JPS604923A - 光シヤツタ - Google Patents
光シヤツタInfo
- Publication number
- JPS604923A JPS604923A JP11389383A JP11389383A JPS604923A JP S604923 A JPS604923 A JP S604923A JP 11389383 A JP11389383 A JP 11389383A JP 11389383 A JP11389383 A JP 11389383A JP S604923 A JPS604923 A JP S604923A
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- Japan
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- film
- conductive film
- width
- layer
- transparent conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/055—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic
- G02F1/0551—Constructional details
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電気光学効果を有する素子にて構成される光
シャッタに関す′る。
シャッタに関す′る。
たとえばＰＬＺＴのような強誘電性透明セラミクスから
なる電気光学効果を有する素子は光シャッタに利用され
ている。第１図はこの発明にかかる光シャッタの一例を
示したものであり、図において、偏光子１と検光子２は
偏光方向が互いに直交するように配置されており、この
間に電気光学効果を有する素子であるＰＬＺＴからなる
強誘電性透明セラミクス３が配置されて構成されている
。
なる電気光学効果を有する素子は光シャッタに利用され
ている。第１図はこの発明にかかる光シャッタの一例を
示したものであり、図において、偏光子１と検光子２は
偏光方向が互いに直交するように配置されており、この
間に電気光学効果を有する素子であるＰＬＺＴからなる
強誘電性透明セラミクス３が配置されて構成されている
。
そしてこの光シャッタは透明セラミクス３の表面に形成
された一対の電極４．５に駆動型［６にて駆動電圧を印
加したとき光Ｐを通過させる機能を有している。
された一対の電極４．５に駆動型［６にて駆動電圧を印
加したとき光Ｐを通過させる機能を有している。
このような構成からなる光シャッタにおいて、透明セラ
ミクス３の表面に形成されている電極４．５にはＡｌ１
．Ｏｒ（第１層）−Ａｕ（第２層）などの不透明な金属
が使用されていた。したがって−透明セラミクス３の光
透過率は電極４．５以外の部分、つまり電極４，５間の
ギャップの面積に左右されることになる。もし光透過率
を上げようとすれば、電極４，５のそれぞれの幅を狭く
し、電極４．５間のギャップを広げればよいことになる
。しかしながら、このように電極４．５間のギャップを
広げると駆動電圧を高くしなければならず、装置の高電
圧化、大型化につながり、使用上の安全対策も必要とな
る。
ミクス３の表面に形成されている電極４．５にはＡｌ１
．Ｏｒ（第１層）−Ａｕ（第２層）などの不透明な金属
が使用されていた。したがって−透明セラミクス３の光
透過率は電極４．５以外の部分、つまり電極４，５間の
ギャップの面積に左右されることになる。もし光透過率
を上げようとすれば、電極４，５のそれぞれの幅を狭く
し、電極４．５間のギャップを広げればよいことになる
。しかしながら、このように電極４．５間のギャップを
広げると駆動電圧を高くしなければならず、装置の高電
圧化、大型化につながり、使用上の安全対策も必要とな
る。
このような背景から、電極４，５の材質として透明なも
のを用いることが考えられる。透明電極にはたとえばＩ
ｎ ２０３−８ｎ ０２系などがある。
のを用いることが考えられる。透明電極にはたとえばＩ
ｎ ２０３−８ｎ ０２系などがある。
しかしこの種の透明電極は酸化物系であるため、十分な
透過率を得ようとすると電極そのものの抵抗値が上がる
ことになる。一方、透明セラミクス３はＰＬＺＴのよう
な強誘電性のものであるため、誘電率が大きく、本質的
に大容量であり、抵抗値が高いという性質を有する透明
電極を用いると、０８時定数が大きくなり、駆動電圧を
印加したとき瞬時に動作せず、シャッタの応答性が悪く
なるという欠点が見られる。
透過率を得ようとすると電極そのものの抵抗値が上がる
ことになる。一方、透明セラミクス３はＰＬＺＴのよう
な強誘電性のものであるため、誘電率が大きく、本質的
に大容量であり、抵抗値が高いという性質を有する透明
電極を用いると、０８時定数が大きくなり、駆動電圧を
印加したとき瞬時に動作せず、シャッタの応答性が悪く
