JP5255496B2 - Metal-clad laminate and method for producing metal-clad laminate - Google Patents
Metal-clad laminate and method for producing metal-clad laminate Download PDFInfo
- Publication number
- JP5255496B2 JP5255496B2 JP2009076103A JP2009076103A JP5255496B2 JP 5255496 B2 JP5255496 B2 JP 5255496B2 JP 2009076103 A JP2009076103 A JP 2009076103A JP 2009076103 A JP2009076103 A JP 2009076103A JP 5255496 B2 JP5255496 B2 JP 5255496B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- clad laminate
- layer
- copper layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
Description
本発明は、金属張積層体及び金属張積層体の製造方法に関する。 The present invention relates to a metal-clad laminate and a method for producing a metal-clad laminate.
金属被覆された高分子フィルム(金属被覆高分子フィルム)である、液晶ポリマーフィルム、ポリイミドフィルムなどを用いたフレキシブル回路基板が、携帯電話、液晶テレビなどの配線板として使用されている。 Flexible circuit boards using liquid crystal polymer films, polyimide films, and the like, which are metal-coated polymer films (metal-coated polymer films), are used as wiring boards for mobile phones, liquid crystal televisions, and the like.
例えば、フレキシブル回路基板には、耐熱性に優れたポリイミド樹脂フィルム上に金属層(下地金属層/上部金属導電層)を形成したフィルム金属張積層体が多く用いられてきた。ここで、下地金属層の金属はニッケル(Ni)等であり、上部金属導電層の金属は銅(Cu)等である。しかし、このフィルムは高吸水性であるため、多湿雰囲気下では、寸法精度が低下する、あるいは吸収した水分が金属と樹脂の界面に隙間をつくり、密着不良を起こすという問題点があった。そこで、このポリイミド樹脂フィルムに替わるものとして、耐熱性に優れ、かつ低吸水性の液晶ポリエステルフィルムが注目されている。 For example, film metal-clad laminates in which a metal layer (underlying metal layer / upper metal conductive layer) is formed on a polyimide resin film having excellent heat resistance have been used for flexible circuit boards. Here, the metal of the base metal layer is nickel (Ni) or the like, and the metal of the upper metal conductive layer is copper (Cu) or the like. However, since this film has a high water absorption, there is a problem that the dimensional accuracy is lowered in a humid atmosphere, or the absorbed moisture creates a gap at the interface between the metal and the resin, resulting in poor adhesion. Therefore, attention has been paid to a liquid crystal polyester film having excellent heat resistance and low water absorption as an alternative to this polyimide resin film.
さらにコストの面から、高分子フィルムとして、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムやポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム、あるいはポリエーテルエーテルケトン(PEEK:登録商標)フィルムが用いられている。 Furthermore, from the viewpoint of cost, a polyethylene terephthalate (PET) film, a polyethylene naphthalate (PEN) film, or a polyether ether ketone (PEEK: registered trademark) film is used as a polymer film.
また、前記フレキシブル回路基板を用いた配線は機器に折り曲げて装着され、或いは繰り返して曲げられるような箇所に使用されるため、前記フレキシブル回路基板に用いられる前記フィルム金属張積層体は屈曲性に優れていること(繰り返しの屈曲に耐えること)が要求されている。 In addition, since the wiring using the flexible circuit board is used in a place where the wiring is bent or attached to the device or repeatedly bent, the film metal-clad laminate used for the flexible circuit board is excellent in flexibility. (To withstand repeated bending) is required.
前記フィルム金属張積層体の製造方法として従来はポリイミド樹脂フィルム上に金属箔を接着剤で貼り付ける、あるいは熱可塑性の樹脂フィルム上に金属箔を熱圧着させる方法が用いられてきた(特許文献1参照)。ここで金属箔の金属はCu等である。フレキシブル回路基板用に用いられる銅箔は良い屈曲性を示す一方で、銅箔の厚さは一般的には最薄で9μm程度であり(特許文献2参照)、近年のフレキシブル基板の省スペース化・処理情報量増大の方向からの基板の多層化に伴う基板一層当たりの薄型・軽量化に対応することが困難になっている。 As a method for producing the film metal-clad laminate, conventionally, a method of attaching a metal foil on a polyimide resin film with an adhesive or thermocompression bonding of a metal foil on a thermoplastic resin film has been used (Patent Document 1). reference). Here, the metal of the metal foil is Cu or the like. While the copper foil used for the flexible circuit board exhibits good flexibility, the thickness of the copper foil is generally the thinnest about 9 μm (refer to Patent Document 2), and space saving of recent flexible boards has been achieved. -It is difficult to cope with the reduction in thickness and weight per substrate accompanying the increase in the number of processing information from the direction of increasing the number of processing information.
これに対し、樹脂フィルム等の絶縁体上に薄い金属層を形成する製造方法として、蒸着・スパッタリングや無電解めっき法により薄膜金属層を形成する方法が挙げられる(特許文献3〜4参照)。蒸着・スパッタリング、無電解めっき法は、いずれも薄い金属層を形成できる利点がある。
On the other hand, as a manufacturing method for forming a thin metal layer on an insulator such as a resin film, there is a method of forming a thin film metal layer by vapor deposition / sputtering or electroless plating (see
しかしながら、特許文献3に記載された、絶縁体上に薄い金属層が形成された金属張積層体において、この薄い金属層の表面にさらに金属層を形成する場合(例えば、薄い下地金属層を形成した上に電解めっき等で金属層を形成するときなど)に、電流をかけすぎると基材フィルムが過度に発熱してしまうため、かけられる電流密度に限界がある。一方、電流密度を小さくすると形成される金属層の結晶粒径が小さく、できあがった金属張積層体は屈曲性が良くないという問題があった。また、特許文献4に記載されているのは、絶縁体上に薄い金属層が形成された金属張積層体を熱処理することにより金属張積層体の反りを抑制する方法であって、屈曲性の向上については直接の記載はない。
However, in the metal-clad laminate in which a thin metal layer is formed on an insulator described in
そこで本発明は、屈曲性の良い金属張積層体及び金属張積層体の製造方法を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a metal-clad laminate having good flexibility and a method for producing the metal-clad laminate.
