JP2008311352A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】GaAs層3と、GaAs層の表面に配置された第1金属バッファ層2と、第1金属バッファ層上に配置された第1金属層1と、GaAs層の裏面に配置された第2金属バッファ層4と第2金属層5とを備えるGaAs基板構造と、GaAs基板構造上に配置され、第3金属層12と、第3金属層上に配置される金属コンタクト層11と、金属コンタクト層上に配置されるp型クラッド層10と、p型クラッド層に配置される多重量子井戸層9と、多重量子井戸層上に配置されるn型クラッド層8と、n型クラッド層上に配置されるウィンドウ層7を備える発光ダイオード構造とから構成され、第1金属層1および第3金属層12を用いて、GaAs基板構造と、発光ダイオード構造を貼り付けることを特徴とする。
【選択図】図5
Description
(素子構造)
図1は、本発明の実施の形態に係る半導体発光素子およびその製造方法の原理説明図である。図1(a)は、GaAs基板の模式的断面構造図を示す。
(素子構造)
図6は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体発光素子およびその製造方法に適用されるLEDの模式的断面構造を示す。また、図7は、本発明の第2の実施の形態の変形例に係る半導体発光素子およびその製造方法に適用されるLEDの模式的断面構造を示す。
本発明の第2の実施の形態の変形例に係る半導体発光素子およびその製造方法に適用されるLEDは、図7に示すように、金属層12と、金属層12上に配置される金属バッファ層18と、金属バッファ層18上に配置され,パターニングされた金属コンタクト層11および絶縁層17と、パターニングされた金属コンタクト層11および絶縁層17上に配置されるp型クラッド層10と、p型クラッド層10上に配置されるMQW層9と、MQW層9上に配置されるn型クラッド層8と、n型クラッド層8上に配置されるウィンドウ層7を備える。
(素子構造)
図9は、本発明の第3の実施の形態に係る半導体発光素子およびその製造方法に適用されるGaAs基板の模式的断面構造を示す。また、図10は、本発明の第3の実施の形態に係る半導体発光素子およびその製造方法に適用されるLEDの模式的断面構造を示す。
(素子構造)
図12は、本発明の第4の実施の形態に係る半導体発光素子およびその製造方法に適用されるシリコン基板の模式的断面構造を示す。また、図13は、本発明の第4の実施の形態に係る半導体発光素子およびその製造方法に適用されるLEDの模式的断面構造を示す。図14は、本発明の第4の実施の形態に係る半導体発光素子およびその製造方法に適用されるLEDの模式的平面パターン構造を示し、図15は、別の模式的平面パターン構造を示す。
金属コンタクト層11のパターン幅が広い場合には、実質的な発光領域が制限されるため、面積効率が低下し発光効率が減少する。一方、金属コンタクト層11のパターン幅が狭い場合には、金属コンタクト層11の面積抵抗が増大し、LEDの順方向電圧Vfが上昇する。このため、最適なパターン幅WおよびパターンピッチD1が存在する。幾つかのパターン例では、六角形を基本とするハニカムパターン構造、或いは、円形ドット形状を基本構造とする円形ドットパターン構造が存在する。
本発明の第4の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法を以下に説明する。
図22は、本発明の第4の実施の形態の変形例に係る半導体発光素子の製造方法の一工程を説明する模式的断面構造を示す。また、図23は、本発明の第4の実施の形態の別の変形例に係る半導体発光素子の製造方法の一工程を説明する模式的断面構造を示す。
上記のように、本発明は第1乃至第4の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
2、4、18…金属バッファ層
3…p型GaAs層
6…n型GaAs層
7…ウィンドウ層
8…n型クラッド層
9…多重量子井戸(MQW)層
10…p型クラッド層
11…金属コンタクト層(AuBe−Ni合金)
15、23…GaAs基板
17…絶縁層
21…シリコン(Si)基板
22、27…チタン(Ti)層
24…AlInGaP層
25…n型GaAs層
26…エピタキシャル成長層
29…表面電極層
30…フロスト処理領域
31…阻止層
32、34…金属バッファ層(AuGe−Ni合金)
28、35…裏面電極層
40…エアギャップ(空隙)
Claims (40)
- 表面に複数の溝部を形成したGaAs層と、前記GaAs層の前記表面,前記溝部の側壁および前記溝部の底面に配置された第1金属バッファ層と、前記第1金属バッファ層上に配置された第1金属層と、前記GaAs層の裏面に配置された第2金属バッファ層と、前記第2金属バッファ層の前記GaAs層と反対側の表面に配置された第2金属層とを備えるGaAs基板構造と、
前記GaAs基板構造上に配置され、第3金属層と、前記第3金属層上に配置される金属コンタクト層と、前記金属コンタクト層上に配置されるp型クラッド層と、前記p型クラッド層に配置される多重量子井戸層と、前記多重量子井戸層上に配置されるn型クラッド層と、前記n型クラッド層上に配置されるウィンドウ層を備える発光ダイオード構造とから構成され、
前記GaAs層の前記表面に配置された前記第1金属層および前記第3金属層を用いて、前記GaAs基板構造と、前記発光ダイオード構造を貼り付けるとともに、前記溝部の前記第1金属層と前記第3金属層との間にはエアギャップが存在することを特徴とする半導体発光素子。 - 前記GaAs層の導電型はp型であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記GaAs層の導電型はn型であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記発光ダイオード構造側に予め配置された前記第3金属層によって、金属反射層が形成されることを特徴とする請求項1〜3の内、いずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記発光ダイオード構造からの放射光は、前記p型クラッド層と、前記第3金属層との界面に形成されたミラー面において反射されることを特徴とする請求項1〜4の内、いずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記第3金属層と前記p型クラッド層との界面に介在される前記金属コンタクト層は前記ミラー面の一部を形成していることを特徴とする請求項1〜5の内、いずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記GaAs層の前記表面に配置された前記第1金属層および前記第3金属層を熱圧着によって貼り付けるによって、前記GaAs基板構造と、前記発光ダイオード構造を貼り付けることを特徴とする請求項1〜6の内、いずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記第3金属層は、Au層で形成されることを特徴とする請求項1〜7の内、いずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 表面に複数の溝部を形成したGaAs基板と、
