JP2008300488A - 光源装置、プロジェクタ、モニタ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】放熱性を向上させた光源装置を提供すること。
【解決手段】支持体１１と、支持体１１に載置された発光素子１２と、発光素子１２と電気的に接続された配線基板２０とを備え、発光素子１２は、発光部１２ａと、第１の電極１３と、第２の電極１４とを有し、第２の電極１４は、支持体１１上に形成された支持体電極９と接続されており、配線基板２０は絶縁層２３を介して積層された第１の配線層２２と第２の配線層２４とを有し、第１の配線層２２から延在する第１の端子２２ａは第１の電極１３と接続されて第１の接続部２２Ａを形成し、第２の配線層２４から延在する第２の端子２４ａは支持体電極９と接続されて第２の接続部２４Ａを形成しており、第１の接続部２２Ａと第２の接続部２４Ａのうちの少なくとも一方が、電極上に端子が重なった接続構造を有することを特徴とする光源装置１とした。
【選択図】図２

Description

本発明は、光源装置、プロジェクタ、モニタ装置に関する。

半導体レーザー装置の半導体レーザーチップへの給電は、回路基板の配線層と半導体レーザーチップの電極とをボンディングワイヤで結線することで行われていた。（特許文献１）
特開２００４−６５９２号公報

ところが、ボンディングワイヤによる結線では、ボンディングワイヤと半導体レーザーチップの電極との接触面積が小さく、半導体レーザーチップからの放熱を十分に行うことができない。その結果、半導体レーザーチップの温度が上昇し、レーザ特性に影響を与えている。

本発明は、放熱性を向上させた光源装置、プロジェクタ、及びモニタ装置を提供することを目的とするものである。

支持体と、前記支持体に載置された発光素子と、前記発光素子と電気的に接続された配線基板とを備えた光源装置であって、前記発光素子は、光を射出する発光部と、前記支持体と反対側の面に形成された第１の電極と、前記支持体に対向する面に形成された第２の電極とを有し、前記第２の電極は、前記支持体上に形成された支持体電極と接続されており、前記配線基板は絶縁層を介して積層された第１の配線層と第２の配線層とを有し、前記第１の配線層から延在する第１の端子は前記第１の電極と接続されて第１の接続部を形成し、前記第２の配線層から延在する第２の端子は前記支持体電極と接続されて第２の接続部を形成しており、前記第１の接続部と前記第２の接続部のうちの少なくとも一方が、前記電極上に前記端子が重なった接続構造を有することを特徴とする光源装置である。
このような構造を備えることで、前記発光素子から前記支持体への放熱経路に加え、前記第１の接続部から前記第１の端子を介して前記第１の配線層への放熱経路、あるいは前記第２の接続部から前記第２の端子を介して前記２の配線層へと放熱経路を形成することができる。特に、電極上に重なって端子が接続されている接続部において発光素子の熱を効率よく配線層に放熱することができる。これにより、放熱性を向上させた光源装置とすることができる。

前記発光素子は所定方向に配列された複数の前記発光部を有し、前記第１の接続部と前記第２の接続部のうちの少なくとも一方が、前記発光部の配列方向に沿って配置されていることが好ましい。
このような構造を備えることで、前記第１の接続部及び前記第２の接続部の少なくとも一方が、前記複数の発光部が配列された長手方向の領域に沿っているので、前記複数の発光部に発生した熱を第１の接続部または第２の接続部を介して効率良く放熱することができる。

前記第１の端子と前記第２の端子のうちの少なくとも一方が前記各発光部に対応して分割されていることが好ましい。
このような構造を備えることで、前記第１の端子及び前記第２の端子の少なくとも一方が前記発光部に対応して分割されているので、分割された前記端子間への放熱経路を形成することができるとともに、前記各発光部で発生した熱を、前記発光部から前記配線層へと効率良く放熱することができる。そのため、前記発光部間の熱干渉を防止でき、前記発光部の配列方向に沿って、発光素子の中央部が高く端部が低くなる温度分布を緩和することができる。その結果、温度分布により前記複数の発光部から射出される光の特性がばらつくことを抑えることができる。また、前記支持体電極、前記第２の端子及び前記第２の配線層を前記発光部に対応して分割しておけば、発光部を個別に駆動することが可能となり、発光部毎の出力特性やＯＮ・ＯＦＦなどの制御が可能となる。これにより、消費電力を抑え、発熱量を抑えた光源装置とすることができる。

前記第１の電極と接続された前記第１の端子に端子開口部が形成され、前記第１の電極には前記発光部に対応して電極開口部が形成されており、前記端子開口部内に前記電極開口部が配置されるとともに、前記電極開口部によって光を射出する前記発光部が設けられていることが好ましい。
このような構造を備えることで、前記第１の端子が前記第１の電極の略全面に形成されるので、前記第１の端子を介して前記第１の第１の配線層への放熱を効率良く行うことができる光源装置とすることができる。

前記第１の接続部が、前記発光素子の前記発光部が形成された面の少なくとも１辺に沿って設けられていることが好ましい。
このような構成とすれば、前記第１の接続部が、前記発光素子の前記発光部が形成された面の少なくとも１辺以上であることにより、第１の接続部からの放熱の流路を増やすことができるので、放熱性が向上する。

前記第１の接続部が、複数の前記発光部を取り囲んでいることが好ましい。
このような構成とすれば、第１の接続部を介した放熱経路をさらに増やすことができ、極めて効率よく発光素子の熱を取り除くことができる。

前記第１の配線層と前記第２の配線層とが平面的に重なっていることが好ましい。
このような構造を備えることで、前記第１の配線層と前記第２の配線層との間隔を狭くすることができるので、インダクタンスを低減した光源装置とすることができる。これにより、前記発光部の駆動パルスの立ち上がりを急峻にすることができ、駆動効率を向上させることができる。

本発明の光源装置を備えたプロジェクタである。
このような構造を備えることで、光源装置の放熱性を向上させることができるので、自己発熱によるレーザ特性の変化を抑えたプロジェクタとすることができる。

本発明の光源装置を備えたモニタ装置である。
このような構造を備えることで、光源装置の放熱性を向上させることができるので、自己発熱によるレーザ特性の変化を抑えたモニタ装置とすることができる。

