JP4540100B2 - Two-layer flexible copper-clad laminate and method for producing the two-layer flexible copper-clad laminate - Google Patents
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Description
本発明は、導体層とフレキシブル基材層とが接着剤層を介することなく、直接張合わされた所謂2層フレキシブル銅張積層板及びその2層フレキシブル銅張積層板の製造方法に関する。 The present invention relates to a so-called two-layer flexible copper-clad laminate in which a conductor layer and a flexible base material layer are directly bonded without using an adhesive layer, and a method for producing the two-layer flexible copper-clad laminate.
ポリイミド樹脂は、フレキシビリティに富み柔軟であり、機械的強度、耐熱性、電気的特性等の諸特性に優れ、従来から、フレキシブルプリント配線板、フレキシブルプリント配線板の一種と言えるテープオートメートボンディング(TAB)製品等の基材材料として広く用いられてきた。 Polyimide resin is flexible and flexible, and has excellent properties such as mechanical strength, heat resistance, and electrical properties. Traditionally, tape automate bonding (a type of flexible printed wiring board and flexible printed wiring board) TAB) has been widely used as a base material for products and the like.
上記製品を得るためには、従来から接着剤を用いて銅箔と張り合わせた3層基板が用いられてきた。ところが、近年の電気・電子製品のダウンサイジングの要求が強くなり、狭小化したスペースに配置するためのフレキシブルプリント配線板の薄層化及び小型化が要求され、配線密度の向上、耐折強度の向上の観点から、接着剤層を省略し、ポリイミド樹脂フィルムの表面に直接導体層を備えた2層基板の供給が活発化してきた。 In order to obtain the above products, a three-layer substrate bonded with a copper foil using an adhesive has been conventionally used. However, demands for downsizing electrical and electronic products in recent years have become stronger, and it has been required to reduce the thickness and size of flexible printed wiring boards for placement in narrow spaces, improving wiring density and improving bending strength. From the viewpoint of improvement, the supply of a two-layer substrate in which the adhesive layer is omitted and the conductor layer is directly provided on the surface of the polyimide resin film has been activated.
ポリイミド樹脂フィルムの表面に接着剤を用いることなく、銅層を形成して2層基板にする方法としては、蒸着法、キャスティング法、メッキ法、ダイレクトメタライゼーション法が広く用いられてきた。この中でも、近年特に、ポリイミド樹脂フィルムと銅層との密着性を比較的良好に維持することのできるものとして、特許文献1及び特許文献2等に開示されているようなダイレクトメタライゼーション法というものが提唱されてきたのである。 Vapor deposition, casting, plating, and direct metallization methods have been widely used as methods for forming a copper layer on a surface of a polyimide resin film without using an adhesive to form a two-layer substrate. Among these, in particular, the direct metallization method disclosed in Patent Document 1, Patent Document 2, and the like, in particular, can maintain relatively good adhesion between the polyimide resin film and the copper layer. Has been advocated.
そして、通常のリジットタイプのプリント配線板と異なり、上述したフレキシブルプリント配線板、フレキシブルプリント配線板の一種と言えるCOF、TAB製品等には、極めて微細なファインピッチ回路が形成されるのが一般化しており、且つ、製造工程内で高温加熱処理が施されるため、導体層のポリイミドフィルム基材からの加熱後引き剥がし強さが重要な製品品質と考えられるようになった。そして、当業者間では、ポリイミドフィルム基材と銅導体層との間にCr系の中間層をシード層として設けてやることで加熱後引き剥がし強さを向上させることが可能との認識の下に、特許文献3に示すようにクロム、ニッケルを含んだ中間層を設けた2層フレキシブル銅張積層板の開発が進められてきた。 Unlike ordinary rigid-type printed wiring boards, the above-mentioned flexible printed wiring boards and COF and TAB products that can be said to be a kind of flexible printed wiring boards are generally formed with extremely fine fine pitch circuits. In addition, since the high-temperature heat treatment is performed in the manufacturing process, the peel strength after heating from the polyimide film base material of the conductor layer has been considered as an important product quality. And those skilled in the art recognize that it is possible to improve the peel strength after heating by providing a Cr-based intermediate layer as a seed layer between the polyimide film substrate and the copper conductor layer. In addition, as shown in Patent Document 3, development of a two-layer flexible copper-clad laminate provided with an intermediate layer containing chromium and nickel has been underway.
この加熱後引き剥がし強さは、当業者間で150℃の大気雰囲気中で168時間加熱した後の値を代用特性として用いることが一般化している(以下、本件明細書において、単に「加熱後引き剥がし強さ」と称する。)。従来の2層フレキシブル銅張積層板の加熱後引き剥がし強さは、0.4kgf/cm前後の値を示していた。 As for the peel strength after heating, it is common for those skilled in the art to use the value after heating for 168 hours in an air atmosphere at 150 ° C. as a substitute characteristic (hereinafter referred to simply as “after heating” in this specification). This is called “stripping strength”). The peeling strength after heating of the conventional two-layer flexible copper clad laminate showed a value of around 0.4 kgf / cm.
しかしながら、上述の加熱後引き剥がし強さを向上させるために近年の国際的な環境問題意識の高まりから、クロムのような有害物質の使用に対する取り締まりが強化され、クロムを使用した製品の国境を越えた取引が制限される傾向が顕著になってきている。 However, due to the recent increase in international environmental awareness in order to improve the above-mentioned peeling strength after heating, the crackdown on the use of toxic substances such as chromium has been strengthened, crossing the border of products using chromium. There is a growing tendency to restrict trading.
また、ニッケル含有量の高いシード層を形成すると、銅エッチング液によるシード層除去が困難となり、回路間にニッケル成分が残留し、表層マイグレーションの発生の基点となる可能性があり好ましくない。 In addition, if a seed layer having a high nickel content is formed, it is difficult to remove the seed layer with a copper etchant, and a nickel component may remain between the circuits, which may be a starting point for occurrence of surface layer migration.
従って、市場においては、ポリイミドフィルム基材と導体層との2層状態を得ることのできるダイレクトメタライゼーション法を用いた場合であって、Crを使用することなくポリイミド樹脂フィルムと導体層との良好な加熱後引き剥がし強さ及び耐薬品性能を維持でき、且つ、銅エッチング液でのエッチングが良好に行える2層フレキシブル銅張積層板が望まれてきたのである。 Therefore, in the market, it is a case of using a direct metallization method that can obtain a two-layer state of a polyimide film substrate and a conductor layer, and the polyimide resin film and the conductor layer are good without using Cr Thus, a two-layer flexible copper-clad laminate that can maintain the peel strength and chemical resistance performance after heating and can be satisfactorily etched with a copper etchant has been desired.
そこで、本件発明者等は、鋭意研究の結果、以下の発明に係る層構成を備えるフレキシブル銅張積層板を採用することで、Cr系シード層を用いることなく、良好な加熱後引き剥がし強さ、耐薬品性能及び良好なエッチング性能を得ることに想到したのである。以下、本件発明について説明する。 Therefore, as a result of diligent research, the present inventors have adopted a flexible copper-clad laminate having a layer structure according to the following invention, and without using a Cr-based seed layer, good peeling strength after heating. The idea was to obtain chemical resistance and good etching performance. Hereinafter, the present invention will be described.
(フレキシブル銅張積層板)
本件発明について説明する前に、本件発明の理解を容易にするため、加熱後引き剥がし強さを向上させるために採用した理論に関して、簡単に説明しておくことにする。加熱後引き剥がし強さが、常態引き剥がし強さから見て劣化する現象は、一言で言えば、高温加熱された後のポリイミド樹脂フィルム基材の構成樹脂の劣化に起因するものである。このポリイミド樹脂フィルム基材の構成樹脂の劣化レベルは、加熱温度が一定であるとすれば、導体層のポリイミド樹脂フィルム基材と界面を構成する金属成分により、左右されるのである。即ち、当該金属成分がポリイミド樹脂フィルム基材の構成樹脂の分解触媒として寄与していると考えられるのである。特に、導体層を構成する主要成分である銅は、有機材であるエポキシ、ポリイミド等の基材樹脂の分解触媒として寄与することに関しては、古くより提唱されている。
(Flexible copper-clad laminate)
Before describing the present invention, in order to facilitate understanding of the present invention, a brief description will be given of the theory adopted to improve the peel strength after heating. The phenomenon in which the peel strength after heating deteriorates as viewed from the normal peel strength is simply due to the deterioration of the constituent resin of the polyimide resin film substrate after high-temperature heating. If the heating temperature is constant, the deterioration level of the constituent resin of the polyimide resin film substrate depends on the metal component constituting the interface with the polyimide resin film substrate of the conductor layer. That is, it is considered that the metal component contributes as a decomposition catalyst for the constituent resin of the polyimide resin film substrate. In particular, copper, which is a main component constituting the conductor layer, has been proposed for a long time to contribute as a decomposition catalyst for base resins such as epoxy and polyimide, which are organic materials.
従って、従来から導体層(以上及び以下において、銅層とシード層とを併せて「導体層」と称しているのである。)を構成する銅成分が、高温加熱時に基材樹脂方向へ拡散しないように、銅以上の高融点金属成分をバリア層として設けて、銅の拡散防止を行うことで加熱後引き剥がし強さを高く維持するという手法が採用されてきた。 Accordingly, conventionally, the copper component constituting the conductor layer (in the above and below, the copper layer and the seed layer are collectively referred to as “conductor layer”) does not diffuse toward the base resin during high-temperature heating. As described above, a technique has been employed in which a high melting point metal component equal to or higher than copper is provided as a barrier layer, and the peeling strength after heating is kept high by preventing diffusion of copper.
また、一方で、加熱後引き剥がし強さを高く維持するためには、導体層とポリイミド樹脂フィルム層との界面に良好な物理的接着構造を形成していることが必要となることが知られている。即ち、通常の銅張積層板に用いる電解銅箔等は、微細銅粒を付着形成した粗化面を有しており、この粗化面を基材樹脂との接着面として用いることで、微細銅粒が基材樹脂内にくい込み、アンカー効果を発揮するのである。このときの微細銅粒が均一で大きな形状であるほど、加熱後引き剥がし強さが高いものとなるのである。ところが、ダイレクトメタライゼーション法でポリイミド樹脂フィルム基材の表面へ導体層を直接形成する場合には、通常の銅箔のような粗化面を形成することはできず、このような物理的な接着強度向上効果を得ることは殆ど不可能と考えられてきたのである。 On the other hand, it is known that it is necessary to form a good physical adhesion structure at the interface between the conductor layer and the polyimide resin film layer in order to keep the peel strength after heating high. ing. That is, an electrolytic copper foil or the like used for a normal copper-clad laminate has a roughened surface on which fine copper particles are adhered, and this roughened surface can be used as an adhesive surface with a base resin. The copper particles are hard to get into the base resin and exert an anchor effect. The more uniform and large the fine copper particles are, the higher the peel strength after heating. However, when the conductor layer is formed directly on the surface of the polyimide resin film substrate by the direct metallization method, it is not possible to form a rough surface like a normal copper foil. It has been considered that it is almost impossible to obtain a strength improvement effect.
以上に述べたように、加熱後引き剥がし強さを高くするためには、次の2点を考慮してシード層の設計を行わなければならないと考えられる。即ち、シード層は、銅のポリイミド樹脂フィルムの高温環境下での分解を防止すると同時にポリイミド樹脂フィルム層との密着性に優れ、良好なエッチング特性と耐薬品性に優れるものでなければならないのである。 As described above, in order to increase the peeling strength after heating, it is considered that the seed layer must be designed in consideration of the following two points. That is, the seed layer must be excellent in adhesion to the polyimide resin film layer and excellent in etching characteristics and chemical resistance while preventing decomposition of the copper polyimide resin film in a high temperature environment. .
このような要求点を満足させる2層フレキシブル銅張積層板として、「ポリイミド樹脂フィルム基材の片面にシード層を形成し、そのシード層上に銅層を形成するダイレクトメタライゼーション法で得られる2層フレキシブル銅張積層板において、前記シード層は、ポリイミド樹脂フィルム基材と接するコバルト層とニッケル−コバルト膜とが積層状態にあることを特徴とした片面2層フレキシブル銅張積層板。」を採用するのである。この片面2層フレキシブル銅張積層板の断面を図1に模式的に示している。なお、本件発明の説明に用いる図面に関しては、本件発明に係る2層フレキシブル銅張積層板の層構成が分かりやすいように示した模式図であり、層の厚さは現実の製品の厚さに対応させたものではない。 As a two-layer flexible copper-clad laminate that satisfies these requirements, “2 obtained by a direct metallization method in which a seed layer is formed on one side of a polyimide resin film substrate and a copper layer is formed on the seed layer 2” In the single-layer flexible copper-clad laminate, the seed layer is a single-sided two-layer flexible copper-clad laminate in which a cobalt layer in contact with a polyimide resin film substrate and a nickel-cobalt film are in a laminated state. To do. A cross section of this single-sided two-layer flexible copper-clad laminate is schematically shown in FIG. The drawings used for explaining the present invention are schematic diagrams showing the layer configuration of the two-layer flexible copper-clad laminate according to the present invention in an easy-to-understand manner, and the layer thickness is the actual product thickness. It is not something that was made to correspond.
また、「ポリイミド樹脂フィルム基材の両面にシード層を形成し、各々のシード層上に銅層を形成するダイレクトメタライゼーション法で得られる両面2層フレキシブル銅張積層板において、前記両面の各シード層は、ポリイミド樹脂フィルム基材と接するコバルト層とニッケル−コバルト膜とが積層状態にあることを特徴とした両面2層フレキシブル銅張積層板。」を採用するのである。この両面2層フレキシブル銅張積層板の断面を図2に模式的に示している。 In addition, in the double-sided two-layer flexible copper-clad laminate obtained by a direct metallization method in which a seed layer is formed on both sides of a polyimide resin film substrate and a copper layer is formed on each seed layer, The layer employs a double-sided, two-layer flexible copper-clad laminate in which a cobalt layer in contact with a polyimide resin film substrate and a nickel-cobalt film are in a laminated state. A cross section of this double-sided two-layer flexible copper-clad laminate is schematically shown in FIG.
以上のフレキシブル銅張積層板は、シード層の構成に特徴を有しており、「コバルト膜」、「ニッケル−コバルト膜」により構成されるのである。この2つの2層フレキシブル銅張積層板は、図1に示すように導体層2(シード層3を含む)をポリイミド樹脂フィルムFの片面のみに形成したフレキシブル銅張積層板1aか、図2に示すような導体層2をポリイミド樹脂フィルムFの両面に形成したフレキシブル銅張積層板1bかの点で異なるのみであり、本質的な構成は同じである。従って、片面2層フレキシブル銅張積層板に関して説明することで、両面2層フレキシブル銅張積層板に関しても理解できると考えるため、以下片面2層フレキシブル銅張積層板を中心に説明する。 The above flexible copper-clad laminate is characterized by the structure of the seed layer, and is composed of “cobalt film” and “nickel-cobalt film”. These two two-layer flexible copper-clad laminates are either a flexible copper-clad laminate 1a in which the conductor layer 2 (including the seed layer 3) is formed only on one side of the polyimide resin film F as shown in FIG. The only difference is the flexible copper-clad laminate 1b in which the conductor layer 2 as shown is formed on both sides of the polyimide resin film F, and the essential configuration is the same. Therefore, since it thinks that it can understand also about a double-sided two-layer flexible copper clad laminated board by explaining about a single-sided two-layer flexible copper clad laminated board, it demonstrates below focusing on a single-sided two-layer flexible copper clad laminated board.