前記GaAs基板の前記表面,前記溝部の側壁および前記溝部の底面に配置される金属層と、
前記GaAs基板の前記表面上の前記金属層上に配置され,パターニングされた金属コンタクト層および絶縁層と、
パターニングされた前記金属コンタクト層および前記絶縁層上に配置されるp型クラッド層10と、
前記p型クラッド層上に配置される多重量子井戸層と、
前記多重量子井戸層上に配置されるn型クラッド層と、
前記n型クラッド層上に配置されるウィンドウ層を備える発光ダイオード構造とから構成され、
前記GaAs基板の前記表面上の前記金属層を用いて、前記GaAs基板と、前記発光ダイオード構造を貼り付けると共に、前記溝部の前記金属層と前記発光ダイオード構造との間にはエアギャップが存在することことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記金属層上に配置され,前記金属層と、パターニングされた前記金属コンタクト層および前記絶縁層との間に金属バッファ層をさらに備えることを特徴とする請求項9に記載の半導体発光素子。
- 前記金属バッファ層は、Ag、Al、Ni、Cr若しくはWのいずれかにより形成されることを特徴とする請求項10に記載の半導体発光素子。
- 前記金属コンタクト層は、六角形を基本とするハニカムパターン構造、或いは、円形を基本とするドットパターン構造を有することを特徴とする請求項10または11に記載の半導体発光素子。
- 前記GaAs基板の前記表面上の前記金属層を前記GaAs基板と熱圧着によって貼り付けることによって、前記GaAs基板構造と、前記発光ダイオード構造を貼り付けることを特徴とする請求項9〜12の内、いずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記金属層は、Au層で形成されることを特徴とする請求項9〜13の内、いずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記発光ダイオード構造側に予め配置された前記金属層によって、金属反射層が形成されることを特徴とする請求項9〜14の内、いずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記発光ダイオード構造からの放射光は、前記絶縁層と、前記金属層との界面に形成されたミラー面において反射されることを特徴とする請求項9〜15の内、いずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記金属層と前記絶縁層との界面に介在される前記金属バッファ層は前記ミラー面の一部を形成していることを特徴とする請求項16に記載の半導体発光素子。
- 前記金属コンタクト層は、AuBe層あるいはAuBeとNiとの合金層、若しくはAu層/AuBe−Ni合金層/Au層の積層構造により形成されることを特徴とする請求項9〜17の内、いずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記絶縁層は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、SiON膜、SiOxNy膜、或いはこれらの多層膜のいずれかにより形成されることを特徴とする請求項9〜18の内、いずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 表面に複数の溝部を形成したGaAs基板と、前記GaAs基板の前記表面,前記溝部の側壁および前記溝部の底面上に配置された第1金属層とを備えるGaAs基板構造と、
当該GaAs基板構造上に配置され、第2金属層と、前記第2金属層上に配置されるp型クラッド層と、前記p型クラッド層上に配置される多重量子井戸層と、前記多重量子井戸層上に配置されるn型クラッド層と、前記n型クラッド層上に配置されるウィンドウ層を備える発光ダイオード構造とから構成され、
前記GaAs基板の前記表面上の前記第1金属層および前記第2金属層を用いて、前記GaAs基板と、前記発光ダイオード構造を貼り付けると共に、前記溝部の前記第1金属層と前記発光ダイオード構造との間にはエアギャップが存在することを特徴とする半導体発光素子。 - 前記発光ダイオード構造側に予め配置された前記第2金属層によって、金属反射層が形成され、前記発光ダイオード構造からの放射光は、前記p型クラッド層と、前記第2金属層との界面に形成されるミラー面において反射されることを特徴とする請求項20に記載の半導体発光素子。
- 前記GaAs基板の前記表面上の前記第1金属層および前記第2金属層を熱圧着によって貼り付けることによって、前記GaAs基板構造と、前記発光ダイオード構造を貼り付けることを特徴とする請求項20または21に記載の半導体発光素子。
- 前記第1金属層および前記第2金属層は、いずれもAu層で形成されることを特徴とする請求項20〜22の内、いずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 表面に複数の溝部を形成したシリコン基板と、前記シリコン基板の前記表面,前記溝部の側壁および前記溝部の底面上に配置されるチタン層と、前記チタン層上に配置される第1金属層とから構成されるシリコン基板構造と、
前記第1金属層上に配置される第2金属層と、前記第2金属層上に配置され,パターニングされた金属コンタクト層および絶縁層と、パターニングされた前記金属コンタクト層および前記絶縁層上に配置され,露出された表面にフロスト処理領域を有するエピタキシャル成長層と、前記エピタキシャル成長層上に配置され,パターニングされたn型GaAs層と、前記n型GaAs層上に配置され,パターニングされた表面電極層とから構成されるLED構造とを備え、
