、固定フラップを用いてホルダに挿入されると考えられる。
図1aによるチップカードCC及び図2によるスマートメディアカードSMCとの相違点は容易に特定される。これらは、チップカードCC又はスマートメディアカードSMCのそれぞれの外形寸法を定めるために付加的なキャリア材料T又はキャリア部品T1及びT2を必要とするが、本例では、基板Sと封止Vの寸法が必要に応じて決められる。
図5aは、複数個のチップC1、C2、C3、C4を含むチップカードCCを正面図と側面図で示す。コンタクトフィールドKは基板Sの第1の面に塗布され、第3のチップC3及び第4のチップC4は、第1の面と反対側にある基板Sの第2の面に接着させられる。第1のチップC1は第3のチップC3の上に搭載され、第2のチップC2は第4のチップC4の上に搭載される。第3のチップは従来技術によるSIMモジュールでもよく、第4のチップはNFCモジュールでもよく、第1のチップC1及び第2のチップC2は標準的なメモリチップでもよい。簡単のため、個別の電気接続は図に示されていない。チップC1、C2、C3、C4のすべては封止Vに埋め込まれ、封止は、本例では、挿入方向ERでのチップカードCCのホルダへの挿入を簡単化する面取り部Fを有する。その上、封止Vは、挿入方向ERとは逆にチップカードCCがホルダに挿入されることを阻止する溝Fを有する。
図5bは、略図的に表現されたホルダHVに、挿入方向ERで部分的に挿入された、図5aによるチップカードCCを示す。封止Vは、加圧デバイスAEとボディ接触し、コンタクトフィールドKはデバイスコンタクト部GKとボディ接触することが容易にわかる。一般的に使用されるホルダHVのデバイスコンタクト部GKは、通常、プラスチックで作られるので、比較的容易に変形させられる。厚さdVの適当な選択によって、コンタクトフィールドKとデバイスコンタクト部GKとの間の接触力は確実な電気接触のため調節され得る。
図6は、チップカードCC1..CC5の切り離しを簡単化するために穿孔Pが個別のチップカードCC1..CC5の間に設けられた、共通基板S上の複数個のチップカードCC1..CC5の配置を最終的に表す。共通基板S上の複数個のチップカードCC1..CC5の製造は特に経済的である。基板Sの弾性のために、複数個のチップカードCC1..CC5は巻き取られることもある。
結論として、発明の種々の実施形態の特長は、選択に応じて、個別に存在するか、又は、組み合わされることに注意すべきである。
Claims (13)
- 電気デバイスコンタクト部及び加圧デバイスを備えるホルダに挿入するチップカードであって、
第1の面及び反対側の第2の面を伴う電気絶縁平面基板と、
前記第1の面に塗布された金属平面コンタクトフィールドと、
前記第2の面に位置付けられ、前記コンタクトフィールドに電気接続されたチップと、
前記第2の面に位置付けられ、前記チップを封入するシングルピース封止と、
を備え、前記封止が、当該チップカードの挿入中に、前記封止が前記加圧デバイスとボディ接触し、前記コンタクトフィールドが前記デバイスコンタクト部とボディ接触し、前記コンタクトフィールドが前記デバイスコンタクト部に確実に電気接触させられる厚さを有する、
チップカード。 - 前記コンタクトフィールドの領域内の前記封止が、前記コンタクトフィールドが当該チップカードの挿入中に前記デバイスコンタクト部に確実に接触させられるベース面を有することを特徴とする、請求項1に記載のチップカード。
- 前記封止の前記ベース面が、前記基板のエッジを越えて突出することなく、少なくとも前記コンタクトフィールドと同じ大きさであることを特徴とする、請求項2に記載のチップカード。
- 前記基板に向かうエッジが前記コンタクトフィールドの周りに設けられることを特徴とする、請求項1に記載のチップカード。
- 前記基板が前記第1の面から前記第2の面に通じる孔を有し、前記封止が前記孔の中まで広がることを特徴とする、請求項1に記載のチップカード。
- 外形寸法が携帯電話機用のSIMカードの外形寸法と一致することを特徴とする、請求項1に記載のチップカード。
- 少なくとも1個のさらなるチップが前記第2の面に位置付けられたチップの上に配置され、前記封止がすべてのチップを封入することを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載のチップカード。
- 少なくとも1個のさらなるチップが前記第2の面に位置付けられた前記チップの隣りに配置され、前記封止がすべてのチップを封入することを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項記載のチップカード。
- 少なくとも1個の前記チップがプロセッサとして設計され、少なくとも1個の別のチップがメモリとして設計されることを特徴とする、請求項1から6のいずれか一に記載のチップカード。
- 少なくとも一つの挿入方向を有し、前記封止が前記方向への挿入を簡単化する形状を有することを特徴とする、請求項1に記載のチップカード。
- 少なくとも一つの挿入方向を有し、前記封止が前記挿入方向に反する挿入を阻止する形状を有することを特徴とする、請求項1に記載のチップカード。
- 共通基板上に位置付けられ、個別のチップカードの前記封止が、前記チップカードが容易に切り離されるように間隔を空けられていることを特徴とする、請求項1から11のいずれか一項記載の複数個のチップカードの配置。
- 前記基板が前記個別のチップカードの前記封止の間に穿孔が設けられていることを特徴とする、請求項12に記載の配置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP04103068 | 2004-06-30 | ||
PCT/IB2005/052040 WO2006003548A2 (en) | 2004-06-30 | 2005-06-22 | Chip card for insertion into a holder |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008504627A true JP2008504627A (ja) | 2008-02-14 |
Family
ID=35783219
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007518752A Withdrawn JP2008504627A (ja) | 2004-06-30 | 2005-06-22 | ホルダ挿入用チップカード |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8695881B2 (ja) |
EP (1) | EP1784765A2 (ja) |
JP (1) | JP2008504627A (ja) |
CN (1) | CN101228539A (ja) |
WO (1) | WO2006003548A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012059813A3 (en) * | 2010-11-02 | 2012-07-19 | Microconnections Sas | Sim card and manufacturing method |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE0700861L (sv) * | 2007-04-05 | 2008-07-29 | Straalfors Ab | Identitetsbärare |