片面2層フレキシブル銅張積層板1aの層構成は、図1から分かるように、ポリイミド樹脂フィルムFの片面表面と、コバルト層4とが接触する構成を採っている。このコバルト層4は、ポリイミド樹脂フィルムFとの密着性を確保し、加熱後引き剥がし強さを確認するために必要なものである。 The layer structure of the single-sided two-layer flexible copper clad laminate 1a is such that the single-sided surface of the polyimide resin film F and the cobalt layer 4 are in contact with each other, as can be seen from FIG. The cobalt layer 4 is necessary for ensuring adhesion with the polyimide resin film F and confirming the peel strength after heating.
このコバルト層4は、厳密に言えば純粋なコバルト層ではなく、コバルト粒子(一部は酸化コバルトと考えられる)5とポリイミド樹脂Rとの混合層となっている。この様子を、透過型電子顕微鏡で観察すると図3に示すようになる。この図3には50万倍でコバルト層の混合状態の分かる拡大した写真を示している。これらから、コバルト粒子5が樹枝状に成長し、ポリイミド樹脂R内にくい込んだ状態になっているように見えるのである。従って、この樹枝状のコバルト粒子5がポリイミド樹脂フィルムFとの物理的密着性を向上させるためのアンカーとなっていると考えられるのである。 Strictly speaking, the cobalt layer 4 is not a pure cobalt layer but a mixed layer of cobalt particles (partly considered to be cobalt oxide) 5 and the polyimide resin R. When this state is observed with a transmission electron microscope, it is as shown in FIG. FIG. 3 shows an enlarged photograph showing the mixed state of the cobalt layer at 500,000 times. From these, the cobalt particles 5 grow in a dendritic shape and seem to be in a state of being hard to be embedded in the polyimide resin R. Therefore, the dendritic cobalt particles 5 are considered to be anchors for improving the physical adhesion with the polyimide resin film F.
そして、このコバルト層は、重量厚さで40mg/m2〜300mg/m2(換算厚さ5nm〜34nm)の範囲にあることが好ましいのである。コバルト層の重量厚さが40mg/m2未満の場合には、コバルト層とポリイミド樹脂フィルムとの密着性を向上させることが十分にできない。一方、コバルト層の重量厚さが300mg/m2を超えた場合には、反応性に富んだコバルト層が厚くなり、回路エッチング時及びメッキ液との接触時にコバルト層が溶解し、耐薬品性能が劣化するのである。 Then, the cobalt layer is of is preferably in the range of 40mg / m 2 ~300mg / m 2 ( in terms of thickness 5Nm~34nm) weight thickness. When the weight thickness of a cobalt layer is less than 40 mg / m < 2 >, the adhesiveness of a cobalt layer and a polyimide resin film cannot fully be improved. On the other hand, when the weight thickness of the cobalt layer exceeds 300 mg / m 2 , the cobalt layer rich in reactivity becomes thick, and the cobalt layer dissolves at the time of circuit etching and contact with the plating solution. Will deteriorate.
そして、本件発明の場合には、そのコバルト層4の上にニッケル−コバルト膜6が位置することになるのである。このニッケル−コバルト膜6とコバルト層4とは、以下に述べるダイレクトメタライゼーション法を基本とした製造方法によって形成されるものであり、ニッケル−コバルト膜6とコバルト層4とは非常に優れた層間密着性を示すのである。また、このニッケル−コバルト膜6は、銅層との間での非常に優れた層間密着性を示すのである。 In the present invention, the nickel-cobalt film 6 is located on the cobalt layer 4. The nickel-cobalt film 6 and the cobalt layer 4 are formed by a manufacturing method based on the direct metallization method described below, and the nickel-cobalt film 6 and the cobalt layer 4 are very excellent interlayers. It shows adhesion. In addition, the nickel-cobalt film 6 exhibits very excellent interlayer adhesion with the copper layer.
このコバルト膜は、後述するようにダイレクトメタライゼーション法のポリイミド樹脂フィルムをアルカリ処理してイミド環を開環処理し表面にカルボキシル基を形成し、開環して形成したカルボキシル基を酸溶液を用いて中和し、中和したカルボキシル基とコバルトイオン含有溶液とを接触させコバルト成分を吸着させることでカルボキシルコバルト塩を形成し、カルボキシルコバルト塩を還元する工程を繰り返して行いながら、ポリイミド樹脂フィルムの表面と接触するコバルト層が同時に得られるのである。 As will be described later, this cobalt film is formed by subjecting a polyimide resin film of the direct metallization method to an alkali treatment to open the imide ring to form a carboxyl group on the surface, and using the acid solution for the carboxyl group formed by the ring opening. The polyimide resin film is made by repeating the steps of forming a carboxyl cobalt salt by contacting the neutralized carboxyl group with a cobalt ion-containing solution to adsorb a cobalt component and reducing the carboxyl cobalt salt. A cobalt layer in contact with the surface is obtained at the same time.
次に、コバルト膜4の表面には、ニッケル−コバルト膜6を備えるのである。このニッケル−コバルト膜6は、耐蝕性能に優れ、フレキシブル銅張積層板をフレキシブルプリント配線板に加工する際の酸性溶液による浸食を防止して引き剥がし強さの耐薬品性改善するためのものであり、同時に回路の加熱後引き剥がし強さを劣化させる銅のポリイミド樹脂フィルムへの拡散バリアとしての役割を果たすのである。 Next, a nickel-cobalt film 6 is provided on the surface of the cobalt film 4. This nickel-cobalt film 6 has excellent corrosion resistance and is intended to improve the chemical resistance of the peel strength by preventing erosion by an acidic solution when a flexible copper-clad laminate is processed into a flexible printed wiring board. At the same time, it acts as a diffusion barrier to the polyimide resin film of copper that degrades the peel strength after heating the circuit.
そして、このニッケル−コバルト膜は、コバルト膜がコバルト粒子とポリイミド樹脂との混合層となっているため、後述するようにダイレクトメタライゼーション法を用いて、コバルト膜の表面とニッケルイオン及びコバルトイオンを含有溶液とを接触させ、カルボキシルニッケル塩とカルボキシルコバルト塩とを形成し、カルボキシルニッケル塩とカルボキシルコバルト塩とを還元する工程を繰り返して行いながら得られるのである。 Since this nickel-cobalt film is a mixed layer of cobalt particles and polyimide resin, the surface of the cobalt film and nickel ions and cobalt ions are removed using a direct metallization method as described later. It can be obtained by repeating the steps of bringing the solution into contact with each other, forming a carboxyl nickel salt and a carboxyl cobalt salt, and reducing the carboxyl nickel salt and the carboxyl cobalt salt.
このニッケル−コバルト膜6は、ニッケルを50wt%〜95wt%含み、残部コバルト(ニッケル−コバルト膜中の不可避不純物は考慮しない組成を採用している)の組成を採用することが望ましいのである。ここで、ニッケル−コバルト膜を採用したのは、耐食性に優れ、回路エッチングに用いる酸溶液に溶解しやすくなり、単体では銅エッチング液に溶解しにくいニッケルの溶解除去が容易となるからである。従って、コバルトの含有割合が5wt%未満の場合には、銅エッチング液によるニッケル−コバルト膜の溶解が困難となり、回路エッチング時にニッケル成分がエッチング残として残留しやすく回路間絶縁が不十分で、回路ショート、表層マイグレーション等の発生原因となるのである。これに対し、コバルトの含有割合が50wt%を超えると、ニッケル−コバルト膜の耐食性が低下し、回路の耐薬品性能を劣化させるのである。更に、より確実にエッチング残の発生を防止し、耐薬品性能を良好にするためには、ニッケル60wt%〜90wt%、コバルトを40wt%〜10wt%含有する組成とすることが好ましいのである。 The nickel-cobalt film 6 desirably employs a composition of 50% by weight to 95% by weight of nickel and the remaining cobalt (a composition that does not take into account inevitable impurities in the nickel-cobalt film is employed). Here, the nickel-cobalt film is used because it has excellent corrosion resistance, is easily dissolved in an acid solution used for circuit etching, and facilitates dissolution and removal of nickel that is difficult to dissolve in a copper etching solution by itself. Therefore, when the cobalt content is less than 5 wt%, it becomes difficult to dissolve the nickel-cobalt film with the copper etching solution, and the nickel component tends to remain as an etching residue during circuit etching, resulting in insufficient circuit insulation. This is a cause of occurrence of short circuit and surface layer migration. On the other hand, when the content ratio of cobalt exceeds 50 wt%, the corrosion resistance of the nickel-cobalt film is lowered and the chemical resistance performance of the circuit is deteriorated. Furthermore, in order to more reliably prevent the occurrence of etching residue and improve the chemical resistance, it is preferable to have a composition containing nickel 60 wt% to 90 wt% and cobalt 40 wt% to 10 wt%.
そして、ポリイミド樹脂基材との密着性を良好にし、同時に耐薬品性能を良好にするためにはシード層の厚さも問題となる。回路のエッジ部からのエッチング液又はメッキ液等の潜り込み現象が発生するメカニズムを考えてみると、回路エッチング時若しくはその後に行われるメッキ液に晒されたときに、図4に示すように回路9とポリイミド樹脂基材Fとの界面部Aにエッチング液等の酸性溶液が浸透し回路の密着性を低下させ、その界面部Aに溶液が侵入し、シード層3を溶解させるのである。従って、シード層3の厚さが薄いほど、溶液の潜り込みが少なく、耐薬品性能が良好となる。この耐薬品性能は、耐塩酸性等の代替え方法により評価されるものである。 The thickness of the seed layer is also a problem in order to improve the adhesion with the polyimide resin substrate and at the same time improve the chemical resistance. Considering the mechanism of the occurrence of the phenomenon of etching liquid or plating liquid from the edge portion of the circuit, when the circuit 9 is exposed to a plating liquid during or after circuit etching, as shown in FIG. An acidic solution such as an etching solution permeates the interface A between the polyimide resin substrate F and the adhesiveness of the circuit, and the solution enters the interface A to dissolve the seed layer 3. Therefore, the thinner the seed layer 3 is, the less the solution enters and the better the chemical resistance. This chemical resistance is evaluated by alternative methods such as hydrochloric acid resistance.
このニッケル−コバルト膜6は、その重量厚さで380mg/m2〜750mg/m2(換算厚さ43nm〜84nm)の範囲にあることが好ましいのである。ニッケル−コバルト膜の重量厚さが380mg/m2未満の場合には、150℃×168時間の加熱条件における銅の拡散防止バリアとしての役割を果たし得ず、引き剥がし強さの耐薬品性改善も行えないのである。そして、ニッケル−コバルト膜6の重量厚さが750mg/m2を超える場合には、銅回路エッチングを行う際に銅エッチング液での同時除去が良好に行えず、残留し易くなるのである。 The nickel-cobalt film 6 preferably has a weight thickness in the range of 380 mg / m 2 to 750 mg / m 2 (converted thickness 43 nm to 84 nm). When the weight thickness of the nickel-cobalt film is less than 380 mg / m 2 , it cannot serve as a copper diffusion prevention barrier under heating conditions of 150 ° C. × 168 hours, and the chemical resistance of the peel strength is improved. It can not be done. When the weight thickness of the nickel-cobalt film 6 exceeds 750 mg / m 2 , simultaneous removal with a copper etching solution cannot be performed well when performing copper circuit etching, and the nickel-cobalt film 6 tends to remain.
そして、銅層7がシード層3を構成するニッケル−コバルト膜6の表面に位置することになるのである。この銅層7の厚さは、フレキシブルプリント配線板として使用する際の用途に応じて、任意の厚さを採用することが可能であり、特段の厚さの限定を要するものではない。この銅層7が、導体層2としての主体をなすものであり、回路形成したときのシグナル回路、電源回路等の導電体を構成することとなるのである。 The copper layer 7 is positioned on the surface of the nickel-cobalt film 6 constituting the seed layer 3. As the thickness of the copper layer 7, any thickness can be adopted depending on the application when used as a flexible printed wiring board, and there is no particular limitation on the thickness. The copper layer 7 is a main body as the conductor layer 2 and constitutes a conductor such as a signal circuit and a power circuit when a circuit is formed.
以上のような層構成を持つ片面若しくは両面の2層フレキシブル銅張積層板を採用することで、Cr等の忌避成分を含むことなく、150℃×168時間加熱後の加熱後引き剥がし強さを良好なものとし、更に耐薬品性能に優れ、銅エッチング液に対する溶解性に優れたものとなるのである。 By adopting a single-sided or double-sided flexible copper-clad laminate with the above layer structure, it has a peeling strength after heating after heating at 150 ° C. for 168 hours without containing repellent components such as Cr. It is considered to be good, and further excellent in chemical resistance and excellent in solubility in a copper etching solution.
更に、片面2層フレキシブル銅張積層板の場合、図5に示すように銅層7の存在する面の他面側をPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムの如き耐水性フィルム8で被覆することにより、フレキシブルプリント配線板への加工プロセスで溶液に晒された場合の他面側からの吸水、吸湿を防止して、より高い加熱後引き剥がし強さを得ることが可能となる。 Further, in the case of a single-sided two-layer flexible copper-clad laminate, as shown in FIG. 5, the other side of the surface on which the copper layer 7 is present is covered with a water-resistant film 8 such as a PET (polyethylene terephthalate) film, thereby allowing flexible It is possible to prevent water absorption and moisture absorption from the other side when exposed to a solution in a processing process for a printed wiring board, and to obtain a higher peeling strength after heating.
(2層フレキシブル銅張積層板の製造方法)
本件発明に係る片面2層フレキシブル銅張積層板を製造する方法は、以下に述べる(a)〜(j)の工程を備えることを特徴とするものである。
(Method for producing a two-layer flexible copper-clad laminate)
The method for producing a single-sided, two-layer flexible copper-clad laminate according to the present invention comprises the steps (a) to (j) described below.
