JP2008270640A - 発光装置及びその検査方法 - Google Patents
発光装置及びその検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008270640A JP2008270640A JP2007114030A JP2007114030A JP2008270640A JP 2008270640 A JP2008270640 A JP 2008270640A JP 2007114030 A JP2007114030 A JP 2007114030A JP 2007114030 A JP2007114030 A JP 2007114030A JP 2008270640 A JP2008270640 A JP 2008270640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- voltage
- light
- power supply
- switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/07—Arrangements for monitoring or testing transmission systems; Arrangements for fault measurement of transmission systems
- H04B10/075—Arrangements for monitoring or testing transmission systems; Arrangements for fault measurement of transmission systems using an in-service signal
- H04B10/079—Arrangements for monitoring or testing transmission systems; Arrangements for fault measurement of transmission systems using an in-service signal using measurements of the data signal
- H04B10/0799—Monitoring line transmitter or line receiver equipment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【課題】半導体発光素子を精度よく測定できる発光装置及びその検査方法を提供する。
【解決手段】一方の端子が電源端子に接続された発光素子と、前記電源端子と、接地端子と、の間に接続された電圧検出部と、信号が入力される入力端子と、前記接地端子と、の間に接続された駆動回路部と、前記発光素子の他方の端子と、前記駆動回路部と、の間に接続された第1のスイッチと、前記入力端子と、前記発光素子の前記他方の端子と、の間に接続された第2のスイッチと、前記電源端子に印加された電源電圧が第1の電圧乃至第2の電圧の範囲内であることを検出した前記電圧検出部からの出力により前記第1のスイッチが接続かつ前記第2のスイッチが非接続となる動作モードを実行し、前記電源電圧が前記第1の電圧乃至第2の電圧の範囲外であることを検出した前記電圧検出部からの出力により前記第1のスイッチが非接続かつ前記第2のスイッチが接続となる検査モードを実行するスイッチ制御部と、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。
【選択図】図1
【解決手段】一方の端子が電源端子に接続された発光素子と、前記電源端子と、接地端子と、の間に接続された電圧検出部と、信号が入力される入力端子と、前記接地端子と、の間に接続された駆動回路部と、前記発光素子の他方の端子と、前記駆動回路部と、の間に接続された第1のスイッチと、前記入力端子と、前記発光素子の前記他方の端子と、の間に接続された第2のスイッチと、前記電源端子に印加された電源電圧が第1の電圧乃至第2の電圧の範囲内であることを検出した前記電圧検出部からの出力により前記第1のスイッチが接続かつ前記第2のスイッチが非接続となる動作モードを実行し、前記電源電圧が前記第1の電圧乃至第2の電圧の範囲外であることを検出した前記電圧検出部からの出力により前記第1のスイッチが非接続かつ前記第2のスイッチが接続となる検査モードを実行するスイッチ制御部と、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。
【選択図】図1
Description
本発明は、発光装置及びその検査方法に関する。
電源系間を絶縁した状態で信号が伝送できる光結合装置では、入力電気信号が半導体発光素子により光信号に変換されるが、半導体発光素子を駆動するための制御回路が光結合装置に組み込まれている場合が多い。
光結合装置に組み込まれた発光素子を精度よく検査することができれば、特性が均一な光結合装置が得られ信頼性を高めることもできる。
電源電圧が動作保証範囲に達していない場合、電流バイパス回路により発光素子に電流が流れるようにし、受光部の出力を測定することにより光結合効率を測定検査する技術開示例がある(特許文献1)。
特許第3367718号公報
光結合装置に組み込まれた発光素子を精度よく検査することができれば、特性が均一な光結合装置が得られ信頼性を高めることもできる。
電源電圧が動作保証範囲に達していない場合、電流バイパス回路により発光素子に電流が流れるようにし、受光部の出力を測定することにより光結合効率を測定検査する技術開示例がある(特許文献1)。
発光素子を精度よく測定できる発光装置及びその検査方法を提供する。