発明者は上述した従来の問題点について鋭意研究を重ね、その結果、以下の解決手段に
より課題を解決することとした。すなわち、
(1)ポリエステルフィルム、熱可塑性液晶ポリマーフィルム、またはポリエーテルエー
テルケトンポリマーフィルムから選ばれる、基材としての熱可塑性フィルムの表面の少な
くとも一部に下地金属層が形成され、その上に銅層が形成された可撓性を有する金属張積
層体であって、前記銅層の平均結晶粒径が前記基材側から厚さ方向に向けて大きくなり、
前記銅層の平均結晶粒径の範囲が2μm以上5μm以下であり、前記銅層の平均カーボン
濃度が3ppm以上15ppm以下の範囲であることを特徴とする金属張積層体、
(2)前記下地金属層は、Ni−P合金からなる層であることを特徴とする前記(1)に
記載の金属張積層体、
(3)前記熱可塑性フィルムの前記表面は、表面粗さRzが1.0〜1.5であることを
特徴とする前記(1)または前記(2)に記載の金属張積層体、
(4)前記銅層が少なくとも2層からなり、前記銅層の平均結晶粒径が前記基材側から順
次大きくなっていることを特徴とする、前記(1)乃至前記(3)のいずれか1項に記載
の金属張積層体、
(5)前記下地金属層および前記銅層が、前記熱可塑性フィルムの両面に設けられている
ことを特徴とする前記(1)乃至前記(4)のいずれか1項に記載の金属張積層体、
(6)電子部品用途として用いられる、前記(1)乃至前記(5)のいずれか1項に記載
の金属張積層体、
(7)ポリエステルフィルム、熱可塑性液晶ポリマーフィルム、またはポリエーテルエー
テルケトンポリマーフィルムから選ばれる熱可塑性フィルムの表面の少なくとも一部に下
地金属層を形成し、その上に銅層を形成する、可撓性を有する金属張積層体の製造方法で
あって、前記熱可塑性フィルムをアルカリ溶液に浸して、前記熱可塑性フィルムの前記表
面に表面粗さRzが1.0〜1.5の凹凸を形成し、前記熱可塑性フィルムの前記表面に
下地金属層を形成し、前記下地金属層上に前記銅層を電解めっきで形成するにあたり、前
記銅層中の平均カーボン濃度が15ppm以下になるようにめっき浴を組成し、前記銅層
を形成する際の電流密度を0.5〜10A/dm 2 とし、前記電流密度を前記基材側から
表面方向に向けて大きくすることで、銅層の平均結晶粒径が基材側から厚さ方向に大きく
なるようにして、前記銅層の平均結晶粒径の範囲を2μm以上5μm以下とし、かつ前記
銅層の平均カーボン濃度が3ppm以上15ppm以下の範囲とすることを特徴とする金
属張積層体の製造方法、
(8)前記銅層の形成後、さらに不活性雰囲気下で150℃〜200℃の加熱処理を行う
ことを特徴とする前記(7)に記載の金属張積層体の製造方法
を、提供するものである。
The inventor has conducted extensive research on the above-described conventional problems, and as a result, has decided to solve the problem by the following means. That is,
(1) Polyester film, thermoplastic liquid crystal polymer film, or polyether agent
A flexible metal-clad laminate in which a base metal layer is formed on at least part of the surface of a thermoplastic film as a base material selected from a terketone polymer film , and a copper layer is formed thereon. , The average crystal grain size of the copper layer increases from the substrate side toward the thickness direction,
Ri average range der least 5μm below 2μm grain size of the copper layer, the average carbon of the copper layer
A metal-clad laminate having a concentration in the range of 3 ppm to 15 ppm ,
(2) In the above (1), the base metal layer is a layer made of a Ni-P alloy.
The metal-clad laminate as described ,
(3) The surface of the thermoplastic film has a surface roughness Rz of 1.0 to 1.5.
The metal-clad laminate as described in (1) or (2) above ,
(4) The copper layer is composed of at least two layers, and the average crystal grain size of the copper layer is in order from the base material side.
Any one of said (1) thru | or said (3) characterized by becoming larger next.
Metal clad laminate ,
(5) The base metal layer and the copper layer are provided on both surfaces of the thermoplastic film.
The metal-clad laminate according to any one of (1) to (4) above ,
(6) The electronic device according to any one of (1) to (5), which is used as an electronic component application.
Metal clad laminate,
(7) Polyester film, thermoplastic liquid crystal polymer film, or polyether agent
On at least part of the surface of a thermoplastic film selected from terketone polymer films
A method for producing a flexible metal-clad laminate in which a base metal layer is formed and a copper layer is formed thereon.
The thermoplastic film is immersed in an alkaline solution, and the surface of the thermoplastic film is
A surface roughness Rz of 1.0 to 1.5 is formed on the surface, and the surface of the thermoplastic film is formed on the surface.
In forming a base metal layer and forming the copper layer on the base metal layer by electrolytic plating,
The plating layer is composed so that the average carbon concentration in the copper layer is 15 ppm or less, and the copper layer
The current density when forming the film is 0.5 to 10 A / dm 2 , and the current density is from the base material side.
By increasing toward the surface direction, the average crystal grain size of the copper layer increases in the thickness direction from the substrate side.
The average crystal grain size range of the copper layer is 2 μm or more and 5 μm or less, and
Gold having an average carbon concentration in the copper layer in the range of 3 ppm to 15 ppm
A method for producing a metal laminate ,
(8) After the formation of the copper layer, heat treatment at 150 ° C. to 200 ° C. is further performed in an inert atmosphere.
The method for producing a metal-clad laminate as described in (7) above is provided.
本発明によれば、可撓性を有する熱可塑性の基材フィルムの表面の少なくとも一部に金属層を形成した金属張積層体について、下地金属層を形成した基材フィルム上に金属層を形成する際に金属層の平均結晶粒径、および金属皮膜中のカーボン量を制御することにより、屈曲性の良い金属張積層体を提供することができる。 According to the present invention, for a metal-clad laminate in which a metal layer is formed on at least a part of the surface of a flexible thermoplastic base film, the metal layer is formed on the base film on which the base metal layer is formed. In this case, by controlling the average crystal grain size of the metal layer and the amount of carbon in the metal film, a metal-clad laminate having good flexibility can be provided.
この発明の一実施態様を、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施態様は説明のためのものであり、本発明の範囲を制限するものではない。したがって、当業者であればこれらの各要素もしくは全要素をこれと均等なもので置換した実施態様を採用することが可能であるが、これらの実施態様も本発明の範囲に含まれる。 An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the embodiment described below is for explanation, and does not limit the scope of the present invention. Accordingly, those skilled in the art can employ embodiments in which each or all of these elements are replaced by equivalents thereof, and these embodiments are also included in the scope of the present invention.
図1は、本発明の金属張積層体の一実施態様の断面を示す説明図であり、(a)は金属層(銅層)が1層の場合、(b)は金属層(銅層)が複数層の場合をそれぞれ示す。 FIG. 1 is an explanatory view showing a cross section of one embodiment of a metal-clad laminate of the present invention, where (a) is a single metal layer (copper layer), and (b) is a metal layer (copper layer). Shows the case of multiple layers.
図1において、1は高分子フィルム等の基材、2は下地金属層、3は金属層(銅層)である。図1(a)は金属層(銅層)が1層の場合、(b)は金属層(銅層)が複数層(ここでは3層)の例を示している。 In FIG. 1, 1 is a base material such as a polymer film, 2 is a base metal layer, and 3 is a metal layer (copper layer). FIG. 1A shows an example in which the metal layer (copper layer) is one layer, and FIG. 1B shows an example in which the metal layer (copper layer) has a plurality of layers (here, three layers).