DE102009006341A1 (de) * | 2009-01-27 | 2010-07-29 | Giesecke & Devrient Gmbh | Datenträgeranordnung |
EP2309430B1 (de) * | 2009-09-30 | 2015-01-07 | Cairon Group GmbH | Adapter für eine Mini-UICC-Karte |
US8544755B2 (en) * | 2010-06-28 | 2013-10-01 | United Test And Assembly Center Ltd. | Subscriber identity module (SIM) card |
CN102385713B (zh) * | 2010-09-01 | 2016-01-06 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 芯片银行卡及使用其的移动电话 |
US20140214687A1 (en) | 2011-07-20 | 2014-07-31 | Horatio Nelson Huxham | Cryptographic expansion device and related protocols |
WO2013166278A1 (en) | 2012-05-02 | 2013-11-07 | Visa International Service Association | Small form-factor cryptographic expansion device |
DE102014107299B4 (de) | 2014-05-23 | 2019-03-28 | Infineon Technologies Ag | Chipkartenmodul, Chipkarte, und Verfahren zum Herstellen eines Chipkartenmoduls |
CN106599977A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-04-26 | 郑州单点科技软件有限公司 | 一种芯片卡 |
CN112863744A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-28 | 协讯电子(吉安)有限公司 | 一种耐剪切力数据线 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5320552A (en) * | 1990-03-17 | 1994-06-14 | Amphenol-Tuchel Electronics Gmbh | Contacting apparatus, in particular a contacting apparatus for a subscriber identity module |
US5291061A (en) * | 1993-04-06 | 1994-03-01 | Micron Semiconductor, Inc. | Multi-chip stacked devices |
US5526235A (en) * | 1994-06-23 | 1996-06-11 | Garmin Communication And Navigation | Electronic storage device and receptacle |
DE19511775C1 (de) | 1995-03-30 | 1996-10-17 | Siemens Ag | Trägermodul, insb. zum Einbau in einen kartenförmigen Datenträger, mit Schutz gegen die Untersuchung geheimer Bestandteile |
CA2180807C (en) * | 1996-07-09 | 2002-11-05 | Lynda Boutin | Integrated circuit chip package and encapsulation process |
DE19640304C2 (de) * | 1996-09-30 | 2000-10-12 | Siemens Ag | Chipmodul insbesondere zur Implantation in einen Chipkartenkörper |
DE19713641A1 (de) | 1997-04-02 | 1998-10-08 | Ods Gmbh & Co Kg | Minichipkarte sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
JPH10320519A (ja) * | 1997-05-19 | 1998-12-04 | Rohm Co Ltd | Icカード通信システムにおける応答器 |
DE19745648A1 (de) * | 1997-10-15 | 1998-11-26 | Siemens Ag | Trägerelement für einen Halbleiterchip zum Einbau in Chipkarten |
DE69800330T2 (de) * | 1998-07-30 | 2001-05-17 | Molex Inc | IC-Kartenverbinder |
FR2783947B1 (fr) | 1998-09-29 | 2003-05-23 | Framatome Connectors Int | Connecteur pour lecteur de carte a microcircuit notamment pour carte de petit format |
US6193557B1 (en) * | 1999-04-01 | 2001-02-27 | Rocco Luvini | Chip card connector |
US6288905B1 (en) * | 1999-04-15 | 2001-09-11 | Amerasia International Technology Inc. | Contact module, as for a smart card, and method for making same |
GB2352315B (en) * | 1999-07-19 | 2003-12-03 | Nokia Mobile Phones Ltd | Sim card reader |
FR2797075B1 (fr) * | 1999-07-26 | 2001-10-12 | Gemplus Card Int | Procede de fabrication de dispositif portable a circuits integres, de type carte a puce de format reduit par rapport au format standard |
DE10111458B4 (de) * | 2001-03-09 | 2008-09-11 | Siemens Ag | Analyseeinrichtung |
KR100383744B1 (ko) | 2001-03-12 | 2003-05-14 | 한국몰렉스 주식회사 | 심카드 소켓 및 그 제조방법 |