(a) ポリイミド樹脂フィルムの片面又は片面を耐水性フィルムで被覆したポリイミド樹脂フィルムの露出面を、アルカリ処理してイミド環を開環処理し表面にカルボキシル基を形成する開環工程。
(b) 開環して片面に形成したカルボキシル基を酸溶液を用いて中和する中和工程。
(c) 片面の中和したカルボキシル基とコバルトイオン含有溶液とを接触させコバルト成分を吸着させることでカルボキシルコバルト塩をポリイミド樹脂フィルムの片面に形成するコバルトイオン吸着工程。
(d) ポリイミド樹脂フィルムの片面に形成したカルボキシルコバルト塩を還元して、ポリイミド樹脂フィルムの片面にコバルト膜を形成するコバルト膜形成工程。
(e) (c)工程と(d)工程とを複数回繰り返して、コバルト膜を成長させるコバルト膜成長工程。
(f) 片面のコバルト膜の表面と、ニッケルイオン及びコバルトイオンを含有した溶液とを接触させニッケル成分及びコバルト成分を吸着させカルボキシルニッケル塩とカルボキシルコバルト塩とをコバルト膜表面に形成する混合イオン吸着工程。
(g) コバルト膜の表面に形成したカルボキシルニッケル塩とカルボキシルコバルト塩とを還元して、コバルト膜上にニッケル−コバルト膜を形成するニッケル−コバルト膜形成工程。
(h) (f)工程と(g)工程とを複数回繰り返して、コバルト膜を成長させるコバルト膜成長工程。
(i) 片面のニッケル−コバルト膜の表面上に電気化学的手法を用いて回路を形成するための銅層を形成する銅層形成工程。
(j) 以上のようにして得られた片面2層フレキシブル銅張積層板を80℃〜160℃の減圧雰囲気で10分〜80分間乾燥させる乾燥工程。
(A) A ring-opening step of forming an carboxyl group on the surface by alkali-treating the exposed surface of the polyimide resin film having one surface or one surface of the polyimide resin film covered with a water-resistant film to open the imide ring.
(B) A neutralization step of neutralizing a carboxyl group formed on one side by ring opening using an acid solution.
(C) A cobalt ion adsorption step of forming a carboxyl cobalt salt on one side of a polyimide resin film by bringing a neutralized carboxyl group on one side into contact with a cobalt ion-containing solution to adsorb a cobalt component.
(D) The cobalt film formation process which reduces the carboxyl cobalt salt formed in the single side | surface of a polyimide resin film, and forms a cobalt film in the single side | surface of a polyimide resin film.
(E) A cobalt film growth step of growing a cobalt film by repeating the steps (c) and (d) a plurality of times.
(F) Mixed ion adsorption in which the surface of one side of the cobalt film is brought into contact with a solution containing nickel ions and cobalt ions to adsorb the nickel component and the cobalt component to form a carboxyl nickel salt and a carboxyl cobalt salt on the cobalt film surface. Process.
(G) A nickel-cobalt film forming step of forming a nickel-cobalt film on the cobalt film by reducing carboxyl nickel salt and carboxyl cobalt salt formed on the surface of the cobalt film.
(H) A cobalt film growth step in which the step (f) and the step (g) are repeated a plurality of times to grow a cobalt film.
(I) A copper layer forming step of forming a copper layer for forming a circuit on the surface of the nickel-cobalt film on one side using an electrochemical method.
(J) A drying step of drying the single-sided two-layer flexible copper-clad laminate obtained as described above in a reduced pressure atmosphere at 80 ° C. to 160 ° C. for 10 minutes to 80 minutes.
そして、本件発明に係る両面2層フレキシブル銅張積層板を製造する方法は、以下に述べる(a)〜(j)の工程を備えることを特徴とするものである。 And the method of manufacturing the double-sided two-layer flexible copper clad laminated board which concerns on this invention comprises the process of (a)-(j) described below, It is characterized by the above-mentioned.
(a) ポリイミド樹脂フィルムの両面をアルカリ処理してイミド環を開環処理し表面にカルボキシル基を形成する開環工程。
(b) 開環して両面に形成したカルボキシル基を酸溶液を用いて中和する中和工程。
(c) 両面の中和したカルボキシル基とコバルトイオン含有溶液とを接触させコバルト成分を吸着させることでカルボキシルコバルト塩をポリイミド樹脂フィルムの両面に形成するコバルトイオン吸着工程。
(d) ポリイミド樹脂フィルムの両面に形成したカルボキシルコバルト塩を還元して、ポリイミド樹脂フィルムの両面にコバルト膜を形成するコバルト膜形成工程。
(e) (c)工程と(d)工程とを複数回繰り返して、コバルト膜を成長させるコバルト膜成長工程。
(f) 両面のコバルト膜の表面と、ニッケルイオン及びコバルトイオンを含有した溶液とを接触させニッケル成分及びコバルト成分を吸着させカルボキシルニッケル塩とカルボキシルコバルト塩とをコバルト膜表面に形成する混合イオン吸着工程。
(g) コバルト膜の表面に形成したカルボキシルニッケル塩とカルボキシルコバルト塩とを還元して、コバルト膜上にニッケル−コバルト膜を形成するニッケル−コバルト膜形成工程。
(h) (f)工程と(g)工程とを複数回繰り返して、コバルト膜を成長させるコバルト膜成長工程。
(i) 両面のニッケル−コバルト膜の表面上に電気化学的手法を用いて回路を形成するための銅層を形成する銅層形成工程。
(j) 以上のようにして得られた両面2層フレキシブル銅張積層板を80℃〜160℃の減圧雰囲気で10分〜80分間乾燥させる乾燥工程。
(A) A ring-opening step in which both sides of the polyimide resin film are alkali-treated to open the imide ring to form carboxyl groups on the surface.
(B) The neutralization process which neutralizes the carboxyl group formed on both surfaces by ring-opening using an acid solution.
(C) The cobalt ion adsorption process which forms the carboxyl cobalt salt on both surfaces of a polyimide resin film by making the carboxyl group and cobalt ion containing solution which were neutralized both surfaces contact, and making a cobalt component adsorb | suck.
(D) The cobalt film formation process which reduces the carboxyl cobalt salt formed on both surfaces of the polyimide resin film, and forms a cobalt film on both surfaces of the polyimide resin film.
(E) A cobalt film growth step of growing a cobalt film by repeating the steps (c) and (d) a plurality of times.
(F) Mixed ion adsorption in which the surfaces of the cobalt films on both sides are brought into contact with a solution containing nickel ions and cobalt ions to adsorb the nickel component and the cobalt component to form a carboxyl nickel salt and a carboxyl cobalt salt on the cobalt film surface. Process.
(G) A nickel-cobalt film forming step of forming a nickel-cobalt film on the cobalt film by reducing carboxyl nickel salt and carboxyl cobalt salt formed on the surface of the cobalt film.
(H) A cobalt film growth step in which the step (f) and the step (g) are repeated a plurality of times to grow a cobalt film.
(I) A copper layer forming step of forming a copper layer for forming a circuit on the surfaces of the nickel-cobalt films on both sides using an electrochemical method.
(J) A drying step of drying the double-sided two-layer flexible copper-clad laminate obtained as described above in a reduced pressure atmosphere at 80 ° C. to 160 ° C. for 10 minutes to 80 minutes.
本件発明に係るダイレクトメタライゼーション法により得られる2層フレキシブル銅張積層板は、シード層がポリイミド樹脂との密着性に優れたコバルト膜及び耐食性に優れたニッケル−コバルト膜で構成されており、形成された回路の優れた加熱後引き剥がし強さ及び耐薬品性能が得られ、しかも銅エッチング液により容易に除去可能なものである。 The two-layer flexible copper-clad laminate obtained by the direct metallization method according to the present invention is composed of a cobalt film having excellent adhesion to a polyimide resin and a nickel-cobalt film having excellent corrosion resistance. The circuit has excellent peel strength after heating and chemical resistance, and can be easily removed with a copper etchant.
また、上記2層フレキシブル銅張積層板の製造方法は、本件発明に係る2層フレキシブル銅張積層板を製造するためには、最も品質バラツキの少ない製造方法であり、工業的にみて良好な生産歩留まりを確保することが可能となるのである。 Moreover, the manufacturing method of the said 2 layer flexible copper clad laminated board is a manufacturing method with few quality variations, in order to manufacture the 2 layer flexible copper clad laminated board which concerns on this invention, and industrially favorable production It is possible to secure a yield.
(実施形態)
以上に述べてきた2層フレキシブル銅張積層板の製造方法に関する実施形態を説明する。この製造方法に関しては、「本件発明に係る片面2層フレキシブル銅張積層板を製造する方法」と「本件発明に係る両面2層フレキシブル銅張積層板を製造する方法」とに分けて考えることが出来る。しかし、ポリイミド樹脂フィルムの片面に導体層を形成するか、両面に導体層を形成するかが異なるのみであり、両製造方法が根本的に異なる部分はない。即ち、以下に述べる(a)〜(i)の工程での処理を片面に行うか、両面に行うかのみである。従って、片面2層フレキシブル銅張積層板を製造する方法に関して主に説明することとし、各工程毎に説明する。
(Embodiment)
The embodiment regarding the manufacturing method of the 2 layer flexible copper clad laminated board described above is described. Regarding this manufacturing method, it can be divided into “a method for manufacturing a single-sided two-layer flexible copper-clad laminate according to the present invention” and “a method for manufacturing a double-sided two-layer flexible copper-clad laminate according to the present invention”. I can do it. However, the only difference is whether the conductor layer is formed on one side of the polyimide resin film or the conductor layer is formed on both sides, and there is no fundamental difference between the two manufacturing methods. In other words, the following processes (a) to (i) are performed only on one side or both sides. Therefore, the method for producing a single-sided two-layer flexible copper clad laminate will be mainly described, and each step will be described.
このフレキシブルプリント配線板の製造方法は、いわゆるダイレクトメタライゼーション法を用いて導体層とポリイミド樹脂フィルム層とからなる片面2層フレキシブル銅張積層板又は両面2層フレキシブル銅張積層板(以上及び以下において、単に「2層基板」と称する場合がある。)の製造方法である。以下、本件発明に係る製造方法の各工程を順を追って説明する。 The manufacturing method of this flexible printed wiring board is a single-sided two-layer flexible copper-clad laminate or a double-sided two-layer flexible copper-clad laminate (both above and below) composed of a conductor layer and a polyimide resin film layer using a so-called direct metallization method. Or simply referred to as “two-layer substrate”). Hereafter, each process of the manufacturing method which concerns on this invention is demonstrated later on.
工程(a): ダイレクトメタライゼーション法は、導体層の形成のために、ポリイミド樹脂フィルムの表面を、必然的に開環処理しなければならない。従って、最初の工程(a)は、ポリイミド樹脂フィルムをアルカリ処理してイミド環を開環処理し表面にカルボキシル基を形成する開環工程である。ここで言うポリイミド樹脂フィルムとは、市販されている商品名カプトンフィルム(東レ・デュポン株式会社製)のHタイプ、ENタイプの如きものを想定しているのである。これらはアルカリ溶液との濡れ性に優れ、開環処理が容易だからである。但し、耐吸湿性能を備える商品名カプトンVタイプ(東レ・デュポン株式会社製)及びユーピレックスS(宇部興産株式会社製)等を用いる場合にも、開環に用いるアルカリ溶液濃度を調整することで、同様の効果を得ることが可能である。また、これらのポリイミド樹脂フィルムの一面側を、予め上述した耐水性フィルムで被覆しておくことで、以下に述べるダイレクトメタライゼーションプロセスで溶液に晒される場合でも、被覆した面からの吸水、吸湿を防止して、より安定して高い加熱後引き剥がし強さを備える片面2層フレキシブル銅張積層板(図5に模式断面図を示す。)を得ることが可能となる。この耐水性フィルムは、最終的に引き剥がして除去するのである。 Step (a): In the direct metallization method, the surface of the polyimide resin film must necessarily be subjected to a ring-opening treatment in order to form a conductor layer. Therefore, the first step (a) is a ring-opening step of forming a carboxyl group on the surface by alkali-treating the polyimide resin film to open the imide ring. The polyimide resin film referred to here is assumed to be a commercially available product type Kapton film (manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.) such as H type and EN type. This is because these are excellent in wettability with an alkaline solution and easy to perform ring-opening treatment. However, even when using the brand names Kapton V type (made by Toray DuPont Co., Ltd.) and Upilex S (made by Ube Industries Co., Ltd.) having moisture absorption resistance, etc., by adjusting the concentration of the alkaline solution used for ring opening, Similar effects can be obtained. In addition, by coating one side of these polyimide resin films with the above-mentioned water-resistant film in advance, even when exposed to a solution in the direct metallization process described below, water absorption and moisture absorption from the coated surface can be achieved. Thus, it is possible to obtain a single-sided two-layer flexible copper-clad laminate (a schematic cross-sectional view is shown in FIG. 5) having a high and stable peel strength after heating. This water-resistant film is finally peeled off and removed.
アルカリ処理とは、アルカリ溶液中にポリイミド樹脂フィルムを浸漬するか、ポリイミド樹脂フィルムの表面にアルカリ溶液をスプレーすることによる等の手法で行われる。このアルカリ処理に用いる溶液は、水酸化カリウム溶液又は水酸化ナトリウム溶液を用いることが好ましい。後に行う中和が容易で、表面への残留が少ないものだからである。 The alkali treatment is performed by a technique such as immersing a polyimide resin film in an alkali solution or spraying an alkali solution on the surface of the polyimide resin film. The solution used for the alkali treatment is preferably a potassium hydroxide solution or a sodium hydroxide solution. This is because neutralization to be performed later is easy and there is little residue on the surface.
ここで用いるアルカリ溶液は濃度が高いほど、ポリイミド樹脂フィルムの開環処理を短時間で容易に行うことが可能である。しかしながら、本件発明に係る製造方法は、後に説明する再閉環工程が必須のものであり、この閉環処理が困難になるレベルの開環処理を行うことは出来ない。従って、アルカリ溶液の濃度は、3.0mol/l〜10.0mol/l、溶液温度は20℃〜70℃、処理時間1分〜30分の条件を採用することが好ましい。この条件以上に過酷なアルカリ処理条件を採用すると、ポリイミド樹脂フィルムの表面が、単に開環する以上に樹脂全体の劣化を引き起こし、後の再閉環が良好に行えない結果となるのである。一方、ここに掲げる範囲を下回るアルカリ処理条件では、開環処理自体が良好に行えないのである。 The higher the concentration of the alkaline solution used here, the easier the ring-opening treatment of the polyimide resin film can be performed in a short time. However, in the production method according to the present invention, a re-ring closing step described later is indispensable, and a ring opening process at a level that makes this ring closing process difficult is impossible. Therefore, it is preferable to employ conditions in which the concentration of the alkaline solution is 3.0 mol / l to 10.0 mol / l, the solution temperature is 20 ° C. to 70 ° C., and the treatment time is 1 minute to 30 minutes. If the alkali treatment conditions that are more severe than these conditions are adopted, the surface of the polyimide resin film causes deterioration of the entire resin more than simply ring opening, and the subsequent re-ring closure cannot be performed satisfactorily. On the other hand, the ring-opening treatment itself cannot be performed satisfactorily under the alkali treatment conditions below the range listed here.
