JP2008277849A - 半導体装置、半導体装置の製造方法、回路基板、電気光学装置、電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置は、能動面121a上に、電極パッド24と、該電極パッド24に導電接続されたバンプ電極10とを備えている。バンプ電極10は、能動面121aに形成された樹脂突起12と、電極パッド24から樹脂突起12の表面にかけて配設された導電膜20とを備えており、この導電膜20と樹脂突起12とは非密着に配置されている。
【選択図】図4
Description
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、相手側基板との導電接続を確実に行うことが可能な半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。また、このような半導体装置を備えた接続信頼性の高い回路基板、電気光学装置、電子機器を提供することを目的とする。
この構成によれば、樹脂突起と導電膜とが密着しない状態となっているので、バンプ電極を介して半導体装置を相手側基板に接合する際に、導電膜が樹脂突起に追随して伸縮若しくは変形することがない。このため、従来のように導電膜を樹脂突起に密着させた場合に比べて、導電膜に付与される応力が小さくなり、断線等が生じにくくなる。
このように空隙を形成することで、樹脂突起と導電膜との密着力を確実に低下させることができる。
貴金属は化学的に安定な材料であるため、樹脂中に含まれる水分や酸素と反応することは殆どない。例えば、金(Au)はもともと酸化物を形成せず、銅(Cu)は酸化物を形成したとしても、その酸化物は化学的に不安定な材料となる。導電膜と樹脂突起との密着力は、樹脂突起中の水分や酸素等によって生じる化学反応(酸化反応等)によって強められるが、本発明では、導電膜が金や銅等の化学的に安定な貴金属によって形成されるため、樹脂突起との界面に化学反応は生じず、従って、導電膜と樹脂突起とは密着力の弱い非密着の状態となる。本発明では、単に導電膜を貴金属とすればよく、樹脂突起界面の密着力を弱めるための特別の処理が必要ないので、製造工程の簡略化が可能である。
前述のように、本発明では、導電膜を樹脂突起に対して密着させないように形成するため、導電膜を樹脂突起の上面部分までしか形成しないとすると、この樹脂突起上の導電膜はどこにも密着面を有しないため、浮いた状態となる。このため、半導体装置を相手側基板に接合するときに、この浮いた部分が剥がれを生じる場合がある。本発明では、導電膜を樹脂突起を挟んで反対側まで延設し、この反対側の能動面において密着面を形成しているので、導電膜の樹脂突起を挟んだ両側の端部(即ち、電極パッドに固定された端部と、樹脂突起を挟んで反対側の能動面に密着した端部)を能動面にしっかりと固定することができ、このような剥がれ等を防ぐことができる。
この構成によれば、複数の電極パッドに対して樹脂突起を共通に設けているため、樹脂突起を個別に設ける場合に比べて、製造工程を簡略化することができる。
この方法によれば、樹脂突起と導電膜とが密着しない状態に形成されるので、バンプ電極を介して半導体装置を相手側基板に接合する際に、導電膜が樹脂突起に追随して伸縮若しくは変形することがない。このため、従来のように導電膜を樹脂突起に密着させた場合に比べて、導電膜に付与される応力が小さくなり、断線等が生じにくくなる。
この方法によれば、導電膜を樹脂突起の両側でしっかり固定することができるため、半導体装置を相手側基板に接合する際に、導電膜の剥がれ等が生じにくくなる。
このように空隙を形成することで、樹脂突起と導電膜との密着力を確実に低下させることができる。
導電膜のエッチングレートは、その導電膜の形成される基板の表面状態に応じて異なることが本発明者らによって確認されている。例えば、シリコン基板上にエポキシ樹脂からなる樹脂突起を形成し、これらの表面にTiWを成膜した場合、これを過酸化水素水を用いてエッチングすると、樹脂突起の表面に形成されたTiWはシリコン基板の表面に形成されたTiWよりも速くエッチングされる。本発明は、このようなエッチングレートの違いを利用して、樹脂突起の表面の犠牲層を選択的に除去するようにしている。本発明では、単に能動面全体を一括でエッチングすればよく、空隙を形成するための特別の処理が必要ないので、製造工程の簡略化が可能である。
このようにメッキ法を用いることで、導電膜の厚膜化が容易になり、接合時の断線等をより確実に防ぐことができる。また、厚膜化によって、導電膜の電気抵抗を低減することも可能になる。
この方法では、導電膜として、貴金属のような化学的に安定な材料を用いているため、樹脂突起との間で化学的な反応(樹脂突起中の水分や酸素による酸化反応等)が生じず、導電膜と樹脂突起との界面は密着力の弱い非密着の状態となる。本方法では、前述のように犠牲層の形成や除去といった余分な工程を経ることなく、単に貴金属を成膜するのみで、樹脂突起の表面に非密着な導電膜を形成できるため、前述した方法に比べて製造工程を簡略化することができる。
この方法によれば、複数の電極パッドに対して樹脂突起を共通に設けているため、樹脂突起を個別に設ける場合に比べて、製造工程を簡略化することができる。
この方法によれば、樹脂突起が各導電膜に応じて分割されるため、半導体装置と相手側基板とを接合する際の樹脂突起の熱膨張や変形による影響を各導電膜について最小限に抑えることができる。
この構成によれば、導電接続の信頼性に優れた回路基板を提供することができる。
本発明のバンプ電極は、樹脂突起をコアとし、その表面を導電膜で覆った構造となっているため、回路基板上の電極端子に対して加圧することにより、容易に押圧されて弾性変形状態となる。そして、バンプ電極の弾性変形状態は、導電接触部分の周囲に充填された封止樹脂によって保持された状態となる。このように弾性変形しながら回路基板とバンプ電極とが面で接触した場合には、常にバンプ電極は回路基板に対して復元力(反発力)を生じることになり、導電接触状態が確保され、高い接続信頼性を得ることができる。また、この実装構造では、異方性導電膜(ACF)や異方性導電ペースト(ACP)のような高価な材料を用いる必要がないため、製造コストの低減に寄与することができる。
