JP2008294432A - Printed wiring board, method of manufacturing the same, and electrolytic copper foil for copper clad laminate used for manufacturing printed wiring board - Google Patents

Printed wiring board, method of manufacturing the same, and electrolytic copper foil for copper clad laminate used for manufacturing printed wiring board Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a printed wiring board easy for micro-miniaturization of wiring, in particular, a flexible printed wiring board easy for micro-miniaturization of wiring and excellent in durability against bending. <P>SOLUTION: The printed wiring board has wiring lines formed on the surface of an insulating substrate and having a layered structure in which a first copper layer and a second copper layer are laminated, wherein the first copper layer side is affixed to the insulating substrate, and the average crystal grain size of the second copper layer is larger than that of the first copper layer. The printed wiring board can be manufactured by steps of preparing a metal clad laminate which is provided with a conductive layer of a layered construction capable of forming wiring lines having the structure on the surface of the insulating substrate, forming a resist pattern for etching on the surface of the second copper layer of the conductive layer, forming wiring lines by an etching process, and subsequently removing the resist pattern for etching to form the printed wiring board. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、プリント配線板及びそのプリント配線板の製造方法並びにそのプリント配線板の製造に用いる銅張積層板用電解銅箔に関する。   The present invention relates to a printed wiring board, a method for manufacturing the printed wiring board, and an electrolytic copper foil for a copper-clad laminate used for manufacturing the printed wiring board.

近年の携帯電話、パーソナルコンピューター、ミュージックプレイヤーやポータブルゲーム機等のモバイル機器の普及に伴い、電子機器の軽薄短小化の傾向が続いている。そして、これらのモバイル機器には映像表示機能を備える機種が多く、種々の表示装置が採用されているが、液晶ディスプレイパネルが主流となっている。この液晶ディスプレイパネルのドライバーICやLSI等の電子部品を実装する方式として、COF(Chip On Film)テープ、TCP(Tape Carrier Package)テープ、BGA(Ball Grid Array)テープ
、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)テープなどの電子部品実装用
フィルムキャリアテープ(以下、単に「フィルムキャリアテープ」又は「TAB(Tape Automated Bonding)テープ」と言う。)やFPC(Flexible Printed Circuit)を用いた実装方式が採用されている。従って、これらのプリント配線板には、より一層の微細配線が要求される。
With the spread of mobile devices such as mobile phones, personal computers, music players and portable game machines in recent years, the trend of making electronic devices lighter, thinner and smaller continues. Many of these mobile devices are equipped with a video display function, and various display devices are used. However, liquid crystal display panels are mainly used. As a method for mounting electronic components such as driver ICs and LSIs of this liquid crystal display panel, COF (Chip On Film) tape, TCP (Tape Carrier Package) tape, BGA (Ball Grid Array) tape, ASIC (Application Specific Integrated Circuit) Mounting methods using film carrier tape for mounting electronic components such as tape (hereinafter simply referred to as “film carrier tape” or “TAB (Tape Automated Bonding) tape”) and FPC (Flexible Printed Circuit) are used. . Therefore, further fine wiring is required for these printed wiring boards.

上述のCOFテープ等の製造では、銅を主な導体として用い、エッチング法により配線を形成している。ここで形成する配線を微細化して、後の表面実装を容易にするには、配線のエッチングファクターを大きくすることが要求される。そのため、オーバーエッチング時間の設定を短くする必要があり、配線を形成する銅層の絶縁基板との接着面を平滑にして、且つ薄い銅層を採用することが試みられてきた。即ち、電解銅箔では、その製造工程で各種有機系添加剤を用い、銅の結晶粒径を小さくして、絶縁基板との接着面のロープロファイル化が図られてきた。しかし、絶縁基板との接着面を平坦にしても、エッチングの過程で発生するアンダーカット現象により、形成される配線のトップ幅は、ボトム幅よりも狭くなってしまう。従って、COFテープ等の配線ピッチをさらに狭くしていくと、デバイスの接続に必要なトップ幅を確保できなくなってしまう。即ち、従来以上にエッチングファクターが良好な配線を形成しなければ、配線の微細化には対応できなくなってしまう。   In manufacturing the above-described COF tape or the like, wiring is formed by etching using copper as a main conductor. In order to make the wiring formed here finer and facilitate subsequent surface mounting, it is required to increase the etching factor of the wiring. Therefore, it is necessary to shorten the setting of the over-etching time, and it has been attempted to adopt a thin copper layer with a smooth adhesion surface between the copper layer forming the wiring and the insulating substrate. That is, in the electrolytic copper foil, various organic additives have been used in the manufacturing process, the copper crystal grain size has been reduced, and the low profile of the adhesive surface with the insulating substrate has been achieved. However, even if the bonding surface with the insulating substrate is flat, the top width of the formed wiring becomes narrower than the bottom width due to the undercut phenomenon that occurs during the etching process. Therefore, if the wiring pitch of the COF tape or the like is further reduced, the top width necessary for device connection cannot be secured. That is, unless wiring having a better etching factor than before is formed, it becomes impossible to cope with the miniaturization of wiring.

一方、COFテープ、TCPテープなどのTABテープやFPCといったフレキシブルプリント配線板は、折り曲げた状態で電子機器などに搭載されたり、繰り返し曲げ動作を行う場合がある。また、これらの配線板が輸送中の振動を受けたり、電子機器の稼働に伴う振動を受けると、耐屈曲性に劣る導体で配線を構成した場合には、配線の折り曲げ部等で断線が発生する傾向がある。   On the other hand, a flexible printed wiring board such as a TAB tape such as a COF tape or a TCP tape or an FPC may be mounted on an electronic device or the like in a bent state or may be repeatedly bent. Also, if these wiring boards are subjected to vibration during transportation or vibration due to the operation of electronic equipment, if the wiring is composed of conductors with poor flex resistance, disconnection will occur at the bent part of the wiring, etc. Tend to.

また、TABテープに代表される液晶駆動用ドライバーの歴史を見ると、当初から耐屈曲性は求められていた。しかし、前述のように、配線の微細化が優先され、電解銅箔の結晶粒径を微細化して絶縁基板との接着面を低プロファイル化してきたのである。このように銅の結晶粒径が小さくなれば、引張り強さは大きくなるが、伸び率が低下する傾向が現れる。即ち、結晶粒界に偏在すると考えられる添加剤類の影響を受け、加熱してもアニール効果が得られ難くい銅箔が用いられてきた。このように、耐屈曲性を犠牲にしても、微細回路の形成能が優先されてきた。しかし、例えば、液晶パネルでは、フレームの面積を小さくするため、TABテープの出力側配線部を液晶パネル端部で折り返して液晶パネルの配線に接続することが行われており、現在では耐屈曲性が従来以上に要求される傾向が強まっていると考えることができる。   Also, looking at the history of liquid crystal driving drivers represented by TAB tape, flex resistance has been required from the beginning. However, as described above, priority has been given to the miniaturization of the wiring, and the crystal grain size of the electrolytic copper foil has been miniaturized to lower the profile of the bonding surface with the insulating substrate. Thus, when the crystal grain size of copper decreases, the tensile strength increases but the elongation rate tends to decrease. That is, a copper foil that has been affected by additives that are considered to be unevenly distributed in the crystal grain boundary and hardly obtains an annealing effect even when heated has been used. As described above, the ability to form a fine circuit has been prioritized even at the sacrifice of bending resistance. However, for example, in order to reduce the area of the frame in the liquid crystal panel, the output side wiring portion of the TAB tape is folded at the end portion of the liquid crystal panel and connected to the wiring of the liquid crystal panel. It can be considered that there is an increasing tendency to be more demanded than before.

そして、エッチングファクターを良好にする技術としては、特許文献1に、微細ピッチの配線パタ−ンを好適に形成可能なプリント配線板用銅張板及びこれを用いたプリント配線板を提供するために、銅箔の結晶粒の粒径が銅張板表面から絶縁べ−ス材側に向う厚み方向に順次小さくなる構造のプリント配線板用銅張板を構成し、このような構造を有するプリント配線板用銅張板に対してサブトラクティブ工法を施す技術が開示されている。   As a technique for improving the etching factor, Patent Document 1 provides a copper-clad board for a printed wiring board capable of suitably forming a fine-pitch wiring pattern and a printed wiring board using the same. A copper-clad board for a printed wiring board having a structure in which the grain size of the copper foil crystal grains is successively reduced in the thickness direction from the copper-clad board surface toward the insulating base material side, and the printed wiring having such a structure A technique for applying a subtractive construction method to a copper clad sheet for board is disclosed.

また、特許文献2には、エッチングファクターの高いフォトエッチングを可能とする銅箔及びその作製方法、エッチング方法、銅箔パターン、保存方法を提供することを目的として、低い電流密度から高い電流密度へとメッキ電流密度を連続的に制御したメッキによって、昜エッチング構造を有する銅箔から難エッチング構造を有する銅箔へと異なった構造を有する銅箔が連続的又は段階的に形成し、難エッチング構造を有する銅箔側からエッチングを行い、構造傾斜銅箔のパターンを形成するにあたり、パターンに170℃、30分以上の熱処理を施し、構造傾斜の状態を緩和させた銅箔パターンが開示されている。   In addition, Patent Document 2 discloses a copper foil that enables high-etching photoetching and a method for producing the same, an etching method, a copper foil pattern, and a storage method, from a low current density to a high current density. By continuously controlling the plating current density, a copper foil having a different structure from a copper foil having a saddle etching structure to a copper foil having a difficult etching structure is formed continuously or stepwise to form a difficult etching structure. In order to form a structure gradient copper foil pattern by etching from the copper foil side having a copper foil pattern in which the pattern is subjected to heat treatment at 170 ° C. for 30 minutes or more to relax the structure inclination state is disclosed. .

確かに、上記特許文献1及び特許文献2に開示の技術を用いれば、同じ厚さの導体層を用いる限りに於いては、良好なエッチングファクターを示す配線の形成が可能である。
特開2003−324258号公報 特開2004−190073号公報
Certainly, if the techniques disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2 are used, it is possible to form a wiring exhibiting a good etching factor as long as a conductor layer having the same thickness is used.
JP 2003-324258 A JP 2004-190073 A

しかしながら、上述の特許文献に開示の技術内容を、モバイル機器の液晶ドライバー用配線板等の配線に適用しても、上述の如き配線の断線の危険性が減少するわけではない。
従って、リジッドプリント配線板及びフレキシブルプリント配線板(以下、これらの全てを総称する場合には、単に「プリント配線板」と称する。)の配線において、良好なエッチングファクターを維持しての微細化が可能な技術が要求されてきた。そして、COFテープ、TCPテープやFPCでは、配線の微細化と同時に耐屈曲性の改善された製品が要求されてきた。
However, even if the technical content disclosed in the above-mentioned patent document is applied to wiring such as a liquid crystal driver wiring board of a mobile device, the risk of disconnection of the wiring as described above is not reduced.
Therefore, in the wiring of rigid printed wiring boards and flexible printed wiring boards (hereinafter, all of these are collectively referred to as “printed wiring boards”), miniaturization while maintaining a good etching factor is possible. A possible technology has been demanded. For COF tapes, TCP tapes, and FPCs, products with improved flex resistance as well as finer wiring have been required.

そこで、本発明者等は、プリント配線板における配線の微細化と、フレキシブルプリント配線板とした場合の耐屈曲性とを両立させることを目的として、以下の発明に想到した。   Therefore, the present inventors have conceived the following invention for the purpose of achieving both the miniaturization of the wiring in the printed wiring board and the bending resistance in the case of the flexible printed wiring board.

本発明に係るプリント配線板:
本発明に係るプリント配線板は、絶縁基板の表面に配線を形成したプリント配線板であって、当該配線は、第1銅層と第2銅層とが積層した層構成を備え、当該第1銅層側が前記絶縁基板と張り合わせられ、当該第2銅層の平均結晶粒径が当該第1銅層の平均結晶粒径より大きな平均結晶粒径を備えることを特徴としている。
Printed wiring board according to the present invention:
The printed wiring board according to the present invention is a printed wiring board in which wiring is formed on the surface of an insulating substrate, and the wiring has a layer configuration in which a first copper layer and a second copper layer are laminated, The copper layer side is bonded to the insulating substrate, and the average crystal grain size of the second copper layer has an average crystal grain size larger than the average crystal grain size of the first copper layer.

本発明に係るプリント配線板においては、前記第1銅層が平均結晶粒径0.1μm以上1.0μm未満であり、第2銅層が平均結晶粒径1.0μm〜5.0μmであることが好ましい。   In the printed wiring board according to the present invention, the first copper layer has an average crystal grain size of 0.1 μm or more and less than 1.0 μm, and the second copper layer has an average crystal grain size of 1.0 μm to 5.0 μm. Is preferred.