なるという欠点が見られる。
したがって、この発明は電気光学効果を有する素子の電
極として透明電極を用いたときに発生する応答性の低下
を改善した光シャッタを提供することを目的とする。
極として透明電極を用いたときに発生する応答性の低下
を改善した光シャッタを提供することを目的とする。
すなわち、この発明の要旨とするところは、電気光学効
果を有する素子の片面または両面に一対の電極が形成さ
れている光シャッタであって、前記電極は透明導電膜と
この透明導電膜より抵抗値が低くかつ透明導電膜の幅よ
りも狭い幅の導電膜とを含むものから構成されているこ
とを特徴と号る光シャッタである。
果を有する素子の片面または両面に一対の電極が形成さ
れている光シャッタであって、前記電極は透明導電膜と
この透明導電膜より抵抗値が低くかつ透明導電膜の幅よ
りも狭い幅の導電膜とを含むものから構成されているこ
とを特徴と号る光シャッタである。
この発明の実施態様を図面で示せば第２図〜第４図のよ
うな例がある。
うな例がある。
第２図の例は、ＰＬＺＴのような電気光学効果を有する
素子１１の両面に、第１層としてたとえばＩｎ ２０ｓ
−３ｎ ０２系の透明導電１１１１１２を形成し、さ
らに第１層の上に透明導電膜１２より低抵抗の導電膜、
たとえば八ρ、Ｏｒ（第１層）−Ａｕ（第２層）などの
金属ＷＡ１３を形成して電極１４を構成したものである
。ここで第２層の金属１１９１３０幅Ｗ２は第１層の透
明導電膜１２の幅Ｗ１よりも狭くなるように形成されて
いる。
素子１１の両面に、第１層としてたとえばＩｎ ２０ｓ
−３ｎ ０２系の透明導電１１１１１２を形成し、さ
らに第１層の上に透明導電膜１２より低抵抗の導電膜、
たとえば八ρ、Ｏｒ（第１層）−Ａｕ（第２層）などの
金属ＷＡ１３を形成して電極１４を構成したものである
。ここで第２層の金属１１９１３０幅Ｗ２は第１層の透
明導電膜１２の幅Ｗ１よりも狭くなるように形成されて
いる。
第３図の例は第２図の例とは逆の電極配置構造である。
つまり、第１層として金属膜１３を形成し、第２層とし
て透明導電膜１２を形成して電極１４を構成したもので
ある。この例でも第２図の例と同様、第１層の金属膜１
３の幅Ｗ２は第２層の透明導電膜１２の幅Ｗ１よりも狭
くなっている。
て透明導電膜１２を形成して電極１４を構成したもので
ある。この例でも第２図の例と同様、第１層の金属膜１
３の幅Ｗ２は第２層の透明導電膜１２の幅Ｗ１よりも狭
くなっている。
第４図の例は、電気光学効果を有する素子１１の両面に
、金属膜１３を形成し、この金属膜１３の両側縁に透明
導電膜１２を形成したものである。図示したものでは明
示していないが、透明導電膜１２と金属膜１３を一部重
なるように形成して相互の電気的接触を確実にしてもよ
い。
、金属膜１３を形成し、この金属膜１３の両側縁に透明
導電膜１２を形成したものである。図示したものでは明
示していないが、透明導電膜１２と金属膜１３を一部重
なるように形成して相互の電気的接触を確実にしてもよ
い。
なお、第２図〜第４図に示した構成例において、いずれ
も電気光学効果を有する素子の両面に電極を形成したが
、片面に形成してもよい。
も電気光学効果を有する素子の両面に電極を形成したが
、片面に形成してもよい。
また、電極に電圧を印加する位置は図示しないが、透明
導電膜１２、金属膜１３のいずれが一方、または双方で
あってもよいが、特に低い導電率の金属膜１３に電圧を
印加することが好ましい。もちろん、図示した状態で隣
接する電極は異なる電位配置であり、対をなしている。
導電膜１２、金属膜１３のいずれが一方、または双方で
あってもよいが、特に低い導電率の金属膜１３に電圧を
印加することが好ましい。もちろん、図示した状態で隣
接する電極は異なる電位配置であり、対をなしている。
以下この発明にかかる光シャッタを具体的実施例にもと
づいて説明する。
づいて説明する。
電極構成例としては第２図に示したものを用いた。そし
て、電気光学効果を有する素子であるＰＬＺＴの厚みを
１１電極１４間のギャップをｇ１電極１４の幅をＷとし
た。また電極１４のうち透明導電膜１２の幅をＷｌ （
＝Ｗ）とし、金属膜１３の幅をＷ２とした。
て、電気光学効果を有する素子であるＰＬＺＴの厚みを
１１電極１４間のギャップをｇ１電極１４の幅をＷとし
た。また電極１４のうち透明導電膜１２の幅をＷｌ （
＝Ｗ）とし、金属膜１３の幅をＷ２とした。
具体的には、ｔ −３００，ｃｚｍ 、 ｇ＝ １００
μｍとし、電極１４の幅Ｗ（＝Ｗ１）をそれぞれ２０μ
ｍ、１００μ■、５００μｍに設定したとき、透明導電
膜１２の幅Ｗ１ （＝Ｗ）に対する金属膜１３の幅Ｗ２
を変化させ、そのときの透過率をめたところ、第５図に
示すような結果が得られた。図中、番号１のものはＷ＝
２０μｎ＋、番号２のものはＷ＝ １０（１４ｚ＋ｎ
。
μｍとし、電極１４の幅Ｗ（＝Ｗ１）をそれぞれ２０μ
ｍ、１００μ■、５００μｍに設定したとき、透明導電
膜１２の幅Ｗ１ （＝Ｗ）に対する金属膜１３の幅Ｗ２