以下、図面を参照して、本発明に係る光源装置、プロジェクタ及びモニタ装置の実施形態について説明する。なお、以下の図面においては、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。

［第１の実施形態］
図１は、本実施形態の光源装置１の概略斜視図である。図２（ａ）は、光源装置１の半導体レーザチップ１２及び周辺の構成を示す平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。これらの図を用いて、光源装置１の構成について説明する。

光源装置１は、保持部材１０と、支持体１１と、半導体レーザチップ１２と、電流供給基板（配線基板）２０と、固定部材４０と、波長変換素子３０とを備えている。保持部材１０上に支持体１１が載置され、支持体１１上に半導体レーザチップ（発光素子）１２が載置されている。波長変換素子３０は、半導体レーザチップ１２に対して支持体１１と反対側に配置されている。波長変換素子３０は、保持部材１０に載置された固定部材４０に固定されている。また、半導体レーザチップ１２には、電流供給基板２０が接続されている。

保持部材１０は、支持体１１と固定部材４０とを位置決めした状態で支持する部材である。保持部材１０の材質は任意のものを用いることができるが、高熱伝導性を有することが好ましい。保持部材１０の材質としては、例えば、セラミックスやＣｕ（銅）などを挙げることができる。セラミックスやＣｕは、高熱伝導性を有するので、半導体レーザチップ１２から支持体１１へと効率的に放熱することができる。

支持体１１は、保持部材１０上に載置されて半導体レーザチップ１２を支持している。支持体１１の材質は、高熱伝導性を有するものが好ましい。支持体１１の材質としては、例えば、セラミックスを挙げることができる。セラミックスは、高熱伝導性を有するとともに、低熱膨張性を有する材質である。これにより、熱伝導による温度上昇が発生しても支持体１１が変形しないので、複数のエミッタ１２ａから射出されるレーザ光の平行度はほとんど変化しない。

半導体レーザチップ１２と対向する支持体１１の上面には、半導体レーザチップ１２と電気的に接続するための支持体電極９が配置されている。支持体電極９は、支持体１１の上面の略全面を覆って形成されており、エミッタ１２ａの共通電極として用いられる。また、半導体レーザチップ１２で覆われない支持体電極９は露出している。

半導体レーザチップ１２は平面視略矩形状で、レーザ光を照射する複数のエミッタ１２ａが半導体レーザチップ１２の長手方向（Ｙ軸方向）に沿って直線状に配列されている（図２（ａ））。

半導体レーザチップ１２は、エミッタ基板１５を基材として備えている。略矩形状のエミッタ基板１５上面には、カソード電極（第１の電極）１３がエミッタ（発光部）１２ａのための複数の電極開口部１３ｂを有して配置されている。すなわち、各々の電極開口部１３ｂに対応してエミッタ１２ａが設けられている。

エミッタ基板１５の下面には、第１の反射層１６、活性層１７、第２の反射層１８、アノード電極（第２の電極）１４が順次積層されている。第１の反射層１６、活性層１７、第２の反射層１８は各エミッタ１２ａに対して共通であるが、アノード電極１４はそれぞれのエミッタ１２ａに対応して独立に配置されている。活性層１７において、アノード電極１４上に平面視で重なる領域には、電流狭窄された活性領域１７ａが形成されこの部分から光が生成される。

アノード電極１４と支持体電極９とは、接合材１９ｂを介して接続されている。接合材１９ｂとしては、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ａｕ−Ｓｕ（金とスズの合金）、ＩＮ−Ａｇ（インジウムと銀との合金）などの低融点材料が用いられる。

波長変換素子３０は、図示Ｚ軸方向に延在し、入射端面３０ａが半導体レーザチップ１２のエミッタ１２ａに対向するように配置されている。波長変換素子３０は、エミッタ１２ａから射出されたレーザ光（赤外光）の波長を変えることで、赤色、緑色、青色の光を得るために用いられる。

固定部材４０は、端面４０ａ，４０ｂ側に２つの直方体状の脚部４０ｃ，４０ｄが設けられている。そして、この２つの脚部４０ｃ，４０ｄ上に、波長変換素子３０が載置されている。このようにして、半導体レーザチップ１２と波長変換素子３０との位置関係は一定に保たれている。

電流供給基板２０は、保護層２１及び保護層２６で挟持されたカソード配線層（第１の配線層）２２の保護層２６と、保護層２５及び保護層２７で挟持されたアノード配線層（第２の配線層）２４の保護層２７とが、接着剤層（絶縁層）２３を介して接続されたものである。また、支持体１１上では、保護層２１、２５、２６、２７及び接着剤層２３は形成されておらず、カソード配線層２２の端子部（第１の端子）２２ａ、及びアノード配線層２４の端子部（第２の端子）２４ａが引き出され、半導体レーザチップ１２と接続されている。

保護層２１、２５、２６、２７及び接着剤層２３の材質としては、ポリイミド、アクリル、エポキシなどの絶縁性を有する樹脂、またはガラスエポキシなどが用いられる。

カソード配線層２２、及びアノード配線層２４の材質としてはＣｕ（銅）などが用いられる。カソード配線層２２、及びアノード配線層２４は、メッキ法、金属箔及び複数の金属箔を貼り合わせることなどにより薄膜状に形成される。カソード配線層２２、及びアノード配線層２４の膜厚は３０μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。膜厚が３０μｍ未満では、配線層２２、２４の強度が不足し、５００μｍを超える範囲では材料費が多大となる。また、配線層２２、２４に対して、端子部２２ａ、２４ａを厚く形成したものを採用することも可能である。

また、支持体１１上に引き出されたカソード配線層２２の端子部２２ａ、及びアノード配線層２４の端子部２４ａは、前述した銅の薄膜をそのまま用いてもよいが、ＣｕＷ（銅タングステン合金）、ＢｅＯ（酸化ベリリウム）などの熱伝導率が大きい材料を用いてもよい。また、銅の薄膜にＮｉ（ニッケル）やＡｕ（金）でメッキ処理を施したものを端子部２２ａ、２４ａとして用いることもできる。これにより、端子部２２ａ、２４ａは電気伝導度が向上するとともに、熱伝導性が向上し放熱性が向上する。