前記シリコン基板の前記表面上の前記第1金属層および前記第2金属層を用いて、前記シリコン基板構造と、前記発光ダイオード構造を貼り付けると共に、前記溝部の前記第1金属層と前記LED構造との間にはエアギャップが存在することを特徴とする半導体発光素子。 - 前記シリコン基板構造において、前記シリコン基板の裏面には、裏面電極層が配置され、前記エピタキシャル成長層と前記n型GaAs層の間には、電流集中を防止するための阻止層を配置することを特徴とする請求項24に記載の半導体発光素子。
- 前記阻止層は、GaAsにより形成されることを特徴とする請求項25に記載の半導体発光素子。
- 前記発光ダイオード構造側に予め配置された前記第2金属層によって、金属反射層が形成され、前記発光ダイオード構造からの放射光は、前記絶縁層と、前記第2金属層との界面に形成されるミラー面において反射されることを特徴とする請求項24〜26の内、いずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記シリコン基板の前記表面上の前記第1金属層および前記第2金属層を熱圧着によって貼り付けることによって、前記シリコン基板構造と、前記発光ダイオード構造を貼り付けることを特徴とする請求項24〜27の内、いずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記第1金属層および前記第2金属層は、いずれもAu層で形成されることを特徴とする請求項24〜28の内、いずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 表面に複数の溝部を形成したGaAs基板と、前記GaAs基板の前記表面,前記溝部の側壁および前記溝部の底面上に配置される金属バッファ層と、前記金属バッファ層上に配置される第1金属層とから構成されるGaAs基板構造と、
前記第1金属層上に配置される第2金属層と、前記第2金属層上に配置され,パターニングされた金属コンタクト層および絶縁層と、パターニングされた前記金属コンタクト層および前記絶縁層上に配置され,露出された表面にフロスト処理領域を有するエピタキシャル成長層と、前記エピタキシャル成長層上に配置され,パターニングされたn型GaAs層と、前記n型GaAs層上に配置され,パターニングされた表面電極層とから構成されるLED構造を備え、
前記GaAs基板の前記表面上の前記第1金属層および前記第2金属層を用いて、前記GaAs基板構造と、前記発光ダイオード構造を貼り付けると共に、前記溝部の前記第1金属層上に配置される第2金属層と前記LED構造との間にはエアギャップが存在することを特徴とする半導体発光素子。 - 前記GaAs基板構造において、前記GaAs基板の裏面には、裏面電極層が配置され、前記エピタキシャル成長層と前記n型GaAs層の間には、電流集中を防止するための阻止層を配置することを特徴とする請求項30に記載の半導体発光素子。
- 前記阻止層は、GaAsにより形成されることを特徴とする請求項31に記載の半導体発光素子。
- 前記発光ダイオード構造側に予め配置された前記第2金属層によって、金属反射層が形成され、前記発光ダイオード構造からの放射光は、前記絶縁層と、前記第2金属層との界面に形成されるミラー面において反射されることを特徴とする請求項30〜32の内、いずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記GaAs基板の前記表面上の前記第1金属層および前記第2金属層を熱圧着によって貼り付けることによって、前記GaAs基板構造と、前記発光ダイオード構造を貼り付けることを特徴とする請求項30〜33の内、いずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記第1金属層および前記第2金属層は、いずれもAu層で形成されることを特徴とする請求項30〜34の内、いずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記金属層上に配置され,前記金属層と、パターニングされた前記金属コンタクト層および前記絶縁層との間に金属バッファ層をさらに備えることを特徴とする請求項30〜35の内、いずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記金属バッファ層は、Ag、Al、Ni、Cr若しくはWのいずれかにより形成されることを特徴とする請求項36に記載の半導体発光素子。
- 貼付け用の半導体基板構造、および貼付け用の発光ダイオード構造を準備する工程と、
前記半導体基板構造においては、半導体基板の表面に複数の溝部を形成した後、前記半導体基板上に第1金属層を形成する工程と、
前記発光ダイオード構造においては、GaAs基板上にAlInGaP層、n型GaAs層、エピタキシャル成長層を順次形成する工程と、
前記エピタキシャル成長層上に、パターニングされた絶縁層に対して、金属コンタクト層および第2金属層を形成する工程と、
前記半導体基板の前記表面上の前記第1金属層を用いて、前記半導体基板と、前記貼付け用のLED構造を熱圧着により貼り付けると共に、前記溝部の前記第1金属層と前記LED構造との間にはエアギャップを形成する工程と、
前記GaAs基板をエッチングにより除去する工程と、
前記AllnGaP層を除去する工程と、
表面電極層をパターン形成する工程と、
フロスト処理を実施して、前記表面電極層の直下の前記n型GaAs層以外の前記n型GaAs層の除去を行う工程と
を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記AllnGaP層を除去する工程後、前記表面電極層をパターン形成する工程前に電流集中を阻止するための阻止層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項38に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記阻止層はGaAsにより形成されることを特徴とする請求項39に記載の半導体発光素子の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010251531A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
KR101728545B1 (ko) * | 2010-04-23 | 2017-04-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100599012B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2006-07-12 | 서울옵토디바이스주식회사 | 열전도성 기판을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는방법 |