開環しているか否かの判断は、フーリエ変換吸収スペクトル分析装置(FT−IR)を用いて、閉環しているポリイミド樹脂には見られない、1647cm−1の開環アミド(C=O)吸収スペクトル、1554cm−1付近に現れる開環アミド(N−H)吸収スペクトルが観察され、更にイミド環に特徴的な1774cm−1(C=O)、1720cm−1(C=O)及び1381cm−1(C−N−C)の吸収スペクトルの消失を確認することで可能である。また、カルボキシル基(COO)に由来すると考えられる吸収スペクトルが1579cm−1、1371cm−1、1344cm−1付近に観察される。アルカリ処理を行ったポリイミド樹脂フィルムには、これら全てのスペクトルが観察できる。 Whether the ring is open or not is determined by using a Fourier transform absorption spectrum analyzer (FT-IR), a 1647 cm −1 ring-opening amide (C═O) that is not found in a ring-closed polyimide resin. An absorption spectrum, a ring-opening amide (N—H) absorption spectrum appearing in the vicinity of 1554 cm −1 is observed, and further 1774 cm −1 (C═O), 1720 cm −1 (C═O) and 1381 cm − which are characteristic of the imide ring. This is possible by confirming the disappearance of the absorption spectrum of 1 (C—N—C). Further, the absorption spectrum is believed to be derived from a carboxyl group (COO) is 1579cm -1, 1371cm -1, are observed in the vicinity of 1344cm -1. All these spectra can be observed on the polyimide resin film that has been subjected to alkali treatment.
工程(b): 工程(a)が終了すると、通常、開環処理したポリイミド樹脂フィルムを水洗して工程(b)の中和工程に入ることになる。開環してカルボキシル基を形成し、強アルカリ化したポリイミド樹脂表面を、酸溶液を用いて中和する工程のことである。ここで中和に用いる溶液には、塩酸を用いることが好ましい。中和処理した後に、十分な水洗を施せば、ポリイミド樹脂表面への残留を完全になくすることが出来るからである。ここで用いる中和条件は、塩酸溶液の濃度は2.0mol/l〜6.0mol/l、溶液温度は20℃〜35℃、処理時間30秒〜1分の条件を採用することができる。中和が終了すると水洗処理が行われる。 Step (b): When the step (a) is completed, the polyimide resin film subjected to the ring-opening treatment is usually washed with water to enter the neutralization step of the step (b). It is a step of neutralizing a strongly alkalized polyimide resin surface by opening a ring to form a carboxyl group and using an acid solution. Here, hydrochloric acid is preferably used for the solution used for neutralization. This is because the residue on the surface of the polyimide resin can be completely eliminated by performing sufficient water washing after the neutralization treatment. The neutralization conditions used here may be a hydrochloric acid solution concentration of 2.0 mol / l to 6.0 mol / l, a solution temperature of 20 ° C. to 35 ° C., and a treatment time of 30 seconds to 1 minute. When the neutralization is completed, a water washing process is performed.
この中和が終了した段階での、ポリイミド樹脂フィルムをFT−IRで分析すると、1647cm−1の開環アミド(C=O)吸収スペクトル、1554cm−1付近に表れる開環アミド(N−H)吸収スペクトルは確認できる。また1579cm−1、1371cm−1及び1344cm−1に見られるカルボキシル基(COO)吸収スペクトルが1711cm−1、1319cm−1、1296cm−1付近にシフトし、中和によりカルボキシル基がCOOH型の構造を備えるものとなったと考えられる。 At the stage of the neutralization is completed, the analysis of the polyimide resin film by FT-IR, ring-opening amide 1647cm -1 (C = O) absorption spectrum, the ring-opening amide appearing near 1554cm -1 (N-H) The absorption spectrum can be confirmed. The 1579cm -1, 1371cm -1 and 1344cm carboxyl group found at -1 (COO) absorption spectrum 1711cm -1, 1319cm -1, shifted to the vicinity of 1296cm -1, a structure carboxyl group is COOH type by neutralization It is thought that it became preparation.
工程(c) 次に工程(c)は、中和したカルボキシル基とコバルトイオン含有溶液とを接触させコバルト成分を吸着させることでカルボキシルコバルト塩をポリイミド樹脂フィルムの表面に形成するコバルトイオン吸着工程である。ここで用いるコバルトイオン含有溶液には、例えば、硫酸コバルト溶液を用いることができる。このときの硫酸コバルト溶液にはコバルト濃度が0.01mol/l〜1.0mol/l、溶液温度は15℃〜30℃のものを用い、処理時間1分〜20分の条件を採用することができる。 Step (c) Step (c) is a cobalt ion adsorption step in which a neutralized carboxyl group and a cobalt ion-containing solution are brought into contact with each other to adsorb a cobalt component to form a carboxyl cobalt salt on the surface of the polyimide resin film. is there. As the cobalt ion-containing solution used here, for example, a cobalt sulfate solution can be used. In this case, the cobalt sulfate solution should have a cobalt concentration of 0.01 mol / l to 1.0 mol / l, a solution temperature of 15 ° C. to 30 ° C., and a treatment time of 1 minute to 20 minutes. it can.
工程(c)が終了した段階での、ポリイミド樹脂フィルム上に吸着したコバルトイオン量を直接測定する場合には、5wt%の硝酸溶液を用いて、吸着したコバルトイオンを溶かしだし、その溶液を誘導結合プラズマ発光分光分析装置(ICP)を用いて分析することが可能であり、1回の吸着処理により30〜120mg/m2程度(換算厚さ3nm〜15nm)のコバルトイオンの吸着が可能であることが確認できた。 When directly measuring the amount of cobalt ions adsorbed on the polyimide resin film at the stage where step (c) is completed, 5 wt% nitric acid solution is used to dissolve the adsorbed cobalt ions and induce the solution. It is possible to analyze using a coupled plasma emission spectroscopic analyzer (ICP), and it is possible to adsorb cobalt ions of about 30 to 120 mg / m 2 (converted thickness: 3 nm to 15 nm) by one adsorption treatment. I was able to confirm.
工程(d) 工程(c)で、コバルトイオンの吸着を行いカルボキシルコバルト塩をポリイミド樹脂フィルムの表面に形成し、水洗した後に、工程(d)でポリイミド樹脂フィルム表面に形成したカルボキシルコバルト塩を還元して、ポリイミド樹脂フィルムの表面にコバルト膜を形成するのである。これがコバルト膜形成工程である。このときの還元は、カルボキシルコバルト塩を形成したポリイミド樹脂フィルムの表面と還元剤とを接触させることにより行う。例えば、カルボキシルコバルト塩の場合の還元剤は、特許文献1に開示されているように、濃度を0.003mol/l〜0.05mol/lとした水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸、ジメチルアミン等を用いることができる。このカルボキシルコバルト塩の還元剤としても、それらを任意に選択することが可能であり、特に限定を要するものではない。 Step (d) In step (c), cobalt ions are adsorbed to form a carboxyl cobalt salt on the surface of the polyimide resin film and washed with water, and then the carboxyl cobalt salt formed on the surface of the polyimide resin film in step (d) is reduced. Then, a cobalt film is formed on the surface of the polyimide resin film. This is the cobalt film forming step. The reduction at this time is performed by bringing the surface of the polyimide resin film on which the carboxyl cobalt salt is formed into contact with the reducing agent. For example, as disclosed in Patent Document 1, the reducing agent in the case of carboxyl cobalt salt is sodium borohydride, hypophosphorous acid, dimethylamine whose concentration is 0.003 mol / l to 0.05 mol / l. Etc. can be used. These reducing agents for the carboxyl cobalt salt can be arbitrarily selected, and are not particularly limited.
工程(e) そして、工程(e)は、工程(c)と工程(d)とを複数回繰り返して、コバルト膜を成長させるコバルト層形成工程である。このように工程(c)及び工程(d)を、繰り返し行うことでコバルト膜の厚さの調整を行うことが可能となるのである。即ち、この工程(c)及び工程(d)を繰り返し行わなければ、コバルト層の成長はないのである。 Step (e) The step (e) is a cobalt layer forming step in which the step (c) and the step (d) are repeated a plurality of times to grow a cobalt film. Thus, the thickness of the cobalt film can be adjusted by repeatedly performing the steps (c) and (d). That is, if the steps (c) and (d) are not repeated, the cobalt layer does not grow.
工程(c)及び工程(d)の繰り返し回数は、工程で用いる溶液濃度、溶液温度等の条件に応じて、2回〜6回の繰り返し回数を採用する事が好ましいのである。3回未満の繰り返し回数では、必要最小限の重量厚さ(40mg/m2)のコバルト層を得ることができなくなるのである。そして、6回を超える繰り返し回数を採用すると、エッチング液等の酸溶液に対する反応性に富んだコバルト層の重量厚さが300mg/m2を超え、良好な耐薬品性能が得られなくなるのである。 The number of repetitions of step (c) and step (d) is preferably 2 to 6 times depending on the conditions such as the solution concentration and solution temperature used in the step. When the number of repetitions is less than 3, it is impossible to obtain a cobalt layer having a minimum necessary weight thickness (40 mg / m 2 ). When the number of repetitions exceeding 6 is adopted, the weight thickness of the cobalt layer rich in reactivity with an acid solution such as an etching solution exceeds 300 mg / m 2 , and good chemical resistance performance cannot be obtained.
工程(f): 工程(f)は、以上のようにして、ポリイミド樹脂フィルム基材の表面にコバルト層の形成が終了すると、そのコバルト膜の表面上に、ニッケル−コバルト膜を形成するため、コバルト膜の表面と、ニッケルイオン及びコバルトイオンを含有した溶液とを接触させニッケルイオン及びコバルトイオンを吸着させカルボキシルニッケル塩とカルボキシルコバルト塩とをコバルト膜表面に形成する混合イオン吸着工程である。 Step (f): In the step (f), when the formation of the cobalt layer on the surface of the polyimide resin film substrate is completed as described above, a nickel-cobalt film is formed on the surface of the cobalt film. This is a mixed ion adsorption process in which the surface of the cobalt film is brought into contact with a solution containing nickel ions and cobalt ions to adsorb nickel ions and cobalt ions to form carboxyl nickel salt and carboxyl cobalt salt on the cobalt film surface.
ニッケルイオン及びコバルトイオンを含有した溶液とは、例えば、硫酸コバルト溶液と硫酸ニッケル溶液との混合溶液を用いることができる。このときの硫酸コバルト溶液にはコバルト濃度が0.01mol/l〜1.0mol/l、硫酸ニッケル溶液にはニッケル濃度が0.05mol/l〜1.0mol/l、溶液温度は15℃〜30℃のものを用い、処理時間1分〜20分の条件を採用することができる。 As the solution containing nickel ions and cobalt ions, for example, a mixed solution of a cobalt sulfate solution and a nickel sulfate solution can be used. In this case, the cobalt sulfate solution has a cobalt concentration of 0.01 mol / l to 1.0 mol / l, the nickel sulfate solution has a nickel concentration of 0.05 mol / l to 1.0 mol / l, and the solution temperature is 15 ° C. to 30 ° C. The thing of 1 degreeC can be employ | adopted for the processing time for 1 minute-20 minutes.
工程(g): 工程(g)は、コバルト膜の表面に形成したカルボキシルニッケル塩とカルボキシルコバルト塩とを還元して、コバルト膜上にニッケル−コバルト膜を形成するニッケル−コバルト膜形成工程である。このときの還元には、コバルト膜を形成するときに用いたと同様の還元方法を用いる。従って、ここでの重複した説明は省略する。 Step (g): Step (g) is a nickel-cobalt film forming step of forming a nickel-cobalt film on the cobalt film by reducing carboxyl nickel salt and carboxyl cobalt salt formed on the surface of the cobalt film. . For the reduction at this time, the same reduction method as that used when forming the cobalt film is used. Therefore, the duplicate description here is omitted.
工程(h): 工程(h)は、(f)工程と(g)工程とを複数回繰り返して、ニッケル−コバルト膜を成長させるニッケル−コバルト膜成長工程である。このように工程(f)及び工程(g)を、繰り返し行うことでニッケル−コバルト膜の厚さの調整を行うことが可能となるのである。 Step (h): Step (h) is a nickel-cobalt film growth step in which the step (f) and the step (g) are repeated a plurality of times to grow a nickel-cobalt film. Thus, the thickness of the nickel-cobalt film can be adjusted by repeatedly performing the step (f) and the step (g).
工程(f)及び工程(g)の繰り返し回数は、工程で用いる溶液濃度、溶液温度等の条件に応じて、3回〜7回の繰り返し回数を採用する事が好ましいのである。3回未満の繰り返し回数では、耐薬品性能を良好にするための必要最小限の重量厚さ(380mg/m2)のニッケル−コバルト層を得ることができなくなるのである。そして、7回を超える繰り返し回数を採用すると、ニッケル−コバルト層の重量厚さが750mg/m2を超え、良好な耐薬品性能が得られなくなるのである。以上のようにして、コバルト膜及びニッケル−コバルト膜とが積層した状態のシード層が得られるのである。 The number of repetitions of step (f) and step (g) is preferably 3 to 7 times depending on the conditions such as the solution concentration and solution temperature used in the step. If the number of repetitions is less than 3, it is impossible to obtain a nickel-cobalt layer having a minimum weight thickness (380 mg / m 2 ) necessary for improving chemical resistance. And if the number of repetitions exceeding 7 times is adopted, the weight thickness of the nickel-cobalt layer exceeds 750 mg / m 2 and good chemical resistance performance cannot be obtained. As described above, a seed layer in which a cobalt film and a nickel-cobalt film are laminated is obtained.
そして、ニッケル−コバルト膜の形成が終了すると、そのニッケル−コバルト膜の表面上に、平均厚さが10nm〜700nmの電着で形成するニッケル系薄膜を設ける事も、加熱後引き剥がし強度の更なる向上の観点から望ましい。 After the formation of the nickel-cobalt film, a nickel-based thin film formed by electrodeposition with an average thickness of 10 nm to 700 nm can be provided on the surface of the nickel-cobalt film. It is desirable from the viewpoint of improvement.
純ニッケル系薄膜を電解で形成する場合は、ニッケルメッキ液として用いられる溶液を広く使用することが可能である。例えば、(i)硫酸ニッケル240g/l、塩化ニッケル45g/l、ホウ酸30g/l、液温55℃、pH5、電流密度0.2〜10A/dm2のワット浴条件、(ii)スルファミン酸ニッケル400g/l、ホウ酸30g/l、液温55℃、pH4.5、電流密度0.2〜10A/dm2のスルファミン酸浴条件、(iii)硫酸ニッケルを用いニッケル濃度が5〜30g/l、ピロリン酸カリウム50〜500g/l、液温20〜50℃、pH8〜11、電流密度0.2〜10A/dm2の条件とする等である。中でも、ニッケル−コバルト膜との相性で言えば、スルファミン酸浴を採用する事が好ましい。最も、析出結晶が緻密であるため、膜厚が均一で密着性に優れた皮膜が得られるからである。なお、本件明細書で言う「純ニッケル薄膜」とは、意図的な合金元素を添加していないという意味で用いたものであり、不可避的な不純物を除外した完全な100%純度と言う意味で用いたものでないことを明らかにしておく。 When the pure nickel-based thin film is formed by electrolysis, a solution used as a nickel plating solution can be widely used. For example, (i) nickel sulfate 240 g / l, nickel chloride 45 g / l, boric acid 30 g / l, liquid temperature 55 ° C., pH 5, current density 0.2-10 A / dm 2 watt bath conditions, (ii) sulfamic acid Nickel 400 g / l, boric acid 30 g / l, liquid temperature 55 ° C., pH 4.5, current density 0.2-10 A / dm 2 sulfamic acid bath conditions, (iii) nickel concentration using nickel sulfate is 5-30 g / l, potassium pyrophosphate 50 to 500 g / l, liquid temperature 20 to 50 ° C., pH 8 to 11 and current density 0.2 to 10 A / dm 2 . Among these, in terms of compatibility with the nickel-cobalt film, it is preferable to employ a sulfamic acid bath. This is because, since the precipitated crystals are dense, a film having a uniform film thickness and excellent adhesion can be obtained. The “pure nickel thin film” as used in the present specification is used in the sense that no intentional alloying element is added, and means that it is 100% pure excluding inevitable impurities. Make it clear that it was not used.