なお、図1において、銅層3中の点線で示される円形は、平均的な結晶粒の大きさを示す円であり、実際には各結晶粒が隣接してほぼ隙間なく層状に形成される。
In FIG. 1, a circle indicated by a dotted line in the
本発明を適用可能な金属張積層体の製造方法は、まず、可撓性を有する熱可塑性の高分子フィルムの表面の少なくとも一部に、下地金属層を形成する。そして、形成した下地金属層の上部に、電解めっきにて銅層を形成する。 In the method for producing a metal-clad laminate to which the present invention is applicable, first, a base metal layer is formed on at least a part of the surface of a flexible thermoplastic polymer film. Then, a copper layer is formed on the formed base metal layer by electrolytic plating.
上述した可撓性を有する熱可塑性の高分子フィルムの表面の少なくとも一部に、下地金属層を形成した後、電解めっきにて銅層を形成するときの電流密度は、0.5〜10A/dm2、より好ましくは1〜7A/dm2が望ましい。電流密度が0.5A/dm2以下の場合、下地金属層と銅層の間の層間密着性が十分でなく、剥離などの不良の要因となる。また、電流密度が10A/dm2以上の場合、電解めっき中に金属張積層体の温度が電気的な発熱により上昇し、基材である可撓性を有する熱可塑性の高分子フィルムが変形及び燃焼するなどの不良の要因となる。 The current density when forming the copper layer by electrolytic plating after forming the base metal layer on at least a part of the surface of the flexible thermoplastic polymer film described above is 0.5 to 10 A / dm 2 , more preferably 1 to 7 A / dm 2 is desirable. When the current density is 0.5 A / dm 2 or less, the interlayer adhesion between the base metal layer and the copper layer is not sufficient, which causes a defect such as peeling. Further, when the current density is 10 A / dm 2 or more, the temperature of the metal-clad laminate rises due to electrical heat generation during electroplating, and the flexible thermoplastic polymer film as a base material is deformed and deformed. It becomes a cause of defects such as burning.
上述した可撓性を有する熱可塑性の高分子フィルムの表面の少なくとも一部に、下地金属層を形成した後、電解めっきにて銅層を形成するときの形成方法として、均一電流密度で一度に目標の金属厚まで形成してもよく、また電流密度を変化させて異なる電流密度で段階的に金属層を形成する方法でもかまわない。銅層の形成回数は一度でも良いし、複数回の合計でもかまわない。 As a forming method for forming a copper layer by electrolytic plating after forming a base metal layer on at least a part of the surface of the above-described flexible thermoplastic polymer film, a uniform current density is formed at a time. It may be formed up to a target metal thickness, or a method of forming a metal layer stepwise with different current densities by changing the current density may be used. The number of formations of the copper layer may be one time or a total of a plurality of times.
上述した可撓性を有する熱可塑性の高分子フィルムの表面の少なくとも一部に、下地金属層を形成した後、電解めっきにて銅層を形成するときのめっき浴組成として、銅層中のカーボン量が15ppm以下になるようにめっき浴を組成するのが望ましい。カーボン量が15ppm以上になると結晶粒径が小さくなり、作製した金属張積層体の屈曲性が低減する。また、カーボン量が非常に低量になると、作製した金属張積層体の表面粗度が粗くなり、FPCへの使用に適さなくなる。 As a plating bath composition for forming a copper layer by electrolytic plating after forming a base metal layer on at least a part of the surface of the above-described flexible thermoplastic polymer film, carbon in the copper layer is used. It is desirable to compose the plating bath so that the amount is 15 ppm or less. When the amount of carbon is 15 ppm or more, the crystal grain size becomes small, and the flexibility of the produced metal-clad laminate is reduced. Moreover, when the amount of carbon becomes very low, the surface roughness of the produced metal-clad laminate becomes rough, and it becomes unsuitable for use in FPC.
上記の金属張積層体の屈曲性が劣化する原因として、基材側の銅層の平均結晶粒径が細かくなると、屈曲時に接合部からクラックが入りやすくなり、導通不良になる。このことから屈曲性が悪くなる。
また、上述した可撓性を有する熱可塑性の高分子フィルムの表面の少なくとも一部に、下地金属層を形成した後、電解めっきにて銅層を形成するときの銅層の平均結晶粒径は、2μm以上5μm以下になるのが望ましい。平均結晶粒径が2μmより小さいと、作製した金属張積層体は良好な屈曲性を示さない。また平均結晶粒径が5μmより大きいと、作製した金属張積層体の表面粗度が粗く、FPCへの使用に適さない。
If the average crystal grain size of the copper layer on the base material side is fine as a cause of the deterioration of the flexibility of the metal-clad laminate, cracks are likely to occur from the joint portion when bent, resulting in poor conduction. This leads to poor flexibility.
The average crystal grain size of the copper layer when the copper layer is formed by electrolytic plating after forming the base metal layer on at least part of the surface of the flexible thermoplastic polymer film described above is It is desirable to be 2 μm or more and 5 μm or less. When the average crystal grain size is smaller than 2 μm, the produced metal-clad laminate does not exhibit good flexibility. On the other hand, if the average crystal grain size is larger than 5 μm, the surface roughness of the produced metal-clad laminate is rough and it is not suitable for use in FPC.
なお、本発明でいう平均結晶粒径とは、まず結晶粒が形成されている表面の写真を透過顕微鏡で撮影する。そして、その写真における結晶粒の面積を10点以上実測し、その面積をもつ真円としたときの直径を計算し、その計算値を平均粒径とする。 In addition, the average crystal grain diameter as used in the field of this invention first takes the photograph of the surface in which the crystal grain is formed with a transmission microscope. Then, the area of the crystal grains in the photograph is actually measured at 10 points or more, the diameter when a perfect circle having the area is calculated is calculated, and the calculated value is set as the average particle diameter.
銅層の結晶組織は、粒状の結晶組織のめっきである。めっき組成により柱状の結晶組織となる場合があるが、その場合は出来上がった金属皮膜に曲げ応力が加わったとき、柱状の結晶粒界に沿って亀裂が入り、かえって破断しやすくなる確率が高いためである。 The crystal structure of the copper layer is a plating of a granular crystal structure. Depending on the plating composition, there may be a columnar crystal structure, but in that case, when bending stress is applied to the finished metal film, there is a high probability that cracks will occur along the columnar crystal grain boundaries and breakage tends to occur. It is.
ただし、柱状の結晶組織の金属層が形成されても、該金属層を再結晶させることで粒状の結晶組織とすることができる場合がある。このような場合には先ず柱状結晶組織の金属層を施し、次いで再結晶させて粒状結晶組織とする。 However, even when a metal layer having a columnar crystal structure is formed, a granular crystal structure may be obtained by recrystallizing the metal layer. In such a case, a metal layer having a columnar crystal structure is first applied and then recrystallized to form a granular crystal structure.