半導体レーザチップ１２側に引き出されたアノード配線層２４の端子部２４ａは、接合材１９ｃを介して、支持体電極９の端子部９ａに接続され、これらが電流供給基板２０と半導体レーザチップ１２との接続構造における第２の接続部２４Ａを形成している。アノード配線層２４の端子部２４ａの幅は、エミッタ１２ａの配列方向に広がっている。

半導体レーザチップ１２側に引き出されたカソード配線層２２の端子部２２ａは、接合材１９ａを介して、カソード電極１３の辺端部１３ａに接続され、これらが電流供給基板２０と半導体レーザチップ１２との接続構造における第１の接続部２２Ａを形成している。カソード配線層２２は、支持体１１上において、平面視でアノード配線層２４と重なるように配置されている。

接合材１９ａ、１９ｃとしては、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ａｕ−Ｓｕ（金とスズの合金）などの低融点材料が用いられる。

カソード配線層２２とカソード電極１３との接続、アノード配線層２４と支持体電極９との接続、及びアノード電極１４と支持体電極９との接続は、加熱、加圧して両者を接着させる熱圧着法により行われる。熱圧着には、図示は省略の圧着用治具が用いられる。

なお、本実施形態においては、カソード配線層２２とアノード配線層２４とが平面的に重なって配置されているため、カソード配線層２２の端子部２２ａとアノード配線層２４の端子部２４ａとを同時に接続することができない。このため、まず、アノード配線層２４と、これを挟持する保護層２１及び保護層２６が形成された第１の配線基板と、カソード配線層２４と、これを挟持する保護層２５及び保護層２７が形成された第２の配線基板とを用意する。そして、はじめにアノード配線層２４の端子部２４ａを支持体電極９の端子部９ａに接続して第２の配線基板を支持体１１に固着し、次いでカソード配線層２２の端子部２２ａをカソード電極１３の端部１３ａに接続して第１の配線基板を半導体レーザチップ１２に固着する。その後、カソード配線層２２の保護層２６と、アノード配線層２４の保護層２７との間に接着剤層２３設け、第１の配線基板と第２の配線基板とを貼り合わせて電流供給基板２０とする。

（作用、効果）
以上の構成を備えた光源装置１の作用、効果を説明する。

まず、カソード配線層２２を半導体レーザチップ１２に直接接続している。すなわち、第１の接続部２２Ａはカソード電極１３上に端子部２２ａを重ねて配置し、これらを接合材１９ａを介して接続した構造を備えている。これにより、半導体レーザチップ１２からカソード配線層２２へ効率よく放熱されるようになり、放熱経路を拡大することができるので、半導体レーザチップ１２の放熱性を向上させることができる。また、第１の接続部２２Ａは、図２（ａ）に示したようにエミッタ１２ａの配列方向に沿って延びるように半導体レーザチップ１２上に形成されている。すなわち、各エミッタ１２ａの近傍に放熱経路であるカソード配線層２２が配置されているため、エミッタ１２ａ間で放熱性にばらつきを生じにくく、発熱による発光特性の不均一が生じるのを効果的に防止することができる。

また端子部２４ａを支持体１１上の支持体電極９の端子部９ａに直接接続している。すなわち、第２の接続部２４Ａも支持体電極９上に端子部２４ａを重ねて配置し、これらを接合材１９ｃを介して接続した構造を備えている。これにより、支持体１１の断面方向への放熱経路に加え、支持体１１から端子部２４ａを経由してアノード配線層２４への放熱経路が形成され、放熱性を向上させることができる。また、第２の接続部２４Ａもエミッタ１２ａの配列方向に沿うようにして配置されているため、半導体レーザチップ１２から支持体１１へ排出された熱を支持体１１の長手方向において均一にアノード配線層２４へ排出することができる。これにより支持体１１にて温度分布が生じるのを抑えることができ、その結果として、半導体レーザチップ１２における温度分布の発生が抑えられ、エミッタ１２ａ間での発光特性のばらつきを抑えることができる。
以上から、本実施形態の光源装置１によれば、半導体レーザチップ１２の温度上昇を抑え、安定したレーザ光を射出することができる。

支持体１１に高熱導電性の材質を用いることで、アノード電極１４から支持体１１の断面方向への放熱性を向上させることができるので、半導体レーザチップ１２の温度上昇を抑えることができる。さらに、温度上昇を抑えることで、半導体レーザチップ１２の特性の変化を抑えることができるので、安定したレーザ光を射出することができる。

カソード配線層２２及びアノード配線層２４に熱伝導性の高い材質を用いているので、半導体レーザチップ１２の放熱性を向上させることができる。また、カソード配線層２２の端子部２２ａ、及びアノード配線層２４の端子部２４ａにはさらに熱伝導性の高い材質を用いているので、放熱性をさらに向上させることができる。これにより、半導体レーザチップ１２の温度上昇を抑え、安定したレーザ光を射出することができる。

また本実施形態では、電流供給基板２０を半導体レーザチップ１２と電気的に接続するに際して、カソード配線層２２とアノード配線層２４とを、それぞれ別体の配線基板として用意し、それぞれの配線基板をカソード電極１３、支持体電極９に接続した後、２枚の配線基板を接着剤層２３で貼り合わせて電流供給基板２０ａを形成している。このような接続方法を採用することで、配線層２２、２４を分離させた配線基板の状態で扱うことができ、配線基板の取り回しが容易になる。さらに電流供給基板２０において熱伝導性に優れた接着剤層２３ａを用いるならば、放熱性のよい電流供給基板２０とすることができる。

（変形例）
本実施形態の変形例について説明する。
図３（ａ）は、本変形例に係る光源装置１００の平面図、図３（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ’線に対応する光源装置１００の断面図である。

図３に示す光源装置１００は、保持部材１０と、支持体１１と、半導体レーザチップ１２と、電流供給基板１２０を備えている。電流供給基板１２０は、保護層２１と保護層２６とにより挟持されたカソード配線層１２２を有する第１の配線基板と、保護層２５と保護層２７とにより挟持されたアノード配線層２４を有する第２の配線基板とを、保護層２６と保護層２７との間に設けられた接着剤層２３を介して接合した構成を備えている。