亜鉛−ニッケル合金薄膜を電解で形成する場合は、例えば、硫酸ニッケルを用いニッケル濃度が1〜2.5g/l、ピロリン酸亜鉛を用いて亜鉛濃度が0.1〜1g/l、ピロリン酸カリウム50〜500g/l、液温20〜50℃、pH8〜11、電流密度0.2〜10A/dm2の条件等を採用するのである。 When forming a zinc-nickel alloy thin film by electrolysis, for example, nickel sulfate is used and the nickel concentration is 1 to 2.5 g / l, and zinc pyrophosphate is used and the zinc concentration is 0.1 to 1 g / l. The conditions of 50 to 500 g / l, liquid temperature of 20 to 50 ° C., pH of 8 to 11, and current density of 0.2 to 10 A / dm 2 are adopted.
ニッケル−コバルト合金薄膜を電解で形成する場合は、例えば、硫酸コバルト80〜180g/l、硫酸ニッケル80〜120g/l、ホウ酸20〜40g/l、塩化カリウム10〜15g/l、リン酸2水素ナトリウム0.1〜15g/l、液温30〜50℃、pH3.5〜4.5、電流密度0.2〜10A/dm2の条件等を採用するのである。 When the nickel-cobalt alloy thin film is formed by electrolysis, for example, cobalt sulfate 80 to 180 g / l, nickel sulfate 80 to 120 g / l, boric acid 20 to 40 g / l, potassium chloride 10 to 15 g / l, phosphoric acid 2 Conditions such as sodium hydride 0.1-15 g / l, liquid temperature 30-50 ° C., pH 3.5-4.5, current density 0.2-10 A / dm 2 are adopted.
また、リン酸系溶液を用いることで、ニッケル−リン合金メッキとすることも可能である。この場合、硫酸ニッケル120〜180g/l、塩化ニッケル35〜55g/l、H3PO430〜50g/l、H3PO320〜40g/l、液温70〜95℃、pH0.5〜1.5、電流密度0.2〜10A/dm2の条件等を採用するのである。 Further, nickel-phosphorus alloy plating can be used by using a phosphoric acid-based solution. In this case, nickel sulfate 120-180 g / l, nickel chloride 35-55 g / l, H 3 PO 4 30-50 g / l, H 3 PO 3 20-40 g / l, liquid temperature 70-95 ° C., pH 0.5- The conditions of 1.5 and current density of 0.2 to 10 A / dm 2 are adopted.
工程(i): 工程(i)は、以上のようにして形成したシード層の表面上に電気化学的手法を用いて回路を形成するための銅層を形成する銅層形成工程のことである。ここで「電気化学的手法を用いて」としているのは、イオン化傾向の差を利用した無電解銅メッキでも、電解銅メッキでも、無電解銅メッキと電解銅メッキとを組み合わせて行う場合でも良いことを意味しており、結果として銅を析出させ、銅層を成長させ厚さを増し回路形成可能なレベルの銅層を得ることを意味している。ここで用いる無電解銅メッキ浴、電解銅メッキ浴の組成、その他のメッキ条件に関しては、特に限定は要さない。任意の条件を選択使用すればよいのである。この段階で導体層の形成が完了することになる。 Step (i): Step (i) is a copper layer forming step for forming a copper layer for forming a circuit using an electrochemical method on the surface of the seed layer formed as described above. . Here, “using an electrochemical method” may be performed by electroless copper plating using a difference in ionization tendency, electrolytic copper plating, or a combination of electroless copper plating and electrolytic copper plating. This means that as a result, copper is deposited and a copper layer is grown to increase the thickness and to obtain a copper layer at a level capable of forming a circuit. The electroless copper plating bath used here, the composition of the electrolytic copper plating bath, and other plating conditions are not particularly limited. Any condition can be selected and used. At this stage, the formation of the conductor layer is completed.
工程(j): 工程(j)は、以上のようにして得られた片面2層フレキシブル銅張積層板若しくは両面2層フレキシブル銅張積層板を、最終的に十分に洗浄し、80℃〜160℃の減圧雰囲気で10分〜80分間乾燥させる乾燥工程のことである。ここでは、一般的な大気雰囲気中での乾燥を採用しても、真空乾燥を採用しても構わない。真空乾燥を採用する場合の減圧雰囲気は、2hPaレベルの低真空雰囲気のことであり、このような乾燥雰囲気を採用する事で、得られた2層フレキシブル銅張積層板に付着した水分及び吸収水分を十分に排出させるのである。乾燥を行う際の温度は、ポリイミド樹脂フィルムに余分な熱的付加をかけず、十分に水分除去の可能な温度範囲として80℃〜160℃の範囲を採用することが好ましいのである。 Step (j): In the step (j), the single-sided two-layer flexible copper-clad laminate or the double-sided two-layer flexible copper-clad laminate obtained as described above is finally thoroughly washed, and 80 ° C to 160 ° C. It is a drying process in which drying is performed for 10 minutes to 80 minutes in a reduced pressure atmosphere of ° C. Here, drying in a general air atmosphere or vacuum drying may be employed. The reduced pressure atmosphere in the case of adopting vacuum drying is a low vacuum atmosphere of 2 hPa level. By adopting such a drying atmosphere, moisture and absorbed moisture adhered to the obtained two-layer flexible copper-clad laminate. Is fully discharged. It is preferable that the drying temperature is 80 ° C. to 160 ° C. as a temperature range in which moisture can be sufficiently removed without applying excessive thermal addition to the polyimide resin film.
ここで、加熱後引き剥がし強さを測定するときの加熱方法に関して説明しておくことにする。以上のようにして得られた2層フレキシブル銅張積層板を用いて、その銅層に引き剥がし強さ測定が可能な0.2mm幅の直線回路を形成した2層フレキシブルプリント配線板を得て、これに加熱処理を施すのである。この加熱処理は、大気雰囲気中で150℃の温度による加熱を168時間行うのである。そして、この加熱手段は、150℃の加熱雰囲気を持つ炉内で加熱を行ったり、150℃の温度の熱風をぶつける衝風加熱を採用するが可能である。しかしながら、衝風加熱方式の方が2層フレキシブルプリント配線板の温度上昇が急激であり、過酷な条件となる。そこで、より厳しい条件下での良好な品質維持のため、本件明細書では衝風加熱方式を採用したのである。 Here, a heating method for measuring the peel strength after heating will be described. Using the two-layer flexible copper-clad laminate obtained as described above, a two-layer flexible printed wiring board in which a 0.2 mm wide linear circuit capable of peeling strength measurement is formed on the copper layer is obtained. This is subjected to heat treatment. In this heat treatment, heating at a temperature of 150 ° C. is performed in an air atmosphere for 168 hours. The heating means can be heated in a furnace having a heating atmosphere of 150 ° C., or blast heating in which hot air having a temperature of 150 ° C. is blown can be employed. However, the blast heating method is more severe because the temperature rise of the two-layer flexible printed wiring board is more rapid. Therefore, in order to maintain good quality under more severe conditions, the present specification adopts a blast heating system.
以下、本件発明に係る製造方法を用いて2層フレキシブル銅張積層板を製造し、引き剥がし強さを測定する試験回路をエッチング形成し、加熱後引き剥がし強さ及び耐塩酸性能を測定した各実施例を説明する。 Hereinafter, a two-layer flexible copper-clad laminate was manufactured using the manufacturing method according to the present invention, a test circuit for measuring the peel strength was formed by etching, and the peel strength and hydrochloric acid resistance performance were measured after heating. Examples will be described.
本実施例では、38μm厚のポリイミド樹脂フィルムを基材として、本件発明に係る製造方法を用いて片面2層フレキシブル銅張積層板を製造した。そして、この片面2層フレキシブル銅張積層板を用いて加熱後引き剥がし強さ及び耐塩酸性能の測定用のフレキシブルプリント配線板の製造を行い、加熱後引き剥がし強さの測定を行った。以下、各工程を順を追って説明する。 In this example, a single-sided two-layer flexible copper-clad laminate was manufactured using a 38 μm-thick polyimide resin film as a base material and using the manufacturing method according to the present invention. And the flexible printed wiring board for the measurement of the peeling strength after heating and hydrochloric acid resistance performance was manufactured using this single-sided two-layer flexible copper clad laminated board, and the peeling strength was measured after the heating. Hereafter, each process is demonstrated in order.
工程(a): 最初に、当該ポリイミド樹脂フィルムをアルカリ処理してイミド環を開環し表面にカルボキシル基を形成する開環工程を行った。ここで用いたポリイミド樹脂フィルムの種別は、商品名カプトン150EN(東レ・デュポン株式会社)を用いた。 Step (a) : First, the polyimide resin film was alkali-treated to open an imide ring and form a carboxyl group on the surface. As the type of the polyimide resin film used here, trade name Kapton 150EN (Toray DuPont Co., Ltd.) was used.
工程(a)におけるアルカリ処理は、水酸化カリウム濃度が5.0mol/l、溶液温度が60℃の溶液を、当該ポリイミド樹脂フィルムに片面に、5分間噴霧することにより行った。アルカリ処理が終了すると、十分に水洗し、ポリイミド樹脂フィルムの表面から付着したアルカリ溶液を除いた。 The alkali treatment in the step (a) was performed by spraying a solution having a potassium hydroxide concentration of 5.0 mol / l and a solution temperature of 60 ° C. on one side of the polyimide resin film for 5 minutes. When the alkali treatment was completed, the substrate was sufficiently washed with water, and the alkali solution adhered from the surface of the polyimide resin film was removed.
開環しているか否かを判断するために行ったFT−IR分析では、閉環しているポリイミド樹脂には見られない、1647cm−1の開環アミド(C=O)吸収スペクトル、1554cm−1付近に現れる開環アミド(N−H)吸収スペクトルが観察され、更にイミド環に特徴的な1774cm−1(C=O)、1720cm−1(C=O)及び1381cm−1(C−N−C)の吸収スペクトルの消失を確認できた。また、カルボキシル基(COO)に由来すると考えられる吸収スペクトルが1579cm−1、1371cm−1、1344cm−1付近に観察された。 In the FT-IR analysis performed to determine whether or not the ring is open, a ring-opening amide (C═O) absorption spectrum of 1647 cm −1 , which is not found in the ring-closed polyimide resin, 1554 cm −1. A ring-opening amide (N—H) absorption spectrum appearing in the vicinity is observed, and 1774 cm −1 (C═O), 1720 cm −1 (C═O) and 1381 cm −1 (C—N—) characteristic of the imide ring. The disappearance of the absorption spectrum of C) was confirmed. Further, the absorption spectrum is believed to be derived from a carboxyl group (COO) is 1579cm -1, 1371cm -1, which is observed in the vicinity of 1344cm -1.
工程(b): 次に、工程(b)で開環工程が終了し水洗したポリイミド樹脂フィルムを、中和工程で処理した。開環してカルボキシル基を形成し、強アルカリ化したポリイミド樹脂フィルムを、酸溶液中に浸漬して中和操作を行ったのである。ここで中和に用いた溶液は、塩酸溶液であって、当該塩酸溶液の濃度は6.0mol/l、溶液温度は25℃、処理時間30秒の条件を採用した。そして、中和が終了すると水洗処理を行った。 Step (b): Next, the polyimide resin film that had been subjected to the ring-opening step in step (b) and washed with water was treated in a neutralization step. The polyimide resin film which was ring-opened to form a carboxyl group and was strongly alkalized was immersed in an acid solution for neutralization. Here, the solution used for neutralization was a hydrochloric acid solution, and the concentration of the hydrochloric acid solution was 6.0 mol / l, the solution temperature was 25 ° C., and the treatment time was 30 seconds. And when neutralization was complete | finished, the water washing process was performed.
この中和が終了した段階での、ポリイミド樹脂フィルムをFT−IRで分析すると、1647cm−1の開環アミド(C=O)吸収スペクトル、1554cm−1付近に表れる開環アミド(N−H)吸収スペクトルが確認できた。また1579cm−1、1371cm−1及び1344cm−1に見られるカルボキシル基(COO)吸収スペクトルが1711cm−1、1319cm−1、1296cm−1付近にシフトしていた。 At the stage of the neutralization is completed, the analysis of the polyimide resin film by FT-IR, ring-opening amide 1647cm -1 (C = O) absorption spectrum, the ring-opening amide appearing near 1554cm -1 (N-H) An absorption spectrum was confirmed. The 1579cm -1, 1371cm -1 and 1344cm carboxyl group found at -1 (COO) absorption spectrum 1711cm -1, 1319cm -1, was shifted to the vicinity of 1296cm -1.
工程(c): 中和工程が終了すると、工程(c)のコバルトイオン吸着工程で、ポリイミド樹脂フィルムの中和したカルボキシル基と含コバルトイオン溶液とを接触させ、カルボキシル基にコバルトイオンを吸着させポリイミド樹脂フィルムの両面にカルボキシルコバルト塩を形成した。ここで用いた含コバルトイオン溶液は、0.05mol/l濃度の硫酸コバルト溶液を採用し、溶液温度は25℃であり、この溶液中に15分間浸漬した。そして、水洗して、ポリイミド樹脂フィルムの表面に残留した硫酸コバルト溶液を除いた。 Step (c): When the neutralization step is completed, the neutralized carboxyl group of the polyimide resin film is brought into contact with the cobalt-containing ion solution in the cobalt ion adsorption step of step (c), and cobalt ions are adsorbed on the carboxyl group. Carboxyl cobalt salts were formed on both sides of the polyimide resin film. The cobalt-containing ion solution used here was a cobalt sulfate solution having a concentration of 0.05 mol / l, the solution temperature was 25 ° C., and was immersed in this solution for 15 minutes. And it washed with water and the cobalt sulfate solution which remained on the surface of the polyimide resin film was removed.
工程(d): 続いて、工程(d)のコバルト膜形成工程で、コバルトイオン吸着工程でポリイミド樹脂フィルム表面に形成したカルボキシルコバルト塩を還元して、ポリイミド樹脂フィルムの表面にコバルト膜を形成した。本実施例における還元は、濃度が0.01mol/l、溶液温度25℃の水素化ホウ素ナトリウム溶液中にカルボキシルコバルト塩を形成したポリイミド樹脂フィルムを5分間浸漬して、還元剤と接触させることにより行った。そして、水洗して表面から付着した還元剤を除去した。 Step (d): Subsequently, in the cobalt film forming step of step (d), the carboxyl cobalt salt formed on the polyimide resin film surface in the cobalt ion adsorption step was reduced to form a cobalt film on the surface of the polyimide resin film. . The reduction in this example is performed by immersing a polyimide resin film in which a carboxyl cobalt salt is formed in a sodium borohydride solution having a concentration of 0.01 mol / l and a solution temperature of 25 ° C. for 5 minutes, and then contacting with a reducing agent. went. And the reducing agent adhering from the surface was removed by washing with water.