また、上述の金属張積層体の金属層の厚さを0.1μm〜20μmにする。これは、金属層の厚さが0.1μmよりも薄くなった場合、電気抵抗値が実用困難な程度またはそれ以上に高くなり、実用できなくなるためである。また、金属層の厚さが20μmよりも厚くなった場合、金属張積層体の反りを抑制することが困難になり、平坦性が実用可能な範囲より厳しくなってしまうためである。 In addition, the thickness of the metal layer of the metal-clad laminate is set to 0.1 μm to 20 μm. This is because when the thickness of the metal layer becomes thinner than 0.1 μm, the electric resistance value becomes higher than the practical level or beyond, and cannot be used practically. In addition, when the thickness of the metal layer is greater than 20 μm, it is difficult to suppress the warp of the metal-clad laminate, and the flatness becomes stricter than the practical range.
したがって、金属層の厚さとして、単体の金属層の場合は0.1μm〜20μm、また、複数の金属層を組み合せる場合は、総金属層厚さとして0.1μm〜20μmであることが望ましい。 Accordingly, the thickness of the metal layer is preferably 0.1 μm to 20 μm in the case of a single metal layer, and is preferably 0.1 μm to 20 μm as the total metal layer thickness when a plurality of metal layers are combined. .
また、上述の可撓性を有する高分子フィルムとして、ポリエチレンテレフタレート(P
ET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)などのポリエステルフィルム等が適用でき
る。また、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマー、いわゆる熱可塑性液晶
ポリマーや、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)ポリマーも熱可塑性樹脂として好
適である。上述した高分子フィルムは、いずれも低吸水性であることから湿式法(電解め
っきや電析法など)に対応することができる。
Further, as a polymer film having flexibility described above, poly ethylene terephthalate (P
ET), can be a polyester film or the like is applied, such as poly ethylene naphthalate (PEN). In addition, thermoplastic polymers that can form an optically anisotropic melt phase, so-called thermoplastic liquid crystal polymers, and polyether ether ketone (PEEK) polymers are also suitable as the thermoplastic resin. Since all of the polymer films described above have low water absorption, they can be applied to wet methods (such as electroplating and electrodeposition).
また、上述した金属張積層体の基材フィルムにおいて、例えば、フィルム表面を粗化しておくことにより、フィルムと金属層との密着性がより向上した金属張積層体を製造することができる。 Moreover, in the base film of the metal-clad laminate described above, for example, by roughening the film surface, a metal-clad laminate with improved adhesion between the film and the metal layer can be produced.
ここで、フィルム表面の粗化方法としては、例えば、フィルムをエッチング液に浸漬する方法が容易であり、望ましい。エッチング液には、強アルカリ溶液、過マンガン酸塩溶液、クロム酸塩溶液等が用いられる。特に、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの場合は、強アルカリ溶液を用いると有効である。また、エッチングが困難なフィルムでは、サンドブラスト等の機械的な研磨方法が有効である。 Here, as a method for roughening the film surface, for example, a method of immersing the film in an etching solution is easy and desirable. As the etching solution, a strong alkaline solution, a permanganate solution, a chromate solution, or the like is used. In particular, in the case of a thermoplastic liquid crystal polymer film, it is effective to use a strong alkali solution. For films that are difficult to etch, a mechanical polishing method such as sandblasting is effective.
上述した基材フィルムの表面に形成される金属層は、例えば、単独の金属層としてはNi−P合金層、Cu層等であり、複数の金属層としてはNi−P合金下地金属層とCu上部金属導電層を組み合わせたもの等である。金属層がCu層である場合、良質な導電層を有する金属張積層体が製造される。金属層がNi−P合金層である場合、基材フィルムとの十分な密着性を有する金属張積層体が製造される。金属層がNi−P合金下地金属層とCu上部金属導電層の組み合わせによる層である場合、基材フィルムとの十分な密着性を有し、かつ、良質な導電層を有する金属張積層体が製造される。 The metal layer formed on the surface of the base film described above is, for example, a Ni—P alloy layer, a Cu layer or the like as a single metal layer, and a Ni—P alloy base metal layer and Cu as a plurality of metal layers. A combination of upper metal conductive layers. When the metal layer is a Cu layer, a metal-clad laminate having a good quality conductive layer is produced. When the metal layer is a Ni-P alloy layer, a metal-clad laminate having sufficient adhesion to the base film is produced. When the metal layer is a layer formed by a combination of a Ni-P alloy base metal layer and a Cu upper metal conductive layer, the metal-clad laminate having sufficient adhesion to the base film and having a good quality conductive layer is provided. Manufactured.
また、上述の可撓性を有する熱可塑性の高分子フィルムの表面の少なくとも一部に、下地金属層を形成した後、金属張積層体の基材フィルムの融点温度Tmよりも35〜85℃低い範囲、すなわち、(Tm−85)〜(Tm−35)℃の範囲、望ましくは(Tm−70)〜(Tm−50)℃の範囲にピーク温度を設定して加熱処理を行った後、金属層を形成しても良い。 Moreover, after forming a base metal layer on at least a part of the surface of the above-described flexible thermoplastic polymer film, it is 35 to 85 ° C. lower than the melting point temperature Tm of the base film of the metal-clad laminate. After performing the heat treatment by setting the peak temperature in the range, that is, in the range of (Tm-85) to (Tm-35) ° C., preferably in the range of (Tm-70) to (Tm-50) ° C., the metal A layer may be formed.
また、上述した可撓性を有する熱可塑性の高分子フィルムの表面の少なくとも一部に、下地金属層を形成した後に電解めっきにて銅層を形成した後、150℃〜200℃の加熱処理を行い、銅層部の再結晶化を行っても良い。 Moreover, after forming a base metal layer on at least a part of the surface of the above-described flexible thermoplastic polymer film, a copper layer is formed by electrolytic plating, and then a heat treatment at 150 ° C. to 200 ° C. is performed. The copper layer portion may be recrystallized.
また、上述したように金属張積層体に熱処理と冷却処理を行うとき、大気中のような活性雰囲気下で実施することもできるが、金属層の変色や表面酸化を防止するために、不活性雰囲気下で実施することが望ましい。ここで、不活性雰囲気とは、窒素、アルゴン等の不活性ガス中または減圧下を意味し、酸素等の活性ガスが0.1体積%以下であることをいう。特に、不活性ガスとしては、純度99.9%以上の加熱窒素気体が好適に使用される。 In addition, as described above, when heat treatment and cooling treatment are performed on the metal-clad laminate, it can be performed in an active atmosphere such as in the atmosphere, but in order to prevent discoloration and surface oxidation of the metal layer, it is inactive. It is desirable to carry out under an atmosphere. Here, the inert atmosphere means in an inert gas such as nitrogen or argon or under reduced pressure, and means that the active gas such as oxygen is 0.1% by volume or less. In particular, as the inert gas, heated nitrogen gas having a purity of 99.9% or more is preferably used.