本発明の一態様によれば、一方の端子が電源端子に接続された発光素子と、前記電源端子と、接地端子と、の間に接続された電圧検出部と、信号が入力される入力端子と、前記接地端子と、の間に接続された駆動回路部と、前記発光素子の他方の端子と、前記駆動回路部と、の間に接続された第1のスイッチと、前記入力端子と、前記発光素子の前記他方の端子と、の間に接続された第2のスイッチと、前記電源端子に印加された電源電圧が第1の電圧乃至第2の電圧の範囲内であることを検出した前記電圧検出部からの出力により前記第1のスイッチが接続かつ前記第2のスイッチが非接続となる動作モードを実行し、前記電源電圧が前記第1の電圧乃至第2の電圧の範囲外であることを検出した前記電圧検出部からの出力により前記第1のスイッチが非接続かつ前記第2のスイッチが接続となる検査モードを実行するスイッチ制御部と、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、入力端子からの信号に基づいて駆動回路により発光素子を駆動可能とした発光装置の検査方法であって、電源端子に印加される電源電圧が第1の電圧乃至第2の電圧の範囲外である場合に、前記駆動回路と前記発光素子とを非接続とし、前記入力端子と前記電源端子との間に前記発光素子を接続して前記発光素子の動作電流を前記入力端子を介して検出することを特徴とする発光装置の検査方法が提供される。
発光素子を精度よく測定できる発光装置及びその検査方法が提供される。
図1は、本発明の実施形態にかかる発光装置を説明するための図である。本図は、例えば光結合装置40の場合であるが本発明はこれに限定されない。入力側には電源(以下Vcc)端子20、入力(以下Vin)端子22、接地(以下GND)端子24が、出力側には電源(以下Vcc1)端子30、出力(以下Vout)端子32、接地(以下GND)端子34が設けられる。
まず、Vcc端子20は、電圧検出部6及び発光素子5のアノードに接続される。「0」及び「1」で構成される入力ディジタル信号はVin端子を経由して駆動回路部4に入力される。駆動回路部4の出力は、第1のスイッチ11の一方の端子に出力される。また、電圧検出部6の出力は、スイッチ制御部10へ入力される。
発光素子5のカソードに接続された抵抗9は、第1のスイッチ11の他方の端子及び第2のスイッチ12の一方の端子と接続される。第2のスイッチ12の他方の端子はVin端子22と接続される。第1及び第2のスイッチ11、12は、スイッチ制御部10によりオンまたはオフに切り替えられる。第1及び第2のスイッチ11、12をMOSFETとすると、そのゲート電圧をスイッチ制御部10により制御し、オンまたはオフに容易に制御できる。
駆動回路部4、電圧検出部6、スイッチ制御部10は、共通のGND端子24に接続される。発光素子5、駆動回路部4、電圧検出部6、スイッチ制御部10、第1及び第2のスイッチ11、12、抵抗9を含む回路を発光素子制御回路42と呼ぶことにする。
発光素子制御回路42により制御され、発光素子5により光に変換された信号は、フォトダイオード14により電気信号に変換される。フォトダイオード14と受光IC13とは受光回路を構成している。受光IC13の出力はVout端子32から外部に取り出される。このようにして、電源系間が絶縁された状態で信号伝送が可能となり、産業機器や電子機器に用いられる。
図2は、電源電圧Vccにより光結合装置40のモードを切り替えることを表す図である。通常の光結合装置40の動作保証範囲は、例えば4.5〜5.5Vとされ、動作モードである。他方、例えば4.4V以下、または5.6V以上の電源電圧範囲は検査モードである。「動作モード」は、信号が伝送される光結合装置40の動作を実行するモードであり、「検査モード」は、例えば光結合装置40を構成する発光素子5の特性を単独に測定するなどの検査を実行するモードである。検査モード範囲を動作保証範囲下側とすると、電源電圧をゼロから上昇させる場合に動作モードを通過しないで検査モードを実行できる。但し、高速性のLEDは動作電圧が高い場合があり、素子製造プロセスにおける耐圧を高くできれは検査モード範囲を動作保証範囲の上側にも設定できるようにするとより好ましい。
図3は、発光素子5に4.5〜5.5Vが印加された動作保証範囲内における動作モードを説明するためのブロック図である。電圧検出部6がVcc端子20の電圧を検出し、4.5〜5.5Vである場合、第1のスイッチ11をオン、第2のスイッチ12をオフ状態とする。この場合、駆動回路部4がVin端子22からの入力信号を図3の破線矢印の経路を介して到達させて発光素子5を駆動する。
図4は、発光素子5に動作保証範囲外の電源電圧が印加された発光装置の検査方法を説明するためのブロック図であり、図5はそのフロー図である。まず、検査モードにするために電源電圧を動作保証範囲外で、例えば6.0Vに設定する(ステップS100)。電圧検出部6がVcc端子20の電圧が動作保証範囲外であると判断した場合(ステップS102)、第1のスイッチ11をオフ、第2のスイッチ12をオン状態とし、駆動回路部4及び発光素子5を分離する(ステップS104)。もし、電源電圧が動作範囲内であればS100に戻り再設定を行う。
図4に表すように、発光素子5及び抵抗9は、Vcc端子20及びVin端子22の間に挿入されることになる。この場合、Vcc端子20から流入し、電圧検出部6、駆動回路部4、スイッチ制御部10などの回路を経由し、GND端子24から流出する破線で表される電流が含まれず、実線で表される動作電流IFがVin端子22において正確に検出できる(ステップS106)。
図6は、比較例にかかる発光装置のブロック図である。本比較例において、Vcc端子20の電源電圧が動作保証範囲より低い場合、電圧検出部6、電流バイパス回路52を経由してGND端子24は駆動回路停止回路50及び電流バイパス回路52をオンとする。このために駆動回路部4がオフとなり、発光素子5及び抵抗9を通った動作電流IFは、GND端子24から流出する。比較例の場合、電圧検出部6、駆動回路停止回路50、駆動回路部4を流れる電流も、共通のGND端子24から流出し、発光素子5の動作電流IFが分離されず発光素子5の効率が精度よく測定できない。