を変化させ、そのときの透過率をめたところ、第５図に
示すような結果が得られた。図中、番号１のものはＷ＝
２０μｎ＋、番号２のものはＷ＝ １０（１４ｚ＋ｎ
。
番号３のものはＷ＝ ５００μｍである。
なお、ＰＬＺＴの組成は、ｐｂに対づるｌａの置換量が
９原子％、７：ｒ ／Ｔｉの比が６５／ ３５のものを
用いた。
９原子％、７：ｒ ／Ｔｉの比が６５／ ３５のものを
用いた。
第５図から明らかなように、Ｗ２ ／Ｗ （＝Ｗ＋ ）
の比が減少するとともに透過率が大きくなっている。ま
た電極１４の幅（Ｗ）が大きくなるほど透過率の改善が
顕著である。
の比が減少するとともに透過率が大きくなっている。ま
た電極１４の幅（Ｗ）が大きくなるほど透過率の改善が
顕著である。
たとえば、番号２の電極幅（Ｗ） １００μｍのもので
は、透明導電膜１２の全面が金属膜１３で被覆されたも
のにくらべて、最高透過率は約２１％改善されている。
は、透明導電膜１２の全面が金属膜１３で被覆されたも
のにくらべて、最高透過率は約２１％改善されている。
また番号３の電極幅（Ｗ） ５００μ像のものでは、同
じく約２９％改善されている。
じく約２９％改善されている。
また第５図から明らかなように、金属膜１３の幅Ｗ２の
割合は透明導電膜１２の幅１ （−Ｗ）に対して、たと
えば番号２の電極幅（Ｗ） １００μｍのものでは約５
５％、また番号３の電極幅（Ｗ） ５００μｍのもので
は約７０％であればよい。これ以上金属膜１３の幅を増
やすと透過率の低下を招くことになる。
割合は透明導電膜１２の幅１ （−Ｗ）に対して、たと
えば番号２の電極幅（Ｗ） １００μｍのものでは約５
５％、また番号３の電極幅（Ｗ） ５００μｍのもので
は約７０％であればよい。これ以上金属膜１３の幅を増
やすと透過率の低下を招くことになる。
さらに第５図から明らかなように、透過率の向上だけを
考慮すると電極１４は透明導電ｗＡ１２のみで形成すれ
ばよいと考えられる。しかしながら、すでに上記したよ
うに透明導電膜１２は酸化物系であるため比抵抗が大き
く、透明導電膜１２間に存在するＰＬＺＴの静電容量（
Ｃ）と透明８Ｉ電膜１２の抵抗値（Ｒ）で決まるＯＲ時
定数が大きくなり、電圧印加時におけるシャッタを開く
作動時間が長くなるという欠点になる。たとえば、透明
導電膜１２をｉｎ ２０ａ −８ｎ ０２系で形成する
と、その比抵抗は１ｘｌＯ−２Ω・ｃｍである。一方、
この透明導電膜１２の上に金属膜１３を形成して電極１
４を構成すると、たとえば金属ＭｔＡ１３をＡρで形成
したとき、その比抵抗は２．７Ｘ １０−６Ω・ｃｍで
あり、またＯｒ （第１層）−Ａｕ（第２層）で形成し
たとき、その比抵抗は２．４Ｘ １０−６０・ａｍであ
る。したがって、このような構成から電極１４に電圧を
印加したとき、シャッタを開く作動時間を短かくするこ
とができるという効果をもたらす。
考慮すると電極１４は透明導電ｗＡ１２のみで形成すれ
ばよいと考えられる。しかしながら、すでに上記したよ
うに透明導電膜１２は酸化物系であるため比抵抗が大き
く、透明導電膜１２間に存在するＰＬＺＴの静電容量（
Ｃ）と透明８Ｉ電膜１２の抵抗値（Ｒ）で決まるＯＲ時
定数が大きくなり、電圧印加時におけるシャッタを開く
作動時間が長くなるという欠点になる。たとえば、透明
導電膜１２をｉｎ ２０ａ −８ｎ ０２系で形成する
と、その比抵抗は１ｘｌＯ−２Ω・ｃｍである。一方、
この透明導電膜１２の上に金属膜１３を形成して電極１
４を構成すると、たとえば金属ＭｔＡ１３をＡρで形成
したとき、その比抵抗は２．７Ｘ １０−６Ω・ｃｍで
あり、またＯｒ （第１層）−Ａｕ（第２層）で形成し
たとき、その比抵抗は２．４Ｘ １０−６０・ａｍであ
る。したがって、このような構成から電極１４に電圧を
印加したとき、シャッタを開く作動時間を短かくするこ
とができるという効果をもたらす。
もちろん、このような効果は第２図に示した実施例のみ
らず、第３図、第４図に示した実施例についても同様に
得ることができる。
らず、第３図、第４図に示した実施例についても同様に
得ることができる。
以上この胤明の構成にかかる光シャッタによれば、透過
率を改善することができるのみならず、電圧印加時の応
答性を改善することができるという効果を有する。
率を改善することができるのみならず、電圧印加時の応
答性を改善することができるという効果を有する。
第１図は光シャッタの一例を示す概略斜視図、第２図〜
第４図は光シャッタのうち電気光学効果を有する素子の
要部側断面図であり、いずれもこの発明の実施態様を示
す、第５図は第２図の例にもとづいて、透明導電膜の幅
（Ｗｌ）と金属膜の幅（Ｗ２）の比と透過率の関係を測
定した結果を示す図である。 １１は電気光学効果を有する素子、１２は透明導電膜、
１３は導電膜（金属膜）、１４は電極。 特 許 出 願 人 株式会社村田製作所 第？囚
第４図は光シャッタのうち電気光学効果を有する素子の
要部側断面図であり、いずれもこの発明の実施態様を示