本発明に係るプリント配線板においては、前記第2銅層の厚さは、前記第1銅層の厚さの5%〜500%の厚さであることが好ましい。
本発明に係るプリント配線板においては、前記第2銅層は、n層(但し、n≧1)のサブ金属層で構成され、第nサブ金属は、第(n−1)サブ金属層の平均結晶粒径よりも大きな平均結晶粒径を備えることも好ましい。
In the printed wiring board according to the present invention, the thickness of the second copper layer is preferably 5% to 500% of the thickness of the first copper layer.
In the printed wiring board according to the present invention, the second copper layer is composed of n-layer (where n ≧ 1) sub-metal layers, and the n-th sub-metal is the (n−1) -th sub-metal layer. It is also preferable to have an average crystal grain size larger than the average crystal grain size.

そして、本発明に係るプリント配線板は、前記配線は、その任意の位置における横断面形状において、当該配線の厚さをTc、配線上面のトップ幅をWt、配線下面のボトム幅をWbとしたときに、以下の数式(1)で計算して得られるエッチングファクターが2.5
以上であることを特徴としている。
In the printed wiring board according to the present invention, in the cross-sectional shape of the wiring at an arbitrary position, the thickness of the wiring is T c , the top width of the wiring upper surface is W t , and the bottom width of the wiring lower surface is W When b is set, the etching factor obtained by the following formula (1) is 2.5.
It is characterized by the above.

本発明に係るプリント配線板においては、絶縁基板にフレキシブルプリント配線板用基材を用いることで、可撓性を備え、曲げ加工が可能なプリント配線板となる。
また、本発明に係るプリント配線板において、絶縁基板にリジッドプリント配線板用基材を用いることで、板状のリジット系のプリント配線板となる。
In the printed wiring board which concerns on this invention, it becomes a printed wiring board which is flexible and can be bent by using the base material for flexible printed wiring boards for an insulated substrate.
In the printed wiring board according to the present invention, a rigid printed wiring board base material is used for the insulating substrate, whereby a plate-like rigid printed wiring board is obtained.

本発明に係るプリント配線板の製造方法:
本発明に係るプリント配線板の製造方法は、以下の工程A〜工程Dを含むことを特徴とするものである。説明の都合上、第1製造方法と称する。
A method for producing a printed wiring board according to the present invention:
The method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention includes the following steps A to D. For convenience of explanation, this is referred to as a first manufacturing method.

工程A:絶縁基板の表面に、第1銅層と第2銅層とが積層した層構成の導体層を備え、当該第2銅層の平均結晶粒径が当該第1銅層の平均結晶粒径より大きな平均結晶粒径を備え、且つ、当該第1銅層側を前記絶縁基板と張り合わせた金属張積層板を準備する工程。   Step A: A conductive layer having a layer structure in which a first copper layer and a second copper layer are laminated on the surface of an insulating substrate, and the average crystal grain size of the second copper layer is the average crystal grain of the first copper layer. A step of preparing a metal-clad laminate having an average crystal grain size larger than the diameter and having the first copper layer side bonded to the insulating substrate.

工程B:前記の導体層の第2銅層表面にエッチングレジストパターンを形成する工程。
工程C:前記エッチングレジストパターンを備える金属張積層板をエッチング処理してエッチングレジストパターンを形成していない部分の導体層を溶解除去して配線を形成する工程。
Step B: A step of forming an etching resist pattern on the surface of the second copper layer of the conductor layer.
Step C: A step of etching the metal-clad laminate having the etching resist pattern to dissolve and remove a portion of the conductor layer where the etching resist pattern is not formed to form a wiring.

工程D:前記配線の表面に存在するエッチングレジストパターンを除去してプリント配線板を得る工程。
上記第1製造方法において、前記工程Aで用いる金属張積層板には、第1銅層と第2銅層とが積層した層構成で、当該第2銅層の平均結晶粒径が当該第1銅層の平均結晶粒径より大きな平均結晶粒径を備える電解銅箔を用い、その第1銅層側を絶縁基板と張り合わせた銅張積層板を用いることが好ましい。
Step D: A step of removing the etching resist pattern present on the surface of the wiring to obtain a printed wiring board.
In the first manufacturing method, the metal-clad laminate used in the step A has a layer configuration in which a first copper layer and a second copper layer are laminated, and the average crystal grain size of the second copper layer is the first It is preferable to use a copper clad laminate in which an electrolytic copper foil having an average crystal grain size larger than the average crystal grain size of the copper layer is used and the first copper layer side is bonded to an insulating substrate.

また、上記第1製造方法において、前記工程Aで用いる金属張積層板には、第1銅層と170℃〜180℃で15分間以上の加熱を行うことにより再結晶化する第2銅層とが積層した層構成の電解銅箔で、金属張積層板の成型時にその第1銅層側に170℃〜180℃の温度を15分間以上負荷して絶縁基板と当該電解銅箔とを張り合わせることで、当該第2銅層の平均結晶粒径が当該第1銅層の平均結晶粒径より大きな平均結晶粒径を備えるようにした銅張積層板を用いることも好ましい。   In the first manufacturing method, the metal-clad laminate used in the step A includes a first copper layer and a second copper layer that is recrystallized by heating at 170 ° C. to 180 ° C. for 15 minutes or more. Is a laminated copper foil with a layer structure, and when the metal-clad laminate is molded, a temperature of 170 ° C. to 180 ° C. is applied to the first copper layer side for 15 minutes or more to bond the insulating substrate and the electrolytic copper foil together. Thus, it is also preferable to use a copper-clad laminate in which the average crystal grain size of the second copper layer is larger than the average crystal grain size of the first copper layer.

さらに、上記第1製造方法において、前記工程Aで用いる金属張積層板には、絶縁基板の上に無電解メッキ法で第1銅層を形成し、その第1銅層の上に、170℃〜180℃で15分間以上の加熱を行うことにより再結晶化する第2銅層を形成して導体層とし、その後170℃〜180℃の温度を15分間以上負荷して加熱することで、当該第2銅層の平均結晶粒径が当該第1銅層の平均結晶粒径より大きな平均結晶粒径を備えるようにした銅張積層板を用いることも好ましい。   Further, in the first manufacturing method, in the metal-clad laminate used in the step A, a first copper layer is formed on an insulating substrate by an electroless plating method, and 170 ° C. is formed on the first copper layer. By forming a second copper layer to be recrystallized by heating at ˜180 ° C. for 15 minutes or more to form a conductor layer, and then heating by applying a temperature of 170 ° C. to 180 ° C. for 15 minutes or more, It is also preferable to use a copper-clad laminate in which the average crystal grain size of the second copper layer is larger than the average crystal grain size of the first copper layer.

そして、上記第1製造方法において、前記第2銅層の形成には、硫酸酸性銅メッキ液を用いた電気銅メッキ法を採用し、当該硫酸酸性銅メッキ液には、銅濃度が0.8mol/リ
ットル〜1.2mol/リットル、フリー硫酸濃度が0.8mol/リットル〜1.2mol/リ
ットル、塩素濃度が5ppm〜50ppmのものを用い、当該硫酸酸性銅 メッキ液の1/2容
量以上に対して活性炭処理を施したものを用いることが好ましい。
And in the said 1st manufacturing method, the formation of the said 2nd copper layer employ | adopts the electrolytic copper plating method using a sulfuric acid acidic copper plating solution, The copper concentration is 0.8 mol in the said sulfuric acid copper plating solution. / Liter to 1.2 mol / liter, free sulfuric acid concentration of 0.8 mol / liter to 1.2 mol / liter, chlorine concentration of 5 ppm to 50 ppm, and more than 1/2 volume of the sulfuric acid copper plating solution It is preferable to use one that has been subjected to activated carbon treatment.

また、本発明に係る他の製造方法として、以下の工程a〜工程fを含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法を採用することが好ましい。説明の都合上、第2製造方法と称する。   Moreover, it is preferable to employ | adopt the manufacturing method of the printed wiring board characterized by including the following process a-process f as another manufacturing method which concerns on this invention. For convenience of explanation, this is referred to as a second manufacturing method.

工程a:絶縁基板の表面に第1銅層のみを備える仮銅張積層板を製造する工程。
工程b:前記仮銅張積層板の第1銅層の表面にメッキレジストパターンを形成する工程。
Step a: Step of manufacturing a temporary copper clad laminate having only the first copper layer on the surface of the insulating substrate.
Step b: forming a plating resist pattern on the surface of the first copper layer of the temporary copper clad laminate.

工程c:前記仮銅張積層板のメッキレジストパターンが形成されていない第1銅層表面に銅メッキを施して配線形状の第2銅層を形成する工程。
工程d:前記メッキレジストパターンを除去して仮プリント配線板とする工程。
Step c: A step of forming a wiring-shaped second copper layer by performing copper plating on the surface of the first copper layer on which the plating resist pattern of the temporary copper-clad laminate is not formed.
Step d: A step of removing the plating resist pattern to obtain a temporary printed wiring board.

工程e:工程dで得られた仮プリント配線板を加熱処理して、前記第2銅層の結晶を巨晶化させる工程。
工程f:その後、前記第2銅層の結晶を巨晶化させた仮プリント配線板をエッチング処理して、第2銅層の形成されていない部分の露出した第1銅層を溶解除去しプリント配線板とする工程。
Step e: A step of heat treating the temporary printed wiring board obtained in step d to make the crystals of the second copper layer macrocrystalline.
Step f: Thereafter, the temporary printed wiring board in which the crystal of the second copper layer is macrocrystallized is etched to dissolve and remove the exposed first copper layer where the second copper layer is not formed. The process which makes a wiring board.

この第2製造方法においては、前記第2銅層の形成には、硫酸酸性銅メッキ液を用いた電気銅メッキ法を採用し、当該硫酸酸性銅メッキ液には、銅濃度が0.8mol/リットル
〜1.2mol/リットル、フリー硫酸濃度が0.8mol/リットル〜1.2mol/リットル
、塩素濃度が5ppm〜50ppmのものを用い、当該硫酸酸性銅メッキ液の1/2容量以上に対して活性炭処理を施したものを用いることが好ましい。
In this second production method, an electrolytic copper plating method using a sulfuric acid copper plating solution is employed for forming the second copper layer, and the sulfuric acid copper plating solution has a copper concentration of 0.8 mol / 1 to 1.2 mol / liter, free sulfuric acid concentration of 0.8 mol / liter to 1.2 mol / liter, chlorine concentration of 5 ppm to 50 ppm, and more than 1/2 volume of the sulfuric acid acidic copper plating solution It is preferable to use one that has been subjected to activated carbon treatment.

前記第2製造方法においては、前記工程eにおける加熱処理は、170℃〜180℃の温度で15分間以上加熱することが好ましい。
本発明に係る電解銅箔:
本発明に係る電解銅箔は、前記金属張積層板の製造に用いる電解銅箔であって、第1銅層と第2銅層とが積層した層構成を備え、175℃×15分間加熱後の第1銅層の平均結晶粒径が0.1μm以上1.0μm未満であり、第2銅層の平均結晶粒径が1.0μm以上5.0μm以下であることを特徴としている。
In the second manufacturing method, the heat treatment in the step e is preferably performed at a temperature of 170 ° C. to 180 ° C. for 15 minutes or more.
Electrolytic copper foil according to the present invention:
The electrolytic copper foil according to the present invention is an electrolytic copper foil used for the production of the metal-clad laminate, comprising a layer structure in which a first copper layer and a second copper layer are laminated, and after heating at 175 ° C. for 15 minutes. The first copper layer has an average crystal grain size of 0.1 μm or more and less than 1.0 μm, and the second copper layer has an average crystal grain size of 1.0 μm or more and 5.0 μm or less.

本発明により得られるプリント配線板は、良好なエッチングファクターの配線を備えたものである。しかも、フレキシブルプリント配線板とした場合には、良好なエッチングファクターの配線を備えると同時に、良好な耐屈曲性を発揮する。従って、モバイル機器などの液晶ドライバー用配線板等の配線を微細化しても、断線の危険性が少ないものである。また、本発明に係るプリント配線板の製造方法は、上記プリント配線板を効率よく得る方法として最適なものである。   The printed wiring board obtained by the present invention is provided with wiring having a good etching factor. In addition, when a flexible printed wiring board is used, wiring with a good etching factor is provided and at the same time good bending resistance is exhibited. Therefore, even if the wiring of a liquid crystal driver wiring board or the like for a mobile device is miniaturized, there is little risk of disconnection. Moreover, the method for producing a printed wiring board according to the present invention is optimal as a method for efficiently obtaining the printed wiring board.

