JP2010533965A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 特に駆動回路である回路装置（１００）であり、少なくとも１個の発光部品（２０）、特に、少なくとも１個の発光ダイオード（ＬＥＤ）又はエレクトロルミネセントダイオードを含む少なくとも１個の電気光学変換器、あるいは、少なくとも１個の半導体レーザを含む少なくとも１個のレーザを制御する回路装置であって、当該回路装置は、
   当該回路装置（１００）に電圧を供給する少なくとも１個の供給素子（１０；１０’）であって、特にデカップリングコンデンサによって出力側でサポートされる少なくとも１個の電圧源又は少なくとも１個の電流源である当該供給素子と、
   少なくとも第１のスイッチング位置と第２のスイッチング位置との間で切り換えることによって前記発光部品（２０）を制御する少なくとも１個のスイッチング素子（３０）であって、当該スイッチング素子が前記第２のスイッチング位置にあるとき、少なくとも１個の追加的な回路部品（４０；４０’）が、アクティブ又はオンに切り換えられるものである当該スイッチング素子と、を備え、
   前記追加的な回路部品（４０；４０’）は、前記発光部品（２０）の動作電圧を変化させる少なくとも１個の電圧制限素子であることを特徴とする回路装置。
2. 前記第１のスイッチング位置にあるとき、前記供給素子（１０；１０’）によって提供される電圧の全体又は略全体は、前記発光部品（２０）を通して降下することを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
3. 前記電圧制限素子（４０；４０’）は、
   ０．２ボルト未満の電圧に代表され、特に約１ボルト未満の電圧である低電圧において、実質的に電流を遮断する効果を発揮し、
   特に０．２ボルトに代表される破壊電圧であり、電圧の特定の臨界値又はしきい値からの大電流上昇を可能とする、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の回路装置。
4. 前記電圧制限素子（４０；４０’）は、
   少なくとも１個のＰＮダイオード、少なくとも１個のショットキーダイオードを含み、順方向接続された少なくとも１個のダイオード、又は、
   非線形特性（Ｄ）を有する少なくとも１個の電位依存性抵抗、又は、
   少なくとも１個のバリスタ、
   と同様に作用することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の回路装置。
5. 前記電圧制限素子（４０；４０’）は、
   少なくとも１個の供給素子（４２；４２’）、特にデカップリングコンデンサによって出力側でサポートされる少なくとも１個の電圧源又は少なくとも１個の電流源と、
   少なくとも１個のトランジスタ（４４；４４’）、特に少なくとも１個のＰチャネルトランジスタ、例えば少なくとも１個のＰチャネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と、
   を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の回路装置。
6. 前記トランジスタ（４４；４４’）は、
   前記供給素子（４２；４２’）によって電圧、特にマイナス２００ミリボルトに代表される負電圧が供給されるゲート接続（Ｇ）と、前記発光部品（２０）、前記スイッチング素子（３０）及び前記電圧制限素子（４０’）を接続する、特に低抵抗である節点（Ｎ）に割り当てられたソース接続（Ｓ）とを備え、
   ソース−ゲート電圧が前記トランジスタ（４４、４４’）のしきい値電圧より低いとき、高抵抗を特徴として遮断し、
   ソース−ゲート電圧が前記トランジスタ（４４、４４’）のしきい値電圧より高いとき、低抵抗を特徴として導通する、
   ことを特徴とする請求項５に記載の回路装置。
7. 前記電圧制限素子（４０’）は、前記追加的な回路部品（４０’）として、少なくとも１個の電圧制御素子及び演算処理素子の一方又は双方（４６’）、特に少なくとも１個の増幅器及び少なくとも１個のコンパレータの一方又は双方を備えるものであり、
   前記電圧制御素子及び演算処理素子の一方又は双方（４６’）は、
   前記トランジスタ（４４’）の前記ソース接続（Ｓ）における電圧を特定し、
   前記特定された電圧と前記供給素子（４２’）により提供される電圧とを比較し、
   前記供給素子（４２’）により提供される電圧が前記トランジスタ（４４’）の前記ソース接続（Ｓ）における電圧より小さいとき、ソースフォロワとして接続される前記トランジスタ（４４’）をアクティブにしかつ導通する、ように構成されるものであること、を特徴とする請求項５又は６に記載の回路装置。
8. 特に前記第２のスイッチング位置にあるとき、前記電圧制限素子（４０；４０’）は、前記発光部品（２０）と直列に配置されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の回路装置。
9. 特に前記第１のスイッチング位置にあるとき、前記電圧制限素子（４０；４０’）は、前記スイッチング素子（３０）と並列に配置されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の回路装置。
10. 前記スイッチング素子（３０）の切り換えを制御する制御装置であって、前記スイッチング素子（３０）に割り当てられた少なくとも１個の当該制御装置（５０）であって、当該制御装置は特に信号源であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の回路装置。
11. 少なくとも１個のスイッチング素子（３０）を少なくとも第１のスイッチング位置と第２のスイッチング位置との間で切り換えることによって、少なくとも１個の発光部品（２０）、特に、少なくとも１個の発光ダイオード（ＬＥＤ）又はエレクトロルミネセントダイオードを含む少なくとも１個の電気光学変換器、あるいは、少なくとも１個の半導体レーザを含む少なくとも１個のレーザを制御する方法であって、当該スイッチング素子が前記第２のスイッチング位置にあるとき、少なくとも１個の追加的な回路部品（４０；４０’）が、アクティブ又はオンに切り換えられるものである、当該方法であって、
    前記発光部品（２０）は、その動作電圧を変化させることによって制御されることを特徴とする方法。
12. 前記発光部品（２０）の動作電圧は、前記追加的な回路部品（４０；４０’）をアクティブ又はオンに切り換えることによって制限されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
13. 前記第１のスイッチング位置にあるとき、少なくとも１個の供給素子（１０；１０’）、特にデカップリングコンデンサによって出力側でサポートされる少なくとも１個の電圧源又は少なくとも１個の電流源によって提供される電圧の全体又は略全体が、前記発光部品（２０）に供給されることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の方法。
14. 追加的な回路部品（４０；４０’）として、少なくとも１個の電圧制限素子が、アクティブ又はオンに切り換えられ、特に前記電圧制限素子は、
    少なくとも１個のＰＮダイオード、少なくとも１個のショットキーダイオードを含み、順方向接続された少なくとも１個のダイオード、又は、
    非線形特性（Ｄ）を有する少なくとも１個の電位依存性抵抗、又は、
    少なくとも１個のバリスタ、
    と同様に作用することを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の方法。