す、第５図は第２図の例にもとづいて、透明導電膜の幅
（Ｗｌ）と金属膜の幅（Ｗ２）の比と透過率の関係を測
定した結果を示す図である。 １１は電気光学効果を有する素子、１２は透明導電膜、
１３は導電膜（金属膜）、１４は電極。 特 許 出 願 人 株式会社村田製作所 第？囚
Claims (4)
- （１）電気光学効果を有する素子の片面または両面に一
対の電極が形成されている光シャッタであって、 前記電極は透明導電膜とこの透明導電膜より抵抗値が低
くかつ透明導電膜の幅よりも狭い幅の導電膜とを含むも
のから構成されていることを特徴とする光シャッタ。 - （２）前記電極において、第１層が透明導電膜で、第２
層が導電膜からなる特許請求の範囲第（１）項記載の光
シャッタ。 - （３）前記電極において、第１層が導電膜で、第２層が
透明導電膜からなる特許請求の範囲第（１）項記載の光
シャッタ。 - （４）前記電極において、導電膜の両側縁に透明導電膜
が形成されたものからなる特許請求の範囲第（１）項記
載の光シャッタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11389383A JPS604923A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 光シヤツタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11389383A JPS604923A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 光シヤツタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604923A true JPS604923A (ja) | 1985-01-11 |
Family
ID=14623774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11389383A Pending JPS604923A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 光シヤツタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604923A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6242120A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-24 | Murata Mfg Co Ltd | 光シヤツタアレイ |
| JPH01128036A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-19 | Nec Corp | 光スイッチ・変調器 |
| JP2008281896A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Nec Corp | 光学素子及び光集積デバイス |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5569122A (en) * | 1978-11-21 | 1980-05-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Light modulating device |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP11389383A patent/JPS604923A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5569122A (en) * | 1978-11-21 | 1980-05-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Light modulating device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6242120A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-24 | Murata Mfg Co Ltd | 光シヤツタアレイ |
| JPH01128036A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-19 | Nec Corp | 光スイッチ・変調器 |
| JP2008281896A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Nec Corp | 光学素子及び光集積デバイス |
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