以下の本発明に係るプリント配線板及びプリント配線板の製造方法の形態に関して説明する。なお、当該製造方法に関しては、第1製造方法と第2製造方法とに分別して説明す
る。
<本発明に係るプリント配線板の形態>
本発明に係るプリント配線板は、絶縁基板の表面に配線を形成したプリント配線板であって、当該配線は、第1銅層と第2銅層とが積層した層構成を備え、当該第1銅層側が前記絶縁基板と張り合わせられ、当該第2銅層の平均結晶粒径が当該第1銅層の平均結晶粒径より大きな平均結晶粒径を備えるものである。このような層構成の配線を備えるプリント配線板は、後述する製造方法を用いることで、配線の微細化が容易で、フレキシブルプリント配線板とした場合には良好な耐屈曲性を得ることができるのである。
The printed wiring board and the method for producing the printed wiring board according to the present invention will be described below. The manufacturing method will be described separately for the first manufacturing method and the second manufacturing method.
<Configuration of Printed Wiring Board According to the Present Invention>
The printed wiring board according to the present invention is a printed wiring board in which wiring is formed on the surface of an insulating substrate, and the wiring has a layer configuration in which a first copper layer and a second copper layer are laminated, The copper layer side is bonded to the insulating substrate, and the average crystal grain size of the second copper layer is larger than the average crystal grain size of the first copper layer. A printed wiring board provided with wiring having such a layer configuration can be easily miniaturized by using a manufacturing method described later, and can obtain good bending resistance when a flexible printed wiring board is used. It is.

配線の外層側にある第2銅層の平均結晶粒径が、当該第1銅層の平均結晶粒径より大きな平均結晶粒径を備えることで、フレキシブルプリント配線板とした場合の耐屈曲性能が飛躍的に向上する。ここで、フレキシブルプリント配線板に対し耐屈曲性試験を行い、繰り返し曲げ応力を負荷して回路断線に至るまでの過程を考える。繰り返し曲げ応力が負荷される場合、曲げに伴う変位量(伸び、収縮に伴う変位量)は、フレキシブルプリント配線板の断面内で考えると、その外表面に行くほど大きく、中心部に行くほど小さくなる。従って、フレキシブルプリント配線板の曲げ動作により、配線の外表面にマイクロクラックが生じ、繰り返し曲げを受けるうちに、結晶粒界に沿ってクラック伝播が起り、配線の破断に至ると考えるのが通常である。そこで、本発明に係るプリント配線板では、第2銅層の平均結晶粒径を大きくして、クラック伝播ルートとなる結晶粒界の少ない層とし、大きな伸び率を有する配線にすることを考えた。   Since the average crystal grain size of the second copper layer on the outer layer side of the wiring has an average crystal grain size larger than the average crystal grain size of the first copper layer, the bending resistance performance when a flexible printed wiring board is obtained Improve dramatically. Here, a bending resistance test is performed on the flexible printed wiring board, and a process from repeated bending stress to circuit disconnection is considered. When bending stress is repeatedly applied, the amount of displacement associated with bending (the amount of displacement associated with elongation or contraction) is larger when going to the outer surface of the flexible printed wiring board and smaller when going to the center. Become. Therefore, it is normal that the bending operation of the flexible printed wiring board causes micro cracks on the outer surface of the wiring, and crack propagation occurs along the crystal grain boundary during repeated bending, leading to wiring breakage. is there. Therefore, in the printed wiring board according to the present invention, it was considered to increase the average crystal grain size of the second copper layer so as to form a layer having few crystal grain boundaries serving as crack propagation routes and to have a large elongation rate. .

従って、耐屈曲性のみを考えれば、第1銅層の平均結晶粒径も、第2銅層の平均結晶粒径と同様レベルにして、更なる屈曲性能の向上を図ることも可能である。しかしながら、金属層の結晶粒径を大きくするということは、ロープロファイル平面を形成するという目的とは相反するものとなる。そこで、本発明に係るプリント配線板の配線を構成する第1銅層の第1結晶粒径のみを、第2結晶粒径と比べて小さな結晶粒径とすることとして、導電層の絶縁樹脂基材との張り合わせ面のロープロファイル化を図り、エッチングファクターに優れた配線の形成が可能なようにしたのである。即ち、良好な耐屈曲性能と良好なエッチング特性とを同時に得ることのできたプリント配線板と言えるのである。   Accordingly, considering only the bending resistance, it is possible to further improve the bending performance by setting the average crystal grain size of the first copper layer to the same level as the average crystal grain size of the second copper layer. However, increasing the crystal grain size of the metal layer is contrary to the purpose of forming a low profile plane. Therefore, only the first crystal grain size of the first copper layer constituting the wiring of the printed wiring board according to the present invention is made smaller than the second crystal grain size, so that the insulating resin group of the conductive layer is formed. The low profile of the bonding surface with the material was made possible to form a wiring with an excellent etching factor. That is, it can be said that it is a printed wiring board capable of simultaneously obtaining good bending resistance and good etching characteristics.

本発明に係るプリント配線板においては、前記第1銅層が平均結晶粒径0.1μm以上1.0μm未満であり、第2銅層が平均結晶粒径1.0μm〜5.0μmである。ここで言う平均結晶粒径とは、SEM(Scanning Electron Microscope)やFIB(Focused Ion Beam)装置、又は、金属顕微鏡を用い、配線厚みに対して200μm長さの断面をサンプリングして観察し、この範囲の各銅層に存在する結晶の長径と短径とを測定して平均した値である。ここで、平均結晶粒径が0.1μm未満の場合には、上記結晶粒径の観察方法のいずれを用いても正確な結晶粒径の測定が不能である。従って、第1銅層では、厳密な意味で平均結晶粒径が0.1μm未満を排除したものではない。これに対し、第1銅層の平均結晶粒径が1.0μm以上になると、結晶サイズの分布が広くなり、安定したエッチング速度を得ることが困難になる。第1銅層を構成する結晶の代表例を図1に示す。   In the printed wiring board according to the present invention, the first copper layer has an average crystal grain size of 0.1 μm or more and less than 1.0 μm, and the second copper layer has an average crystal grain size of 1.0 μm to 5.0 μm. The average crystal grain size referred to here is obtained by sampling and observing a 200 μm long section with respect to the wiring thickness using an SEM (Scanning Electron Microscope), an FIB (Focused Ion Beam) apparatus, or a metal microscope. It is the value which measured and averaged the major axis and minor axis of the crystal which exist in each copper layer of the range. Here, when the average crystal grain size is less than 0.1 μm, it is impossible to accurately measure the crystal grain size using any of the above-described crystal grain size observation methods. Therefore, in the first copper layer, the average crystal grain size is not excluded in the strict sense of less than 0.1 μm. On the other hand, when the average crystal grain size of the first copper layer is 1.0 μm or more, the crystal size distribution becomes wide and it becomes difficult to obtain a stable etching rate. A typical example of a crystal constituting the first copper layer is shown in FIG.

そして、第2銅層の平均結晶粒径は、1.0μm〜5.0μmであることが好ましい。第2銅層における平均結晶粒径も、第2銅層に存在する結晶の長径と短径とを測定して平均した値である。当該平均結晶粒径が1.0μm未満の場合には、フレキシブルプリント配線板とした場合の耐屈曲性能を改善し得ない。一方、当該平均結晶粒径が5.0μmを超える場合には、エッチング加工速度が遅くなり、良好なエッチングファクターを備える配線として得られにくくなる。第2銅層を構成する結晶の代表例を図2に示す。   And it is preferable that the average crystal grain diameter of a 2nd copper layer is 1.0 micrometer-5.0 micrometers. The average crystal grain size in the second copper layer is also a value obtained by measuring and averaging the major axis and minor axis of the crystals present in the second copper layer. When the average crystal grain size is less than 1.0 μm, the bending resistance performance when a flexible printed wiring board is formed cannot be improved. On the other hand, when the average crystal grain size exceeds 5.0 μm, the etching processing speed becomes slow, and it becomes difficult to obtain a wiring having a good etching factor. A representative example of a crystal constituting the second copper layer is shown in FIG.

この様な第1銅層、第2銅層のそれぞれの層を構成する金属は、その不純物などの含有レベルを変えることで、異なるレベルの平均結晶粒径を備えるものにすることが可能であ
る。更に、加熱することにより、結晶粒径の違いを明確にすることもできる。製造直後の結晶粒径がほぼ同一であっても、加熱による再結晶挙動が異なる結晶組織を作り分けることが可能だからである。この点に関しては、後述する製造方法において詳説する。
The metal constituting each of the first copper layer and the second copper layer can have different levels of average crystal grain size by changing the content level of impurities and the like. . Furthermore, the difference in crystal grain size can be clarified by heating. This is because even if the crystal grain size immediately after production is almost the same, it is possible to create different crystal structures with different recrystallization behaviors by heating. This will be described in detail in the manufacturing method described later.

本発明に係るプリント配線板においては、前記第2銅層の厚さは、前記第1銅層の厚さの5%〜500%の厚さである。この厚さの関係を定めるにあたっては、第1銅層と第2銅層の平均結晶粒径のサイズが影響する。即ち、第2銅層の平均結晶粒径が最大の5.0μmとした場合に、第1銅層の平均結晶粒子径が最小の0.1μmの組み合わせを考えた場合に、それぞれの金属層のエッチング速度を考え合わせる。その結果、第2銅層の厚さが第1銅層の厚さの500%を超えると、金属張積層板の状態からエッチング加工する場合に、エッチングされやすい第1銅層側の浸食速度が速くなり、第1銅層と第2銅層とのエッチング状態が顕著に異なるようになり、回路断面で見たエッチングファクターが悪くなるため好ましくない。一方、前記第2銅層の厚さが前記第1銅層の厚さの5%未満の場合には、耐屈曲性能を改善し得ない。   In the printed wiring board according to the present invention, the thickness of the second copper layer is 5% to 500% of the thickness of the first copper layer. In determining the thickness relationship, the average crystal grain size of the first copper layer and the second copper layer affects. That is, when the average crystal grain size of the second copper layer is 5.0 μm at the maximum, and when the combination of 0.1 μm with the minimum average crystal grain size of the first copper layer is considered, Consider the etching rate. As a result, when the thickness of the second copper layer exceeds 500% of the thickness of the first copper layer, when etching is performed from the state of the metal-clad laminate, the erosion rate on the first copper layer side that is easily etched is increased. This is not preferable because it becomes faster, the etching state of the first copper layer and the second copper layer become significantly different, and the etching factor seen in the circuit cross section becomes worse. On the other hand, when the thickness of the second copper layer is less than 5% of the thickness of the first copper layer, the bending resistance cannot be improved.

本発明に係るプリント配線板においては、前記第2銅層は、n層(但し、n≧1)のサブ金属層で構成され、第nサブ金属層は、第(n−1)サブ金属層の平均結晶粒径よりも大きな平均結晶粒径を備える。前述のように第1銅層と第2銅層との平均結晶粒径の違いが大きく、厚みの比も大きい場合には、第1銅層の蝕刻が大きくなり、配線断面の観察で段差が観察されることがある。この様な場合は、第2銅層の第1銅層寄りの平均結晶粒径を第1銅層の平均結晶粒径に近いものとすることが、段差を小さくするために有効である。従って、層数は必要に応じた設定とすればよい。   In the printed wiring board according to the present invention, the second copper layer is composed of n sublayers (where n ≧ 1), and the nth submetal layer is the (n−1) th submetal layer. The average crystal grain size is larger than the average crystal grain size. As described above, when the difference in the average crystal grain size between the first copper layer and the second copper layer is large and the ratio of the thickness is large, the etching of the first copper layer becomes large, and there is a step in the observation of the wiring cross section. May be observed. In such a case, it is effective to make the average crystal grain size of the second copper layer close to the first copper layer close to the average crystal grain size of the first copper layer in order to reduce the step. Therefore, the number of layers may be set as necessary.

そして、本発明に係るプリント配線板は、前記配線は、その任意の位置における横断面形状において、当該配線の厚さをTc、配線上面のトップ幅をWt、配線下面のボトム幅をWbとしたときに、以下の数式(1)で計算して得られるエッチングファクターが2.5
以上である。図3に、配線の横断面形状を模式的に示す。
In the printed wiring board according to the present invention, in the cross-sectional shape of the wiring at an arbitrary position, the thickness of the wiring is T c , the top width of the wiring upper surface is W t , and the bottom width of the wiring lower surface is W When b is set, the etching factor obtained by the following formula (1) is 2.5.
That's it. FIG. 3 schematically shows the cross-sectional shape of the wiring.