カソード配線層１２２から半導体レーザチップ１２側へ延びる端子部１２２ａは、半導体レーザチップ１２のカソード電極１３の略全面を覆って配置され、カソード電極１３とともに第１の接続部１２２Ａを構成している。端子部１２２ａには、カソード電極１３の電極開口部１３ｂと対応する位置に端子開口部１２２ｂが形成されており、その他のカソード電極１３と重なる部分で接合材１９ａを介してカソード電極１３と電気的に接続されている。

このようにカソード電極１３の略全面と接着する端子部１２２ａを有する電流供給基板１２０を備えたことで、端子部１２２ａとカソード電極１３とが接する面積が増大し、カソード電極１３からの放熱経路を拡大することができる。これにより、半導体レーザチップ１２の放熱性を向上させることができる。

［第２の実施形態］
次に、本発明に係る第２の実施形態について図面を用いて説明する。
なお、以下に説明する各実施形態において、上述した第１の実施形態に係る光源装置１と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。

図４（ａ）は、本実施形態に係る光源装置２００の半導体レーザチップ１２及び周辺の構成を示す平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＣ−Ｃ’における断面図である。

光源装置２００は、保持部材１０と、支持体１１と、半導体レーザチップ１２と、電流供給基板２２０と、固定部材４０と、波長変換素子３０とを備えている。保持部材１０上に支持体１１が載置され、支持体１１上に半導体レーザチップ１２が載置されている。波長変換素子３０は、半導体レーザチップ１２に対して支持体１１と反対側に配置されている。波長変換素子３０は、保持部材１０に載置された固定部材４０に固定されている。また、半導体レーザチップ１２には、電流供給基板２２０が接続されている。

電流供給基板２２０は、保護層２１及び保護層２６で挟持されたカソード配線層（第１の配線層）２２の保護層２６と、保護層２５及び保護層２７で挟持されたアノード配線層（第２の配線層）２４の保護層２７とが、接着剤層２３を介して接続されたものである。また、支持体１１上では、保護層２１、２５、２６、２７及び接着剤層２３は形成されておらず、カソード配線層２２２の端子部（第１の端子）２２２ａ、及びアノード配線層２４の端子部（第２の端子）２４ａが引き出されている。保護層から引き出されたカソード配線層２２２は、平面視でアノード配線層２４の幅方向の両側に配置され、アノード配線層２４と平面視で重ならないようになっている。

保護層２１，２６から引き出されたカソード配線層２２２の端子部２２２ａは、カソード電極１３の端部１３ｂ、１３ｃに延びてカソード電極１３と接続され、かかる端部１３ｂ、１３ｃにおいて第１の接続部２２２Ａを構成している。

上記構成を備えた本例の光源装置２００では、支持体１１上に引き出されたカソード配線層２２２とアノード配線層２４とが、平面視で離れて配置されている。このような構成としたことで、端子部２２２ａによって、端子部２４ａから大気中への放熱が妨げられることがなくなるので、半導体レーザチップ１２の放熱性を向上させることができる。これにより、半導体レーザチップ１２の温度上昇を抑え、安定したレーザ光を射出することができる。

また、端子部２２２ａ、２４ａが平面視で重ならないように配置されているので、端子部２２２ａ、及び端子部２４ａをそれぞれカソード電極１３上、支持体電極９上に置いた状態で両方の端子部２２２ａ、２４ａを熱圧着すれば、これらを同時に接続することができ、製造工程を短縮できる。

（変形例）
本実施形態の変形例について説明する。
図５は、第２の実施形態の変形例に係る電流供給基板２２０ｂを示す図であって、カソード配線層２２２ｂ、及びアノード配線層２２４ｂの配列の一例を示す（ａ）平面図、及び（ｂ）断面図である。
図５に示すように、電流供給基板２２０は、狭幅の２本のカソード配線層（第１の配線層）２２２ｂと、カソード配線層２２２ｂの間に配置された幅広のアノード配線層（第２の配線層）２２４ｂと、カソード配線層２２２とアノード配線層２２４とを挟持する保護層２１及び保護層２５とを備えている。

カソード配線層２２２ｂ及びアノード配線層２２４ｂの一端側（図示左側）は保護層２１，２５から引き出されており、カソード配線層２２２ｂの引き出された部分に端子部（第１の端子）２２２ｃが形成され、アノード配線層２２４ｂの引き出された部分に端子部（第２の端子）２２４ｃが形成されている。そして、端子部２２２ｃは図４に示したカソード電極１３と接続されて第１の接続部を構成し、端子部２２４ｃは支持体電極９と接続されて第２の接続部を構成するようになっている。

このように、本例に係る電流供給基板２２０ｂでは、カソード配線層２２２ｂとアノード配線層２２４ｂとを、保護層２１、２５に囲まれる位置においても互いに離間して配置しているので、図４に示した電流供給基板２２０のように接着剤層２３を介して接合した構造を採用することなく電流供給基板を構成することができ、電流供給基板の製造工程を短縮することができ、また製造コストを低減できる。

［第３の実施形態］
次に、本発明に係る第３の実施形態について図面を用いて説明する。
図６（ａ）は、第２の実施形態に係る光源装置３００の半導体レーザチップ１２及び周辺の構成を示す平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＤ−Ｄ’における断面図である。

光源装置３００は、保持部材１０と、支持体１１と、半導体レーザチップ１２と、電流供給基板３２０とを備えている。

電流供給基板３２０は、保護層２１及び保護層２６で挟持されたカソード配線層３２２を有する第１の配線基板と、保護層２５及び保護層２７で挟持されたアノード配線層２４を有する第２の配線基板とを有し、これらの配線基板を保護層２６と保護層２７とを接着剤層２３を介して接合した構成を備えている。

また、支持体１１上では、保護層２１、２５、２６、２７及び接着剤層２３は形成されておらず、カソード配線層３２２の端子部３２２ａ、及びアノード配線層２４の端子部２４ａが保護層から引き出されている。引き出されたカソード配線層３２２は、半導体レーザチップ１２の近傍で略枠状に形成されており、半導体レーザチップ１２の３辺を取り囲むように配置されている。そして、枠状部位の内周側に設けられた３つの端子部３２２ａが、接合材１９ａを介してカソード電極１３の辺端部１３ｂ、１３ｃ、１３ｄに接続されて、第１の接続部３２２Ａを構成している。

