JP2008277783A - エピタキシャル膜、圧電体素子、強誘電体素子、これらの製造方法及び液体吐出ヘッド - Google Patents
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Abstract
【解決手段】組成式(1):yA(1−y)B(式中、AはY、Scを含む希土類元素を含む元素を示し、BはZrを示し、yは0.03以上0.20以下の数値を示す。)で表される金属ターゲットを用い、膜厚が1.0nm以上10nm以下のSiO2層を表面に有するSi基板を加熱し、該基板上に、組成式(2):xA2O3−(1−x)BO2(式中、A、Bは式(1)におけるA、Bとそれぞれ同じ金属元素を示し、xが0.010以上0.035以下の数値を示す。)で表されるエピタキシャル膜を成膜する。
【選択図】なし
Description
(式中、AはY、Scを含む希土類元素のいずれか1種又は2種以上を含む元素を示し、BはZrを示し、yは0.03以上0.20以下の数値を示す。)で表される金属ターゲットを用い、膜厚が1.0nm以上10nm以下のSiO2層を表面に有するSi基板を加熱し、該基板上に、
組成式:xA2O3−(1−x)BO2 (2)
(式中、A、Bは式(1)におけるA、Bとそれぞれ同じ金属元素を示し、xが0.010以上0.035以下の数値を示す。)で表されるエピタキシャル膜を成膜することを特徴とするエピタキシャル膜の製造方法に関する。
組成式:xA2O3−(1−x)BO2 (2)
(式中、AがY、Scを含む希土類元素のいずれか1種又は2種以上を含む元素を示し、BがZrを示し、xが0.010以上0.035以下の数値を示す。)で表されることを特徴とするエピタキシャル膜に関する。
組成式:xA2O3−(1−x)BO2 (2)
(式中、AがY、Scを含む希土類元素のいずれか1種又は2種以上を含む元素を示し、BがZrを示し、xが0.010以上0.035以下の数値を示す。)で表されるエピタキシャル膜を有することを特徴とする圧電体素子に関する。
組成式:xA2O3−(1−x)BO2 (2)
(式中、AがY、Scを含む希土類元素のいずれか1種又は2種以上を含む元素を示し、BがZrを示し、xが0.010以上0.035以下の数値を示す。)で表されるエピタキシャル膜を有することを特徴とする強誘電体素子に関する。
本発明のエピタキシャル膜の製造方法は、組成式(1)で表される金属ターゲットを用い、膜厚が1.0nm以上10nm以下のSiO2層を表面に有するSi基板を加熱し、該基板上に、組成式(2)で表されるエピタキシャル膜を成膜することを特徴とする。
組成式(2):xA2O3−(1−x)BO2 (2)で表されるエピタキシャル膜を有することを特徴とする。式(2)中、AがY、Scを含む希土類元素のいずれか1種又は2種以上を含む元素を示し、BがZrを示し、xが0.010以上0.035以下の数値を示す。
[実施例1]
[エピタキシャル膜の作製]
Y成分とZr成分を含有する真空溶融法で作成した練りこみ金属ターゲット0.11Y−0.89Zrを用いて、Si(100)単結晶基板上に、以下のようにエピタキシャル膜を成膜した。
加熱温度を624℃に設定し、30分間基板を加熱した。30分経過した後、Arガスを導入し、スパッタ電源をつけ、プレスパッタを開始した。このときのガス圧とスパッタ電力はそれぞれ、0.5Paと2.96W/cm2とした。10分間プレスパッタを行った後、4秒間スパッタし、初期層を成膜した。
初期層を形成した後、スパッタ電源を落とし、O2ガスを導入した。再びスパッタ電源をつけ、プレスパッタを開始した。このときのガス圧とスパッタ電力はそれぞれ、0.3Paと5.92W/cm2とし、ArとO2の混合ガスを用いた。プレスパッタは初期層のプレスパッタ開始時間からの積算時間が15分になったところで終了させ、その後に酸化層を成膜した。
(XRDによる評価)
得られたエピタキシャル膜をXRD(パナリティカル社製:X'Pert MRD)を行い評価した。管球にはCuKα1を用い、管電圧は45kV、管電流は40mAとした。測定は平行ビーム法で行い、光学系は、入射側にはGe(220)のハイブリッドミラー、縦発散防止の1/2°スリット、横発散防止の0.02radソーラースリットを用いた。また、受光側には0.09°のコリメータを用いた。エピタキシャル膜のXRDを図4に示す。Y2O3−ZrO2(200)配向のピーク強度は9997cpsであった。また、該ピークの半価幅は0.7552°、格子定数は0.517nmであった。
分光エリプソメーター(JOBIN YVON社製:UVISEL)によりエピタキシャル膜成膜後のSi基板上のSiO2層、Y2O3−ZrO2層の膜厚を測定した。それぞれ2.3nmと158.1nmであった。
XRF(蛍光X線分析装置、パナリティカル社製:Magix Pro)により、得られたエピタキシャル膜の組成を測定した。0.020Y2O3−0.980ZrO2であった。
上記エピタキシャル膜上に、CeO2層、LaNiO3とSrRuO3の第一の電極層をスパッタ成膜し、その上にPZT(001)圧電膜を3.0μm厚で成膜し、第二の電極層としてAu電極を蒸着し、圧電体素子を得た。
上記圧電体素子を用いて、図1の形態の液体吐出ヘッドを作製し、液吐出特性を評価した。変位特性及び耐久特性ともに良好なヘッドであった。特に、4インチSi基板からのヘッド取り出しで、特性が安定し、歩留まりが向上した。
[エピタキシャル膜の作製]
Y成分とZr成分を含有する練りこみ金属ターゲット0.14Y−0.86Zrを用いて、Si(100)単結晶基板上に、以下のようにエピタキシャル膜を成膜した。
加熱温度を635℃に設定し、30分間基板を加熱した。30分経過した後、Arガスを導入し、スパッタ電源をつけ、プレスパッタを開始した。このときのガス圧とスパッタ電力はそれぞれ、0.3Paと2.96W/cm2とした。10分間プレスパッタを行った後、4秒間スパッタし、初期層を成膜した。
初期層を形成した後、スパッタ電源を落とし、O2ガスを導入した。再びスパッタ電源をつけ、プレスパッタを開始した。このときのガス圧とスパッタ電力はそれぞれ、0.3Paと5.92W/cm2とし、ArとO2の混合ガスを用いた。プレスパッタは初期層のプレスパッタ開始時間からの積算時間が15分になったところで終了させ、その後に酸化層を成膜した。
(XRDによる評価)
得られたエピタキシャル膜を実施例1と同様にしてXRD測定を行った。Y2O3−ZrO2(200)配向のピーク強度は8652cpsであった。また、該ピークの半価幅は0.7787°、格子定数は0.517nmであった。
実施例1と同様にしてエピタキシャル膜成膜後のSi基板上のSiO2層、Y2O3−ZrO2層の膜厚を測定した。それぞれ2.1nmと141.7nmであった。
実施例1と同様にして得られたエピタキシャル膜の組成を測定した。0.035Y2O3−0.965ZrO2であった。
[エピタキシャル膜の作製]
Y成分とZr成分を含有する作成した練りこみ金属ターゲット0.07Y−0.93Zrを用いて、Si(100)単結晶基板上に、以下のようにエピタキシャル膜を成膜した。
加熱温度を600℃に設定し、25分間基板を加熱した。35分経過した後、Arガスを導入し、スパッタ電源をつけ、プレスパッタを開始した。このときのガス圧とスパッタ電力はそれぞれ、0.5Paと2.96W/cm2とした。10分間プレスパッタを行った後、4秒間スパッタし、初期層を成膜した。
初期層を形成した後、スパッタ電源を落とし、O2ガスを導入した。再びスパッタ電源をつけ、プレスパッタを開始した。このときのガス圧とスパッタ電力はそれぞれ、0.5Paと5.92W/cm2とし、ArとO2の混合ガスを用いた。プレスパッタは初期層のプレスパッタ開始時間からの積算時間が15分になったところで終了させ、その後に酸化層を成膜した。
(XRDによる評価)
得られたエピタキシャル膜を実施例1と同様にしてXRD測定を行った。Y2O3−ZrO2(200)配向のピーク強度は8315cpsであった。また、該ピークの半価幅は0.7982°、格子定数は0.517nmであった。
実施例1と同様にしてエピタキシャル膜成膜後のSi基板上のSiO2層、Y2O3−ZrO2層の膜厚を測定した。それぞれ2.2nmと168.3nmであった。
実施例1と同様にして得られたエピタキシャル膜の組成を測定した。0.010Y2O3−0.990ZrO2であった。
Y成分とZr成分を含有する練りこみ金属ターゲット0.22Y−0.78Zrを用いて、Si(100)単結晶基板上にエピタキシャル膜を成膜した。
加熱温度を800℃に設定し、25分間基板を加熱した。35分経過した後、Arガスを導入し、スパッタ電源をつけ、プレスパッタを開始した。このときのガス圧とスパッタ電力はそれぞれ、0.3Paと2.96W/cm2とした。10分間プレスパッタを行った後、4秒間スパッタし、初期層を成膜した。
初期層を形成した後、スパッタ電源を落とし、O2ガスを導入した。再びスパッタ電源をつけ、プレスパッタを開始した。このときのガス圧とスパッタ電力はそれぞれ、0.5Paと2.76W/cm2とした。プレスパッタは初期層のプレスパッタ開始時間からの積算時間が15分になったところで終了させ、その後に酸化層を成膜した。
(XRDによる評価)
得られたエピタキシャル膜を実施例1と同様にしてXRD測定を行った。Y2O3−ZrO2(200)配向のピーク強度は1641cpsであった。また、該ピークの半価幅は0.9474°、格子定数は0.518nmであった。
実施例1と同様にして、エピタキシャル膜成膜後のSi基板上のSiO2層、Y2O3−ZrO2層の膜厚を測定した。それぞれ2.2nmと117.3nmであった。
実施例1と同様にして、得られたエピタキシャル膜の組成を測定した。0.037Y2O3−0.963ZrO2であった。ここでY2O3の量とY2O3−ZrO2(200)配向の半価幅の関係を図6に示す。図6から分かるようにY2O3の量が0.035molを超えると半価幅は広がり、0.8°を超える。また、0.010molより少なくなるときも半価幅は0.8°を超える。
Y成分とZr成分を含有する練りこみ金属ターゲット0.32Y−0.68Zrを用いて、Si(100)単結晶基板上にエピタキシャル膜を成膜した。
加熱温度を760℃に設定し、30分間基板を加熱した。30分経過した後、Arガスを導入し、スパッタ電源をつけ、プレスパッタを開始した。このときのガス圧とスパッタ電力はそれぞれ、1.0Paと0.69W/cm2とした。10分間プレスパッタを行った後、4秒間スパッタし、初期層を成膜した。
初期層を形成した後、スパッタ電源を落とし、O2ガスを導入した。再びスパッタ電源をつけ、プレスパッタを開始した。このときのガス圧とスパッタ電力はそれぞれ、1.0Paと2.76W/cm2とした。プレスパッタは初期層のプレスパッタ開始時間からの積算時間が15分になったところで終了させ、その後に酸化層を成膜した。
(XRDによる評価)
得られたエピタクシャル膜を実施例1と同様にしてXRD測定を行った。Y2O3−ZrO2(002)配向のピーク強度は142.7cps、該ピークの半価幅、格子定数は測定不能だった。
実施例1と同様にして、エピタキシャル膜成膜後のSi基板上のSiO2層、Y2O3−ZrO2層の膜厚を測定した。それぞれ2.3nmと158.1nmであった。
実施例1と同様にして、得られたエピタキシャル膜の組成を測定した。0.113Y2O3−0.887ZrO2であった。
金属Zr上に2.5mm角のY金属チップを4枚中心から15mmの位置に放射状に配置した積載ターゲットを用いて、Si(100)単結晶基板上にエピタキシャル膜を成膜した。
加熱温度を624℃に設定し、30分間基板を加熱した。30分経過した後、Arガスを導入し、スパッタ電源をつけ、プレスパッタを開始した。このときのガス圧とスパッタ電力はそれぞれ、1.3Paと2.96W/cm2とした。10分間プレスパッタを行った後、6秒間スパッタし、初期層を成膜した。
初期層を形成した後、スパッタ電源を落とし、O2ガスを導入した。再びスパッタ電源をつけ、プレスパッタを開始した。このときのガス圧とスパッタ電力はそれぞれ、0.9Paと5.92W/cm2とし、ArとO2の混合ガスを用いた。プレスパッタは初期層のプレスパッタ開始時間からの積算時間が15分になったところで終了させ、その後に酸化層を成膜した。
(XRDによる評価)
得られたエピタクシャル膜を実施例1と同様にしてXRD測定を行った。Y2O3−ZrO2(002)配向のピーク強度は273.8cps、該ピークの半価幅は1.8759°、格子定数は0.520nmであった。
実施例1と同様にして、得られたエピタキシャル膜の組成を測定した。0.208Y2O3−0.792ZrO2であった。Y2O3−ZrO2層の膜厚は117.3nmであった。
金属Zr上に2.5mm角のYチップを4枚中心から15mmの位置に放射状に配置したターゲットを用いて、Si(100)単結晶基板上にエピタキシャル膜を成膜した。
基板の加熱温度を900℃に設定した他は比較例2と同様にして、初期層を成膜した。
初期層を形成した後、スパッタ電源を落とし、O2ガスを導入した。再びスパッタ電源をつけ、プレスパッタを開始した。このときのガス圧とスパッタ電力はそれぞれ、1.3Paと5.92W/cm2とした。プレスパッタは初期層のプレスパッタ開始時間からの積算時間が15分になったところで終了させ、その後に酸化層を成膜した。
(XRDによる評価)
得られたエピタクシャル膜を実施例1と同様にしてXRD測定を行った。Y2O3−ZrO2(002)配向のピーク強度は確認できず、結晶化していなかった。また、見た目も白濁していた。
実施例1と同様にして、得られたエピタキシャル膜の組成を測定した。0.14Y2O3−0.862ZrO2であった。Y2O3−ZrO2層の膜厚は104.8nmであった。
[強誘電体素子の作製]
実施例1と同様にしてYSZからなるエピタキシャル膜上に、Pt(111)エピタキシャル膜を成膜し、その上にSrRuO3(111)膜を成膜した。この上にPZTを成膜した、結晶性のよい(111)エピタキシャル膜を得ることができた。膜厚は、150nmとした。この膜の残留分極率Prは、40μC/cm2近くあり、繰り返し耐性に関しても良好であった。
7 圧電体層
10 圧電体素子
16 第一の電極層
16 第二の電極層
19 エピタキシャル膜
Claims (16)
- 組成式:yA(1−y)B (1)
(式中、AはY、Scを含む希土類元素のいずれか1種又は2種以上を含む元素を示し、BはZrを示し、yは0.03以上0.20以下の数値を示す。)で表される金属ターゲットを用い、膜厚が1.0nm以上10nm以下のSiO2層を表面に有するSi基板を加熱し、該基板上に、
組成式:xA2O3−(1−x)BO2 (2)
(式中、A、Bは式(1)におけるA、Bとそれぞれ同じ金属元素を示し、xが0.010以上0.035以下の数値を示す。)で表されるエピタキシャル膜を成膜することを特徴とするエピタキシャル膜の製造方法。 - 前記エピタキシャル膜が、組成式(2)中、AがYを示し、格子定数が0.515nm以上0.518nm以下の結晶構造を有することを特徴とする請求項1記載のエピタキシャル膜の製造方法。
- 前記成膜にスパッタリング法を用いることを特徴とする請求項1又は2記載のエピタキシャル膜の製造方法。
- 前記成膜を不活性ガスの中で開始することを特徴とする請求項1から3のいずれか記載のエピタキシャル膜の製造方法。
- 前記Si基板を400℃以上760℃以下に加熱することを特徴とする請求項1から4のいずれか記載のエピタキシャル膜の製造方法。
- 請求項1から5のいずれかに記載のエピタキシャル膜の製造方法を用いてSi基板上にエピタキシャル膜を成膜する工程、第一の電極層を設ける工程、Si基板に対して、(100)配向、(001)配向、(110)配向、(111)配向、又は、(100)配向と(001)配向との混合配向である圧電体層を設ける工程、第二の電極層を設ける工程を有することを特徴とする圧電体素子の製造方法。
- 請求項1から6のいずれかに記載のエピタキシャル膜の製造方法を用いてSi基板上にエピタキシャル膜を成膜する工程、第一の電極層を設ける工程、Si基板に対して、(111)配向の強誘電体層を設ける工程、第二の電極層を設ける工程を有することを特徴とする強誘電体素子の製造方法。
- Si基板上に成膜され、
組成式:xA2O3−(1−x)BO2 (2)
(式中、AがY、Scを含む希土類元素のいずれか1種又は2種以上を含む元素を示し、BがZrを示し、xが0.010以上0.035以下の数値を示す。)で表されることを特徴とするエピタキシャル膜。 - 格子定数が0.515nm以上0.518nm以下であることを特徴とする請求項8記載のエピタキシャル膜。
- 膜厚が1.0nm以上500nm以下であることを特徴とする請求項8又は9記載のエピタキシャル膜。
- Si基板上に、第一の電極層、圧電体層及び第二の電極層をこの順に有する圧電体素子において、前記Si基板と前記第一の電極層との間に、
組成式:xA2O3−(1−x)BO2 (2)
(式中、AがY、Scを含む希土類元素のいずれか1種又は2種以上を含む元素を示し、BがZrを示し、xが0.010以上0.035以下の数値を示す。)で表されるエピタキシャル膜を有することを特徴とする圧電体素子。 - 前記圧電体層が、前記Si基板に対して、(100)配向、(001)配向、(110)配向、(111)配向、又は、(100)配向と(001)配向との混合配向であることを特徴とする請求項11記載の圧電体素子。
- 前記圧電体層の膜厚が、1.0nm以上500nm以下であることを特徴とする請求項11又は12記載の圧電体素子。
- 請求項11から13のいずれか記載の圧電体素子を有し、該圧電体素子を用いて液体を吐出することを特徴とする液体吐出ヘッド。
- Si基板上に、第一の電極層、強誘電体層、及び第二の電極層をこの順に有する強誘電体素子において、前記Si基板と前記第一の電極層との間に、
組成式:xA2O3−(1−x)BO2 (2)
(式中、AがY、Scを含む希土類元素のいずれか1種又は2種以上を含む元素を示し、BがZrを示し、xが0.010以上0.035以下の数値を示す。)で表されるエピタキシャル膜を有することを特徴とする強誘電体素子。 - 前記強誘電体層が、前記Si基板に対して、(111)配向であることを特徴とする請求項15記載の強誘電体素子。
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