このエッチングファクターは、配線断面の形状が、いかに矩形で配線上面のトップ幅と配線下面のボトム幅との差が小さいかを示すものであり、配線上面のトップ幅(Wt)=
配線下面のボトム幅(Wb)が理想であり、このときエッチングファクターの値は、無限
大(∞)に近づく。従って、厳密に言えば、第1銅層と第2銅層とを同時にエッチングする製造方法の場合(以下の第1製造方法を採用した場合に相当)には、エッチングファクターが2.5以上、より好ましくは3.0以上である。一方、パターンメッキ法で第2銅層を形成する場合(以下の第2製造方法を採用した場合に相当)には、エッチングファクターが3.0以上、より好ましくは4.0以上とすることが可能になる。エッチングファクターが大きくなるほど、配線上面のトップ幅が広く、電子部品を表面実装する際の実装面積を広く取れるようになるため好ましい。
This etching factor indicates how the shape of the wiring cross section is rectangular and the difference between the top width of the upper surface of the wiring and the bottom width of the lower surface of the wiring is small. The top width (W t ) of the upper surface of the wiring =
The bottom width (W b ) on the lower surface of the wiring is ideal, and at this time, the value of the etching factor approaches infinity (∞). Therefore, strictly speaking, in the case of a manufacturing method in which the first copper layer and the second copper layer are simultaneously etched (corresponding to the case where the following first manufacturing method is adopted), the etching factor is 2.5 or more, More preferably, it is 3.0 or more. On the other hand, when the second copper layer is formed by pattern plating (corresponding to the case where the following second manufacturing method is adopted), the etching factor may be 3.0 or more, more preferably 4.0 or more. It becomes possible. A larger etching factor is preferable because the top width of the upper surface of the wiring is wider and a mounting area can be increased when the electronic component is surface-mounted.

また、配線の直線性に着目することも重要である。特に、高周波信号を伝達する配線では、トップラインとボトムラインとの両方に、良好な直線性が要求される。高周波電流が配線を流れるときの表皮効果を考えると、凹凸がない形状であることがノイズ信号を減少させ、動作異常を起こさないという観点から好ましい。また、耐屈曲性においても、引張り応力が付加された場合には、配線幅が広くなったり狭くなったりする状態があると、最
も配線幅の狭い部分に応力が集中して、配線にマイクロクラックの発生する起点となる可能性が高くなる。以上を考慮すると、形成される配線幅に要求されるバラツキは10%程度である。例えば、前記COFテープ等の製造に用いられる導体厚さは、5μm〜20μm程度である。そして、配線のピッチ(ライン幅+スペース幅)は40μm以下の微細パターンである。このとき、配線幅のバラツキが10%を超える場合には、エッチングファクターも2.5未満となる傾向が現れる。従って、上記エッチングファクターを2.5以上とすることが、電子部品の表面実装が容易で且つ耐屈曲性能に優れたフレキシブルプリント配線板とするためには重要である。
It is also important to pay attention to the linearity of the wiring. In particular, in a wiring that transmits a high-frequency signal, good linearity is required for both the top line and the bottom line. Considering the skin effect when a high-frequency current flows through the wiring, a shape having no irregularities is preferable from the viewpoint of reducing noise signals and causing no abnormal operation. In addition, in terms of bending resistance, when tensile stress is applied, if the wiring width becomes wider or narrower, the stress concentrates on the narrowest part of the wiring width, causing microcracks in the wiring. There is a high possibility that this will be the starting point. Considering the above, the variation required for the formed wiring width is about 10%. For example, the conductor thickness used for manufacturing the COF tape or the like is about 5 μm to 20 μm. The wiring pitch (line width + space width) is a fine pattern of 40 μm or less. At this time, when the variation in the wiring width exceeds 10%, the etching factor tends to be less than 2.5. Therefore, it is important that the etching factor is 2.5 or more in order to obtain a flexible printed wiring board that is easy to surface-mount electronic components and has excellent bending resistance.

本発明に係るプリント配線板において用いることのできる絶縁基板に関して述べる。本発明に係るプリント配線板が備える配線は、フレキシブルプリント配 線板、リジッドプ
リント配線板のいずれにも適用可能である。フレキシブルプリント配線板の場合には、絶縁基板に、ポリイミド樹脂フィルム、ポリイミドアミド樹脂フィルム、PET樹脂フィルム、液晶ポリマー樹脂等の可堯性を備えた樹脂フィルムを広く用いることができる。そして、リジッドプリント配線板の場合 には、加熱後に板状に硬化するものであり、骨格材
を含んだガラス−エポキシ樹脂プリプレグ、ガラス−ポリイミド樹脂プリプレグ、BTレジン樹脂プリプレグ等の公知のリジッド絶縁基板料の使用が可能である。
<本発明に係るプリント配線板の製造形態1>
ここでは、第1製造方法の形態に関して述べる。本発明に係るプリント配線板の第1製造方法は、以下の工程A〜工程Dを含むことを特徴とするものである。以下、工程毎に説明する。
工程A:
この工程では、絶縁基板の表面に、第1銅層と第2銅層とが積層した層構成の導体層を備え、当該第2銅層の平均結晶粒径が当該第1銅層の平均結晶粒径より大きな平均結晶粒径を備え、且つ、当該第1銅層側を前記絶縁基板と張り合わせた金属張積層板を準備する。この金属張積層板の製造方法には、いくつかの方法が採用できる。
An insulating substrate that can be used in the printed wiring board according to the present invention will be described. The wiring provided in the printed wiring board according to the present invention can be applied to either a flexible printed wiring board or a rigid printed wiring board. In the case of a flexible printed wiring board, a flexible resin film such as a polyimide resin film, a polyimide amide resin film, a PET resin film, or a liquid crystal polymer resin can be widely used for the insulating substrate. In the case of a rigid printed wiring board, it is cured into a plate shape after heating, and is a known rigid insulating substrate such as a glass-epoxy resin prepreg, a glass-polyimide resin prepreg, or a BT resin prepreg containing a skeleton material. The use of charge is possible.
<Manufacturing Form 1 of Printed Wiring Board According to the Present Invention>
Here, the form of the first manufacturing method will be described. The 1st manufacturing method of the printed wiring board concerning the present invention includes the following process A-process D, It is characterized by the above-mentioned. Hereinafter, it demonstrates for every process.
Process A:
In this step, a conductive layer having a layer structure in which a first copper layer and a second copper layer are laminated is provided on the surface of the insulating substrate, and the average crystal grain size of the second copper layer is the average crystal of the first copper layer. A metal-clad laminate having an average crystal grain size larger than the grain size and having the first copper layer side bonded to the insulating substrate is prepared. Several methods can be adopted as a method for producing the metal-clad laminate.

第1の金属張積層板の製造方法は、電解銅箔を用いる方法である。
このときの電解銅箔は、第1銅層と第2銅層とが積層した層構成で、当該第2銅層の平均結晶粒径が当該第1銅層の平均結晶粒径より大きな平均結晶粒径を備えるものである。ここで言う電解銅箔とは、電解銅箔の段階で既に、第1銅層の平均結晶粒径と第2銅層の平均結晶粒径とが明確に異なっているものである。従って、第1銅層と第2銅層との形成条件、銅電解液等を分別して、2段階の電解工程を経て製造した電解銅箔が該当する。但し、ここで言う電解銅箔とは、その全体を電解法で製造した銅箔を言うのではない。例えば、一旦、電解銅箔を製造し、その表面の片面側に無電解メッキ法又は物理蒸着法で、第1銅層又は第2銅層のいずれか一方の層を製造する場合をも含む趣旨である。以上に述べた電解銅箔の小さな平均結晶粒径を備える第1銅層側を、上記絶縁基板に対し、熱間プレス成形又は接着剤層を介して張り合わ せて金属張積層板を準備する。
The manufacturing method of the first metal-clad laminate is a method using electrolytic copper foil.
The electrolytic copper foil at this time has a layer structure in which a first copper layer and a second copper layer are laminated, and the average crystal grain size of the second copper layer is larger than the average crystal grain size of the first copper layer. It has a particle size. The electrolytic copper foil as used herein means that the average crystal grain size of the first copper layer and the average crystal grain size of the second copper layer are clearly different at the stage of the electrolytic copper foil. Therefore, the electrolytic copper foil manufactured through the two-stage electrolysis process by separating the formation conditions of the first copper layer and the second copper layer, the copper electrolyte, and the like corresponds. However, the electrolytic copper foil referred to here does not refer to a copper foil manufactured entirely by an electrolytic method. For example, it includes the case where an electrolytic copper foil is once manufactured, and one of the first copper layer and the second copper layer is manufactured on one side of the surface by an electroless plating method or a physical vapor deposition method. It is. A metal-clad laminate is prepared by bonding the first copper layer side of the electrolytic copper foil described above having a small average crystal grain size to the insulating substrate via hot press molding or an adhesive layer.

第2の金属張積層板の製造方法は、やはり第1銅層と第2銅層とが積層した層構成の電解銅箔を使用するのであるが、その第2銅層が170℃〜180℃で15分間以上の加熱を行うことにより再結晶化するものを用いる。   The method for producing the second metal-clad laminate uses an electrolytic copper foil having a layer structure in which a first copper layer and a second copper layer are laminated, and the second copper layer is 170 ° C. to 180 ° C. And those which are recrystallized by heating for 15 minutes or longer.

即ち、電解銅箔の段階では、第1銅層の平均結晶粒径と第2銅層の平均結晶粒径との差の区分ができないものである。しかし、この電解銅箔の第1銅層側を、金属張積層板の成形時にその第1銅層側に170℃〜180℃の温度を15分間以上負荷して絶縁基板と当該電解銅箔とを張り合わせると、当該第2銅層の平均結晶粒径が当該第1銅層の平均結晶粒径より大きなものとなる。即ち、ラミネート時の加熱により、第2銅層の銅の結晶組織が再結晶化して、第1銅層の平均結晶粒径より大きくなる。   That is, at the stage of the electrolytic copper foil, the difference between the average crystal grain size of the first copper layer and the average crystal grain size of the second copper layer cannot be classified. However, the first copper layer side of this electrolytic copper foil is loaded with a temperature of 170 ° C. to 180 ° C. for 15 minutes or more on the first copper layer side during molding of the metal-clad laminate, and the insulating substrate, the electrolytic copper foil, Are bonded together, the average crystal grain size of the second copper layer becomes larger than the average crystal grain size of the first copper layer. That is, the copper crystal structure of the second copper layer is recrystallized by heating at the time of lamination, and becomes larger than the average crystal grain size of the first copper layer.

このような第2銅層の銅の結晶組織を得るためには、硫酸酸性銅メッキ液を用いた電気銅メッキ法を採用し、当該硫酸酸性銅メッキ液には、銅濃度が0.8mol/リットル〜1
.2mol/リットル、フリー硫酸濃度が0.8mol/リットル〜1.2mol/リットル、塩
素濃度が5ppm〜50ppmのものを用い、当該硫酸酸性銅メッキ液の1/2容量以上を活性炭処理したものを用いることができる。ここで特徴的なのは、上記硫酸銅メッキ液の一部に活性炭処理したものを用いる点である。即ち、工業的に電解銅箔製造に用いる通常の銅電解液と比べ、清浄化した銅メッキ液を用いることで、170℃〜180℃で15分間以上の加熱を行うと再結晶化する電解銅箔が得られるのである。当該硫酸酸性銅メッキ液の1/2容量以上を活性炭処理したものとは、100リットルの銅メッキ液を準備する場合、50リットル以上を活性炭濾過して用いるという意味である。当該硫酸酸性銅メッキ液の活性炭処理量が1/2容量未満の場合には、170℃〜180℃で15分間程度加熱しても再結晶化を起こさないか、再結晶化を起こしても結晶粒径のバラツキが大きくて好ましくない。更に、電解条件に関して述べると、陽極に寸法安定性陽極(Dimension Stable
Anode:DSA)を用い、液温を40℃〜60℃として5A/dm2〜70A/dm2の電流密度で電解することが好ましい。再結晶化を起こす第2銅層を形成する場合の硫酸酸性銅メッキ液及び電解条件に関しては、以下同様である。
In order to obtain the copper crystal structure of the second copper layer, an electrolytic copper plating method using a sulfuric acid copper plating solution is employed, and the copper acid concentration of the sulfuric acid copper plating solution is 0.8 mol / Liter to 1
. 2 mol / liter, free sulfuric acid concentration of 0.8 mol / liter to 1.2 mol / liter, chlorine concentration of 5 ppm to 50 ppm is used, and a sulfuric acid-treated copper plating solution with a volume of 1/2 volume or more is activated carbon. be able to. What is characteristic here is that a part of the copper sulfate plating solution treated with activated carbon is used. In other words, compared to the normal copper electrolyte used for the production of electrolytic copper foil industrially, by using a cleaned copper plating solution, the electrolytic copper recrystallized when heated at 170 ° C. to 180 ° C. for 15 minutes or more. A foil is obtained. What activated 1/2 volume or more of the said sulfuric acid acidic copper plating solution means that when preparing 100 liters of copper plating solution, 50 liters or more are used after activated carbon filtration. When the activated carbon treatment amount of the sulfuric acid copper plating solution is less than ½ volume, recrystallization does not occur even if heated for about 15 minutes at 170 ° C. to 180 ° C., or crystals are generated even if recrystallization occurs. The variation in particle size is large, which is not preferable. Furthermore, regarding the electrolysis conditions, the dimension stable anode (Dimension Stable)
Anode: DSA) and the liquid temperature is preferably 40 ° C. to 60 ° C., and electrolysis is preferably performed at a current density of 5 A / dm 2 to 70 A / dm 2 . The same applies to the sulfuric acid copper plating solution and the electrolysis conditions when forming the second copper layer that causes recrystallization.