これに対して本実施形態においては、動作電流IFはVcc端子20及びVin端子22の間に流れ、GND端子24を経由しない。このために電圧検出部6、スイッチ制御部10、駆動回路部4を経由してGND端子24から流出する電流を分離でき、検査モードで精度よく動作電流IFを測定することができる。
可視光〜赤外光を放射する発光素子5は、チップ間の初期特性の変動が大きく、連続動作による劣化を生じることもある。このような場合、光結合装置40におけるように制御回路と組み合わされた場合でも、発光素子5のみの特性を検査できる本実施形態が好ましい。新たな測定端子を設けると光結合装置40の形状が大きくなるが、本実施形態では端子を増やすことなく精度よく発光素子5を検査でき、小型化が容易となる。
また、Vin端子22をGND端子24と独立とするために、発光素子5には例えば動作保証範囲より大きい電圧を印加して検査することが容易にできる。
図7は、光結合装置40における受光IC13の出力変化点を説明する図である。縦軸に表す受光IC13の出力Voutは、横軸に表す動作電流IFがしきい値IFthを越すとVoutがLレベルからHレベルへとターンオンとなる。ここで、例えばHレベルをVcc1よりもやや低く、Lレベルをゼロ、すなわち接地電位よりもやや高くする。
図7は、光結合装置40における受光IC13の出力変化点を説明する図である。縦軸に表す受光IC13の出力Voutは、横軸に表す動作電流IFがしきい値IFthを越すとVoutがLレベルからHレベルへとターンオンとなる。ここで、例えばHレベルをVcc1よりもやや低く、Lレベルをゼロ、すなわち接地電位よりもやや高くする。
検査モードにおいて動作電流IFをディジタル的に増加させていきVoutがターンオンする動作電流IFを求め、発光素子5のパワー効率の相対値を知ることができる。発光素子5は、初期特性値の分布、すなわちばらつきがあるためにパワー効率の分布を生じる。従って、検査工程においてパワー効率を精度よく測定できることが好ましい。パワー効率は、光子数を直流入力電力で除算したものである。
この場合、受光IC13がディジタル出力であっても発光素子5のパワー効率は動作電流IFを変化させ受光IC13の出力の変化点により容易に求められる。図6はターンオンとなる場合を表しているが、発光素子制御回路42および入力信号により、動作電流IFがIFthを越すとターンオフとなるようにすることもできる。また、この出力の変化点から発光素子5と受光IC13との間の結合効率を求めることができる。
以上は、光結合装置40の場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、光データリンクにおいて、発光素子制御回路42に設けられたスイッチを切り替え、GND端子を経由しないで動作電流IFを精度よく測定し、発光素子5のパワー効率や光データリンクの結合効率を求めることができる。
図8は本実施形態にかかる発光素子制御回路42を表す回路図である。本実施形態の電圧検出部6は破線部で構成されている。V3なる電位は、コレクタ・ベース間が接続された4つのトランジスタQ13、Q21、Q22、Q14が直列接続された4VBEとなる。また、V4はVccがR3及びR4で分割されて決まる。VBEを0.7Vとすると、Vcc>4VBE=2.8Vで、Q5にI1、Q8にI2、Q23にI3が流れ、動作モードが始まる。
また、V4はVccがR3及びR4で分割されて決まる。V4<V3であればV1がLレベルとでき、NOT回路26の出力V2がHレベル、すなわち略Vccの電位となる。このために第1のスイッチ11(M1)がオン、第2のスイッチ12(M2)がオフ状態となり、動作モードとできる。この場合、例えば、R3=R4とすると、Vcc<4VBE×2=2.8×2=5.6Vとなり、Vcc<5.6VとするとV4<V3となり動作モードとできる。
他方、Vcc≧5.6VとするとV4≧V3となり、V1がHレベル、NOT回路26の出力V2がLレベル、すなわち略GND電位となる。このために第1のスイッチ11がオフ、第2のスイッチ12がオン状態となり、検査モードとできる。なお、第1及び第2のスイッチ11、12はともにMOSFETとすると、NOT回路26により相補的にオンまたはオフとでき、制御が容易となる。
図8の実施形態において、電源電圧Vccが動作保証範囲内であれば、Vin端子22からの信号入力がトランジスタ(Q20)のコレクタへ伝達され、発光素子5が駆動される。他方電源電圧が動作保証範囲外であれば、第1のスイッチ11がオフ、第2のスイッチ12がオンとなり、発光素子5の動作電流IFは電圧検出部、駆動回路部、スイッチ制御部を経由せず、Vin端子22へ直接流れる。このためにGNDラインに流れる電流を含まない発光素子5の正確な動作電流IFを検出できる。
図9は、電源電圧Vccが動作保証範囲よりも低い場合の電圧検出部6を表す回路図である。この場合、Vcc端子20及び接地端子24の間にトランジスタ60を挿入して電圧検出を行う。例えば、Vcc端子24及びトランジスタ60のベース間に7つの直列ダイオード(図9ではダイオード接続されたトランジスタ62)を挿入すると、約3.7V以下ではトランジスタ60をオフとでき、そのコレクタ電位によりスイッチ制御部10を制御し、検査モードとできる。
以上、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらに限定されない。例えば、前述した各実施形態においては、電源電圧Vccがプラスの場合について説明したが、これとは反対に電源電圧Vccがマイナスであってもよい。この場合、例えば、発光素子、受光素子、制御回路などを構成する各半導体の導電型を反転させればよい。またさらに、本発明を構成する電圧検出部、駆動回路部、スイッチ制御部、発光素子、スイッチなどの配置及び構成などに関して当業者が変更を行ったものであっても本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。