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US8299455B2 (en) * | 2007-10-15 | 2012-10-30 | International Business Machines Corporation | Semiconductor structures having improved contact resistance |
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JP2010067890A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
CN101840966B (zh) * | 2009-05-08 | 2013-07-03 | 晶能光电(江西)有限公司 | 半导体发光器件以及制备发光二极管的方法 |
KR101081193B1 (ko) | 2009-10-15 | 2011-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101014013B1 (ko) * | 2009-10-15 | 2011-02-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101072034B1 (ko) * | 2009-10-15 | 2011-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
CN102376830B (zh) * | 2010-08-19 | 2015-07-08 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
KR101138951B1 (ko) * | 2010-08-23 | 2012-04-25 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광다이오드 |
US8154034B1 (en) * | 2010-11-23 | 2012-04-10 | Invenlux Limited | Method for fabricating vertical light emitting devices and substrate assembly for the same |
TWI419367B (zh) * | 2010-12-02 | 2013-12-11 | Epistar Corp | 光電元件及其製造方法 |
TWI546979B (zh) * | 2012-03-05 | 2016-08-21 | 晶元光電股份有限公司 | 對位接合之發光二極體裝置與其製造方法 |
KR20140018534A (ko) * | 2012-08-02 | 2014-02-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
JP6068091B2 (ja) * | 2012-10-24 | 2017-01-25 | スタンレー電気株式会社 | 発光素子 |
TWI563686B (en) * | 2012-12-21 | 2016-12-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Led chip and method manufacturing the same |
TWI644451B (zh) * | 2013-07-10 | 2018-12-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件 |
CN103594579B (zh) * | 2013-11-06 | 2016-04-13 | 南昌黄绿照明有限公司 | 一种氮化物发光二极管的外延结构 |
DE102014108301A1 (de) * | 2014-06-12 | 2015-12-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips |
KR20160037060A (ko) * | 2014-09-26 | 2016-04-05 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광소자 및 그 제조 방법 |
US9773906B2 (en) * | 2015-04-28 | 2017-09-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Relaxed semiconductor layers with reduced defects and methods of forming the same |
KR102336432B1 (ko) * | 2015-09-01 | 2021-12-07 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 및 발광소자 패키지 |
KR102573271B1 (ko) * | 2018-04-27 | 2023-08-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
US20230106189A1 (en) * | 2021-10-01 | 2023-04-06 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Patterning of diode/substrate interface to reduce thermal lensing |
CN116364825A (zh) * | 2023-06-01 | 2023-06-30 | 江西兆驰半导体有限公司 | 复合缓冲层及其制备方法、外延片及发光二极管 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11103090A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード |
JP2004146593A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2005044887A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体貼り合わせ結合体及びその製造方法、並びに発光素子及びその製造方法 |