このような構成を有する光源装置３００では、カソード電極１３上の３箇所に第１の接続部３２２Ａが形成されているので、第１の実施形態のカソード配線層２２と比較して、カソード配線層１２２がカソード電極１３と接する幅が広がる。したがって、第１の接続部３２２Ａを介したカソード電極１３からカソード配線層３２２への放熱が促進され、放熱性に優れた光源装置を実現することができる。そして、半導体レーザチップ１２の温度上昇を抑えることができるので、安定したレーザ光を射出することができる。

また、カソード配線層３２２が半導体レーザチップ１２を取り囲むことで、第１の実施形態と比較して、引き出されたカソード配線層３２２を長くできるので、カソード配線層３２２から大気への放熱量を増大させることができる。これにより、半導体レーザチップ１２の温度上昇を抑えることができるので、安定したレーザ光を射出することができる。

また本実施形態においても、支持体１１上でカソード配線層３２２とアノード配線層２４とが平面視で重ならないように配置されているので、カソード配線層３２２とアノード配線層２４とをそれぞれ対応する電極に対して同時に熱圧着することができる。これにより、製造工程を短縮することができる。

［第４の実施形態］
図７（ａ）は、第４の実施形態に係る光源装置４００の半導体レーザチップ１２及び周辺の構成を示す平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＥ−Ｅ’における断面図である。

光源装置４００は、保持部材１０と、支持体１１と、半導体レーザチップ１２と、電流供給基板４２０とを備えている。

電流供給基板４２０は、保護層２１及び保護層２６で挟持されたカソード配線層４２２の保護層２６と、保護層２５及び保護層２７で挟持されたアノード配線層４２４の保護層２７とが、接着剤層２３を介して接続されたものである。接着剤層２３を有する領域では、平面視で各エミッタ１２ａに対応して独立に配置された複数のアノード配線層４２４の幅方向の両側に、それぞれカソード配線層４２２が配置されている。

また、支持体１１上では、保護層２１、２５、２６、２７及び接着剤層２３は形成されておらず、カソード配線層４２２、及びアノード配線層４２４の端子部４２４ａが保護層から引き出されている。

保護層２１、２６が被覆された部分で２本に分割されているカソード配線層４２２は、保護層から引き出された部分で接続されて矩形枠状となっており、かかる枠状の部分で半導体レーザチップ１２を取り囲むように配置されている。

カソード配線層４２２のうち、半導体レーザチップ１２上面のカソード電極１３の辺端部１３ｄに沿って延びる部分からは、複数の端子部４２２ａが半導体レーザチップ１２上に延出されている。そして、これらの端子部４２２ａは、半導体レーザチップ１２のカソード電極１３上で接合材１９ａを介してカソード電極１３に接続され、それぞれが第１の接続部４２２Ａを構成している。また、各々の端子部４２２ａは、一列に並んだエミッタ１２ａのそれぞれに対応して近傍に配置されている。したがって本実施形態の場合、複数の第１の接続部４２２Ａが、カソード配線層１３の長手方向の辺端部１３ｄに沿って配列されるとともに、第１の接続部４２２Ａとエミッタ１２ａとが一対一に対応して配置されている。

また、保護層から引き出された複数のアノード配線層４２４の支持体１１上に延びた位置には、それぞれ端子部４２４ａが形成されている。これらの端子部４２４ａは支持体１１上の支持体電極９と接合材１９ｃを介して接続され、それぞれが第２の接続部４２４Ａを構成している。したがって本実施形態の場合、複数の第２の接続部４２４Ａが、支持体電極９の配列方向（支持体１１の長手方向）に沿って配列された構成である。

上記構成を有する本実施形態の光源装置４００では、隣接するカソード配線層４２２の端子部４２２ａ、及び隣接するアノード配線層４２４の端子部４２４ａの側面を有効に活用して、端子部４２２ａ同士の隙間、あるいは端子部４２４ａ同士の隙間からの放熱流路を形成できるので、放熱性を向上させることができる。

また、カソード配線層４２２の端子部４２２ａとアノード配線層４２４の端子部４２４ａとがエミッタ１２ａに対応して設けられているので、それぞれのエミッタ１２ａに発生した熱を、エミッタ１２ａに対応した接続部、端子部、配線層へと効率良く放熱することができる。そのため、エミッタ１２ａ間の熱干渉を防止でき、エミッタ１２ａの配列方向に沿って、半導体レーザチップ１２の中央部が高く端部が低くなる温度分布を緩和することができる。その結果、温度分布により複数のエミッタ１２ａから射出される光の特性がばらつくことを抑えることができる。

［第５の実施形態］
図８（ａ）は、第５の実施形態に係る光源装置５００の半導体レーザチップ１２及び周辺の構成を示す平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＦ−Ｆ’における断面図である。

光源装置５００は、保持部材１０と、支持体１１と、半導体レーザチップ１２と、電流供給基板２０とを備えている。保持部材１０上に支持体１１が載置され、支持体１１上に半導体レーザチップ１２が載置されている。半導体レーザチップ１２には、電流供給基板５２０が接続されている。支持体１１上には複数の支持体電極５０９が形成されており、各々の支持体電極５０９は、それぞれがエミッタ１２ａに対応して配置されている。

電流供給基板５２０は、保護層２１及び保護層２６で挟持された複数本のカソード配線層５２２の保護層２６と、保護層２５及び保護層２７で挟持された複数本のアノード配線層５２４の保護層２７とが、接着剤層２３を介して接続されたものである。また、支持体１１上では、保護層２１、２５、２６、２７及び接着剤層２３は形成されておらず、カソード配線層５２２の端子部５２２ａ、及びアノード配線層５２４の端子部５２４ａが引き出されている。

カソード配線層５２２は、保護層が被覆された部位において、アノード配線層５２４に対して平面的に重なるようにして配置されるとともに、保護層から引き出される位置の近傍でアノード配線層５２４の平面領域から側方に外れて延ばされている。これにより、保護層から引き出されたカソード配線層５２２とアノード配線層５２４とは、平面視で互いに離間されて支持体１１側へ延びている。