ここで加熱処理を、170℃〜180℃で15分間以上とすることが好ましいとしている。このように低温アニール性が良好な銅層は、170℃で10分間加熱すると、機械特性が大きく変化する。即ち、170℃×10分間の加熱で結晶粒径の変化が起り始める。そして、170℃以上の温度で15分間以上の加熱を行えば、第2銅層の平均結晶粒径が第1銅層の平均結晶粒径よりも大きくなる。しかし、加熱温度が高すぎたり、加熱時間を長く取りすぎると、第1銅層の結晶組織も再結晶化して巨晶化する傾向が現れるため、加熱温度は170℃〜180℃とし、加熱時間は15分間〜30分間とすることがより好ましい。この範囲であれば、絶縁基板としてエポキシ系樹脂を、絶縁層との接着剤としてウレタン系接着剤を用いることができる。この加熱条件に関しては、以下同様である。   Here, the heat treatment is preferably performed at 170 ° C. to 180 ° C. for 15 minutes or longer. As described above, when the copper layer having good low-temperature annealing property is heated at 170 ° C. for 10 minutes, the mechanical properties change greatly. That is, the crystal grain size begins to change by heating at 170 ° C. for 10 minutes. And if it heats for 15 minutes or more at the temperature of 170 degreeC or more, the average crystal grain diameter of a 2nd copper layer will become larger than the average crystal grain diameter of a 1st copper layer. However, if the heating temperature is too high or if the heating time is too long, the crystal structure of the first copper layer tends to recrystallize and become macrocrystalline, so the heating temperature is set to 170 ° C. to 180 ° C., and the heating time Is more preferably 15 minutes to 30 minutes. Within this range, an epoxy resin can be used as the insulating substrate, and a urethane adhesive can be used as the adhesive with the insulating layer. The same applies to the heating conditions.

第3の金属張積層板の製造方法は、電解銅箔を用いない方法である。
即ち、まず絶縁基板の上に無電解メッキ法で第1銅層を形成する。無電解メッキ法を用いるため、絶縁基板の表面に直接的に、第1銅層を形成できる。このときの無電解メッキには、銅の無電解メッキを適用するのであり、公知のいずれの無電解メッキ法を用いても構わない。そして、その第1銅層の上に、上述の方法を採用して、170℃〜180℃で15分間以上の加熱を行うことにより再結晶化する第2銅 層を形成して導体層とする。
The third method for producing a metal-clad laminate is a method that does not use electrolytic copper foil.
That is, first, a first copper layer is formed on an insulating substrate by an electroless plating method. Since the electroless plating method is used, the first copper layer can be formed directly on the surface of the insulating substrate. For the electroless plating at this time, copper electroless plating is applied, and any known electroless plating method may be used. Then, on the first copper layer, the above-mentioned method is adopted, and a second copper layer to be recrystallized is formed by heating at 170 ° C. to 180 ° C. for 15 minutes or more to form a conductor layer. .

その後、上述のように170℃〜180℃の温度を15分間以上負荷して加熱することで、当該第2銅層の平均結晶粒径が当該第1銅層の平均結晶粒径より大きな平均結晶粒径を備えるようにして、これを銅張積層板として用いる。
工程B:
この工程では、前記の導体層の第2銅層表面にエッチングレジストパターンを形成する。このエッチングレジストパターンを形成するためのエッチングレジストには、インク、ドライフィルム又は液体レジストなど、公知のいずれを用いてもよい。しかしながら、前述の配線の微細化と直線性等に配慮して良好な解像度を得るためには、液体レジストを選択することが好ましい。液体レジストを用いる場合は、前記第2銅層の表面を酸洗・水洗して表面を清浄化して乾燥し、この表面に液体レジストを塗布後乾燥させ、レジスト皮膜を形成する。そして、このレジスト皮膜上にエッチングレジストパターンを露光し、現像して不要部分を除去し、表面にエッチングレジストパターンを備える金属張積層板を得る。
工程C:
この工程では、前記エッチングレジストパターンを備える金属張積層板をエッチング処理してエッチングレジストパターンを形成していない部分の全ての導体層を溶解除去して
配線を形成する。このエッチング処理には、従来のプリント配線板製造に使用しているエッチング工程、エッチング条件をそのまま用いることができる。
Then, as described above, the average crystal grain size of the second copper layer is larger than the average crystal grain size of the first copper layer by applying a temperature of 170 ° C. to 180 ° C. for 15 minutes or more and heating. This is used as a copper clad laminate so as to have a particle size.
Process B:
In this step, an etching resist pattern is formed on the surface of the second copper layer of the conductor layer. Any known resist such as ink, dry film, or liquid resist may be used as the etching resist for forming the etching resist pattern. However, in order to obtain a good resolution in consideration of the above-described miniaturization and linearity of the wiring, it is preferable to select a liquid resist. In the case of using a liquid resist, the surface of the second copper layer is pickled and washed with water to clean and dry the surface, and after applying the liquid resist to the surface, the surface is dried to form a resist film. Then, the etching resist pattern is exposed on the resist film, and developed to remove unnecessary portions, thereby obtaining a metal-clad laminate having the etching resist pattern on the surface.
Process C:
In this step, the metal-clad laminate having the etching resist pattern is etched to dissolve and remove all the conductor layers where the etching resist pattern is not formed to form wiring. In this etching process, the etching process and etching conditions used in the conventional printed wiring board manufacturing can be used as they are.

即ち、塩化第二銅や塩化第二鉄を用いた酸系エッチング液又はアルカリエッチング液等を使用できる。特に、安定したエッチング処理を実施するためには、液質管理が容易な酸系エッチング液を用いることが好ましい。そして、エッチング処理で設定するオーバーエッチング時間は、前記ストロボエッチングなどから得たデータを基準に用い、全体の銅層をエッチングするために必要な時間の0%〜50%とすることが好ましい。しかし、第1銅層に対するアンダーカット現象の発生を最小にするため、オーバーエッチング時間は0%〜10%に設定することがより好ましい。
工程D:
この工程では、前記配線の表面に存在するエッチングレジストパターンを除去してプリント配線板を得る。エッチングレジストパターンを除去する具体的方法は、従来から広く知られており、エッチングレジストの種類に応じたものを選択使用すればよい。例えば、前述の液体レジストを用いる場合には、苛性ソーダ溶液のようなアルカリ性溶液を用いて、エッチングレジストパターンを膨潤剥離する。
<本発明に係るプリント配線板の製造形態2>
本発明に係る第2製造方法は、以下の工程a〜工程fを含むことを特徴とする。以下、第1製造方法の説明と重複する箇所に関しては、重複記載を避けるため、可能な限りその説明を省略する。
That is, an acid-based etching solution or an alkaline etching solution using cupric chloride or ferric chloride can be used. In particular, in order to carry out a stable etching process, it is preferable to use an acid-based etching solution that allows easy liquid quality management. The overetching time set in the etching process is preferably set to 0% to 50% of the time required for etching the entire copper layer using the data obtained from the strobe etching or the like as a reference. However, the overetching time is more preferably set to 0% to 10% in order to minimize the occurrence of undercut phenomenon on the first copper layer.
Process D:
In this step, a printed wiring board is obtained by removing the etching resist pattern present on the surface of the wiring. A specific method for removing the etching resist pattern has been widely known, and a method corresponding to the type of the etching resist may be selected and used. For example, when the above-described liquid resist is used, the etching resist pattern is swelled and peeled using an alkaline solution such as a caustic soda solution.
<Manufacturing Form 2 of Printed Wiring Board According to the Present Invention>
The second manufacturing method according to the present invention includes the following steps a to f. Hereinafter, in order to avoid duplicating description about the part which overlaps with description of a 1st manufacturing method, the description is abbreviate | omitted as much as possible.

工程a:
この工程では、絶縁基板の表面に第1銅層のみを備える仮銅張積層板を製造する。この第1銅層は、小さな平均結晶粒径を備えるものであり、電解銅箔を絶縁基板と張り合わせる方法を採用することができる。また、絶縁基板に無電解メッキ、物理蒸着法等を用いて直接的に形成することもできる。後述する工程eにおいて結晶粒径が大きく変化しない結晶組織を有していればよい。しかし、第1銅層と絶縁基板との間に一定レベルの接着強度を得るためには、電解銅箔を用い、ホットプレス方式、フレキシブルプリント配線板の場合にはキャスティング方式により製造した銅張積層板とすることが好ましい。そして、薄い第1銅層を得る場合には、キャリア付電解銅箔を用いることも好ましい。
Step a:
In this step, a temporary copper clad laminate having only the first copper layer on the surface of the insulating substrate is manufactured. The first copper layer has a small average crystal grain size, and a method of bonding the electrolytic copper foil to the insulating substrate can be employed. Alternatively, it can be directly formed on the insulating substrate using electroless plating, physical vapor deposition, or the like. It is only necessary to have a crystal structure in which the crystal grain size does not change greatly in the step e described later. However, in order to obtain a certain level of adhesive strength between the first copper layer and the insulating substrate, a copper-clad laminate manufactured using an electrolytic copper foil and in the case of a hot press method or a flexible printed wiring board by a casting method. It is preferable to use a plate. And when obtaining a thin 1st copper layer, it is also preferable to use electrolytic copper foil with a carrier.

工程b:
この工程では、前記仮銅張積層板の第1銅層の表面にメッキレジストパターンを形成する。ここで言うメッキレジストパターンは、エッチングレジスト同様、インク、ドライフィルム又は液体レジスト等公知のものを用いることができる。薄いメッキ銅層を形成する場合には、液体レジストを用いれば微細な配線パターンが得られやすい。しかし、メッキ銅層の厚さは、後の工程でエッチング処理されることも考慮した設定とすることが多い。この様に、メッキレジストパターンとしてある程度の厚さが必要な場合には、解像度等を考慮すると、ドライフィルムを用いることが好ましい。ドライフィルムを用いる場合は、前記第1銅層の表面を、酸洗などにより表面を清浄化して乾燥し、ラミネーターを用いてドライフィルムを貼付する。このドライフィルム上にメッキレジストパターンを露光し、現像して不要部分を除去し、メッキレジストパター を備える銅張積層板とする。
Step b:
In this step, a plating resist pattern is formed on the surface of the first copper layer of the temporary copper clad laminate. As the plating resist pattern here, a known one such as an ink, a dry film, or a liquid resist can be used similarly to the etching resist. When a thin plated copper layer is formed, a fine wiring pattern can be easily obtained by using a liquid resist. However, the thickness of the plated copper layer is often set in consideration of etching processing in a later process. As described above, when a certain thickness is required as the plating resist pattern, it is preferable to use a dry film in consideration of resolution and the like. When using a dry film, the surface of the first copper layer is dried by pickling the surface by pickling or the like, and a dry film is attached using a laminator. A plating resist pattern is exposed on this dry film, developed to remove unnecessary portions, and a copper-clad laminate provided with a plating resist pattern is obtained.