上述した金属張積層体は、基材フィルムの片面のみに金属層を形成して片面フレキシブル基板として使用することも、基材フィルムの両面に金属層を形成して両面フレキシブル基板として使用することもできる。また、片面のみに金属層を形成した積層体を複数枚重ね合わせ、多層基板として使用することもできる。 The metal-clad laminate described above can be used as a single-sided flexible substrate by forming a metal layer only on one side of the base film, or can be used as a double-sided flexible substrate by forming a metal layer on both sides of the base film. it can. Further, a plurality of laminated bodies in which a metal layer is formed only on one side can be overlapped and used as a multilayer substrate.
また、上述したような方法によって製造される金属張積層体には、スルーホールを形成することが可能である。スルーホールを形成する方法としては、ドリルによる加工と、レーザーによる加工と、を用いることができる。 Moreover, it is possible to form a through hole in the metal-clad laminate manufactured by the method as described above. As a method for forming a through hole, processing by a drill and processing by a laser can be used.
また、上述した金属張積層体の用途として、上述したフレキシブル基板のほかにCOF、TAB、また積層板に使用することもできる。 Moreover, as a use of the metal-clad laminate described above, it can be used for COF, TAB, and laminates in addition to the flexible substrate described above.
以下本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。
まず、基材フィルム(高分子フィルム)として、(株)クラレ製のVecsterCT(厚み50μm)を300mm幅で使用する。この高分子フィルムをアルカリ溶液(KOH 400g/リットル)に80℃で15分浸して表面に凹凸(表面粗さRz=1.0〜1.5)を形成する。次に、コンディショナー処理、Ni−P合金の無電解めっき処理、Cuの電気めっき処理、熱処理の各処理を順に施してフィルム金属張積層体を製造した。なお、各処理において、水洗または乾燥を実施した。また、金属層(下地金属層+上部金属導電層)は、高分子フィルムの両面に形成した。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
First, VecsterCT (thickness 50 μm) manufactured by Kuraray Co., Ltd. is used as a base film (polymer film) with a width of 300 mm. This polymer film is immersed in an alkaline solution (KOH 400 g / liter) at 80 ° C. for 15 minutes to form irregularities (surface roughness Rz = 1.0 to 1.5) on the surface. Next, a film metal-clad laminate was manufactured by sequentially performing a conditioner treatment, an electroless plating treatment of a Ni-P alloy, an electroplating treatment of Cu, and a heat treatment. In each treatment, washing with water or drying was performed. Moreover, the metal layer (underlying metal layer + upper metal conductive layer) was formed on both surfaces of the polymer film.
コンディショナー処理は、奥野製薬工業(株)製のOPC−350コンディショナーにより、高分子フィルムの表面を洗浄した。ここで、パラジウムを含む触媒付与液として奥野製薬工業(株)製のOPC−80キャタリスト、活性化剤としてOPC−500アクセラレーターを用いた。 In the conditioner treatment, the surface of the polymer film was washed with an OPC-350 conditioner manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd. Here, an OPC-80 catalyst manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd. was used as a catalyst-providing liquid containing palladium, and an OPC-500 accelerator was used as an activator.
次に、無電解めっきにより下地金属層を形成し、その後電解めっきにてCu層を形成して評価した。下地金属層はNi−P合金めっきである。 Next, a base metal layer was formed by electroless plating, and then a Cu layer was formed by electrolytic plating for evaluation. The base metal layer is Ni-P alloy plating.
Ni−P合金の無電解めっき処理は、メルテックス(株)製のエンプレートNI−426浴を用いた。めっき浴のpHは、硫酸またはアンモニア水を用いて、6.0〜7.0の範囲に調整し、浴温は、75℃〜85℃に調整した。めっき厚みは、0.1〜0.5μmとした。 For the electroless plating treatment of the Ni-P alloy, an Enplate NI-426 bath manufactured by Meltex Co., Ltd. was used. The pH of the plating bath was adjusted to a range of 6.0 to 7.0 using sulfuric acid or aqueous ammonia, and the bath temperature was adjusted to 75 ° C to 85 ° C. The plating thickness was 0.1 to 0.5 μm.
上述のNi−P合金めっきを施した後、下記のめっき浴組成1〜3のめっき浴にてめっき厚を8μmになるようCuめっきを施し、銅張積層体を製造した。
なお、製造した銅張積層体の銅皮膜中のカーボン量を、下記の条件で(株)堀場製作所製のEMIA−U511により測定した。
After performing the above-mentioned Ni-P alloy plating, Cu plating was performed in a plating bath having the following
In addition, the carbon content in the copper film of the produced copper clad laminate was measured by EMIA-U511 manufactured by Horiba, Ltd. under the following conditions.
測定は、脱脂した銅張積層体から金属層を剥離し、剥離した金属膜を酸素雰囲気中電気炉燃焼により発生するCO2ガスの赤外吸収を測定し、カーボン量に換算した。測定条件は、標準試料名:JSS200−11、標準値:56.00ppm、助燃剤:測定時なし、校正時:Sn 0.5g、酸素精製器使用、C:INT.TIME=60sec、FURNACE TEMP 1250℃、C:COMP.LVL=0.0%、WAIT TIME=0secとした。 In the measurement, the metal layer was peeled from the degreased copper clad laminate, and the infrared absorption of CO 2 gas generated by the electric furnace combustion in the oxygen atmosphere was measured for the peeled metal film, and converted into the amount of carbon. Measurement conditions are as follows: standard sample name: JSS200-11, standard value: 56.00 ppm, auxiliary combustor: no measurement, calibration: Sn 0.5 g, use of oxygen purifier, C: INT. TIME = 60 sec, FURNACE TEMP 1250 ° C., C: COMP. LVL = 0.0% and WAIT TIME = 0 sec.