この構成によれば、導電接続の信頼性に優れた電気光学装置及び電子機器を提供することができる。
[電気光学装置]
図1は本発明の電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示す模式図である。
図示の液晶表示装置100は、液晶パネル110と、半導体装置121とを有する。また、必要に応じて、図示しない偏光板、反射シート、バックライト等の付帯部材が適宜に設けられる。
次に、半導体装置121の端子構造について説明する。図3は、端子が形成される半導体装置121の能動面側の構造を示す部分斜視図である。
半導体装置121は、例えば液晶表示装置の画素を駆動するICチップであり、その能動面側には薄膜トランジスタ等の複数の電子素子や各電子素子間を接続する配線等の電子回路(集積回路)が形成されている(いずれも不図示)。図3に示す半導体装置121では、その能動面121aの長辺に沿って複数の電極パッド24が整列配置されている。この電極パッド24は、上述した電子素子等から引き出されたものであり、電子回路の外部電極として機能するものである。また、能動面121aにおける電極パッド列24aの内側には、その電極パッド列24aに沿って直線状に連続する樹脂突起12が形成されている。さらに、各電極パッド24の表面から樹脂突起12の表面にかけて、複数の導電膜20が形成されている。そして、樹脂突起12と、この樹脂突起12の表面に配設された各導電膜20とにより、樹脂バンプ電極10が構成されている。
図4に示すように、半導体装置121の能動面121aの周縁部には、Al等の導電性材料からなる複数の電極パッド24が配列形成されている。また、半導体装置121の能動面全体にSiN等の電気絶縁性材料からなるパッシベーション膜26が形成されており、上述した各電極パッド24の表面に、パッシベーション膜26の開口部が形成されている。
次に、本発明の半導体装置の製造方法について説明する。図4は、半導体装置121の製造方法の一例を示す工程図である。
本実施形態では、まず、図4(a)に示すように、電極パッド24及びパッシベーション膜26が形成された半導体装置121の能動面121aに、スピンコート法等を用いて感光性樹脂をコーティングする。そして、ガラスマスクを介して紫外線を露光し、現像液を用いて現像した後、高温で焼成して硬化させる。これにより、電極パッド列24aの内側に、該電極パッド列24aに沿って直線状に連続した共通の樹脂突起12が形成される。なお、グレーマスクを用いたフォトリソグラフィを行うことにより、樹脂突起12の断面を台形状や半円状等の弾性変形が容易な先細り形状とすることが望ましい。
ここで、導電材料251のエッチングレートは、その導電材料251の形成される基板の表面状態(表面を構成する材料等)に応じて異なることが、本発明者らによって確認されている。例えば、シリコン基板上にエポキシ樹脂からなる樹脂突起を形成し、これらの表面にTiWを成膜した場合、これを過酸化水素水を用いてエッチングすると、樹脂突起の表面に形成されたTiWはシリコン基板の表面に形成されたTiWよりも速くエッチングされる。このため、これらの表面に形成されたTiWを一括でエッチングすれば、シリコン基板表面のTiWを一部残した状態で、樹脂突起表面のTiWを全て除去することが可能である。このようなエッチングレートの違いは、他の材料を用いた場合にも同様に生じる。例えば、樹脂突起をポリイミド樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂等とし、パッシベーション膜26を、SiO2等のSiN以外の他の無機材料とした場合にも、エッチングは樹脂突起上で速く進む。導電材料251を、Tiなど、TiW以外の他の金属材料とした場合も同様である。また、エッチング液をヨウ化カリウムとヨウ酸の水溶液など、過酸化水素水以外の他のエッチング液に換えても同様である。
[半導体装置]
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。図6は、本実施形態の樹脂バンプ電極10の要部構成を示す図であり、第1の実施形態の図4(b)に対応する図である。本実施形態において、電極パッドや樹脂突起、パッシベーション膜等の構成や配置は第1の実施形態と同様である。したがって、これら第1の実施形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
また本実施形態は、導電膜22として、貴金属のような化学的に安定な材料を用いているため、第1の実施形態のようにシード層25の形成や除去といった余分な工程を経ることなく、単に貴金属を成膜するのみで、樹脂突起12の表面に非密着な導電膜22を形成することができる。よって、前述した方法に比べて製造工程を簡略化することができる。
次に、上述した電気光学装置又は半導体装置を備えた電子機器について説明する。
図7は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話1300は、上述した電気光学装置を小サイズの表示部1301として備え、複数の操作ボタン1302、受話口1303、及び送話口1304を備えて構成されている。
上述した電気光学装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの場合にも電気的接続の信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
Claims (20)
- 能動面上に、電極パッドと、該電極パッドに導電接続されたバンプ電極とを有する半導体装置であって、
前記バンプ電極が、前記能動面に形成された樹脂突起と、前記電極パッドから前記樹脂突起の表面にかけて配設された導電膜とを有してなり、前記導電膜と前記樹脂突起とが非密着に配置されていることを特徴とする、半導体装置。 - 前記導電膜と前記樹脂突起との間に空隙が形成されており、該空隙によって、前記導電膜と前記樹脂突起とが非密着に配置されていることを特徴とする、請求項1記載の半導体装置。
- 前記導電膜が、前記樹脂突起と非密着な貴金属材料によって形成されていることを特徴とする、請求項1記載の半導体装置。
- 前記導電膜が、金又は銅からなることを特徴とする、請求項3記載の半導体装置。