カソード配線層５２２の端子部５２２ａは、カソード電極１３の辺端部１３ａにおいてカソード電極１３と接合材１９ａを介して接続され、カソード電極１３とともに第１の接続部５２２Ａを構成している。第１の接続部５２２Ａは、複数のエミッタ１２ａの配列に対して、隣接するエミッタ１２ａ間の領域に対応して設けられている。

一方、アノード配線層５２４の端子部５２４ａは、エミッタ１２ａ毎に配置された支持体電極５０９の端子部５０９ａと接合材１９ｃを介して接続され、各々第２の接続部５２４Ａを構成している。支持体電極５０９は個々のエミッタ１２ａに対応するアノード電極１４とそれぞれ電気的に接続されており、接続位置から半導体レーザチップ１２の外側に延びているので、第２の接続部５２４Ａはそれぞれエミッタ１２ａに対応して設けられている。

支持体電極５０９の端子部５０９ａは、エミッタ１２ａに対応して設けられており、エミッタ１２ａ毎に対応したアノード配線層５２４にそれぞれ独立して駆動電流を供給すれば、エミッタ１２ａ毎に個別に駆動することができる。この場合、カソード配線層３２２はエミッタ１２ａに対応して分割してもよいし、分割せずに共通電極とすることもできる。

この構成を備える光源装置５００では、隣接するカソード配線層５２２の端子部５２２ａの隙間を放熱に有効に活用して放熱流路を形成するので、放熱性を向上させることができる。

また、カソード配線層５２２の端子部５２２ａとアノード配線層５２４の端子部５２４ａとが、それぞれエミッタ１２ａに対応して設けられているので、それぞれのエミッタ１２ａに発生した熱を、エミッタ１２ａに対応した接続部、端子、配線層へと効率良く放熱することができる。そのため、エミッタ１２ａ間の熱干渉を防止でき、エミッタ１２ａの配列方向に沿って、半導体レーザチップ１２の中央部が高く端部が低くなる温度分布を緩和することができる。その結果、温度分布により複数のエミッタ１２ａから射出される光の特性がばらつくことを抑えることができる。

また、電流供給基板５２０において、カソード配線層３２２とアノード配線層３２４とを平面的に重ねて両電極間隔を狭くしているため、インダクタンスを低減することができ、電源投入時の立ち上がり時間を短縮することができる。

［第６の実施形態］
図９（ａ）は、本発明の第５の実施形態である光源装置６００の平面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＧ−Ｇ’における断面図である。
光源装置６００は、支持体１１と、半導体レーザチップ１２と、電流供給基板２０と、第１のプリズム６７３と、第２のプリズム６７４と、波長変換素子６７１と、波長選択素子６７２と、保持部材６１０とを備えている。本実施形態に係る光源装置６００は、図９に示すように、波長変換素子６７１及び波長選択素子６７２を保持部材６１０上で横置きに配置しており、半導体レーザチップ１２から射出された光を保持部材６１０の面方向に導光するようになっている。

保持部材６１０上に載置された支持体１１上に、半導体レーザチップ１２が載置されている。電流供給基板２０は、半導体レーザチップ１２の側面１２ｆ側に配置されており、半導体レーザチップ１２と電気的に接続されている。半導体レーザチップ１２の上方には、第１のプリズム６７３と、第２のプリズム６７４と、プリズム６７３、６７４に挟持されたダイクロイック層６７５とを備えたプリズム素子６８０が配置されている。
プリズム素子６８０はその長手方向の両端部を、保持部材６１０上に設けられた２個のスペーサ６７７により支持されている。プリズム素子６８０は半導体レーザチップ１２との間に隙間を有して半導体レーザチップ１２の上空に固定されている。

プリズム素子６８０は、エミッタ１２ａから射出された光を内面で反射させて波長変換素子６７１に導光するとともに、波長変換素子６７１側から入射する光のうち特定波長域の成分をダイクロイック層６７５により反射させて波長変換素子６７１の外側に導く機能を奏する。

半導体レーザチップ１２に隣接して、電流供給基板２０と反対側には、保持部材６１０上の支持台６７１ａに載置された波長変換素子６７１が配置されている。波長変換素子６７１から見て半導体レーザチップ１２と反対側には、保持部材６１０上の支持台６７２ａに載置された波長選択素子６７２が配置されている。図９（ｂ）に示すように、波長変換素子６７１の支持台６７１ａ、波長選択素子６７２の支持台６７２ａ及びスペーサ６７７は、複数の固定ピン６７８により保持部材６１０上に位置決めされて固定されている。

波長変換素子（第２高調波発生素子、ＳＨＧ：Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）６７１は、入射光のうち所定の波長を有する成分を変換せずにそのまま透過する一方、それ以外の波長を有する成分をほぼ半分の波長の光に変換する非線形光学素子である。すなわち、半導体レーザチップ１２から射出された第１の波長の光を、それよりも短い第２の波長の光に変換して射出する。

波長選択素子６７２は、特定波長の光（波長変換素子６７１で波長変換された第２の波長の光）を透過させる一方、波長変換素子６７１で波長が変換されなかった第１の波長の光を含むほとんどの光を側壁６７２ｂで反射させる。そのため、波長選択素子６７２は、半導体レーザチップ１２の外部共振器ミラーとして機能する。波長選択素子６７２としては、例えば、周期格子を有するホログラムのような光学素子を用いることができる。

上記の構成において、エミッタ１２ａから射出された第１の波長の光は、プリズム素子６８０の第１のプリズム６７３の斜面部（鉛直方向に対して略４５°の角度を成して配置された面）で反射されてダイクロイック層６７５に入射し、これを透過して第２のプリズム６７４から射出されて波長変換素子６７１に入射する。

ここで、図９（ｂ）に実線で示す光Ｗ１は、エミッタ１２ａから射出されて波長選択素子６７２側へ進行する光を示しており、破線で示す光Ｗ２は、光Ｗ１のうち、波長選択素子６７２で反射された成分を示している。また波長選択素子６７２から延びる鎖線で示す光Ｗ３は、光Ｗ１のうち波長選択素子６７２を透過した成分を示す。さらに光Ｗ４は、光Ｗ２のうち、ダイクロイック層６７５により反射された成分を示している。
なお、図９（ｂ）では、説明の都合上、光Ｗ１，Ｗ２を異なる位置に示しているが、実際には両者は同一の経路を辿る光である。