4 駆動回路部、5 発光素子、6 電圧検出部、10 スイッチ制御部、11 第1のスイッチ、12 第2のスイッチ、20 電源端子、22 入力端子、24 接地端子、60 トランジスタ
Claims (5)
- 一方の端子が電源端子に接続された発光素子と、
前記電源端子と、接地端子と、の間に接続された電圧検出部と、
信号が入力される入力端子と、前記接地端子と、の間に接続された駆動回路部と、
前記発光素子の他方の端子と、前記駆動回路部と、の間に接続された第1のスイッチと、
前記入力端子と、前記発光素子の前記他方の端子と、の間に接続された第2のスイッチと、
前記電源端子に印加された電源電圧が第1の電圧乃至第2の電圧の範囲内であることを検出した前記電圧検出部からの出力により前記第1のスイッチが接続かつ前記第2のスイッチが非接続となる動作モードを実行し、前記電源電圧が前記第1の電圧乃至第2の電圧の範囲外であることを検出した前記電圧検出部からの出力により前記第1のスイッチが非接続かつ前記第2のスイッチが接続となる検査モードを実行するスイッチ制御部と、
を備えたことを特徴とする発光装置。 - 前記電圧検出部は、前記電源端子と前記接地端子との間を抵抗分割した第1の電位と、複数の直列ダイオードの順方向降下電圧により決定される第2の電位と、を比較して、前記第1の電位の絶対値が前記第2の電位の絶対値よりも高い場合に前記検査モードとする出力を前記スイッチ制御部に入力することを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記電圧検出部は、直列に接続された複数のダイオード及びトランジスタを含み、
前記複数のダイオードは、前記電源端子と前記トランジスタのベースとの間で直接に接続され、
前記トランジスタのエミッタは、前記接地端子に接続され、
前記トランジスタのコレクタは、前記電源端子に印加された前記電源電圧の絶対値が前記第1の電圧乃至第2の電圧の範囲よりも低い場合に前記検査モードとする出力を前記スイッチ制御部に入力することを特徴とする請求項1記載の発光装置。 - 入力端子からの信号に基づいて駆動回路により発光素子を駆動可能とした発光装置の検査方法であって、
電源端子に印加される電源電圧が第1の電圧乃至第2の電圧の範囲外である場合に、前記駆動回路と前記発光素子とを非接続とし、前記入力端子と前記電源端子との間に前記発光素子を接続して前記発光素子の動作電流を前記入力端子を介して検出することを特徴とする発光装置の検査方法。 - 前記発光装置は、受光回路をさらに有し、
前記発光素子の動作電流を変化させて前記受光回路の出力信号がターンオンまたはターンオフするしきい値電流を検出することを特徴とする請求項4記載の発光装置の検査方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007114030A JP2008270640A (ja) | 2007-04-24 | 2007-04-24 | 発光装置及びその検査方法 |
US12/108,696 US7642494B2 (en) | 2007-04-24 | 2008-04-24 | Light emitting apparatus and method for inspecting same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007114030A JP2008270640A (ja) | 2007-04-24 | 2007-04-24 | 発光装置及びその検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008270640A true JP2008270640A (ja) | 2008-11-06 |
Family
ID=39885858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007114030A Pending JP2008270640A (ja) | 2007-04-24 | 2007-04-24 | 発光装置及びその検査方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7642494B2 (ja) |
JP (1) | JP2008270640A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011160096A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Toshiba Corp | 光送信回路、光受信回路及び光結合型絶縁回路 |
JP2013042280A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Toshiba Corp | 半導体装置、その検査方法および送信回路 |
JP2013179661A (ja) * | 2013-04-30 | 2013-09-09 | Toshiba Corp | 光結合型絶縁回路 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11228278B2 (en) | 2007-11-02 | 2022-01-18 | Tigo Energy, Inc. | System and method for enhanced watch dog in solar panel installations |
US8933321B2 (en) | 2009-02-05 | 2015-01-13 | Tigo Energy, Inc. | Systems and methods for an enhanced watchdog in solar module installations |
US8854193B2 (en) | 2009-12-29 | 2014-10-07 | Tigo Energy, Inc. | Systems and methods for remote or local shut-off of a photovoltaic system |
JP5618346B2 (ja) * | 2010-01-26 | 2014-11-05 | ローム株式会社 | 携帯電話機 |
WO2011133928A2 (en) | 2010-04-22 | 2011-10-27 | Tigo Energy, Inc. | System and method for enhanced watch dog in solar panel installations |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3367718B2 (ja) | 1993-09-09 | 2003-01-20 | 株式会社東芝 | 半導体フォト・カプラ |
-
2007
- 2007-04-24 JP JP2007114030A patent/JP2008270640A/ja active Pending
-
2008
- 2008-04-24 US US12/108,696 patent/US7642494B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011160096A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Toshiba Corp | 光送信回路、光受信回路及び光結合型絶縁回路 |
US8731407B2 (en) | 2010-01-29 | 2014-05-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optically coupled insulating device |
JP2013042280A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Toshiba Corp | 半導体装置、その検査方法および送信回路 |
JP2013179661A (ja) * | 2013-04-30 | 2013-09-09 | Toshiba Corp | 光結合型絶縁回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080265185A1 (en) | 2008-10-30 |
US7642494B2 (en) | 2010-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008270640A (ja) | 発光装置及びその検査方法 | |
JP5636241B2 (ja) | Led駆動装置 | |
KR101184165B1 (ko) | 디바이스 및 발광기의 제어 방법 | |
US7459910B2 (en) | Contact welding detecting device for relay | |
US20110115530A1 (en) | Output current detecting circuit and transmission circuit | |
WO2019235027A1 (ja) | 組電池監視システム | |
US7684163B2 (en) | Abnormal connection detecting circuit and driving device including the same | |
CN110178444B (zh) | 电路和用于操作电路的方法 | |
US10069574B2 (en) | Optocoupler with indication of light source power supply failure | |
KR101415621B1 (ko) | Led 제어 회로 및 led 제어 회로를 위한 방법 | |
KR100213845B1 (ko) | 집적 전원 공급 모니터회로 | |
US7750816B2 (en) | Surge current alarm circuit | |
JP2006300842A (ja) | 半導体回路、半導体デバイス、および、該半導体回路の検査方法 | |
JP5576250B2 (ja) | 電圧測定装置 | |
KR100502057B1 (ko) | 광전기 변환 집적회로장치 | |
JP4503059B2 (ja) | 光結合装置 | |
JP5831527B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2011171547A (ja) | 発光ダイオードの故障検出回路 | |
JP2006349466A (ja) | 温度検出装置 | |
JP2008098495A (ja) | Led故障検出装置 | |
EP2161761A2 (en) | Relay circuit | |
CN112649712A (zh) | 半导体设备 | |
JP2010183345A (ja) | トランスインピーダンス増幅器及びアナログ/デジタル変換回路 | |
JP2009276219A (ja) | 光リレー回路 | |
US8576886B2 (en) | Laser diode drive circuit and image forming apparatus incorporating same |