前記測定のめっき浴として、めっき組成1乃至3の組成を用いた。めっき組成1は以下のとおりである。すなわち、めっき浴はCu 70〜130g/リットル、H2SO4 80〜140g/リットル、3−メルカプト1−プロパンスルホン酸ナトリウム 0.5〜5ppm、ヒドロキシエチレンセルロース 1〜10ppm、低分子量膠(分子量3000) 1〜5ppm、塩化物イオン 5〜50ppmとした。電流密度は1〜7A/dm2、浴温は20〜40℃とした。
As the plating bath for the measurement, the compositions of plating
上記めっき組成1で銅めっきを電流密度5〜7A/dm2で施した金属張積層体の金属層をはがした金属膜のカーボン量を測定したところ、C=14ppmであった。
The carbon content of the metal film obtained by peeling off the metal layer of the metal-clad laminate obtained by applying copper plating with the
上記めっき組成1で銅めっきを電流密度3〜5A/dm2で施した金属張積層体の金属層をはがした金属膜のカーボン量を測定したところ、C=10ppmであった。
The amount of carbon of the metal film obtained by peeling off the metal layer of the metal-clad laminate obtained by applying copper plating with the
上記めっき組成1で銅めっきを電流密度1〜3A/dm2で施した金属張積層体の金属層をはがした金属膜のカーボン量を測定したところ、C=6ppmであった。
The carbon content of the metal film obtained by peeling off the metal layer of the metal-clad laminate obtained by applying copper plating with the
めっき組成2は以下のとおりである。すなわち、めっき浴はCu 70〜130g/リットル、H2SO4 80〜140g/リットル、3−メルカプト1−プロパンスルホン酸ナトリウム 0.5〜5ppm、ヒドロキシエチレンセルロース 5〜10ppm、低分子量膠(分子量3000) 10〜15ppm、塩化物イオン 5〜50ppmとした。電流密度は1〜15A/dm2、浴温は40〜60℃とした。
The
上記めっき組成2で銅めっきを電流密度1〜5A/dm2で施した金属張積層体の金属層をはがした金属膜のカーボン量を測定したところ、C=18ppmであった。
The carbon content of the metal film obtained by peeling off the metal layer of the metal-clad laminate obtained by applying copper plating with the
めっき組成3は以下のとおりである。すなわち、めっき浴はCu 70〜130g/リットル、H2SO4 80〜140g/リットル、3−メルカプト1−プロパンスルホン酸ナトリウム 0.5〜5ppm、ヒドロキシエチレンセルロース 10〜15ppm、低分子量膠(分子量3000) 15〜20ppm、塩化物イオン 5〜50ppmとした。電流密度は1〜15A/dm2、浴温は20〜40℃とした。
The
上記めっき組成3で銅めっきを施した金属張積層体の金属層をはがした金属膜のカーボン量を測定したところ、C=25ppmであった。
When the amount of carbon in the metal film obtained by peeling off the metal layer of the metal-clad laminate subjected to copper plating with the
めっき組成4は以下のとおりである。すなわち、めっき浴はCu 20〜40g/リットル、H2SO4 80〜140g/リットル、塩化物イオン 5〜50ppmとした。電流密度は1〜7A/dm2、浴温は:20〜40℃とした。 The plating composition 4 is as follows. That is, the plating bath was Cu 20 to 40 g / liter, H 2 SO 4 80 to 140 g / liter, and chloride ions 5 to 50 ppm. The current density was 1 to 7 A / dm 2 , and the bath temperature was 20 to 40 ° C.
上記めっき組成4で銅めっきを施した金属張積層体の金属層をはがした金属膜のカーボン量を測定したところ、C=1ppmであった。 When the amount of carbon of the metal film from which the metal layer of the metal-clad laminate that had been plated with copper with the above plating composition 4 was peeled was measured, C = 1 ppm.
なお、上記の方法で金属張積層体を製造した後、N2雰囲気下で150℃〜200℃の高温にて熱処理を行い、金属層の再結晶化を行っても良い。 In addition, after manufacturing a metal-clad laminate by the above method, heat treatment may be performed at a high temperature of 150 ° C. to 200 ° C. in an N 2 atmosphere to recrystallize the metal layer.
上記めっき浴組成1〜4にて電解めっきを行い、まためっき後熱処理を行い製造した金属張積層体を、下記に示す条件にて耐屈曲性試験を行い屈曲回数の評価を行った。
The metal-clad laminate produced by electrolytic plating in the above
信越化学エンジニアリング株式会社製FPC高速屈曲試験機SEK−31B2Sを用いてMIT耐折性試験を下記の条件により実施し、破断点での回数を屈曲回数とした。試験条件はJIS C 5016に準じた。L/S=0.6mm/0.6mm、基材フィルム厚は50μm、AD=35μmとして、導体抵抗が10%上昇した点を破断点とした。 Using an FPC high-speed bending tester SEK-31B2S manufactured by Shin-Etsu Chemical Engineering Co., Ltd., the MIT folding resistance test was performed under the following conditions, and the number of times at the break point was defined as the number of bending times. Test conditions were in accordance with JIS C 5016. L / S = 0.6 mm / 0.6 mm, the base film thickness was 50 μm, AD = 35 μm, and the point at which the conductor resistance increased by 10% was defined as the breaking point.
また、表面粗さの評価は、物理表面粗度計にて金属張積層体の任意の場所で長手(MD)方向、幅(TD)方向それぞれ50mm長のRzを3回測定し、その平均値をとった。 In addition, the evaluation of the surface roughness was performed by measuring Rz, which is 50 mm long in each of the longitudinal (MD) direction and the width (TD) direction, at an arbitrary position of the metal-clad laminate three times with a physical surface roughness meter, and calculating an average value thereof. I took.
(実施例1)
結果を表1に示した。なお、表1のすべての例は、図1(a)で示される金属張積層体についてのものであり、金属層(銅層)の厚さを8μmとした。
Example 1
The results are shown in Table 1. All examples in Table 1 relate to the metal-clad laminate shown in FIG. 1A, and the thickness of the metal layer (copper layer) is 8 μm.
発明例1〜5は、めっき浴組成1のめっき浴で銅めっきを電流密度5〜7A/dm2で行い、銅めっき後に熱処理を実施しなかった金属張積層体の例(発明例1)、銅めっき後に温度150℃で1時間の熱処理を実施した金属張積層体の例(発明例2)、銅めっき後に温度200℃で1時間の熱処理を実施した金属張積層体の例(発明例3〜5)をそれぞれ示す。
Invention Examples 1 to 5 are examples of metal-clad laminates (invention example 1) in which copper plating was performed at a current density of 5 to 7 A / dm 2 in a plating bath having a plating
発明例6〜10は、めっき浴組成1のめっき浴で銅めっきを電流密度3〜5A/dm2で行い、銅めっき後に熱処理を実施しなかった金属張積層体の例(発明例6)、銅めっき後に温度150℃で1時間の熱処理を実施した金属張積層体の例(発明例7)、銅めっき後に温度200℃で1時間の熱処理を実施した金属張積層体の例(発明例8〜10)をそれぞれ示す。
Invention Examples 6 to 10 are examples of metal-clad laminates (invention example 6) in which copper plating was performed at a current density of 3 to 5 A / dm 2 in a plating bath having a plating
発明例11〜15は、めっき浴組成1のめっき浴で銅めっきを電流密度1〜3A/dm2で行い、銅めっき後に熱処理を実施しなかった金属張積層体の例(発明例11)、銅めっき後に温度150℃で1時間の熱処理を実施した金属張積層体の例(発明例12)、銅めっき後に温度200℃で1時間の熱処理を実施した金属張積層体の例(発明例13〜15)をそれぞれ示す。
Invention Examples 11 to 15 are examples of metal-clad laminates (invention example 11) in which copper plating is performed at a current density of 1 to 3 A / dm 2 in a plating bath having a plating
比較例1〜3は、めっき浴組成2のめっき浴で銅めっきを電流密度2〜7A/dm2で行い、銅めっき後に熱処理を実施しなかった金属張積層体の例(比較例1)、銅めっき後に温度150℃で1時間の熱処理を実施した金属張積層体の例(比較例2)、銅めっき後に温度200℃で1時間の熱処理を実施した金属張積層体の例(比較例3)をそれぞれ示す。
Comparative Examples 1 to 3 are examples of metal-clad laminates in which copper plating is performed at a current density of 2 to 7 A / dm 2 in a plating bath having a plating
比較例4〜6は、めっき浴組成3のめっき浴で銅めっきを電流密度2〜5A/dm2で行い、銅めっき後に熱処理を実施しなかった金属張積層体の例(比較例4)、銅めっき後に温度150℃で1時間の熱処理を実施した金属張積層体の例(比較例5)、銅めっき後に温度200℃で1時間の熱処理を実施した金属張積層体の例(比較例6)をそれぞれ示す。
Comparative Examples 4 to 6 are examples of metal-clad laminates in which copper plating was performed at a current density of 2 to 5 A / dm 2 in a plating bath having a plating
比較例7〜9は、めっき浴組成4のめっき浴で銅めっきを電流密度2〜3A/dm2で行い、銅めっき後に熱処理を実施しなかった金属張積層体の例(比較例7)、銅めっき後に温度150℃で1時間の熱処理を実施した金属張積層体の例(比較例8)、銅めっき後に温度200℃で1時間の熱処理を実施した金属張積層体の例(比較例9)をそれぞれ示す。 Comparative Examples 7 to 9 are examples of metal-clad laminates (Comparative Example 7) in which copper plating was performed at a current density of 2 to 3 A / dm 2 in a plating bath having a plating bath composition 4 and heat treatment was not performed after copper plating. Example of metal-clad laminate subjected to heat treatment at 150 ° C. for 1 hour after copper plating (Comparative Example 8), Example of metal-clad laminate subjected to heat treatment at 200 ° C. for 1 hour after copper plating (Comparative Example 9) ) Respectively.