まず、エミッタ１２ａから射出されて波長変換素子６７１に入射した光Ｗ１は、波長変換素子６７１を透過する間にその一部がほぼ半分の波長の光（第２の波長の光）に変換されて、波長選択素子６７２に入射する。波長選択素子６７２に入射した光Ｗ１のうち、波長選択素子６７２を透過する特定波長（第２の波長）の成分は、光源光である光Ｗ３として波長選択素子６７２から外部に射出される。
一方、波長選択素子６７２で反射された成分（第１の波長の光）は、逆向きの光Ｗ２となって半導体レーザチップ１２側へ戻される。

波長変換素子６７１からプリズム素子６８０に入射した光Ｗ２は、ダイクロイック層６７５に入射する。ダイクロイック層６７５は、本実施形態では、波長変換素子６７１により変換された光（第２の波長の光）を選択的に反射し、その他の光を透過するようになっているので、光Ｗ２のうち第１の波長の成分は、ダイクロイック層６７５を透過して半導体レーザチップ１２に入射する。そして、半導体レーザチップ１２のミラーで反射され、光Ｗ１として再度射出される。このように、波長選択素子６７２で反射される第１の波長の光は、波長選択素子６７２と半導体レーザチップ１２との間で反射を繰り返して増幅される。

ところで、光Ｗ２の一部は、波長変換素子６７１内を進行する間に第２の波長の光に変換される。この第２の波長の光は、ダイクロイック層６７５により反射されて第２のプリズム６７４の斜面部（鉛直方向に対して略４５°の角度を成して配置された斜面部）に入射し、そこで反射された光Ｗ４としてプリズム素子６８０の外側に取り出される。すなわち本実施形態では、波長選択素子６７２を透過して射出された光Ｗ３と、ダイクロイック層６７５で反射されてプリズム素子６８０から射出された光Ｗ４とが、光源光として外部に射出されるようになっている。

以上の構成を備えた本実施形態の光源装置６００では、半導体レーザチップ１２と電流供給基板２０との接続構造として、第１の実施形態の光源装置１と共通の接続構造が採用されている。したがって、半導体レーザチップ１２と支持体１１との間に配置されたカソード配線層２４を介して半導体レーザチップ１２の熱を放散することができ、放熱性を向上させた光源装置６００とすることができる。

なお、本実施形態の光源装置６００では、第１実施形態と同様の接続構造を有する半導体レーザチップ１２、及び電流供給基板２０を用いたが、これに代えて、第２から第５の実施形態の構成を採用してもよい。これらの光源装置と同様の構成を採用した場合にも、放熱性を向上させた光源装置６００とすることができる。

［プロジェクタ］
図１０は、第６の実施形態に係る光源装置６００を備えたプロジェクタ７００の概略模式図である。本図を用いて、プロジェクタ７００について説明する。なお、本図においては、簡略化のためプロジェクタ７００を構成する筐体は省略している。

プロジェクタ７００において、赤色光、緑色光、青色光を射出する赤色レーザ光源（光源装置）６００Ｒ，緑色レーザ光源（光源装置）６００Ｇ、青色レーザ光源（光源装置）６００Ｂとしては、上記第６実施形態の光源装置６００を用いる。

また、プロジェクタ７００は、レーザ光源６００Ｒ，６００Ｇ，６００Ｂから射出されたレーザ光をそれぞれ変調する液晶ライトバルブ（光変調装置）７８４Ｒ，７８４Ｇ，７８４Ｂと、液晶ライトバルブ７８４Ｒ，７８４Ｇ，７８４Ｂから射出された光を合成して投写レンズ７８７に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）７８６と、液晶ライトバルブ７８４Ｒ，７８４Ｇ，７８４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン７９０に投射する投射レンズ（投射装置）７８７とを備えている。

さらに、プロジェクタ７００は、レーザ光源６００Ｒ，６００Ｇ，６００Ｂから射出されたレーザ光の照度分布を均一化させるため、各レーザ光源６００Ｒ，６００Ｇ，６００Ｂよりも光路下流側に、均一化光学系７８２Ｒ，７８２Ｇ，７８２Ｂを設けており、これらによって照度分布が均一化された光によって、液晶ライトバルブ７８４Ｒ，７８４Ｇ，７８４Ｂを照明している。例えば、均一化光学系７８２Ｒ，７８２Ｇ、７８２Ｂは、例えば、ホログラム７８２ａ及びフィールドレンズ７８２ｂによって構成される。

各液晶ライトバルブ７８４Ｒ，７８４Ｇ，７８４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム７８６に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投写光学系である投射レンズ７８７によりスクリーン７９０上に投写され、拡大された画像が表示される。

本実施形態のプロジェクタ７００の光源６００の部材として、本発明の光源装置の支持体１１、半導体レーザチップ１２、及び電流供給基板２０を用いることにより、放熱性を向上させることができるので、加熱によるレーザ特性の変化を抑えることができる。

なお、本実施形態のプロジェクタにおいて、赤色，緑色及び青色のレーザ光源６００Ｒ，６００Ｇ、６００Ｂについては、第６の実施形態の光源装置６００を用いたものを説明したが、第１から第５の実施形態の光源装置１，１００，２００，３００，４００，５００を用いることも可能である。このとき、各光源装置６００Ｒ，６００Ｇ，６００Ｂのそれぞれに異なる実施形態の光源装置を採用することも可能であるし、同じ実施形態の光源装置を採用することも可能である。

また、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いても良いし、反射型のライトバルブを用いても良い。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Digital Micromirror Device）が挙げられる。投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。