工程c:
この工程では、前記仮銅張積層板のメッキレジストパターンが形成されていない第1銅層表面に、銅メッキを施して配線形状に沿って第2銅層を形成する。即ち、パターンメッキ法を用いて、第2銅層の形成を行うのである。パターンメッキ法を用いることで、第2銅層として形成される配線の断面形状は、理想的形状に近いものとして形成できる。従って、結果として、エッチングファクターに優れた配線形状を得ることが容易になる。このときの第2銅層の形成は、170℃〜180℃の温度で15分間以上の加熱を受けると再
結晶化する低温アニール性のよい銅層を形成できる手法であれば、いずれを用いても構わず電解銅メッキ法、無電解銅メッキ法、物理蒸着法等を用いることができる。しかし、量産性とコストを考えれば、上述の硫酸酸性銅メッキ液を用い、同様の条件で銅メッキすることが好ましい。
Step c:
In this step, copper plating is performed on the surface of the first copper layer on which the plating resist pattern of the temporary copper-clad laminate is not formed to form a second copper layer along the wiring shape. That is, the second copper layer is formed using a pattern plating method. By using the pattern plating method, the cross-sectional shape of the wiring formed as the second copper layer can be formed close to an ideal shape. Therefore, as a result, it becomes easy to obtain a wiring shape having an excellent etching factor. The formation of the second copper layer at this time may be any method as long as it can form a copper layer with good low-temperature annealing property that is recrystallized when heated at a temperature of 170 ° C. to 180 ° C. for 15 minutes or more. Of course, an electrolytic copper plating method, an electroless copper plating method, a physical vapor deposition method, or the like can be used. However, in view of mass productivity and cost, it is preferable to perform copper plating under the same conditions using the above-mentioned sulfuric acid copper plating solution.

工程d:
この工程では、前記メッキレジストパターンを除去して仮プリント配線板とする。このメッキレジストパターンの除去には、エッチングレジストパターンの除去と同様の概念が適用できるため、重複した記載を避けるために、説明を省略する。
Step d:
In this step, the plating resist pattern is removed to obtain a temporary printed wiring board. Since the same concept as the removal of the etching resist pattern can be applied to the removal of the plating resist pattern, the description thereof is omitted to avoid redundant description.

工程e:
この工程では、工程dで得られた仮プリント配線板を加熱処理して、前記第2銅層の結晶を巨晶化させる。このときの加熱条件に関しては、上述した通りであるため、ここでの説明は省略する。
Step e:
In this step, the temporary printed wiring board obtained in step d is heat-treated to crystallize the crystals of the second copper layer. Since the heating conditions at this time are as described above, description thereof is omitted here.

工程f:
この工程では、その後、前記第2銅層の結晶を巨晶化させた仮プリント配線板をエッチング処理して、第2銅層の形成されていない部分の露出した第1銅層を溶解除去しプリント配線板とする。この工程では、回路形状に沿って形成した第2銅層の表面に錫等を薄くメッキしたメタルレジスト層を形成してエッチングすることもできるが、アンダーカットの発生を回避するのであれば、フラッシュエッチング法を採用するのが好ましい。
Step f:
In this step, after that, the temporary printed wiring board in which the crystal of the second copper layer is macrocrystallized is etched to dissolve and remove the exposed first copper layer where the second copper layer is not formed. A printed wiring board. In this process, it is possible to form and etch a metal resist layer that is thinly plated with tin or the like on the surface of the second copper layer formed along the circuit shape. It is preferable to employ an etching method.

フラッシュエッチング法を適用する場合は、前述の銅エッチング方法を用いればよい。メッキされた第2銅層が第1銅層のエッチングレジストとして機能するからである。
即ち、大きな平均結晶粒径を備える第2銅層が、ゆっくりエッチングされ、小さな平均結晶粒径を備える第1銅層が速くエッチングされることにより、良好なエッチングファクターを備える配線パターンが得られる。そして、エッチング処理で設定するオーバーエッチング時間は、前記ストロボエッチングなどを第1銅層に対して実施して得たデータを基準に用い、第1銅層をエッチングするために必要な時間の0%〜50%とすることが好ましい。しかし、メッキ銅層の減耗と、第1銅層に対するアンダーカット現象を最小にするためには、オーバーエッチング時間は0%〜10%に設定することがより好ましい。
When the flash etching method is applied, the above-described copper etching method may be used. This is because the plated second copper layer functions as an etching resist for the first copper layer.
That is, the second copper layer having a large average crystal grain size is etched slowly, and the first copper layer having a small average crystal grain size is etched quickly, whereby a wiring pattern having a good etching factor is obtained. The overetching time set by the etching process is 0% of the time required for etching the first copper layer using the data obtained by performing the strobe etching or the like on the first copper layer as a reference. It is preferable to set it to -50%. However, in order to minimize the wear of the plated copper layer and the undercut phenomenon with respect to the first copper layer, the overetching time is more preferably set to 0% to 10%.

なお、いずれの製造形態の場合も、配線の形成後、配線にSn、Sn−Bi、Auなどの金属メッキあるいはこれらの金属を含む合金メッキがなされる。次いで、配線の端子部分を除いて、ソルダーレジスト又はカバーレイを用いて、絶縁保護層が配線上に形成され、プリント配線板が得られる。なお、上記端子部分へのメッキは、絶縁保護層の形成後に行ってもよい。
<本発明に係る電解銅箔の形態>
本発明に係る電解銅箔は、前記金属張積層板の製造に用いる電解銅箔であって、175℃×15分間加熱後の第1銅層の平均結晶粒径が0.1μm以上1.0μm未満であり、第2銅層の平均結晶粒径が1.0μm以上5.0μm以下である。
In any of the manufacturing forms, after the wiring is formed, the wiring is plated with metal such as Sn, Sn-Bi, or Au, or alloy plating containing these metals. Next, an insulating protective layer is formed on the wiring using a solder resist or a coverlay except for the terminal portion of the wiring, and a printed wiring board is obtained. In addition, you may perform the plating to the said terminal part after formation of an insulating protective layer.
<Form of electrolytic copper foil according to the present invention>
The electrolytic copper foil according to the present invention is an electrolytic copper foil used for producing the metal-clad laminate, and the average crystal grain size of the first copper layer after heating at 175 ° C. for 15 minutes is 0.1 μm or more and 1.0 μm. The average crystal grain size of the second copper layer is 1.0 μm or more and 5.0 μm or less.

前記構成を備える電解銅箔は、電解銅箔の製造に用いる電解液として、浴組成が異なる2種類を用い、2段階の電解工程を採用することにより製造できる。例えば、第1銅層は、銅濃度が0.8mol/リットル〜1.2mol/リットル、フリー硫酸濃度が0.8mol/
リットル〜1.2mol/リットル、塩素イオン濃度が3〜10ppmで、且つゼラチン系添加剤濃度が0.3〜5ppmの銅電解液を用い、40〜60℃の液温で、且つ5〜50A/dm2の電流密度で電解して形成することができる。第2銅層の形成には、銅濃度が0.8mol
/リットル〜1.2mol/リットル、フリー硫酸濃度が0.8mol/リットル〜1.2mol
/リットル、塩素イオン濃度が5ppm〜50ppmの銅電解液を用いる。そして、この硫酸酸
性銅電解液を電解槽に供給する際には供給液量の1/2以上を活性炭処理した液とし、40〜60℃の液温で、5〜70A/dm2の電流密度で電解することで、第2銅層を形成す
ることができる。
The electrolytic copper foil having the above-described configuration can be manufactured by using two types of bath compositions having different bath compositions as the electrolytic solution used for manufacturing the electrolytic copper foil, and employing a two-stage electrolytic process. For example, the first copper layer has a copper concentration of 0.8 mol / liter to 1.2 mol / liter and a free sulfuric acid concentration of 0.8 mol / liter.
1 to 1.2 mol / liter, a copper electrolyte solution having a chloride ion concentration of 3 to 10 ppm and a gelatin additive concentration of 0.3 to 5 ppm, a liquid temperature of 40 to 60 ° C., and 5 to 50 A / it can be formed by electrolysis at a current density of dm 2. For the formation of the second copper layer, the copper concentration is 0.8 mol.
/ Liter to 1.2 mol / liter, free sulfuric acid concentration is 0.8 mol / liter to 1.2 mol
/ Liter, and a copper electrolyte having a chlorine ion concentration of 5 ppm to 50 ppm is used. And when supplying this sulfuric acid acidic copper electrolyte to an electrolytic cell, it is set as the liquid which processed activated carbon more than 1/2 of the amount of supply liquid, and the current density of 5-70 A / dm < 2 > at the liquid temperature of 40-60 degreeC. By electrolyzing, a second copper layer can be formed.

このような電解銅箔を製造する設備には、キャリア付電解銅箔の製造に用いる設備をはじめとする、各種提案されている設備をアレンジして用いることができる。そして、第1銅層の上に第2銅層を形成するか、第2銅層の上に第1銅層を形成するかは、各層の厚みの設定や、そのときの工程の状況を見て選択すればよい。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を示して本発明を説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
As equipment for producing such an electrolytic copper foil, various kinds of proposed equipment can be arranged and used, including equipment used for producing electrolytic copper foil with a carrier. Whether the second copper layer is formed on the first copper layer or the first copper layer is formed on the second copper layer depends on the setting of the thickness of each layer and the state of the process at that time. To select.
〔Example〕
Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples of the present invention, but the present invention is not limited thereto.

実施例1では、厚さ35μmの長尺状のポリイミドフィルムの表面に、平均結晶粒径が0.5μmで厚さ4μmの第1銅層と、平均結晶粒径2.0μmで厚さ4μmの第2銅層とを備えるFCCLを用いた。   In Example 1, on the surface of a long polyimide film having a thickness of 35 μm, a first copper layer having an average crystal grain size of 0.5 μm and a thickness of 4 μm, and an average crystal grain size of 2.0 μm and a thickness of 4 μm. FCCL with a second copper layer was used.

前記FCCLを硫酸濃度30g/リットルの希硫酸で酸洗後水洗して乾燥し、市販の液体フォトレジストインク(エッチングレジストインク)を第2銅層表面に塗布した。この液体レジスト皮膜が形成されたFCCLを乾燥し、配線パターンを投影して露光した。   The FCCL was washed with dilute sulfuric acid having a sulfuric acid concentration of 30 g / liter, washed with water and dried, and a commercially available liquid photoresist ink (etching resist ink) was applied to the surface of the second copper layer. The FCCL on which the liquid resist film was formed was dried, and a wiring pattern was projected and exposed.

評価に用いた配線パターンは、配線ピッチ30μmの直線パター ンである。
露光後は、炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像し、不要部分のレジストを剥離除去し、水洗後乾燥してエッチングレジストパターンを備えるFCCLを得た。
The wiring pattern used for the evaluation is a linear pattern with a wiring pitch of 30 μm.
After the exposure, development was performed using an aqueous sodium carbonate solution, and unnecessary portions of the resist were peeled and removed, followed by washing with water and drying to obtain FCCL having an etching resist pattern.

前記にて得られたエッチングレジストパターンを備えるFCCLをエッチング処理し、配線ピッチ30μmの直線パターンの配線を有するプリント配線板を得た。このプリント配線板に対して、配線の断面形状を10点評価し、エッチングファクターを求めた。   The FCCL provided with the etching resist pattern obtained above was etched to obtain a printed wiring board having a linear pattern of wiring with a wiring pitch of 30 μm. With respect to this printed wiring board, the cross-sectional shape of the wiring was evaluated at 10 points to determine the etching factor.

また、その他の特性としてMIT耐折試験を実施した。
MIT耐折試験においては、図4に示す様な、絶縁基板6上に配線パターン7を形成し、耐折試験を実施する部分8に絶縁保護層5を形成した試験片4として作成して使用した。この試験片を図5に示すMIT耐折試験装置を用い、折り曲げ曲率R:0.5mm/荷重:100gfの条件に設定して実施した。なお、配線パターン7の破断は、両端の導通検出端子9間での導通がなくなったことで検出した。
Moreover, the MIT folding-proof test was implemented as another characteristic.
In the MIT folding endurance test, as shown in FIG. 4, a wiring pattern 7 is formed on an insulating substrate 6 and used as a test piece 4 in which an insulating protective layer 5 is formed on a portion 8 where the folding endurance test is performed. did. This test piece was carried out using the MIT folding test apparatus shown in FIG. 5 under the conditions of bending curvature R: 0.5 mm / load: 100 gf. The breakage of the wiring pattern 7 was detected by the absence of conduction between the conduction detection terminals 9 at both ends.

上記評価及び試験の結果、エッチングファクターは平均5.3(銅層厚さ8μm/トップ幅12μm/ボトム幅15μm)であった。断線に至るまでのMIT耐折試験での折り曲げ回数は200回であった。   As a result of the above evaluation and test, the etching factor was an average of 5.3 (copper layer thickness 8 μm / top width 12 μm / bottom width 15 μm). The number of bendings in the MIT folding endurance test up to disconnection was 200 times.