工程(e): 工程(e)のコバルト層成長工程では、工程(c)と工程(d)とを、更に表1に示す所定回数だけ繰り返し、コバルト膜を成長させたのである。 Step (e): In the cobalt layer growth step of step (e), step (c) and step (d) are further repeated a predetermined number of times as shown in Table 1 to grow a cobalt film.
工程(f): 工程(f)の混合イオン吸着工程では、以上のようにして得たコバルト膜の表面上に、ニッケル−コバルト膜を形成するため、コバルト膜の表面と、ニッケルイオン及びコバルトイオンを含有した溶液とを接触させニッケルイオン及びコバルトイオンを吸着させカルボキシルニッケル塩とカルボキシルコバルト塩とをコバルト膜表面に形成した。ここで用いた含コバルトイオン溶液は、0.0025mol/l濃度の硫酸コバルト溶液と、ニッケル濃度が0.0475mol/lの硫酸ニッケル溶液とを混合した溶液を採用し、溶液温度を25℃とし、この溶液中に15分間浸漬した。そして、水洗して、ポリイミド樹脂フィルムの表面に残留した混合溶液を除いた。 Step (f): In the mixed ion adsorption step of step (f), the nickel-cobalt film is formed on the surface of the cobalt film obtained as described above. Then, nickel ion and cobalt ion were adsorbed by contacting with a solution containing carboxy nickel salt and carboxy cobalt salt on the cobalt film surface. The cobalt-containing ion solution used here employs a solution in which a cobalt sulfate solution having a concentration of 0.0025 mol / l and a nickel sulfate solution having a nickel concentration of 0.0475 mol / l are mixed, and the solution temperature is 25 ° C. It was immersed in this solution for 15 minutes. And it washed with water and removed the mixed solution which remained on the surface of the polyimide resin film.
工程(g): 工程(g)のニッケル−コバルト膜形成工程では、コバルト膜の表面に形成したカルボキシルニッケル塩とカルボキシルコバルト塩とを還元して、コバルト膜上にニッケル−コバルト膜を形成するニッケル−コバルト膜形成工程である。このときの還元には、工程(d)でコバルト膜を形成するときに用いたと同様の還元方法を用いた。 Step (g): In the nickel-cobalt film forming step of step (g), nickel that forms a nickel-cobalt film on the cobalt film by reducing the carboxyl nickel salt and carboxyl cobalt salt formed on the surface of the cobalt film. -Cobalt film formation step. For the reduction at this time, the same reduction method as that used when forming the cobalt film in the step (d) was used.
工程(h): 工程(h)のニッケル−コバルト膜成長工程では、(f)工程と(g)工程とを複数回繰り返して、ニッケル−コバルト膜を成長させた。このように工程(f)及び工程(g)を、表1に示す所定回数繰り返し行うことでニッケル−コバルト膜の厚さ調整を行った。 Step (h): In the nickel-cobalt film growth step of step (h), the step (f) and the step (g) were repeated a plurality of times to grow a nickel-cobalt film. In this way, the thickness of the nickel-cobalt film was adjusted by repeating the steps (f) and (g) a predetermined number of times shown in Table 1.
工程(i): そして、工程(i)の銅層形成工程で、シード層の表面に、電解法を用いて銅成分を電着させ、銅薄膜を18μm厚の銅層となるまでメッキアップした。ここで電解に用いた溶液は、濃度150g/l硫酸、65g/l銅、液温45℃の硫酸銅溶液を用いた。電解時の対極には、不溶性陽極であるDSE板を配し、電流密度3A/dm2の平滑メッキ条件で電解することにより行った。メッキアップが終了すると、十分に水洗して付着した硫酸銅溶液の除去を行った。 Step (i): Then, in the copper layer forming step of step (i), a copper component was electrodeposited on the surface of the seed layer using an electrolytic method, and the copper thin film was plated up to a copper layer having a thickness of 18 μm. . The solution used for the electrolysis here was a copper sulfate solution having a concentration of 150 g / l sulfuric acid, 65 g / l copper, and a liquid temperature of 45 ° C. A DSE plate, which is an insoluble anode, was placed on the counter electrode during electrolysis, and electrolysis was performed under smooth plating conditions with a current density of 3 A / dm 2 . When the plating up was completed, the copper sulfate solution adhered by washing with water was removed.
工程(j): 工程(j)の乾燥工程では、以上のようにして得られた片面2層フレキシブル銅張積層板を、最終的に十分に洗浄し、150℃の2hPaレベルの減圧雰囲気で60分間乾燥させ、得られた片面2層フレキシブル銅張積層板に付着した水分及び吸収水分を十分に除去し、最終的な片面2層フレキシブル銅張積層板としたのである。なお、本実施例では、工程(e)と工程(h)との繰り返し回数を変え、本件発明に係る複数の片面2層フレキシブル銅張積層板を製造した。これらの製品は、実施例1a、実施例1b、実施例1c、実施例1d、実施例1eとして表1中に記載している。 Step (j): In the drying step of step (j), the single-sided, two-layer flexible copper clad laminate obtained as described above is finally thoroughly washed, and the pressure is reduced to 60 ° C. in a reduced pressure atmosphere of 2 hPa level at 150 ° C. It was dried for a minute, and the moisture and absorbed moisture adhering to the obtained single-sided two-layer flexible copper-clad laminate were sufficiently removed to obtain the final single-sided two-layer flexible copper-clad laminate. In this example, the number of repetitions of step (e) and step (h) was changed, and a plurality of single-sided two-layer flexible copper-clad laminates according to the present invention were manufactured. These products are listed in Table 1 as Example 1a, Example 1b, Example 1c, Example 1d, and Example 1e.
以上のダイレクトメタライゼーション法により得られた、片面2層フレキシブル銅張積層板の銅層の表面にエッチングレジスト層を形成し、露光、現像し、塩化銅系エッチング液でエッチングした。その結果、エッチングに何ら支障はなく、エッチング残が確認されたものは無かった。そして、引き剥がし強さ測定用の0.2mm幅回路を備える片面2層フレキシブルプリント配線板を製造した。 An etching resist layer was formed on the surface of the copper layer of the single-sided two-layer flexible copper-clad laminate obtained by the above direct metallization method, exposed, developed, and etched with a copper chloride-based etching solution. As a result, there was no problem in etching, and no etching residue was confirmed. And the single-sided two-layer flexible printed wiring board provided with the 0.2 mm width circuit for peeling strength measurement was manufactured.
回路エッチングの終了した片面2層フレキシブルプリント配線板は、十分に乾燥し、直ちに常態引き剥がし強さの測定を行い、その後、大気雰囲気の炉内で150℃の熱風を、片面2層フレキシブルプリント配線板に衝風し、168時間加熱した後の加熱後引き剥がし強さを測定した。そして、耐塩酸性劣化率は、引き剥がし強さ測定用試料を作成し、直ぐに測定した常態引き剥がし強さを測定し、その試料を塩酸:水=1:1の割合で混合した室温の溶液に1時間浸漬する塩酸処理を行った後の引き剥がし強さ(以下、単に「塩酸処理後の引き剥がし強さ」と称する。)を測定し劣化の程度を示すものであり、[耐塩酸性劣化率]= ([常態引き剥がし強さ]−[塩酸処理後の引き剥がし強さ])/[常態引き剥がし強さ]の計算式で算出したものである。従って、これらの劣化率が小さな値であるほど、良好な耐薬品性能を示すことになる。 The single-sided two-layer flexible printed wiring board after circuit etching is sufficiently dried and immediately measured for normal peel strength. After that, hot air at 150 ° C. is applied in a single-layer two-layer flexible printed wiring in an atmospheric furnace. The plate was blasted, heated for 168 hours, and then peeled off after heating. The hydrochloric acid resistance deterioration rate was determined by preparing a sample for measuring the peel strength, measuring the normal peel strength measured immediately, and mixing the sample with hydrochloric acid: water = 1: 1 at room temperature. The peel strength after treatment with hydrochloric acid soaked for 1 hour (hereinafter simply referred to as “peel strength after treatment with hydrochloric acid”) is measured to indicate the degree of degradation. ] = ([Normal peel strength] − [Peel strength after treatment with hydrochloric acid]) / [Normal peel strength]. Therefore, the smaller the deterioration rate, the better the chemical resistance.
本実施例では、実施例1の片面2層フレキシブル銅張積層板の製造に用いたと同じポリイミド樹脂フィルムの片面に粘着性接着剤を用いて耐水性フィルムであるPETフィルム張り合わせたものを用いた点が異なるのみであり、製造工程そのものは実施例1と同様であるため、製造方法に関しての詳細な説明は省略する。 In this example, the same polyimide resin film as used in the production of the single-sided two-layer flexible copper-clad laminate of Example 1 was used, which was obtained by pasting together a PET film, which is a water-resistant film, using an adhesive adhesive. However, since the manufacturing process itself is the same as that of Example 1, detailed description regarding the manufacturing method is omitted.
以下、実施例1と同様にして、片面2層フレキシブル銅張積層板の銅層の表面にエッチングレジスト層を形成し、露光、現像し、塩化銅系エッチング液でエッチングした。その結果、エッチングに何ら支障はなく、エッチング残が確認されたものは無かった。そして、引き剥がし強さ測定用の0.2mm幅回路を備える片面2層フレキシブルプリント配線板を製造した。そして、実施例1と同様にして、加熱後引き剥がし強さ、耐塩酸性劣化率を測定した。これらの結果に関しては、実施例との対比可能なように表1に記載している。 Thereafter, in the same manner as in Example 1, an etching resist layer was formed on the surface of the copper layer of the single-sided two-layer flexible copper-clad laminate, exposed, developed, and etched with a copper chloride etching solution. As a result, there was no problem in etching, and no etching residue was confirmed. And the single-sided two-layer flexible printed wiring board provided with the 0.2 mm width circuit for peeling strength measurement was manufactured. In the same manner as in Example 1, the peel strength after heating and the hydrochloric acid resistance deterioration rate were measured. These results are shown in Table 1 so that they can be compared with the examples.
実施例1及び実施例2が片面2層フレキシブル銅張積層板を製造したのに対し、本実施例では両面2層フレキシブル銅張積層板を製造したのである。このときの製造方法は、基本的には実施例1と同様である。従って、製造方法に関しては、異なる部分のみを説明することとする。 While Example 1 and Example 2 produced a single-sided two-layer flexible copper-clad laminate, this example produced a double-sided two-layer flexible copper-clad laminate. The manufacturing method at this time is basically the same as that of the first embodiment. Therefore, only the different parts will be described with respect to the manufacturing method.
工程(a) ポリイミド樹脂フィルムをアルカリ処理してイミド環を開環し表面にカルボキシル基を形成する開環工程を行った。ここで用いたポリイミド樹脂フィルムは、実施例1と同様であり、且つ、アルカリ処理に使用した溶液も同様であり、実施例1と同様の開環状態が得られた。しかしながら、本実施例では、ポリイミド樹脂フィルムの両面を開環処理する必要があるため、当該アルカリ処理溶液に当該ポリイミド樹脂フィルムを10分間浸漬することにより処理を行った。アルカリ処理が終了すると、十分に水洗し、ポリイミド樹脂フィルムの表面から付着したアルカリ溶液を除いた。 Step (a) The polyimide resin film was alkali-treated to open an imide ring and form a carboxyl group on the surface. The polyimide resin film used here was the same as in Example 1, and the solution used for the alkali treatment was also the same, and the ring-opened state similar to that in Example 1 was obtained. However, in this example, since both sides of the polyimide resin film need to be ring-opened, the treatment was performed by immersing the polyimide resin film in the alkaline treatment solution for 10 minutes. When the alkali treatment was completed, the substrate was sufficiently washed with water, and the alkali solution adhered from the surface of the polyimide resin film was removed.
工程(b)〜工程(e): 工程(b)〜工程(h)に関しては、実施例1と同様である。但し、工程(b)の中和操作、工程(c)のコバルトイオン吸着工程、工程(d)のコバルト膜形成工程、及び、工程(e)のコバルト膜成長工程は工程(c)と工程(d)とを更に3回繰り返し、ポリイミド樹脂フィルムの両面にコバルト膜の形成を行った。 Step (b) to step (e): Step (b) to step (h) are the same as in Example 1. However, the neutralization operation of the step (b), the cobalt ion adsorption step of the step (c), the cobalt film formation step of the step (d), and the cobalt film growth step of the step (e) are the steps (c) and ( d) was repeated three more times to form cobalt films on both sides of the polyimide resin film.
工程(f)〜工程(h): そして、工程(f)〜工程(h)に関しては、実施例1と同様である。但し、工程(f)のニッケル−コバルトイオン吸着工程、工程(g)のニッケル−コバルト膜形成工程、及び、工程(h)のニッケル−コバルト膜成長工程は工程(f)と工程(g)とを更に4回繰り返し、ポリイミド樹脂フィルムの両面にニッケル−コバルト膜の形成を行った。 Step (f) to Step (h): The steps (f) to (h) are the same as those in Example 1. However, the nickel-cobalt ion adsorption step in step (f), the nickel-cobalt film formation step in step (g), and the nickel-cobalt film growth step in step (h) are the same as steps (f) and (g). Was further repeated 4 times to form a nickel-cobalt film on both sides of the polyimide resin film.
以下、実施例1と同様に工程(i)(銅層形成工程)及び工程(j)(乾燥工程)を経て、本件発明に係る両面2層フレキシブル銅張積層板を得たのである。 Hereinafter, the double-sided two-layer flexible copper clad laminate according to the present invention was obtained through the step (i) (copper layer forming step) and the step (j) (drying step) as in Example 1.
以上のようにして得られた両面2層フレキシブル銅張積層板の両面の銅層の表面にエッチングレジスト層を形成し、露光、現像し、塩化銅系エッチング液でエッチングした。その結果、エッチングに何ら支障はなく、エッチング残が確認されたものは無かった。そして、引き剥がし強さ測定用の0.2mm幅回路を備える両面2層フレキシブルプリント配線板を製造した。そして、実施例1と同様にして、両面(第1面及び第2面)の加熱後引き剥がし強さ、耐塩酸性劣化率を測定した。これらの結果に関しては、比較例との対比可能なように表1に記載している。 An etching resist layer was formed on the surfaces of the copper layers on both sides of the double-sided two-layer flexible copper-clad laminate obtained as described above, exposed, developed, and etched with a copper chloride etching solution. As a result, there was no problem in etching, and no etching residue was confirmed. And the double-sided two-layer flexible printed wiring board provided with the 0.2 mm width circuit for peeling strength measurement was manufactured. Then, in the same manner as in Example 1, the peel strength after heating on both surfaces (first surface and second surface) and the hydrochloric acid resistance deterioration rate were measured. These results are shown in Table 1 so that they can be compared with the comparative examples.
[比較例1]
この比較例1では、実施例1の製造方法を基本として、シード層をコバルト膜のみとした片面2層フレキシブルプリント配線板を製造し、実施例との対比に用いたのである。従って、製造方法に関しては、異なる部分のみを説明することとする。工程(a)〜工程(d)は、実施例1と共通するため説明を省略し、工程(e)から説明する。
[Comparative Example 1]
In Comparative Example 1, a single-sided two-layer flexible printed wiring board having only a cobalt film as a seed layer was manufactured based on the manufacturing method of Example 1, and used for comparison with the Example. Therefore, only the different parts will be described with respect to the manufacturing method. Step (a) to step (d) are the same as those in the first embodiment, and thus description thereof will be omitted.
工程(e): 工程(e)のコバルト層成長工程では、工程(c)と工程(d)とを、更に8回繰り返し、コバルト膜を成長させたのである。そして、実施例1の工程(f)〜工程(h)を省略し、工程(i)に進んだ。 Step (e): In the cobalt layer growth step of step (e), step (c) and step (d) are repeated eight more times to grow a cobalt film. And the process (f)-the process (h) of Example 1 were abbreviate | omitted, and it progressed to the process (i).
工程(i): そして、工程(i)の銅層形成工程で、コバルト膜のみのシード層の表面に、電解法を用いて銅成分を電着させ、銅薄膜を18μm厚の銅層となるまでメッキアップした。ここで電解に用いた溶液は、濃度150g/l硫酸、65g/l銅、液温45℃の硫酸銅溶液を用いた。電解時の対極には、不溶性陽極であるDSE板を配し、電流密度3A/dm2の平滑メッキ条件で電解することにより行った。メッキアップが終了すると、十分に水洗して付着した硫酸銅溶液の除去を行った。 Step (i): Then, in the copper layer forming step of step (i), a copper component is electrodeposited on the surface of the seed layer of only the cobalt film using an electrolytic method, and the copper thin film becomes a copper layer having a thickness of 18 μm. Plated up to. The solution used for the electrolysis here was a copper sulfate solution having a concentration of 150 g / l sulfuric acid, 65 g / l copper, and a liquid temperature of 45 ° C. A DSE plate, which is an insoluble anode, was placed on the counter electrode during electrolysis, and electrolysis was performed under smooth plating conditions with a current density of 3 A / dm 2 . When the plating up was completed, the copper sulfate solution adhered by washing with water was removed.
工程(j): そして、実施例1の工程(j)と同様にして乾燥させ、得られた片面2層フレキシブル銅張積層板に付着した水分及び吸収水分を十分に除去し、比較例1の片面2層フレキシブル銅張積層板としたのである。 Step (j): Then, drying is performed in the same manner as in Step (j) of Example 1, and moisture and absorbed moisture adhering to the obtained single-sided two-layer flexible copper-clad laminate are sufficiently removed. This is a single-sided two-layer flexible copper-clad laminate.
以下、実施例1と同様にして、片面2層フレキシブル銅張積層板の銅層の表面にエッチングレジスト層を形成し、露光、現像し、塩化銅系エッチング液でエッチングした。その結果、エッチングに何ら支障はなく、エッチング残が確認されたものは無かった。そして、引き剥がし強さ測定用の0.2mm幅回路を備える片面2層フレキシブルプリント配線板を製造した。そして、実施例1と同様にして、加熱後引き剥がし強さ、耐塩酸性劣化率を測定した。これらの結果に関しては、実施例との対比可能なように表1に記載している。 Thereafter, in the same manner as in Example 1, an etching resist layer was formed on the surface of the copper layer of the single-sided two-layer flexible copper-clad laminate, exposed, developed, and etched with a copper chloride etching solution. As a result, there was no problem in etching, and no etching residue was confirmed. And the single-sided two-layer flexible printed wiring board provided with the 0.2 mm width circuit for peeling strength measurement was manufactured. In the same manner as in Example 1, the peel strength after heating and the hydrochloric acid resistance deterioration rate were measured. These results are shown in Table 1 so that they can be compared with the examples.
[比較例2]
この比較例2では、実施例1の製造方法を基本として、シード層をニッケル−コバルト膜のみとした片面2層フレキシブルプリント配線板を製造し、実施例との対比に用いたのである。従って、製造方法に関しては、異なる部分のみを説明することとする。工程(a)及び工程(b)は、実施例1と共通するため説明を省略し、工程(c)から説明する。
[Comparative Example 2]
In Comparative Example 2, a single-sided two-layer flexible printed wiring board having only a nickel-cobalt film as a seed layer was manufactured based on the manufacturing method of Example 1, and used for comparison with the Example. Therefore, only the different parts will be described with respect to the manufacturing method. Step (a) and step (b) are the same as those in Example 1, and thus the description thereof will be omitted.
この比較例2では、工程(b)が終了すると、実施例1の工程(c)〜工程(e)を省略し、工程(f)に飛ぶ製造方法を採用した。 In Comparative Example 2, when the step (b) was completed, the steps (c) to (e) of Example 1 were omitted, and a manufacturing method jumping to the step (f) was adopted.
工程(f): 工程(b)の中和工程が終了すると、ポリイミド樹脂フィルムの中和したカルボキシル基とニッケルイオン及びコバルトイオンを含有した溶液とを接触させニッケルイオン及びコバルトイオンを吸着させカルボキシルニッケル塩とカルボキシルコバルト塩とを表面に形成した。ここで用いた含コバルトイオン溶液は、0.025mol/l濃度の硫酸コバルト溶液と、ニッケル濃度が0.0475mol/lの硫酸ニッケル溶液とを混合した溶液を採用し、溶液温度を25℃とし、この溶液中に15分間浸漬した。そして、水洗して、ポリイミド樹脂フィルムの表面に残留した混合溶液を除いた。 Step (f): When the neutralization step of step (b) is completed, the neutralized carboxyl group of the polyimide resin film is brought into contact with a solution containing nickel ions and cobalt ions to adsorb nickel ions and cobalt ions, and carboxyl nickel A salt and a carboxy cobalt salt were formed on the surface. The cobalt-containing ion solution used here employs a solution in which a cobalt sulfate solution having a concentration of 0.025 mol / l and a nickel sulfate solution having a nickel concentration of 0.0475 mol / l are mixed, and the solution temperature is 25 ° C. It was immersed in this solution for 15 minutes. And it washed with water and removed the mixed solution which remained on the surface of the polyimide resin film.
工程(g): 続いて、工程(f)のニッケル−コバルト膜形成工程で、ポリイミド樹脂フィルム表面に形成したカルボキシルコバルト塩を還元して、ポリイミド樹脂フィルムの表面にニッケル−コバルト膜を形成した。本実施例における還元は、濃度が0.01mol/l、溶液温度25℃の水素化ホウ素ナトリウム溶液中にカルボキシルニッケル塩とカルボキシルコバルト塩とを形成したポリイミド樹脂フィルムを5分間浸漬して、還元剤と接触させることにより行った。そして、水洗して表面から付着した還元剤を除去した。 Step (g): Subsequently, in the nickel-cobalt film forming step of step (f), the carboxyl cobalt salt formed on the surface of the polyimide resin film was reduced to form a nickel-cobalt film on the surface of the polyimide resin film. The reduction in this example is performed by immersing a polyimide resin film in which a carboxyl nickel salt and a carboxyl cobalt salt are formed in a sodium borohydride solution having a concentration of 0.01 mol / l and a solution temperature of 25 ° C. It was performed by contacting with. And the reducing agent adhering from the surface was removed by washing with water.
工程(h): 工程(h)のニッケル−コバルト膜成長工程では、(f)工程と(g)工程とを9回繰り返して、ニッケル−コバルト膜を成長させた。 Step (h): In the nickel-cobalt film growth step of step (h), the step (f) and the step (g) were repeated nine times to grow a nickel-cobalt film.
工程(i): そして、工程(i)の銅層形成工程で、ニッケル−コバルト膜のみのシード層の表面に、電解法を用いて銅成分を電着させ、銅薄膜を18μm厚の銅層となるまでメッキアップした。ここで電解に用いた溶液は、濃度150g/l硫酸、65g/l銅、液温45℃の硫酸銅溶液を用いた。電解時の対極には、不溶性陽極であるDSE板を配し、電流密度3A/dm2の平滑メッキ条件で電解することにより行った。メッキアップが終了すると、十分に水洗して付着した硫酸銅溶液の除去を行った。 Step (i): In the copper layer forming step of step (i), a copper component is electrodeposited on the surface of the seed layer of only the nickel-cobalt film by using an electrolytic method, and the copper thin film is formed into a 18 μm thick copper layer Plated up until The solution used for the electrolysis here was a copper sulfate solution having a concentration of 150 g / l sulfuric acid, 65 g / l copper, and a liquid temperature of 45 ° C. A DSE plate, which is an insoluble anode, was placed on the counter electrode during electrolysis, and electrolysis was performed under smooth plating conditions with a current density of 3 A / dm 2 . When the plating up was completed, the copper sulfate solution adhered by washing with water was removed.
工程(j): そして、実施例1の工程(j)と同様にして乾燥させ、得られた片面2層フレキシブル銅張積層板に付着した水分及び吸収水分を十分に除去し、比較例2の片面2層フレキシブル銅張積層板としたのである。 Step (j): Then, drying is performed in the same manner as in Step (j) of Example 1, and moisture and absorbed moisture adhering to the obtained single-sided two-layer flexible copper clad laminate are sufficiently removed. This is a single-sided two-layer flexible copper-clad laminate.
以下、実施例1と同様にして、片面2層フレキシブル銅張積層板の銅層の表面にエッチングレジスト層を形成し、露光、現像し、塩化銅系エッチング液でエッチングした。その結果、エッチングに何ら支障はなく、エッチング残が確認されたものは無かった。そして、引き剥がし強さ測定用の0.2mm幅回路を備える片面2層フレキシブルプリント配線板を製造した。そして、実施例1と同様にして、加熱後引き剥がし強さ、耐塩酸性劣化率を測定した。これらの結果に関しては、実施例との対比可能なように表1に記載している。 Thereafter, in the same manner as in Example 1, an etching resist layer was formed on the surface of the copper layer of the single-sided two-layer flexible copper-clad laminate, exposed, developed, and etched with a copper chloride etching solution. As a result, there was no problem in etching, and no etching residue was confirmed. And the single-sided two-layer flexible printed wiring board provided with the 0.2 mm width circuit for peeling strength measurement was manufactured. In the same manner as in Example 1, the peel strength after heating and the hydrochloric acid resistance deterioration rate were measured. These results are shown in Table 1 so that they can be compared with the examples.
[比較例3]
この比較例3では、実施例1の製造方法を基本として、シード層をニッケル膜のみとした片面2層フレキシブルプリント配線板を製造し、実施例との対比に用いたのである。従って、製造方法に関しては、異なる部分のみを説明することとする。工程(a)及び工程(b)は、実施例1と共通するため説明を省略し、工程(c)から説明する。
[Comparative Example 3]
In Comparative Example 3, a single-sided two-layer flexible printed wiring board having only a nickel film as a seed layer was manufactured based on the manufacturing method of Example 1, and used for comparison with the Example. Therefore, only the different parts will be described with respect to the manufacturing method. Step (a) and step (b) are the same as those in Example 1, and thus the description thereof will be omitted.
この比較例3では、工程(b)が終了すると、実施例1の工程(c)〜工程(e)を省略し、工程(f)に飛ぶ製造方法を採用した。 In Comparative Example 3, when the step (b) was completed, the steps (c) to (e) of Example 1 were omitted, and a manufacturing method that skipped to the step (f) was adopted.
工程(f): 工程(b)の中和工程が終了すると、ポリイミド樹脂フィルムの中和したカルボキシル基とニッケルイオンを含有した溶液とを接触させニッケルイオンを吸着させカルボキシルニッケル塩を表面に形成した。ここで用いたニッケルイオン溶液は、ニッケル濃度が0.05mol/lの硫酸ニッケル溶液を採用し、溶液温度を25℃とし、この溶液中に15分間浸漬した。そして、水洗して、ポリイミド樹脂フィルムの表面に残留した混合溶液を除いた。 Step (f): When the neutralization step of step (b) is completed, the neutralized carboxyl group of the polyimide resin film is brought into contact with a solution containing nickel ions to adsorb nickel ions to form a carboxyl nickel salt on the surface. . The nickel ion solution used here was a nickel sulfate solution having a nickel concentration of 0.05 mol / l, the solution temperature was 25 ° C., and the solution was immersed in this solution for 15 minutes. And it washed with water and removed the mixed solution which remained on the surface of the polyimide resin film.
工程(g): 続いて、工程(f)のニッケル膜形成工程として、ポリイミド樹脂フィルム表面に形成したカルボキシルニッケル塩を還元して、ポリイミド樹脂フィルムの表面にニッケル膜を形成した。本実施例における還元は、濃度が0.01mol/l、溶液温度25℃の水素化ホウ素ナトリウム溶液中にカルボキシルニッケル塩を形成したポリイミド樹脂フィルムを5分間浸漬して、還元剤と接触させることにより行った。そして、水洗して表面から付着した還元剤を除去した。 Step (g): Subsequently, as the nickel film forming step of step (f), the carboxyl nickel salt formed on the surface of the polyimide resin film was reduced to form a nickel film on the surface of the polyimide resin film. The reduction in this example is performed by immersing a polyimide resin film in which a carboxyl nickel salt is formed in a sodium borohydride solution having a concentration of 0.01 mol / l and a solution temperature of 25 ° C. for 5 minutes and then contacting with a reducing agent. went. And the reducing agent adhering from the surface was removed by washing with water.
工程(h): 工程(h)のニッケル膜成長工程では、(f)工程と(g)工程とを9回繰り返して、ニッケル膜を成長させた。 Step (h): In the nickel film growth step of step (h), the steps (f) and (g) were repeated nine times to grow a nickel film.
工程(i): そして、工程(i)の銅層形成工程で、ニッケル膜のみのシード層の表面に、電解法を用いて銅成分を電着させ、銅薄膜を18μm厚の銅層となるまでメッキアップした。ここで電解に用いた溶液は、濃度150g/l硫酸、65g/l銅、液温45℃の硫酸銅溶液を用いた。電解時の対極には、不溶性陽極であるDSE板を配し、電流密度3A/dm2の平滑メッキ条件で電解することにより行った。メッキアップが終了すると、十分に水洗して付着した硫酸銅溶液の除去を行った。 Step (i): Then, in the copper layer forming step of step (i), a copper component is electrodeposited on the surface of the seed layer of only the nickel film using an electrolytic method, and the copper thin film becomes a copper layer having a thickness of 18 μm. Plated up to. The solution used for the electrolysis here was a copper sulfate solution having a concentration of 150 g / l sulfuric acid, 65 g / l copper, and a liquid temperature of 45 ° C. A DSE plate, which is an insoluble anode, was placed on the counter electrode during electrolysis, and electrolysis was performed under smooth plating conditions with a current density of 3 A / dm 2 . When the plating up was completed, the copper sulfate solution adhered by washing with water was removed.
