JP2008281896A - 光学素子及び光集積デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成され、電気光学材料よりなる導波層を有する光導波路構造とを有する光学素子であって、前記下部電極が金属導電層と透明導電層よりなり、前記透明導電層が前記光導波路構造と接していることを特徴としている。
【選択図】図6
Description
12 下部クラッド層
13 コア層
14 上部クラッド層
15 上部金属電極層
41 下部電極兼下部クラッド層
42 PLZT
43 上部クラッド層兼上部電極層
44 SiO2層
61 金属電極
62 透明電極ITO層
63 下部クラッド層
64 コア層
65 上部クラッド層
66 上部金属電極層
71 金属層
72 透明電極ITO層
73 下部クラッド層
74 コア層
75 上部クラッド層
76 透明電極ITO層
77 金属電極層
91 シリコン基板
92 SiO2層
93 Ti層
94 Au層
95 Ti層
96 ITO層
97 SiTiO3層
98 SiO2層
99 コア層
910 上部クラッド層
911 透明電極ITO層
912 Ti層
913 Au層
101 ガスボンベ
102 ガラスボトル
103 粉末原料
104 排気管
105 加振器
106 搬送管
107 成膜チャンバー
108 真空ポンプ
109 ノズル
1010 基板
111 シリコン基板
112 SiO2層
113 Ti層
114 Au層
115 Ti層
116 ITO層
117 SiTiO3層
118 SiO2層
119 コア層
1110 上部クラッド層
1111 透明電極ITO層
1112 Ti層
1113 Au層
Claims (15)
- 基板と、前記基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成され、電気光学材料よりなる導波層を含む光導波路構造とを有する光学素子であって、前記下部電極が金属導電層と透明導電層よりなり、前記透明導電層が前記光導波路構造と接していることを特徴とする光学素子。
- 基板と、前記基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に供給した超微粒子脆性材料に機械的衝撃力を負荷して前記超微粒子脆性材料を接合させ成形体を形成し、前記成形体よりなる電気光学材料の導波層を有する光導波路構造とを有する光学素子であって、前記下部電極が金属導電層と透明導電層よりなり、前記透明導電層が前記光導波路構造と接していることを特徴とする光学素子。
- 請求項1または2の光学素子において、前記光導波路構造がコア層と、該コア層の上下に形成された上部クラッド層及び下部クラッド層とからなることを特徴とした光学素子。
- 請求項1,2または3の光学素子において、前記光導波路層構造上に上部電極が、前記下部電極と対向するように形成されていることを特徴とした光学素子。
- 請求項4の光学素子において、前記上部電極が、金属導電層と透明導電層よりなり、前記透明導電層が前記光導波路構造と接していることを特徴とする光学素子。
- 請求項1,2,3,4または5の光学素子において、透明電極層がITO,IZO,ZnOのいずれか、もしくは複数を主成分とすることを特徴とする光学素子。
- 請求項1,2,3,4または5の光学素子において、下部電極を構成する金属材料が金、銀、銅、Ir,Ru,W,Moのいずれか、もしくは複数を主成分とする金属層からなることを特徴とする光学素子。
- 請求項1,2,3,4または5の光学素子が、電極に電気信号を印加することで光を制御する光変調器または光スイッチであることを特徴とする光学素子。
- 基板と、前記基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成され、電気光学材料よりなる導波層を有する光導波路構造とを有する第1の光学素子と第2の光学素子の少なくとも1つを基板上に集積する光集積デバイスであって、前記下部電極が金属導電層と透明導電層よりなり、前記透明導電層が前記光導波路構造と接していることを特徴とする光集積デバイス。
- 基板と、基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に供給した超微粒子脆性材料に機械的衝撃力を負荷して前記超微粒子脆性材料を接合させ成形体を形成し、前記成形体よりなる電気光学材料の導波層を有する光導波路構造とを有する第1の光学素子と第2の光学素子の少なくとも1つを基板上に集積する光集積デバイスであって、前記下部電極が金属導電層と透明導電層よりなり、前記透明導電層が前記光導波路構造と接していることを特徴とする光集積デバイス。
- 請求項9または10の光集積デバイスにおいて、前記第2の光学素子は、レーザー、電気光変換器、光電気変換器、光増幅器、光スイッチまたは光フィルターのいずれか一つであることを特徴とする光集積デバイス。
- 基板と、前記基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成され、電気光学材料よりなる導波層を有する光導波路構造とを有する光学素子と電子回路の少なくとも1つを基板上に集積する光集積デバイスであって、前記下部電極が金属導電層と透明導電層よりなり、前記透明導電層が前記光導波路構造と接していることを特徴とする光集積デバイス。
- 基板と、前記基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に供給した超微粒子脆性材料に機械的衝撃力を負荷して前記超微粒子脆性材料を接合させ成形体を形成し、前記成形体よりなる電気光学材料の導波層を有する光導波路構造とを有する光学素子と電子回路の少なくとも1つを基板上に集積する光集積デバイスであって、前記下部電極が金属導電層と透明導電層よりなり、前記透明導電層が前記光導波路構造と接していることを特徴とする光集積デバイス。
- 請求項12または13の光集積デバイスにおいて、前記電子回路は、中央処理装置またはメモリーであることを特徴とする光集積デバイス。
- 請求項1,2,9,10,12または13の光学素子または光集積デバイスにおいて、前記電気光学材料が、ジルコン酸チタン酸鉛、またはランタンが添加されたジルコン酸チタン酸鉛が主な成分であることを特徴とする光学素子または光集積デバイス。
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