CN1158662C (zh) | 2001-08-15 | 2004-07-21 | 万国电脑股份有限公司 | 多合一读卡机 |
US6975016B2 (en) * | 2002-02-06 | 2005-12-13 | Intel Corporation | Wafer bonding using a flexible bladder press and thinned wafers for three-dimensional (3D) wafer-to-wafer vertical stack integration, and application thereof |
JP2005085089A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Renesas Technology Corp | Icカードおよびその製造方法 |
US7213766B2 (en) * | 2003-11-17 | 2007-05-08 | Dpd Patent Trust Ltd | Multi-interface compact personal token apparatus and methods of use |
-
2005
- 2005-06-22 CN CNA2005800287566A patent/CN101228539A/zh active Pending
- 2005-06-22 EP EP05752144A patent/EP1784765A2/en not_active Withdrawn
- 2005-06-22 JP JP2007518752A patent/JP2008504627A/ja not_active Withdrawn
- 2005-06-22 WO PCT/IB2005/052040 patent/WO2006003548A2/en active Application Filing
- 2005-06-22 US US11/631,211 patent/US8695881B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012059813A3 (en) * | 2010-11-02 | 2012-07-19 | Microconnections Sas | Sim card and manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006003548A2 (en) | 2006-01-12 |
US8695881B2 (en) | 2014-04-15 |
US20090200381A1 (en) | 2009-08-13 |
CN101228539A (zh) | 2008-07-23 |
WO2006003548A3 (en) | 2008-04-10 |
EP1784765A2 (en) | 2007-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008504627A (ja) | ホルダ挿入用チップカード | |
KR101494916B1 (ko) | 듀얼 통신 인터페이스를 갖는 칩 카드 | |
US5671525A (en) | Method of manufacturing a hybrid chip card | |
US5598032A (en) | Hybrid chip card capable of both contact and contact-free operation and having antenna contacts situated in a cavity for an electronic module | |
US6517005B1 (en) | Method for making contactless cards with coiled antenna | |
KR101236577B1 (ko) | 이중 인터페이스 통신 전자 모듈 | |
US7742009B2 (en) | Antenna for the plug-in dual-interface smart card | |
US10685275B2 (en) | Method for fabricating a smart card device | |
JP4766053B2 (ja) | Sdメモリカードおよびsdメモリカードの製造方法 | |
KR20100106363A (ko) | Sim 어댑터 및 sim 카드 | |
JPH07290870A (ja) | 識別カード及びその製造方法 | |
US8390132B2 (en) | Chip card, and method for the production thereof | |
JP4109029B2 (ja) | Icカード代替機能を有する携帯機器 | |
US20070015338A1 (en) | Substrate applicable to both wire bonding and flip chip bonding, smart card modules having the substrate and methods for fabricating the same | |
CN108496187B (zh) | 用于制造芯片卡模块的方法和芯片卡 | |
JP4676812B2 (ja) | Uim用icカードとuim及びuim用icカードの製造方法 | |
US6521985B1 (en) | Method for the production of a portable integrated circuit electronic device comprising a low-cost dielectric | |
JP4422494B2 (ja) | Icカードおよびsim | |
US20170077590A1 (en) | Simplified electronic module for a smartcard with a dual communication interface | |
WO2019137638A1 (en) | Method for manufacturing a sim card and sim card | |
US20230252260A1 (en) | A method of forming a prelam body of a smart card, a method of forming a smart card, a prelam body, and a smart card | |
JP4580725B2 (ja) | Uim用icカードと小型サイズuim | |
EP1517267A1 (en) | Dual interface card | |
EP1055193B1 (en) | Data carrier with chip and fully enclosed connection means | |
CN107912065B (zh) | 具有至少一个用于无接触地传输信息的接口的智能卡坯件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080515 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080620 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20091029 |