- 前記導電膜が、前記電極パッドから前記樹脂突起を挟んで反対側まで延設され、該反対側において前記能動面と密着していることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかの項に記載の半導体装置。
- 前記能動面に複数の前記電極パッドが整列配置され、これら電極パッドのパッド列に沿って直線状に連続する共通の前記樹脂突起が形成されており、前記電極パッドの各々から前記共通の樹脂突起の表面にかけて、前記導電膜が配設されていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかの項に記載の半導体装置。
- 能動面上に、電極パッドと、該電極パッドに導電接続されたバンプ電極とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記バンプ電極の形成工程が、前記能動面に樹脂突起を形成する工程と、前記電極パッドから前記樹脂突起の表面にかけて、前記樹脂突起の表面に非密着な状態にて導電膜を形成する工程とを含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - 前記導電膜を前記電極パッドから前記樹脂突起を挟んで反対側まで延設し、前記導電膜の前記樹脂突起を挟んだ両側の端部を前記能動面に密着させることを特徴とする、請求項7記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電膜の形成工程が、前記導電膜と前記樹脂突起との間に犠牲層を形成する工程と、前記樹脂突起の表面の前記犠牲層を除去して、前記導電膜と前記樹脂突起との間に空隙を形成する工程とを含むことを特徴とする、請求項7又は8記載の半導体装置の製造方法。
- 前記犠牲層の除去工程が、前記能動面の表面及び前記樹脂突起の表面における前記犠牲層のエッチングレートの違いを利用して、前記能動面の表面の前記犠牲層を残しつつ、前記樹脂突起の表面の前記犠牲層をエッチングにより除去する工程であることを特徴とする、請求項9記載の半導体装置の製造方法。
- 前記能動面が、無機材料によって構成されていることを特徴とする、請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電膜が、前記犠牲層をシード層としてメッキ法により形成されることを特徴とする、請求項9〜11のいずれかの項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電膜の形成工程が、貴金属からなる前記導電膜を蒸着又はスパッタリングすることにより、前記樹脂突起と非密着な前記導電膜を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項7又は8記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電膜が、金又は銅からなることを特徴とする、請求項13記載の半導体装置の製造方法。
- 前記能動面に複数の前記電極パッドが整列配置されており、
前記樹脂突起の形成工程が、前記複数の電極パッドのパッド列に沿って直線状に連続した共通の樹脂突起を形成する工程を含み、
前記導電膜の形成工程が、前記複数の電極パッドの各々から前記共通の樹脂突起の表面にかけて前記導電膜を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項7〜14のいずれかの項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記樹脂突起を切断し、前記電極パッドに応じて前記バンプ電極を分離する工程を含むことを特徴とする、請求項15記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1〜6のいずれかの項に記載の半導体装置が実装されてなる回路基板であって、
前記半導体装置が、前記樹脂突起の表面に配設された前記導電膜を介して、前記回路基板の電極端子に導電接続されていることを特徴とする、回路基板。 - 前記樹脂突起が弾性変形して前記導電膜が前記回路基板に面で接触しており、前記半導体装置と前記電極端子の導電接触部分の周囲に封止樹脂が充填されて、前記半導体装置と前記電極端子とが保持されていることを特徴とする、請求項17記載の回路基板。
- 請求項1〜6のいずれかの項に記載の半導体装置又は請求項17若しくは18記載の回路基板を備えたことを特徴とする、電気光学装置。
- 請求項17若しくは18記載の回路基板又は請求項19記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする、電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004313839A Division JP4165495B2 (ja) | 2004-10-28 | 2004-10-28 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、回路基板、電気光学装置、電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008277849A true JP2008277849A (ja) | 2008-11-13 |
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Country Status (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH118250A (ja) * | 1997-06-17 | 1999-01-12 | Seiko Epson Corp | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
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A977 | Report on retrieval |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |