JP2008270813A5 - - Google Patents
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- 端子ピン(12)と、基準電位端子(14)と、これらの端子ピン(12)と基準電位端子(14)の間に接続されるESD保護回路(16)とを有し、
前記ESD保護回路(16)は第1の電流端子(20)と第2の電流端子(22)と制御端子(24)を備えたESDトランジスタ(18)を有しており、
前記ESDトランジスタ(18)は導通制御された状態において端子ピン(12)から第1の電流端子(20)及び第2の電流端子(22)を介して基準電位端子(14)までつながる第1の電流パス(26)に接続されており、
前記制御端子(24)はキャパシタンス(28)を介して第1の電流端子(20)と第2の電流端子(22)に抵抗結合されている回路(10)において、
前記第1の電流端子(20)がさらに抵抗性素子(34)を有する第2の電流パス(32)を介して基準電位端子(14)に結合されることを特徴とする回路(10)。 - 前記抵抗性素子(34)の抵抗値は、前記キャパシタンス(28)がESDトランジスタ(18)の非導通制御状態のもとで1秒よりも小さい時定数でもって放電される値である、請求項1記載の回路(10)。
- 前記ESDトランジスタ(18)の制御端子(24)と第2の電流端子(22)の間にオーム抵抗(30)が設けられている、請求項1または2記載の回路(10)。
- 前記ESDトランジスタ(18)の制御端子(24)と第2の電流端子(22)の間に抵抗として接続される制御トランジスタが設けられ、該制御トランジスタが抵抗結合を生じさせている、請求項1または2記載の回路(10)。
- 前記接続ピン(12)と第1の電流端子(20)の間の第1の電流パス(26)内に第1のダイオード(D1)が順方向に配設されている、請求項1から4いずれか1項記載の回路(10)。
- 前記接続ピン(12)と基準電位端子(14)の間に第2のダイオード(D2)が阻止方向に配設されている、請求項1から5いずれか1項記載の回路(10)。
- 前記キャパシタンス(28)はESDトランジスタ(18)の寄生キャパシタンスである、請求項1から6いずれか1項記載の回路(10)。
- 前記ESDトランジスタ(18)の制御端子(24)と基準電位端子(14)の間の第3の電流パス内に制御電圧制限ダイオード(D3)が阻止方向に配設されている、請求項1から7いずれか1項記載の回路(10)。
- 前記ESDトランジスタ(18)の第1の電流端子(20)と制御端子(24)の間の第4の電流パス内に少なくとも1つのさらなる第4のダイオード(D4;D4.1〜D4.x)が阻止方向に配設されている、請求項1から8いずれか1項記載の回路(10)。
- 前記第1の電流端子(20)と基準電位端子(14)の間の抵抗性素子(34)と直列に第5のダイオード(D5)が阻止方向に配設されている、請求項1から9いずれか1項記載の回路(10)。
- 前記第1の電流端子(20)と基準電位端子(14)の間の抵抗性素子(34)と直列に複数の第5のダイオード(D5)からなる直列回路が阻止方向に配設されている、請求項1から9いずれか1項記載の回路(10)。
- 前記抵抗性素子(34)は、制御電圧制限ダイオード(D3)に対して直列に、あるいは制御電圧制限ダイオード(D3)と少なくとも1つのさらなるダイオード(D4;D4.1〜D4.x)からなる直列回路に対して直列に、第1の電流端子(20)と基準電位端子(14)の間の電流パス内に設けられている、請求項1から9いずれか1項記載の回路(10)。
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