以上を纏め、比較例1の評価・試験結果と併せて表1に示す。
〔比較例1〕
比較例1では、実施例1における第1銅層と同レベルの結晶粒径を有する電解銅箔を導電層として備え、COFテープの製造用途に用いられているFCCLを出発材料とした。
The above is summarized and shown in Table 1 together with the evaluation and test results of Comparative Example 1.
[Comparative Example 1]
In Comparative Example 1, an electrolytic copper foil having the same grain size as that of the first copper layer in Example 1 was provided as a conductive layer, and FCCL used for COF tape production was used as a starting material.

評価用の配線の形成方法、及び、評価・試験方法は実施例と共通とした。重複する説明を避けるため、ここでの記載は省略する。
上記評価及び試験の結果、表1に示す様に、エッチングファクターは平均2.0(銅層厚さ8μm/トップ幅7μm/ボトム幅15μm)であった。
The method of forming the wiring for evaluation and the method of evaluation / test were the same as in the examples. The description here is omitted to avoid redundant description.
As a result of the evaluation and the test, as shown in Table 1, the etching factor was an average of 2.0 (copper layer thickness 8 μm / top width 7 μm / bottom width 15 μm).

断線に至るまでのMIT耐折試験での折り曲げ回数は、150回であった。   The number of bendings in the MIT folding endurance test until disconnection was 150.

<実施例1と比較例1との対比>
上記から、実施例1で得られた配線の断面形状は、比較例1で得られた従来技術による配線の断面形状に対し、エッチングファクターで2.7倍という、良好な矩形形状を示している。そして、MIT試験における耐屈曲性では、1.3倍程度の耐久性を示している。従って、絶縁基板側から金属層の表面に向って、結晶粒径が大きくなる構成を有する金属層を配線として備えるプリント配線板は、配線の形状及び耐屈曲性において優位性を持つことが明らかである。
<Contrast between Example 1 and Comparative Example 1>
From the above, the cross-sectional shape of the wiring obtained in Example 1 shows a favorable rectangular shape with an etching factor of 2.7 times that of the conventional cross-sectional shape obtained in Comparative Example 1. . And in the bending resistance in the MIT test, the durability is about 1.3 times. Therefore, it is clear that a printed wiring board provided with a metal layer having a configuration in which the crystal grain size increases from the insulating substrate side toward the surface of the metal layer as a wiring has an advantage in the shape and bending resistance of the wiring. is there.

実施例1おいて、第1銅層における銅の平均結晶粒径を0.2μmとし、第2銅層の平
均結晶粒径を1.1μmとした以外は同様のFCCLを用いた。
上記のFCCLを用いた以外は実施例1と同様にして配線ピッチ30μmの直線パターンの配線を有するプリント配線板を得た。このプリント配線板に対して、配線の断面形状を10点評価し、エッチングファクターを求めた。
In Example 1, the same FCCL was used except that the average crystal grain size of copper in the first copper layer was 0.2 μm and the average crystal grain size of the second copper layer was 1.1 μm.
A printed wiring board having a linear pattern of wiring with a wiring pitch of 30 μm was obtained in the same manner as in Example 1 except that the above FCCL was used. With respect to this printed wiring board, the cross-sectional shape of the wiring was evaluated at 10 points to determine the etching factor.

また、その他の特性としてMIT耐折試験を実施した。
このプリント配線板のエッチングファクターは5.0であり、断線に至るまでのMIT耐折試験の折り曲げ回数は165回であった。
Moreover, the MIT folding-proof test was implemented as another characteristic.
The etching factor of this printed wiring board was 5.0, and the number of bendings in the MIT folding resistance test until disconnection was 165 times.

実施例1おいて、第1銅層における銅の平均結晶粒径を0.9μmとし、第2銅層の平
均結晶粒径を3.5μmとした以外は同様のFCCLを用いた。
上記のFCCLを用いた以外は実施例1と同様にして配線ピッチ30μmの直線パターンの配線を有するプリント配線板を得た。このプリント配線板に対して、配線の断面形状を10点評価し、エッチングファクターを求めた。
In Example 1, the same FCCL was used except that the average crystal grain size of copper in the first copper layer was 0.9 μm and the average crystal grain size of the second copper layer was 3.5 μm.
A printed wiring board having a linear pattern of wiring with a wiring pitch of 30 μm was obtained in the same manner as in Example 1 except that the above FCCL was used. With respect to this printed wiring board, the cross-sectional shape of the wiring was evaluated at 10 points to determine the etching factor.

また、その他の特性としてMIT耐折試験を実施した。
このプリント配線板のエッチングファクターは4.6であり、断線に至るまでのMIT耐折試験の折り曲げ回数は230回であった。
Moreover, the MIT folding-proof test was implemented as another characteristic.
The etching factor of this printed wiring board was 4.6, and the number of bendings in the MIT folding endurance test until disconnection was 230.

実施例1おいて、第1銅層における銅の平均結晶粒径を1.1μmとし、第2銅層の平
均結晶粒径を2.0μmとした以外は同様のFCCLを用いた。
上記のFCCLを用いた以外は実施例1と同様にして配線ピッチ30μmの直線パターンの配線を有するプリント配線板を得た。このプリント配線板に対して、配線の断面形状を10点評価し、エッチングファクターを求めた。
In Example 1, the same FCCL was used except that the average crystal grain size of copper in the first copper layer was 1.1 μm and the average crystal grain size of the second copper layer was 2.0 μm.
A printed wiring board having a linear pattern of wiring with a wiring pitch of 30 μm was obtained in the same manner as in Example 1 except that the above FCCL was used. With respect to this printed wiring board, the cross-sectional shape of the wiring was evaluated at 10 points to determine the etching factor.

また、その他の特性としてMIT耐折試験を実施した。
このプリント配線板のエッチングファクターは2.6であった。ただし、第1銅層の平均結晶粒径が1μm以上になると、結晶サイズの分布が広くなり、これに起因にして個別のエッチングファクターの値は2.0〜3.6の範囲内でばらつき、バラツキ幅が大きくなった。
Moreover, the MIT folding-proof test was implemented as another characteristic.
The printed wiring board had an etching factor of 2.6. However, when the average crystal grain size of the first copper layer is 1 μm or more, the crystal size distribution becomes wide, and due to this, the value of the individual etching factor varies within the range of 2.0 to 3.6, The variation width became large.

また、断線に至るまでのMIT耐折試験の折り曲げ回数は180回であった。   Further, the number of bendings in the MIT folding endurance test up to the disconnection was 180 times.

実施例1おいて、第1銅層における銅の平均結晶粒径を0.5μmとし、第2銅層の平
均結晶粒径を0.9μmとした以外は同様のFCCLを用いた。
上記のFCCLを用いた以外は実施例1と同様にして配線ピッチ30μmの直線パターンの配線を有するプリント配線板を得た。このプリント配線板に対して、配線の断面形状を10点評価し、エッチングファクターを求めた。
In Example 1, the same FCCL was used except that the average crystal grain size of copper in the first copper layer was 0.5 μm and the average crystal grain size of the second copper layer was 0.9 μm.
A printed wiring board having a linear pattern of wiring with a wiring pitch of 30 μm was obtained in the same manner as in Example 1 except that the above FCCL was used. With respect to this printed wiring board, the cross-sectional shape of the wiring was evaluated at 10 points to determine the etching factor.

また、その他の特性としてMIT耐折試験を実施した。
このプリント配線板のエッチングファクターは3.0であったが、断線に至るまでのMIT耐折試験の折り曲げ回数が155回であり、第2銅層の平均結晶粒径が1μm未満であると、MIT耐折試験における耐折性能は改善されるものの、その改善効果が充分であるとはいえない。
Moreover, the MIT folding-proof test was implemented as another characteristic.
The etching factor of this printed wiring board was 3.0, but the number of folds in the MIT folding test until disconnection was 155, and the average crystal grain size of the second copper layer was less than 1 μm. Although the folding performance in the MIT folding test is improved, it cannot be said that the improvement effect is sufficient.

上記実施例1〜5について検討してみると、第2銅層を形成する銅結晶の平均結晶粒径が、第1銅層を形成する銅結晶の平均結晶粒径よりも大きい場合であっても、第1銅層の平均結晶粒径が1μmを超えて大きい場合、エッチングファクターの平均値は良好な範囲内にあるものの、個別に測定したエッチングファクターの値の分布幅が広くなる傾向があり、均質な配線が形成されにくくなりやすく、また、第2銅層の平均結晶粒径が1μmを下回る場合には、MIT耐折試験において断線に至るまでの折り曲げ回数の改善効果が必ずしも充分であるとはいえない。そして、第1銅層の銅結晶の平均結晶粒径が0.1μm以上1.0μm未満であって、かつ第2銅層の銅結晶の平均結晶粒径が1.0μm〜5μmの範囲内にある場合にこのような傾向は生じない。従って、第1銅層および第2銅層を形成する銅結晶の平均結晶粒径において、1.0μmという平均結晶粒径は、得られる配線に種々の特性変化をもたらす境界点である。   Examining the above Examples 1 to 5, when the average crystal grain size of the copper crystal forming the second copper layer is larger than the average crystal grain size of the copper crystal forming the first copper layer, However, when the average crystal grain size of the first copper layer is larger than 1 μm, the average value of the etching factor is within a good range, but the distribution range of the etching factor values measured individually tends to be wide. If the average crystal grain size of the second copper layer is less than 1 μm, it is not always sufficient to improve the number of bendings until the wire breaks in the MIT folding resistance test. That's not true. The average crystal grain size of the copper crystal of the first copper layer is not less than 0.1 μm and less than 1.0 μm, and the average crystal grain size of the copper crystal of the second copper layer is in the range of 1.0 μm to 5 μm. In some cases, this tendency does not occur. Therefore, in the average crystal grain size of the copper crystals forming the first copper layer and the second copper layer, the average crystal grain size of 1.0 μm is a boundary point that causes various characteristic changes in the obtained wiring.

本発明により得られるプリント配線板は、絶縁基板の表面に形成した配線が良好なエッチングファクターを備え、フレキシブルプリント配線板とした場合には耐屈曲性に優れた製品となる。従って、モバイル機器など向けの液晶ドライバー実装用プリント配線板等の配線の微細配線化を容易にすると同時に、回路断線の危険性も少なくなる。しかも、当該プリント配線板の製造プロセスは、従来の製造設備を使用して実施することが可能であり、新たな設備投資を必要とはしないため、経済性に優れ且つ良好な品質のプリント配線板の提供を可能にする。   In the printed wiring board obtained by the present invention, the wiring formed on the surface of the insulating substrate has a good etching factor, and when it is a flexible printed wiring board, the product is excellent in bending resistance. Therefore, the wiring of a liquid crystal driver mounting printed circuit board for mobile devices and the like can be easily miniaturized, and the risk of circuit disconnection is reduced. Moreover, the printed wiring board manufacturing process can be carried out using conventional manufacturing equipment, and does not require new capital investment. Therefore, the printed wiring board is excellent in economy and has good quality. Enables the provision of

図1は、微細結晶を有する銅層の例を示す写真である。FIG. 1 is a photograph showing an example of a copper layer having fine crystals. 図2は、巨晶化した銅層の例を示す写真である。FIG. 2 is a photograph showing an example of a macrocrystalline copper layer. 図3は、配線の横断面形状を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing the cross-sectional shape of the wiring. 図4は、MIT耐折試験用試験片を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic view showing a test piece for MIT folding resistance test. 図5は、MIT試験装置の概略図である。FIG. 5 is a schematic diagram of the MIT test apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・トップ幅(Wt
2・・・ボトム幅(Wb
3・・・銅層の合計厚さ(Tc
4・・・MIT 耐折試験用試験片
5・・・絶縁保護層
6・・・絶縁基材
7・・・銅配線
8・・・耐折試験部
9・・・導通検出端子
10・・・試験片
11・・・折り曲げ装置
12・・・折り曲げ装置取り付け台
13・・・プランジャ
14・・・荷重を加える掴み具
15・・・導線
16・・・試験片露出部(長さ50mm〜70mm)
17・・・折り曲げ角度(135°±5°)
18・・・折り曲げ角度(135°±5°)
1 Top width (W t )
2 ... Bottom width (W b )
3 ... Total thickness of copper layer ( Tc )
4 ... MIT Folding test specimen 5 ... Insulating protective layer 6 ... Insulating substrate 7 ... Copper wiring 8 ... Folding test part 9 ... Conduction detection terminal 10 ... Test piece 11 ... Bending device 12 ... Bending device mounting base 13 ... Plunger 14 ... Grip 15 for applying a load ... Conductor 16 ... Test piece exposed part (length: 50 mm to 70 mm)
17 ... Bending angle (135 ° ± 5 °)
18 ... Bending angle (135 ° ± 5 °)

Claims (16)

絶縁基板の表面に配線を形成したプリント配線板であって、
当該配線は、第1銅層と第2銅層とが積層した層構成を備え、当該第1銅層側が前記絶縁基板と張り合わせられ、
当該第2銅層の平均結晶粒径が当該第1銅層の平均結晶粒径より大きな平均結晶粒径を備えることを特徴とするプリント配線板。
A printed wiring board in which wiring is formed on the surface of an insulating substrate,
The wiring has a layer structure in which a first copper layer and a second copper layer are laminated, and the first copper layer side is bonded to the insulating substrate,
A printed wiring board comprising an average crystal grain size of the second copper layer larger than that of the first copper layer.
前記第1銅層の銅の平均結晶粒径0.1μm以上1.0μm未満であり、第2銅層の銅の平均結晶粒径1.0μm〜5.0μmである請求項1に記載のプリント配線板。   2. The print according to claim 1, wherein the average crystal grain size of copper in the first copper layer is 0.1 μm or more and less than 1.0 μm, and the average crystal grain size of copper in the second copper layer is 1.0 μm to 5.0 μm. Wiring board. 前記第2銅層の厚さは、前記第1銅層の厚さの5%〜500%の厚さである請求項1又は請求項2に記載のプリント配線板。   The printed wiring board according to claim 1 or 2, wherein the thickness of the second copper layer is 5% to 500% of the thickness of the first copper layer. 前記第2銅層は、n層(但し、n≧1)のサブ金属層で構成され、
第nサブ金属層は、第(n−1)サブ金属層の平均結晶粒径よりも大きな平均結晶粒径を備えることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載のプリント配線板。
The second copper layer is composed of n sublayers (where n ≧ 1),
4. The printed wiring according to claim 1, wherein the n-th sub-metal layer has an average crystal grain size larger than that of the (n−1) -th sub-metal layer. Board.
前記配線は、その任意の位置における横断面形状において、当該配線の厚さをTc、配
線上面のトップ幅をWt、配線下面のボトム幅をWbとしたときに、以下の数式(1)で計算して得られるエッチングファクターが2.5以上である請求項1〜請求項4のいずれかに記載のプリント配線板;
When the wiring has a cross-sectional shape at an arbitrary position, the thickness of the wiring is T c , the top width of the wiring upper surface is W t , and the bottom width of the wiring lower surface is W b , The printed wiring board according to any one of claims 1 to 4, wherein an etching factor obtained by calculation in (2) is 2.5 or more.
絶縁基板にフレキシブルプリント配線板用基材を用いた請求項1〜請求項5のいずれかに記載のプリント配線板。   The printed wiring board in any one of Claims 1-5 which used the base material for flexible printed wiring boards for the insulated substrate. 絶縁基板にリジッドプリント配線板用基材を用いた請求項1〜請求項5のいずれかに記載のプリント配線板。   The printed wiring board in any one of Claims 1-5 which used the base material for rigid printed wiring boards for the insulated substrate. 請求項1〜請求項7のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法であって、以下の工程A〜工程Dを含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
工程A:絶縁基板の表面に、第1銅層と第2銅層とが積層した層構成の導体層を備え、当該第2銅層の平均結晶粒径が当該第1銅層の平均結晶粒径より大きな平均結晶粒径を備え、且つ、当該第1銅層側を前記絶縁基板と張り合わせた金属張積層板を準備する工程。
工程B:前記の導体層の第2銅層表面にエッチングレジストパターンを形成する工程。
工程C:前記エッチングレジストパターンを備える金属張積層板をエッチング処理してエッチングレジストパターンを形成していない部分の導体層を溶解除去して配線を形成する工程。
工程D:前記配線の表面に存在するエッチングレジストパターンを除去してプリント配線板を得る工程。
It is a manufacturing method of the printed wiring board in any one of Claims 1-7, Comprising: The manufacturing method of the printed wiring board characterized by including the following process A-process D.
Step A: A conductive layer having a layer structure in which a first copper layer and a second copper layer are laminated on the surface of an insulating substrate, and the average crystal grain size of the second copper layer is the average crystal grain of the first copper layer. A step of preparing a metal-clad laminate having an average crystal grain size larger than the diameter and having the first copper layer side bonded to the insulating substrate.
Step B: A step of forming an etching resist pattern on the surface of the second copper layer of the conductor layer.
Step C: A step of etching the metal-clad laminate having the etching resist pattern to dissolve and remove a portion of the conductor layer where the etching resist pattern is not formed to form a wiring.
Step D: A step of removing the etching resist pattern present on the surface of the wiring to obtain a printed wiring board.
前記工程Aで用いる金属張積層板には、第1銅層と第2銅層とが積層した層構成で、当該第2銅層の平均結晶粒径が当該第1銅層の平均結晶粒径より大きな平均結晶粒径を備える電解銅箔を用い、その第1銅層側を絶縁基板と張り合わせた銅張積層板を用いる請求項8に記載のプリント配線板の製造方法。   The metal-clad laminate used in Step A has a layer structure in which a first copper layer and a second copper layer are laminated, and the average crystal grain size of the second copper layer is the average crystal grain size of the first copper layer. The manufacturing method of the printed wiring board of Claim 8 using the copper clad laminated board which used the electrolytic copper foil provided with a bigger average crystal grain diameter, and bonded the 1st copper layer side with the insulated substrate. 前記工程Aで用いる金属張積層板には、第1銅層と170℃〜180℃で15分間以上の加熱を行うことにより再結晶化する第2銅層とが積層した層構成の電解銅 箔で、金属
張積層板の成形時にその第1銅層側に170℃〜180℃の温度を15分間以上負荷して絶縁基板と当該電解銅箔とを張り合わせることで、当該第2銅層の平均結晶粒径が当該第1銅層の平均結晶粒径より大きな平均結晶粒径を備えるようにした銅張積層板を用いる請求項8に記載のプリント配線板の製造方法。
The metal-clad laminate used in the step A is an electrolytic copper foil having a layer structure in which a first copper layer and a second copper layer that is recrystallized by heating at 170 ° C. to 180 ° C. for 15 minutes or more are laminated. Then, at the time of forming the metal-clad laminate, a temperature of 170 ° C. to 180 ° C. is applied to the first copper layer side for 15 minutes or more, and the insulating substrate and the electrolytic copper foil are bonded to each other. The method for producing a printed wiring board according to claim 8, wherein a copper-clad laminate having an average crystal grain size larger than that of the first copper layer is used.
前記工程Aで用いる金属張積層板には、絶縁基板の上に無電解メッキ法で第1銅層を形成し、その第1銅層の上に、 170℃〜180℃で15分間以上の加熱を行うことによ
り再結晶化する第2銅層を形成して導体層とし、その後170℃〜180℃の温度を15分間以上負荷して加熱することで、当該第2銅層の平均結晶粒径が当該第1銅層の平均結晶粒径より大きな平均結晶粒径を備えるようにした銅張積層板を用いる請求項8に記載のプリント配線板の製造方法。
In the metal-clad laminate used in the step A, a first copper layer is formed on an insulating substrate by an electroless plating method, and heating is performed at 170 ° C. to 180 ° C. for 15 minutes or more on the first copper layer. By forming a second copper layer to be recrystallized to form a conductor layer, and then heating at a temperature of 170 ° C. to 180 ° C. for 15 minutes or more, thereby heating the average crystal grain size of the second copper layer The method for producing a printed wiring board according to claim 8, wherein a copper-clad laminate is used which has an average crystal grain size larger than the average crystal grain size of the first copper layer.
前記第2銅層の形成には、硫酸酸性銅メッキ液を用いた電気銅メッキ法を採用し、当該硫酸酸性銅メッキ液には、銅濃度が0.8mol/リットル〜1.2mol/リットル、フリー硫酸濃度が0.8mol/リットル〜1.2mol/リットル、塩素濃度が5ppm〜50ppmのものを用い、当該硫酸酸性銅メッキ液の1/2容量以上に対して活性炭処理を施したものを用いる請求項10又は請求項11に記載のプリント配線板の製造方法。   For the formation of the second copper layer, an electrolytic copper plating method using a sulfuric acid copper plating solution is employed. The sulfuric acid copper plating solution has a copper concentration of 0.8 mol / liter to 1.2 mol / liter, A free sulfuric acid concentration of 0.8 mol / liter to 1.2 mol / liter and a chlorine concentration of 5 ppm to 50 ppm is used, and a product obtained by subjecting the sulfuric acid acidic copper plating solution to activated carbon treatment for 1/2 volume or more is used. The manufacturing method of the printed wiring board of Claim 10 or Claim 11. 請求項1〜請求項7のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法であって、以下の工程a〜工程fを含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
工程a:絶縁基板の表面に第1銅層のみを備える仮銅張積層板を製造する工程。
工程b:前記仮銅張積層板の第1銅層の表面にメッキレジストパターンを形成する工程。工程c:前記仮銅張積層板のメッキレジストパターンが形成されていない第1銅層表面に銅メッキを施して配線形状の第2銅層を形成する工程。
工程d:前記メッキレジストパターンを除去して仮プリント配線板とする工程。
工程e:工程dで得られた仮プリント配線板を加熱処理して、前記第2銅層の結晶を巨晶化させる工程。
工程f:その後、前記第2銅層の結晶を巨晶化させた仮プリント配線板をエッチング処理して、第2銅層の形成されていない部分の露出した第1銅層を溶解除去しプリント配線板とする工程。
It is a manufacturing method of the printed wiring board in any one of Claims 1-7, Comprising: The manufacturing method of the printed wiring board characterized by including the following process a-process f.
Step a: Step of manufacturing a temporary copper clad laminate having only the first copper layer on the surface of the insulating substrate.
Step b: forming a plating resist pattern on the surface of the first copper layer of the temporary copper clad laminate. Step c: A step of forming a wiring-shaped second copper layer by performing copper plating on the surface of the first copper layer on which the plating resist pattern of the temporary copper-clad laminate is not formed.
Step d: A step of removing the plating resist pattern to obtain a temporary printed wiring board.
Step e: A step of heat treating the temporary printed wiring board obtained in step d to make the crystals of the second copper layer macrocrystalline.
Step f: Thereafter, the temporary printed wiring board in which the crystal of the second copper layer is macrocrystallized is etched to dissolve and remove the exposed first copper layer where the second copper layer is not formed. The process which makes a wiring board.
前記第2銅層の形成には、硫酸酸性銅メッキ液を用いた電気銅メッキ法を採用し、当該硫酸酸性銅メッキ液には、銅濃度が0.8mol/リットル〜1.2mol/リットル、フリー硫酸濃度が0.8mol/リットル〜1.2mol/リットル、塩素濃度が5ppm〜50ppmのものを用い、当該硫酸酸性銅メッキ液の1/2容量以上に対して活性炭処理を施したものを用いる請求項13に記載のプリント配線板の製造方法。   For the formation of the second copper layer, an electrolytic copper plating method using a sulfuric acid copper plating solution is employed. The sulfuric acid copper plating solution has a copper concentration of 0.8 mol / liter to 1.2 mol / liter, A free sulfuric acid concentration of 0.8 mol / liter to 1.2 mol / liter and a chlorine concentration of 5 ppm to 50 ppm is used, and a product obtained by subjecting the sulfuric acid acidic copper plating solution to activated carbon treatment for 1/2 volume or more is used. The manufacturing method of the printed wiring board of Claim 13. 前記工程eにおける加熱処理は、170℃〜180℃の温度で15分間以上加熱するものである請求項13に記載のプリント配線板の製造方法。   The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 13, wherein the heat treatment in the step e is performed at a temperature of 170 ° C. to 180 ° C. for 15 minutes or more. 請求項9に記載の金属張積層板の製造に用いる電解銅箔であって、
当該電解銅箔は第1銅層と第2銅層とが積層した層構成を備え、175℃×15分間加熱後の第1銅層の平均結晶粒径が0.1μm以上1.0μm未満であり、第2銅層の平均結晶粒径が1.0μm以上5.0μm以下であることを特徴とする電解銅箔。
An electrolytic copper foil used for producing the metal-clad laminate according to claim 9,
The electrolytic copper foil has a layer structure in which a first copper layer and a second copper layer are laminated, and the average crystal grain size of the first copper layer after heating at 175 ° C. for 15 minutes is 0.1 μm or more and less than 1.0 μm. An electrolytic copper foil, wherein the second copper layer has an average crystal grain size of 1.0 μm or more and 5.0 μm or less.
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