図１１は、プロジェクタ７００の変形例である画像表示装置８００の概略模式図である。第１から第６の実施形態の光源装置１，１００，２００，３００，４００，５００，６００は、走査型の画像表示装置にも適用される。図１１に示した画像表示装置８００は、第６実施形態の光源装置６００と、光源装置６００から射出された光をスクリーン８１０に向かって走査するＭＥＭＳミラー（走査手段）８０２と、光源装置６００から射出された光をＭＥＭＳミラー８０２に集光させる集光レンズ８０３とを備えている。光源装置６００から射出された光は、ＭＥＭＳミラー８０２を動かすことによって、スクリーン８１０上を横方向、縦方向に走査するように導かれる。カラーの画像を表示する場合は、半導体レーザチップ１２を構成する複数のエミッタ（図示は省略）を、赤、緑、青のピーク波長を持つエミッタの組み合わせによって構成すれば良い。

［モニタ装置］
図１２は、モニタ装置９００の概略模式図である。本図を用いて、第６の実施形態に係る光源装置６００を応用したモニタ装置９００の構成例について説明する。モニタ装置９００は、装置本体９１０と、光伝送部９２０とを備える。装置本体９１０は、前述した第６実施形態の光源装置６００を備える。

光伝送部９２０は、光を送る側と受ける側の２本のライトガイド９２１，９２２を備える。各ライトガイド９２１，９２２は、多数本の光ファイバを束ねたもので、レーザ光を遠方に送ることができる。光を送る側のライトガイド９２１の入射側には光源装置６００が配設され、その出射側には拡散板９２３が配設されている。光源装置６００から出射したレーザ光は、ライトガイド９２１を伝って光伝送部９２０の先端に設けられた拡散板９２３に送られ、拡散板９２３により拡散されて被写体を照射する。

光伝送部９２０の先端には、結像レンズ９２４も設けられており、被写体からの反射光を結像レンズ９２４で受けることができる。その受けた反射光は、受け側のライトガイド９２２を伝って、装置本体９１０内に設けられた撮像手段としてのカメラ９１１に送られる。この結果、光源装置６００により出射したレーザ光により被写体を照射したことで得られる反射光に基づく画像をカメラ９１１で撮像することができる。

第６の実施形態に係る光源装置６００を備えたことで、放熱性を向上させたモニタ装置６００とすることができるので、加熱によるレーザ特性の変化を抑えて使用することができる。

なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
本図では、第６の実施形態と同様の構造の光源装置４００を用いたが、これに代えて、第１から第５実施形態の光源装置１，１００，２００，３００，４００，５００を備えていてもよい。

光源装置１の概略斜視図である。 光源装置１の上面図及び要部断面図である。 光源装置１００の上面図及び要部断面図である。 光源装置２００の上面図及び要部断面図である。 電流供給基板２２０ｂの配線構造の一例を示す図である。 光源装置３００の上面図及び要部断面図である。 光源装置４００の上面図及び要部断面図である。 光源装置５００の上面図及び要部断面図である。 光源装置６００の上面図及び要部断面図である。 プロジェクタ７００の概略模式図である。 画像表示装置８００の概略模式図である。 モニタ装置９００の概略模式図である。

符号の説明

１…光源装置、９…支持体電極、１０…保持部材、１１…支持体、１２…半導体レーザチップ、１３…カソード電極、１４…アノード電極、１５…エミッタ基板、１９…接合材、２０…電流供給基板、２１…保護層、２２…カソード配線層、２３…接着剤層、２４…アノード配線層、２５…保護層、２６…保護層、２７…保護層、３０…波長変換素子、４０…固定部材、１００…光源装置、１２０…電流供給基板、１２２…カソード配線層、２００…光源装置、２２０…電流供給基板、２２２…カソード配線層、２２２ｂ…電流供給基板、２２２ｂ…カソード配線層、２２４ｂ…アノード配線層、３００…光源装置、３２０…電流供給基板、３２２…カソード配線層、４００…光源装置、４２０…電流供給基板、４２２…カソード配線層、４２４…アノード配線層、５００…光源装置、５２０…電流供給基板、５２２…カソード配線層、５２４…アノード配線層、６００…光源装置、７００…プロジェクタ、８００…画像表示装置、９００…モニタ装置

Claims (9)

1. 支持体と、前記支持体に載置された発光素子と、前記発光素子と電気的に接続された配線基板とを備えた光源装置であって、
   前記発光素子は、光を射出する発光部と、前記支持体と反対側の面に形成された第１の電極と、前記支持体に対向する面に形成された第２の電極とを有し、
   前記第２の電極は、前記支持体上に形成された支持体電極と接続されており、
   前記配線基板は絶縁層を介して積層された第１の配線層と第２の配線層とを有し、
   前記第１の配線層から延在する第１の端子は前記第１の電極と接続されて第１の接続部を形成し、前記第２の配線層から延在する第２の端子は前記支持体電極と接続されて第２の接続部を形成しており、
   前記第１の接続部と前記第２の接続部のうちの少なくとも一方が、前記電極上に前記端子が重なった接続構造を有することを特徴とする光源装置。
2. 請求項１に記載の光源装置において、
   前記発光素子は所定方向に配列された複数の前記発光部を有し、前記第１の接続部と前記第２の接続部のうちの少なくとも一方が、前記発光部の配列方向に沿って配置されていることを特徴とする光源装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の光源装置において、
   前記第１の端子及び前記第２の端子の少なくとも一方が前記発光部に対応して分割されていることを特徴とする光源装置。
4. 請求項１から請求項３の何れか１項に記載の光源装置において、
   前記第１の端子に端子開口部が形成され、前記第１の電極には電極開口部が形成されており、
   前記端子開口部内に前記電極開口部が配置されるとともに、前記電極開口部によって光を射出する前記発光部が設けられていることを特徴とする光源装置。
5. 請求項１から請求項３の何れか１項に記載の光源装置において、
   前記第１の接続部が、前記発光素子の前記発光部が形成された面の少なくとも１辺に沿って設けられていることを特徴とする光源装置。
6. 請求項５に記載の光源装置において、
   前記第１の接続部が、複数の前記発光部を取り囲んでいることを特徴とする光源装置。
7. 請求項１から請求項６の何れか１項に記載の光源装置において、
   前記第１の配線層と前記第２の配線層とが平面的に重なっていることを特徴とする光源装置。
8. 請求項１から請求項７の何れか１項に記載の光源装置を備えたプロジェクタ。
9. 請求項１から請求項７の何れか１項に記載の光源装置を備えたモニタ装置。

Images