比較例10は、めっき浴組成4のめっき浴で銅めっきを電流密度7〜11A/dm2で行った金属張積層体である。比較例11は、めっき浴組成4のめっき浴で銅めっきを電流密度0.3A/dm2で行った金属張積層体である。 Comparative Example 10 is a metal-clad laminate in which copper plating is performed at a current density of 7 to 11 A / dm 2 in a plating bath having a plating bath composition 4. Comparative Example 11 is a metal-clad laminate obtained by performing copper plating at a current density of 0.3 A / dm 2 in a plating bath having a plating bath composition 4.
表1から分かるように、発明例1〜15において屈曲回数は5000以上であり、また表面粗さも2.5μm以下であった。すなわち発明例1〜15において、良好な屈曲性を示し、かつ適度に平滑な表面の金属張積層体を製造することができた。 As can be seen from Table 1, in Invention Examples 1 to 15, the number of bendings was 5000 or more, and the surface roughness was 2.5 μm or less. That is, in Invention Examples 1 to 15, a metal-clad laminate having good flexibility and a moderately smooth surface could be produced.
また比較例1〜6において、屈曲回数はいずれも5000回に到達せず、回路基板用の金属張積層体として適用するのは難しいことが分かった。比較例7〜9において、表面粗さは2.5μm以上と粗く、回路基板用の金属張積層体として適用するのは難しいことが分かった。 Moreover, in Comparative Examples 1-6, all the bending | flexion frequency | counts did not reach 5000 times, and it turned out that it is difficult to apply as a metal-clad laminated body for circuit boards. In Comparative Examples 7 to 9, the surface roughness was as rough as 2.5 μm or more, and it was found difficult to apply as a metal-clad laminate for circuit boards.
また比較例10において、電解めっき中に金属張積層体が発熱により変形してしまい形状が凸凹、あるいは一部穴が開いてしまったことから評価不可能であり、金属張積層体として明らかに不良になることが分かった。比較例11において、金属張積層体の下地層と銅層が剥離し、密着不良により金属張積層体として明らかに不良になることが分かった。 Further, in Comparative Example 10, the metal-clad laminate was deformed by heat generation during electrolytic plating, and the shape was uneven or partly perforated, so it was not possible to evaluate, and it was clearly inferior as a metal-clad laminate. I found out that In Comparative Example 11, it was found that the base layer and the copper layer of the metal-clad laminate were peeled off, and the metal-clad laminate was clearly defective due to poor adhesion.
(実施例2)
金属張積層体の製造を行うにあたり、基材フィルムを液晶ポリマー、ポリエチレンテレフタラート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)の各フィルムとし、それぞれについて前記製造法に基づいて下地めっき層を形成し、前述のめっき浴組成1のめっき浴で銅めっきを電流密度5〜7A/dm2で行い、金属張積層体を製造し、評価を行った。表2に結果を示す。
(Example 2)
In the production of a metal-clad laminate, the base film is a liquid crystal polymer, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), or polyether ether ketone (PEEK) film, and each is based on the above production method. Then, a base plating layer was formed, and copper plating was performed at a current density of 5 to 7 A / dm 2 in the plating bath having the plating
ここで、発明例16は基材フィルムに液晶ポリマーを適用した金属張積層体である。発明例17は基材フィルムにポリエチレンテレフタラート(PET)を適用した金属張積層体である。発明例18は基材フィルムにポリエチレンナフタレート(PEN)を適用した金属張積層体である。発明例19は基材フィルムにポリエーテルエーテルケトン(PEEK)を適用した金属張積層体である。 Here, Invention Example 16 is a metal-clad laminate in which a liquid crystal polymer is applied to a base film. Invention Example 17 is a metal-clad laminate in which polyethylene terephthalate (PET) is applied to the base film. Invention Example 18 is a metal-clad laminate in which polyethylene naphthalate (PEN) is applied to the base film. Invention Example 19 is a metal-clad laminate in which polyether ether ketone (PEEK) is applied to the base film.
表2から分かるように、発明例16〜19において屈曲回数は5000以上であり、また表面粗さも2.5μm以下であった。すなわち発明例16〜19において、良好な屈曲性を示し、かつ適度に平滑な表面の金属張積層体を製造することができた。 As can be seen from Table 2, in Invention Examples 16 to 19, the number of bendings was 5000 or more, and the surface roughness was 2.5 μm or less. That is, in Invention Examples 16 to 19, a metal-clad laminate having good flexibility and a moderately smooth surface could be produced.
Claims (8)
ケトンポリマーフィルムから選ばれる、基材としての熱可塑性フィルムの表面の少なくと
も一部に下地金属層が形成され、その上に銅層が形成された可撓性を有する金属張積層体
であって、
前記銅層の平均結晶粒径が前記基材側から厚さ方向に向けて大きくなり、前記銅層の平
均結晶粒径の範囲が2μm以上5μm以下であり、
前記銅層の平均カーボン濃度が3ppm以上15ppm以下の範囲であることを特徴と
する金属張積層体。 Polyester film, thermoplastic liquid crystal polymer film, or polyether ether
A flexible metal-clad laminate in which a base metal layer is formed on at least a part of the surface of a thermoplastic film as a base material selected from a ketone polymer film , and a copper layer is formed thereon,
The average crystal grain size of the copper layer is increased toward the thickness direction from the substrate side, Ri average range der least 5μm below 2μm grain size of the copper layer,
The metal-clad laminate, wherein the copper layer has an average carbon concentration in the range of 3 ppm to 15 ppm .