JP2005236304A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 垂直構造を有する有機接着発光素子 |
JP2005353809A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5376580A (en) | 1993-03-19 | 1994-12-27 | Hewlett-Packard Company | Wafer bonding of light emitting diode layers |
US5565694A (en) * | 1995-07-10 | 1996-10-15 | Huang; Kuo-Hsin | Light emitting diode with current blocking layer |
US5759753A (en) * | 1995-07-19 | 1998-06-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric device and method of manufacturing the same |
JP2907170B2 (ja) * | 1996-12-28 | 1999-06-21 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光素子 |
US6406636B1 (en) * | 1999-06-02 | 2002-06-18 | Megasense, Inc. | Methods for wafer to wafer bonding using microstructures |
US20020017652A1 (en) * | 2000-08-08 | 2002-02-14 | Stefan Illek | Semiconductor chip for optoelectronics |
FR2857502B1 (fr) * | 2003-07-10 | 2006-02-24 | Soitec Silicon On Insulator | Substrats pour systemes contraints |
TWI223460B (en) * | 2003-09-23 | 2004-11-01 | United Epitaxy Co Ltd | Light emitting diodes in series connection and method of making the same |
JP2005223207A (ja) | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
US7705465B2 (en) * | 2005-04-01 | 2010-04-27 | Panasonic Corporation | Surface-mount type optical semiconductor device and method for manufacturing the same |
-
2007
- 2007-06-13 JP JP2007156381A patent/JP5123573B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-06-06 CN CN2008800199380A patent/CN101681970B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-06 KR KR1020107000402A patent/KR101473038B1/ko active IP Right Grant
- 2008-06-06 US US12/452,027 patent/US8039864B2/en active Active
- 2008-06-06 EP EP08765289.7A patent/EP2157623B1/en not_active Not-in-force
- 2008-06-06 WO PCT/JP2008/060476 patent/WO2008152988A1/ja active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11103090A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード |
JP2004146593A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2005044887A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体貼り合わせ結合体及びその製造方法、並びに発光素子及びその製造方法 |
JP2005236304A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 垂直構造を有する有機接着発光素子 |
JP2005353809A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010251531A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
KR101728545B1 (ko) * | 2010-04-23 | 2017-04-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101473038B1 (ko) | 2014-12-15 |
CN101681970A (zh) | 2010-03-24 |
US20100133505A1 (en) | 2010-06-03 |
EP2157623A1 (en) | 2010-02-24 |
EP2157623B1 (en) | 2017-01-18 |
CN101681970B (zh) | 2011-08-24 |
EP2157623A4 (en) | 2013-12-25 |
US8039864B2 (en) | 2011-10-18 |
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WO2008152988A1 (ja) | 2008-12-18 |
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