工程(j): そして、実施例1の工程(j)と同様にして乾燥させ、得られた片面2層フレキシブル銅張積層板に付着した水分及び吸収水分を十分に除去し、比較例3の片面2層フレキシブル銅張積層板としたのである。 Step (j): Then, drying is performed in the same manner as in Step (j) of Example 1, and moisture and absorbed moisture adhering to the obtained single-sided two-layer flexible copper-clad laminate are sufficiently removed. This is a single-sided two-layer flexible copper-clad laminate.
以下、実施例1と同様にして、片面2層フレキシブル銅張積層板の銅層の表面にエッチングレジスト層を形成し、露光、現像し、塩化銅系エッチング液でエッチングした。その結果、エッチング液によって溶解せずに残留したニッケル膜部がエッチング残として確認された。そして、引き剥がし強さ測定用の0.2mm幅回路を備える片面2層フレキシブルプリント配線板を製造した。そして、実施例1と同様にして、加熱後引き剥がし強さ、耐塩酸性劣化率を測定した。これらの結果に関しては、実施例との対比可能なように表1に記載している。 Thereafter, in the same manner as in Example 1, an etching resist layer was formed on the surface of the copper layer of the single-sided two-layer flexible copper-clad laminate, exposed, developed, and etched with a copper chloride etching solution. As a result, the nickel film portion that remained without being dissolved by the etching solution was confirmed as an etching residue. And the single-sided two-layer flexible printed wiring board provided with the 0.2 mm width circuit for peeling strength measurement was manufactured. In the same manner as in Example 1, the peel strength after heating and the hydrochloric acid resistance deterioration rate were measured. These results are shown in Table 1 so that they can be compared with the examples.
[実施例と比較例との対比]
上記各実施例の常態引き剥がし強さは全て0.90kgf/cmを超えており、加熱後引き剥がし強さは0.40kgf/cmを超え、耐塩酸性劣化率は7.0%以下と非常に良好な値を示し、エッチング性能に於いても良好な結果が得られている。特に実施例2は、耐水性フィルムを用い、加工プロセスでのポリイミド樹脂基材の吸湿を防止した効果が如実に反映されていることが分かるのである。
[Contrast between Example and Comparative Example]
In each of the above Examples, the normal peel strength is over 0.90 kgf / cm, the peel strength after heating is over 0.40 kgf / cm, and the hydrochloric acid resistance deterioration rate is 7.0% or less. A good value is shown, and a good result is obtained in the etching performance. In particular, Example 2 shows that the effect of preventing moisture absorption of the polyimide resin base material in the processing process using the water resistant film is clearly reflected.
これに対し、シード層をコバルト膜のみで構成した比較例1は、常態引き剥がし強さは及び加熱後引き剥がし強さにおいて良好な値を示し、エッチング性能に於いても良好であるが、耐塩酸性劣化率が22.0%と非常に低くなっていることが分かる。 On the other hand, Comparative Example 1 in which the seed layer is composed of only a cobalt film shows a good value in the normal peel strength and the peel strength after heating, and the etching performance is also good. It can be seen that the acid degradation rate is very low at 22.0%.
そして、シード層をニッケル−コバルト膜のみで構成した比較例2は、常態引き剥がし強さは及び耐塩酸性劣化率において良好な値を示し、エッチング性能に於いても良好であるが、加熱後引き剥がし強さが0.11kgf/cmと非常に低くなっていることが分かる。 In Comparative Example 2 in which the seed layer was composed of only a nickel-cobalt film, the normal peel strength and the hydrochloric acid resistance deterioration rate showed good values and the etching performance was good, but the post-heating pulling was good. It can be seen that the peel strength is as extremely low as 0.11 kgf / cm.
更に、シード層をニッケル膜のみで構成した比較例3は、常態引き剥がし強さは及び加熱後引き剥がし強さ、耐塩酸性劣化率において良好な値を示しているが、エッチング性能に問題があり、エッチング残が発生し現実の工業的使用が困難な製品であることが理解出来るのである。エッチング残の確認は、銅エッチング後のポリイミド樹脂基材に下から透過光を当て、光学顕微鏡で光の透過しない部分が存在するか否かで判断した。 Further, Comparative Example 3 in which the seed layer is composed only of a nickel film shows good values for normal peel strength, peel strength after heating, and hydrochloric acid resistance deterioration rate, but there is a problem in etching performance. It can be understood that the product is difficult to be used in actual industrial use due to etching residue. The confirmation of the etching residue was judged by whether or not there was a portion through which light was not transmitted with an optical microscope by applying transmitted light from below to the polyimide resin substrate after copper etching.
本件発明に係るダイレクトメタライゼーション法により得られる2層フレキシブル銅張積層板は、シード層がポリイミド樹脂との密着性に優れたコバルト膜及び耐食性に優れたニッケル−コバルト膜で構成されており、形成された回路の優れた加熱後引き剥がし強さ及び耐薬品性能が得られ、しかも銅エッチング液により容易に除去可能なものである。従って、本件発明に係る2層フレキシブル銅張積層板から得られるTAB、COF等の2層フレキシブルプリント配線板は、部品実装時のヒートショックによる銅回路の剥離を効果的に防止し、回路剥離事故の未然防止を図ることができ、フレキシブルプリント配線板の品質信頼性を飛躍的に高めるものとなるのである。 The two-layer flexible copper-clad laminate obtained by the direct metallization method according to the present invention is composed of a cobalt film having excellent adhesion to a polyimide resin and a nickel-cobalt film having excellent corrosion resistance. The circuit has excellent peel strength after heating and chemical resistance, and can be easily removed with a copper etchant. Therefore, the two-layer flexible printed wiring boards such as TAB and COF obtained from the two-layer flexible copper-clad laminate according to the present invention effectively prevent the copper circuit from peeling due to heat shock during component mounting. As a result, the quality and reliability of the flexible printed wiring board can be dramatically improved.
F ポリイミド樹脂フィルム
R ポリイミド樹脂
1a 片面2層フレキシブル銅張積層板
1b 両面2層フレキシブル銅張積層板
2 導体層
3 シード層
4 コバルト層
5 コバルト粒子(酸化コバルト粒子含む)
6 ニッケル−コバルト膜
7 銅層
8 耐水性フィルム
9 回路
F Polyimide resin film R Polyimide resin 1a Single-sided two-layer flexible copper-clad laminate 1b Double-sided two-layer flexible copper-clad laminate 2 Conductor layer 3 Seed layer 4 Cobalt layer 5 Cobalt particles (including cobalt oxide particles)
6 Nickel-cobalt film 7 Copper layer 8 Water-resistant film 9 Circuit
Claims (5)
前記シード層は、ポリイミド樹脂フィルム基材と接するコバルト層とニッケル−コバルト膜とが積層状態にあることを特徴とした片面2層フレキシブル銅張積層板。 In a two-layer flexible copper-clad laminate obtained by a direct metallization method in which a seed layer is formed on one side of a polyimide resin film substrate and a copper layer is formed on the seed layer,
The seed layer is a single-sided two-layer flexible copper-clad laminate in which a cobalt layer in contact with a polyimide resin film substrate and a nickel-cobalt film are in a laminated state.
前記両面の各シード層は、ポリイミド樹脂フィルム基材と接するコバルト層とニッケル−コバルト膜とが積層状態にあることを特徴とした両面2層フレキシブル銅張積層板。 In a double-sided two-layer flexible copper-clad laminate obtained by a direct metallization method in which a seed layer is formed on both sides of a polyimide resin film substrate and a copper layer is formed on each seed layer,
Each double-sided flexible copper-clad laminate is characterized in that each seed layer on both sides is in a laminated state of a cobalt layer in contact with a polyimide resin film substrate and a nickel-cobalt film.
以下に述べる(a)〜(j)の工程を備えることを特徴とする片面2層フレキシブル銅張積層板の製造方法。
(a) ポリイミド樹脂フィルムの片面又は片面を耐水性フィルムで被覆したポリイミド樹脂フィルムの露出面を、アルカリ処理してイミド環を開環処理し表面にカルボキシル基を形成する開環工程。
(b) 開環して片面に形成したカルボキシル基を酸溶液を用いて中和する中和工程。
(c) 片面の中和したカルボキシル基とコバルトイオン含有溶液とを接触させコバルト成分を吸着させることでカルボキシルコバルト塩をポリイミド樹脂フィルムの片面に形成するコバルトイオン吸着工程。
(d) ポリイミド樹脂フィルムの片面に形成したカルボキシルコバルト塩を還元して、ポリイミド樹脂フィルムの片面にコバルト膜を形成するコバルト膜形成工程。
(e) (c)工程と(d)工程とを複数回繰り返して、コバルト膜を成長させるコバルト膜成長工程。
(f) 片面のコバルト膜の表面と、ニッケルイオン及びコバルトイオンを含有した溶液とを接触させニッケル成分及びコバルト成分を吸着させカルボキシルニッケル塩とカルボキシルコバルト塩とをコバルト膜表面に形成する混合イオン吸着工程。
(g) コバルト膜の表面に形成したカルボキシルニッケル塩とカルボキシルコバルト塩とを還元して、コバルト膜上にニッケル−コバルト膜を形成するニッケル−コバルト膜形成工程。
(h) (f)工程と(g)工程とを複数回繰り返して、ニッケル−コバルト膜を成長させるニッケル−コバルト膜成長工程。
(i) 片面のニッケル−コバルト膜の表面上に電気化学的手法を用いて回路を形成するための銅層を形成する銅層形成工程。
(j) 以上のようにして得られた片面2層フレキシブル銅張積層板を80℃〜160℃の減圧雰囲気で10分〜80分間乾燥させる乾燥工程。 A method for producing a single-sided, two-layer flexible copper-clad laminate according to claim 1 or 2,
The manufacturing method of the single-sided two-layer flexible copper clad laminated board characterized by providing the process of (a)-(j) described below.
(A) A ring-opening step of forming an carboxyl group on the surface by alkali-treating the exposed surface of the polyimide resin film having one surface or one surface of the polyimide resin film covered with a water-resistant film to open the imide ring.
(B) A neutralization step of neutralizing a carboxyl group formed on one side by ring opening using an acid solution.
(C) A cobalt ion adsorption step of forming a carboxyl cobalt salt on one side of a polyimide resin film by bringing a neutralized carboxyl group on one side into contact with a cobalt ion-containing solution to adsorb a cobalt component.
(D) The cobalt film formation process which reduces the carboxyl cobalt salt formed in the single side | surface of a polyimide resin film, and forms a cobalt film in the single side | surface of a polyimide resin film.
(E) A cobalt film growth step of growing a cobalt film by repeating the steps (c) and (d) a plurality of times.
(F) Mixed ion adsorption in which the surface of one side of the cobalt film is brought into contact with a solution containing nickel ions and cobalt ions to adsorb the nickel component and the cobalt component to form a carboxyl nickel salt and a carboxyl cobalt salt on the cobalt film surface. Process.
(G) A nickel-cobalt film forming step of forming a nickel-cobalt film on the cobalt film by reducing carboxyl nickel salt and carboxyl cobalt salt formed on the surface of the cobalt film.
(H) A nickel-cobalt film growth step in which the step (f) and the step (g) are repeated a plurality of times to grow a nickel-cobalt film.
(I) A copper layer forming step of forming a copper layer for forming a circuit on the surface of the nickel-cobalt film on one side using an electrochemical method.
(J) A drying step of drying the single-sided two-layer flexible copper-clad laminate obtained as described above in a reduced pressure atmosphere at 80 ° C. to 160 ° C. for 10 minutes to 80 minutes.
以下に述べる(a)〜(j)の工程を備えることを特徴とする両面2層フレキシブル銅張積層板の製造方法。
(a) ポリイミド樹脂フィルムの両面をアルカリ処理してイミド環を開環処理し表面にカルボキシル基を形成する開環工程。
(b) 開環して両面に形成したカルボキシル基を酸溶液を用いて中和する中和工程。
(c) 両面の中和したカルボキシル基とコバルトイオン含有溶液とを接触させコバルト成分を吸着させることでカルボキシルコバルト塩をポリイミド樹脂フィルムの両面に形成するコバルトイオン吸着工程。
(d) ポリイミド樹脂フィルムの両面に形成したカルボキシルコバルト塩を還元して、ポリイミド樹脂フィルムの両面にコバルト膜を形成するコバルト膜形成工程。
(e) (c)工程と(d)工程とを複数回繰り返して、コバルト膜を成長させるコバルト膜成長工程。
(f) 両面のコバルト膜の表面と、ニッケルイオン及びコバルトイオンを含有した溶液とを接触させニッケル成分及びコバルト成分を吸着させカルボキシルニッケル塩とカルボキシルコバルト塩とをコバルト膜表面に形成する混合イオン吸着工程。
(g) コバルト膜の表面に形成したカルボキシルニッケル塩とカルボキシルコバルト塩とを還元して、コバルト膜上にニッケル−コバルト膜を形成するニッケル−コバルト膜形成工程。
(h) (f)工程と(g)工程とを複数回繰り返して、ニッケル−コバルト膜を成長させるニッケル−コバルト膜成長工程。
(i) 両面のニッケル−コバルト膜の表面上に電気化学的手法を用いて回路を形成するための銅層を形成する銅層形成工程。
(j) 以上のようにして得られた両面2層フレキシブル銅張積層板を80℃〜160℃の減圧雰囲気で10分〜80分間乾燥させる乾燥工程。 A method for producing a double-sided, two-layer flexible copper-clad laminate according to claim 3,
The manufacturing method of the double-sided two-layer flexible copper clad laminated board characterized by providing the process of (a)-(j) described below.
(A) A ring-opening step in which both sides of the polyimide resin film are alkali-treated to open the imide ring to form carboxyl groups on the surface.
(B) The neutralization process which neutralizes the carboxyl group formed on both surfaces by ring-opening using an acid solution.
(C) The cobalt ion adsorption process which forms the carboxyl cobalt salt on both surfaces of a polyimide resin film by making the carboxyl group and cobalt ion containing solution which were neutralized both surfaces contact, and making a cobalt component adsorb | suck.
(D) The cobalt film formation process which reduces the carboxyl cobalt salt formed on both surfaces of the polyimide resin film, and forms a cobalt film on both surfaces of the polyimide resin film.
(E) A cobalt film growth step of growing a cobalt film by repeating the steps (c) and (d) a plurality of times.
(F) Mixed ion adsorption in which the surfaces of the cobalt films on both sides are brought into contact with a solution containing nickel ions and cobalt ions to adsorb the nickel component and the cobalt component to form a carboxyl nickel salt and a carboxyl cobalt salt on the cobalt film surface. Process.
(G) A nickel-cobalt film forming step of forming a nickel-cobalt film on the cobalt film by reducing carboxyl nickel salt and carboxyl cobalt salt formed on the surface of the cobalt film.
(H) A nickel-cobalt film growth step in which the step (f) and the step (g) are repeated a plurality of times to grow a nickel-cobalt film.
(I) A copper layer forming step of forming a copper layer for forming a circuit on the surfaces of the nickel-cobalt films on both sides using an electrochemical method.
(J) A drying step of drying the double-sided two-layer flexible copper-clad laminate obtained as described above in a reduced pressure atmosphere at 80 ° C. to 160 ° C. for 10 minutes to 80 minutes.
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