金属張積層体。Metal-clad laminate.
とする請求項1または請求項2に記載の金属張積層体。The metal-clad laminate according to claim 1 or 2.
きくなっていることを特徴とする、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の金属張The metal tension according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal tension is
積層体。Laminated body.
を特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の金属張積層体。The metal-clad laminate according to any one of claims 1 to 4, characterized by:
積層体。Laminated body.
ケトンポリマーフィルムから選ばれる熱可塑性フィルムの表面の少なくとも一部に下地金Base metal on at least a part of the surface of the thermoplastic film selected from ketone polymer film
属層を形成し、その上に銅層を形成する、可撓性を有する金属張積層体の製造方法であっA method for producing a flexible metal-clad laminate in which a metal layer is formed and a copper layer is formed thereon.
て、And
前記熱可塑性フィルムをアルカリ溶液に浸して、前記熱可塑性フィルムの前記表面に表The thermoplastic film is immersed in an alkaline solution and is exposed on the surface of the thermoplastic film.
面粗さRzが1.0〜1.5の凹凸を形成し、Forming irregularities with a surface roughness Rz of 1.0 to 1.5,
前記熱可塑性フィルムの前記表面に下地金属層を形成し、Forming a base metal layer on the surface of the thermoplastic film;
前記下地金属層上に前記銅層を電解めっきで形成するにあたり、前記銅層中の平均カーIn forming the copper layer on the base metal layer by electrolytic plating, an average car in the copper layer is formed.
ボン濃度が15ppm以下になるようにめっき浴を組成し、前記銅層を形成する際の電流The plating bath is composed so that the Bon concentration is 15 ppm or less, and the current when forming the copper layer
密度を0.5〜10A/dmDensity 0.5-10A / dm 22 とし、前記電流密度を前記基材側から表面方向に向けて大And the current density increases from the substrate side toward the surface.
きくすることで、銅層の平均結晶粒径が基材側から厚さ方向に大きくなるようにして、前As a result, the average crystal grain size of the copper layer is increased in the thickness direction from the base material side.
記銅層の平均結晶粒径の範囲を2μm以上5μm以下とし、かつ前記銅層の平均カーボンThe average crystal grain size of the copper layer is 2 μm or more and 5 μm or less, and the average carbon of the copper layer
濃度が3ppm以上15ppm以下の範囲とすることを特徴とする金属張積層体の製造方A method for producing a metal-clad laminate, wherein the concentration is in the range of 3 ppm to 15 ppm.
法。Law.
を特徴とする請求項7に記載の金属張積層体の製造方法。 After the formation of the copper layer, heat treatment at 150 ° C. to 200 ° C. is further performed under an inert atmosphere.
The method for producing a metal-clad laminate according to claim 7 .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009076103A JP5255496B2 (en) | 2009-03-26 | 2009-03-26 | Metal-clad laminate and method for producing metal-clad laminate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009076103A JP5255496B2 (en) | 2009-03-26 | 2009-03-26 | Metal-clad laminate and method for producing metal-clad laminate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010228173A JP2010228173A (en) | 2010-10-14 |
JP5255496B2 true JP5255496B2 (en) | 2013-08-07 |
Family
ID=43044511
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009076103A Expired - Fee Related JP5255496B2 (en) | 2009-03-26 | 2009-03-26 | Metal-clad laminate and method for producing metal-clad laminate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5255496B2 (en) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005256159A (en) * | 2004-02-09 | 2005-09-22 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Method for forming copper plating film, continuous copper plating equipment for resin film substrate for semiconductor package and flexible copper clad laminated plate |
JP4430020B2 (en) * | 2005-02-21 | 2010-03-10 | 古河電気工業株式会社 | Copper foil for flexible printed wiring board, manufacturing method thereof and flexible printed wiring board |
JP2008106291A (en) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Plated substrate |
TW200847867A (en) * | 2007-04-26 | 2008-12-01 | Mitsui Mining & Smelting Co | Printed wire board and manufacturing method thereof, and electrolytic copper foil for copper-clad lamination board used for manufacturing the same |
-
2009
- 2009-03-26 JP JP2009076103A patent/JP5255496B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010228173A (en) | 2010-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4927963B2 (en) | Surface-treated copper foil, method for producing the same, and copper-clad laminate | |
JP4691573B2 (en) | Printed wiring board, method for producing the printed wiring board, and electrolytic copper foil for copper-clad laminate used for producing the printed wiring board | |
TWI504323B (en) | Adhesiveless copper clad laminates and printed circuit board having adhesiveless copper clad laminates as base material | |
JP4968266B2 (en) | Two-layer flexible substrate, manufacturing method thereof, and flexible printed wiring board obtained from the two-layer flexible substrate | |
JP5266925B2 (en) | Metallized polyimide film and method for producing the same | |
JP4924843B2 (en) | Two-layer flexible substrate and method for manufacturing the same, printed wiring board using the two-layer flexible substrate, and method for manufacturing the same | |
JP2007262493A (en) | Material for flexible printed board and method of manufacturing the same | |
JP4360635B2 (en) | The manufacturing method of a copper metallized film, and the copper metallized film manufactured with the manufacturing method. | |
TW201942422A (en) | Surface-treated copper foil, copper-cladded laminate, and manufacturing method for printed wiring board | |
JP4615226B2 (en) | Composite material for substrate and circuit board using the same | |
JP2007150273A (en) | Two-layered flexible printed circuit board and method for manufacturing two-layered flexible printed circuit board | |
JP4430020B2 (en) | Copper foil for flexible printed wiring board, manufacturing method thereof and flexible printed wiring board | |
JP5223325B2 (en) | Metal-coated polyethylene naphthalate substrate and manufacturing method thereof | |
JP4593331B2 (en) | Multilayer circuit board and manufacturing method thereof | |
JP5255496B2 (en) | Metal-clad laminate and method for producing metal-clad laminate | |
TWI805902B (en) | Surface treated copper foil, copper clad laminate and printed circuit board | |
JP5940010B2 (en) | Surface roughening copper foil, method for producing the same, and circuit board | |
JP2012057231A (en) | Rolled copper foil for printed circuit board, and manufacturing method therefor | |
JP2006253345A (en) | High purity electrolytic copper foil and manufacturing method thereof | |
JP5116231B2 (en) | Printed wiring board, method for manufacturing printed wiring board, and multilayer printed wiring board | |
JP4540100B2 (en) | Two-layer flexible copper-clad laminate and method for producing the two-layer flexible copper-clad laminate | |
JP2014122414A (en) | Copper foil with carrier | |
JP2010153537A (en) | Flexible wiring board | |
JP2008091596A (en) | Copper-coated polyimide substrate with smooth surface, and its manufacturing method | |
KR20220133495A (en) | Environmentally Friendly Flexible Circuit Board Using Non-Adhesive Coarse Laminated Plates and Its Manufacturing Method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130322 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130419 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5255496 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160426 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |