JP2013042280A - 半導体装置、その検査方法および送信回路 - Google Patents
半導体装置、その検査方法および送信回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013042280A JP2013042280A JP2011176801A JP2011176801A JP2013042280A JP 2013042280 A JP2013042280 A JP 2013042280A JP 2011176801 A JP2011176801 A JP 2011176801A JP 2011176801 A JP2011176801 A JP 2011176801A JP 2013042280 A JP2013042280 A JP 2013042280A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- reference signal
- voltage
- emitting element
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/80—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water
- H04B10/801—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water using optical interconnects, e.g. light coupled isolators, circuit board interconnections
- H04B10/802—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water using optical interconnects, e.g. light coupled isolators, circuit board interconnections for isolation, e.g. using optocouplers
Abstract
【解決手段】半導体装置100は、アナログディジタル変換部3と、ディジタル信号に応じたパルスパターンである伝送信号を出力するパルス幅変調部5と、固定パルスである参照信号を生成する参照信号生成部7と、を備える。そして、前記伝送信号および前記参照信号のいずれかを選択する第1の制御部13と、前記伝送信号または前記参照信号に基づく駆動電流を出力する発光素子駆動部9と、前記伝送信号または前記参照信号基づく光信号を放出する発光素子15と、を備える。さらに、前記光信号を電圧信号に変換する光受信部21と、前記電圧信号を前記伝送信号または前記参照信号に基づくディジタル信号に復調する復調部25と、を備える。
【選択図】図1
Description
図1は、第1実施形態に係る半導体装置100の構成を示す模式図である。半導体装置100は、発光素子15と受光素子17とを介した光結合を含む絶縁回路を有し、送信部10と受信部20とを備える。
パルス幅歪み=(パルス幅測定値/パルス周期測定値−1/N)×パルス周期測定値・・・(1)
上式において、参照信号のパルス幅がパルス周期の1/Nであることが前提となっているが、このようなパルスは、より高速のクロックパルスをカウンタ回路等で処理することにより容易に実現できる。
図2は、第2実施形態に係る半導体装置200における送信部30の構成を示す模式図である。同図に示すように、半導体装置200は、電流制御電流源47と、第3の制御部41と、を備える点で、半導体装置100と相違する。図示しない受信部は、半導体装置100と同じ構成を有する。
VTH1=VTH3=VDD1/2・・・(2)
VTH2=VTH4=3VDD1/4・・・(3)
とし、アナログ信号の推奨電圧範囲は、−VDD1/4以上、VDD1/4以下とする。
VTH2(=3VDD1/4)<VTH×N・・・(4)
図4は、第3実施形態に係る半導体装置300における送信部40の構成を示す模式図である。同図に示すように、半導体装置300は、スイッチ14と発光素子駆動部9との間に歪み補償部33を備える点で、半導体装置200と相違する。本実施形態でも、受信部は、半導体装置100の受信部20と同じ構成を有する。
図6は、第4実施形態に係る半導体装置400における送信部50の構成を示す模式図である。同図に示すように、半導体装置400は、歪み補償部33と、第2の制御部31と、を備える点で、半導体装置100と相違する。図示しない受信部は、半導体装置100の受信部20と同じ構成を有する。また、本実施形態では、電流制御電流源47を備えない点で、第2および第3実施形態に示す半導体装置200〜350と相違する。
図8は、第5実施形態に係る半導体装置500における送信部60の構成を示す模式図である。同図に示すように、半導体装置500の送信部60は、半導体装置300の送信部40に、第2の制御部31が付加された構成となっている。
図10は、第6実施形態に係る半導体装置600における送信部80と受信部85とを示す模式図である。同図に示すように、半導体装置600は、スイッチ14を制御する第1の制御部91と、歪み補償部96を制御する第2の制御部93と、を備える点で、半導体装置500と相違する。
図11は、第7実施形態に係る半導体装置700における送信部90と受信部95とを示す模式図である。同図に示すように、半導体装置700の送信部90は、電流制御電流源47とスイッチ43とを有しない点で、半導体装置600の送信部80と相違する。さらに、受信部95は、平均デューティ比検出部23と、スイッチ24a、24bと、を有しない点で、受信部20および85と相違する。
Claims (12)
- アナログ信号をディジタル信号に変換するアナログディジタル変換部と、
前記アナログディジタル変換部から出力される前記ディジタル信号に応じたパルスパターンである伝送信号を出力するパルス幅変調部と、
固定されたパルスパターンである参照信号を生成する参照信号生成部と、
前記伝送信号および前記参照信号のいずれかを選択する第1の制御部と、
前記第1の制御部により選択された前記伝送信号または前記参照信号に基づく駆動電流を出力する発光素子駆動部と、
前記発光素子駆動部により駆動され、前記伝送信号または前記参照信号に基づく光信号を放出する発光素子と、
前記光信号を受信した受光素子の光電流を電圧信号に変換する光受信部と、
前記電圧信号を前記伝送信号または参照信号に基づくディジタル信号に復調する復調部と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記アナログディジタル変換部に前記アナログ信号を入力する少なくとも1つの入力端子をさらに備え、
前記第1の制御部は、前記入力端子に入力される電圧に基づいて、前記伝送信号および前記参照信号のいずれかを選択することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記伝送信号および前記参照信号のパルス幅を補償する歪み補償部と、
前記入力端子に入力される電圧に基づいて、前記歪み補償部を制御して前記参照信号の前記パルス幅を変化させる第2の制御部と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項2記載の半導体装置。 - 前記第2の制御部は、前記入力端子の電圧に基づいて前記発光素子駆動部を制御し、前記発光素子の駆動電流を変化させることを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
- 前記アナログディジタル変換部に前記アナログ信号を入力する複数の入力端子と、
前記複数の入力端子のうちの1つの入力端子に入力される電流に対応した駆動電流を前記発光素子に流す電流源と、
前記複数の入力端子のうちの1つの入力端子に入力される電圧に基づいて、前記発光素子駆動部および前記電流源のいずれかを選択し前記発光素子に駆動電流を流す第3の制御部と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項2〜4のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記電圧信号の平均デューティ比を検出する平均デューティ比検出部をさらに備え、
前記平均デューティ比検出部は、前記電圧信号の平均デューティ比に基づいて、前記電圧信号を前記伝送信号または前記参照信号に対応づけることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体装置。 - アナログ信号をディジタル信号に変換するアナログディジタル変換回路と、
前記アナログディジタル変換回路から出力される前記ディジタル信号に対応するパルスパターンを有する伝送信号を出力するパルス幅変調回路と、
固定されたパルスパターンを有する参照信号を生成する参照信号回路と、
前記伝送信号および前記参照信号のいずれかを選択する第1の制御回路と、
前記第1の制御回路により選択された前記伝送信号または前記参照信号を含む駆動電流を出力する発光素子駆動回路と、
を備えたことを特徴とする送信回路。 - 前記アナログディジタル変換部に前記アナログ信号を入力する少なくとも1つの入力端子をさらに備え、
前記第1の制御回路は、前記入力端子に入力される電圧に基づいて、前記伝送信号および前記参照信号のいずれかを選択することを特徴とする請求項7記載の送信回路。 - 前記アナログ/ディジタル変換回路に前記アナログ信号を入力する複数の入力端子と、
前記伝送信号および前記参照信号のパルス幅を補償する歪み補償回路と、
前記複数の入力端子のうちの1つの入力端子に入力される電圧に基づいて、前記歪み補償回路を制御し前記参照信号の前記パルス幅を変化させる第2の制御回路と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項7または8に記載の送信回路。 - 請求項2に記載の半導体装置の検査方法であって、
前記入力端子に入力される前記アナログ信号の電圧振幅の範囲外の電圧を、前記入力端子に入力し、前記第1の制御部により前記参照信号生成部を選択するステップと、
前記発光素子駆動部から前記参照信号に基づく前記駆動電流を出力させ、前記発光素子から前記参照信号に基づく光信号を放出させるステップと、
前記光信号を受信した前記受光素子の光電流を、前記参照信号に基づいた前記電圧信号に変換するステップと、
前記電圧信号を復調し符号誤りを検出するステップと、
を備えたことを特徴とする半導体装置の検査方法。 - 請求項6に記載の半導体装置の検査方法であって、
前記入力端子に入力される前記アナログ信号の電圧振幅の範囲外の電圧を、前記入力端子に入力し、前記第1の制御部により前記参照信号生成部を選択するステップと、
前記発光素子駆動部から前記参照信号を含む前記駆動電流を出力させ、前記発光素子から前記参照信号を含む光信号を放出させるステップと、
前記光信号を受信した前記受光素子の光電流を、前記参照信号を含む前記電圧信号に変換するステップと、
前記参照信号のデューティ比に基づいて、前記参照信号に対応させた前記電圧信号を出力させ、前記参照信号を含む前記電圧信号のパルス幅を検出するステップと、
を備えたことを特徴とする半導体装置の検査方法。 - 請求項4に記載の半導体装置の検査方法であって、
前記アナログ信号の電圧振幅の範囲外の電圧を、前記複数の入力端子の1つに入力して前記第1の制御部により前記参照信号を選択し、
前記アナログ信号の電圧振幅の範囲外の電圧を、前記複数の入力端子の1つに入力し、前記第2の制御部により、前記参照信号のパルス幅および前記駆動電流を変化させるステップと、
前記発光素子駆動部から前記参照信号を含む前記駆動電流を出力させ、前記発光素子から前記参照信号を含む光信号を放出させるステップと、
前記光信号を受信した前記受光素子の光電流を、前記参照信号を含む前記電圧信号に変換するステップと、
前記参照信号のデューティ比に基づいて、前記参照信号に対応させた前記電圧信号を出力させ、前記参照信号を含む前記電圧信号のパルス幅を検出するステップと、
を備えたことを特徴とする半導体装置の検査方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011176801A JP5611906B2 (ja) | 2011-08-12 | 2011-08-12 | 半導体装置、その検査方法および送信回路 |
TW101108665A TWI466465B (zh) | 2011-08-12 | 2012-03-14 | Semiconductor device, its inspection method and transmission circuit |
CN201210070149.8A CN102931996B (zh) | 2011-08-12 | 2012-03-16 | 半导体装置及其检查方法、以及发送电路 |
US13/424,338 US8761599B2 (en) | 2011-08-12 | 2012-03-19 | Semiconductor device, method for testing same and transmitting circuit |
EP12160567.9A EP2557703B1 (en) | 2011-08-12 | 2012-03-21 | Semiconductor device, method for testing same and transmitting circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011176801A JP5611906B2 (ja) | 2011-08-12 | 2011-08-12 | 半導体装置、その検査方法および送信回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013042280A true JP2013042280A (ja) | 2013-02-28 |
JP5611906B2 JP5611906B2 (ja) | 2014-10-22 |
Family
ID=46021979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011176801A Active JP5611906B2 (ja) | 2011-08-12 | 2011-08-12 | 半導体装置、その検査方法および送信回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8761599B2 (ja) |
EP (1) | EP2557703B1 (ja) |
JP (1) | JP5611906B2 (ja) |
CN (1) | CN102931996B (ja) |
TW (1) | TWI466465B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112912740A (zh) * | 2018-10-26 | 2021-06-04 | 菲尼克斯电气公司 | 测量装置 |
US11437804B2 (en) | 2019-09-12 | 2022-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor circuit and semiconductor system |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011160096A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Toshiba Corp | 光送信回路、光受信回路及び光結合型絶縁回路 |
US8983304B2 (en) * | 2012-10-25 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Opto-isolator with compensation circuit |
JP5959422B2 (ja) | 2012-11-30 | 2016-08-02 | 株式会社東芝 | クロック再生回路、受光回路、光結合装置、並びに周波数シンセサイザ |
TWI491888B (zh) * | 2013-02-27 | 2015-07-11 | Chroma Ate Inc | 可隔離信號干擾之半導體電路測試裝置 |
US9306662B1 (en) * | 2013-04-12 | 2016-04-05 | Maxim Integrated Products, Inc. | Optical isolator life expander |
US9356693B1 (en) * | 2013-04-12 | 2016-05-31 | Maxim Integrated Products, Inc. | Optical isolator preventive measure indicator |
US9479325B1 (en) | 2013-04-12 | 2016-10-25 | Maxim Integrated Products, Inc. | Reduced frequency backwards clock for isolated sigma-delta modulators |
US9999774B2 (en) * | 2014-05-06 | 2018-06-19 | Medtronic, Inc. | Optical trigger for therapy delivery |
WO2016071962A1 (ja) * | 2014-11-04 | 2016-05-12 | 三菱電機株式会社 | 通信システム、信号伝達方法、及び空調機 |
JP6371725B2 (ja) * | 2015-03-13 | 2018-08-08 | 株式会社東芝 | 半導体モジュール |
WO2016184490A1 (en) | 2015-05-18 | 2016-11-24 | Politecnico Di Milano | Apparatus for transmitting signals based on reflections and related method |
JP6402091B2 (ja) * | 2015-12-17 | 2018-10-10 | 株式会社東芝 | 光結合装置 |
EP3379764B1 (en) * | 2017-03-22 | 2019-07-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
CN109548244A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-03-29 | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 | 调光接口控制电路及方法、led驱动系统、芯片及方法 |
CN109743827B (zh) * | 2019-03-13 | 2023-08-01 | 深圳莱福德科技股份有限公司 | 多功能调光电路 |
JP2021048523A (ja) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 株式会社東芝 | Led駆動制御回路、電子回路及びled駆動制御方法 |
CN115753022B (zh) * | 2022-11-18 | 2023-09-15 | 成都光创联科技有限公司 | 光器件性能的测试系统及测试方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000324181A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Sharp Corp | 通信装置およびそれを用いる通信システム |
JP2006303663A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Nec Electronics Corp | 光結合型絶縁回路 |
JP2007104106A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 送受信装置 |
JP2008270640A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Toshiba Corp | 発光装置及びその検査方法 |
JP2009071153A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Toshiba Corp | 光結合装置 |
JP2011160096A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Toshiba Corp | 光送信回路、光受信回路及び光結合型絶縁回路 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL114727A (en) * | 1995-07-25 | 1998-06-15 | Jolt Ltd | System and method for wirelessly communicating a sound signal |
US6144326A (en) * | 1997-04-22 | 2000-11-07 | Silicon Laboratories, Inc. | Digital isolation system with ADC offset calibration |
JP3501731B2 (ja) * | 2000-06-19 | 2004-03-02 | 日本電気株式会社 | 光デジタル伝送装置の固定パタン送信防止回路 |
BRPI0822970B1 (pt) * | 2008-07-30 | 2020-10-06 | Micro Motion, Inc | Processador de sinal, sistema de circuito de barramento, e, método para transmitir sinais a partir de um gerador de sinal analógico para um receptor de sinal analógico |
-
2011
- 2011-08-12 JP JP2011176801A patent/JP5611906B2/ja active Active
-
2012
- 2012-03-14 TW TW101108665A patent/TWI466465B/zh active
- 2012-03-16 CN CN201210070149.8A patent/CN102931996B/zh active Active
- 2012-03-19 US US13/424,338 patent/US8761599B2/en active Active
- 2012-03-21 EP EP12160567.9A patent/EP2557703B1/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000324181A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Sharp Corp | 通信装置およびそれを用いる通信システム |
JP2006303663A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Nec Electronics Corp | 光結合型絶縁回路 |
JP2007104106A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 送受信装置 |
JP2008270640A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Toshiba Corp | 発光装置及びその検査方法 |
JP2009071153A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Toshiba Corp | 光結合装置 |
JP2011160096A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Toshiba Corp | 光送信回路、光受信回路及び光結合型絶縁回路 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112912740A (zh) * | 2018-10-26 | 2021-06-04 | 菲尼克斯电气公司 | 测量装置 |
US11940474B2 (en) | 2018-10-26 | 2024-03-26 | Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg | Measuring device |
US11437804B2 (en) | 2019-09-12 | 2022-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor circuit and semiconductor system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102931996A (zh) | 2013-02-13 |
EP2557703A1 (en) | 2013-02-13 |
US20130039648A1 (en) | 2013-02-14 |
JP5611906B2 (ja) | 2014-10-22 |
CN102931996B (zh) | 2016-03-23 |
US8761599B2 (en) | 2014-06-24 |
EP2557703B1 (en) | 2017-10-11 |
TWI466465B (zh) | 2014-12-21 |
TW201308920A (zh) | 2013-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5611906B2 (ja) | 半導体装置、その検査方法および送信回路 | |
US8731407B2 (en) | Optically coupled insulating device | |
US7796076B2 (en) | Transformer-isolated analog-to-digital converter (ADC) feedback apparatus and method | |
US6803825B2 (en) | Pseudo-differential transimpedance amplifier | |
JP2011146904A (ja) | 受信回路 | |
US10536257B2 (en) | Signal presence detection circuit and method | |
JP2006303663A (ja) | 光結合型絶縁回路 | |
US20080284403A1 (en) | High-side current sense circuit with common-mode voltage reduction | |
US11152901B2 (en) | Amplifier | |
JP2011146934A (ja) | 送信回路、受信回路、送信方法、受信方法及び信号伝達システム | |
US20070075751A1 (en) | Receiving apparatus and method thereof | |
US8896289B2 (en) | Circuit and method of signal detection | |
US8902005B2 (en) | Apparatus and method for wide common mode difference | |
JPWO2011001523A1 (ja) | 光量検出装置、及び光量情報処理装置 | |
JP2008277966A (ja) | 半導体装置 | |
US9985641B1 (en) | Systems and methods for evaluating errors and impairments in a digital-to-analog converter | |
US9774304B2 (en) | Trans-impedance amplifier arrangement and control module | |
US8693554B2 (en) | Capacitive communication circuit and method therefor | |
JP4977056B2 (ja) | 試験装置 | |
CN113702676A (zh) | 一种基于cml接口的宽带任意波形发生装置及方法 | |
JP2009156580A (ja) | 入力容量測定回路 | |
JP5563124B2 (ja) | 光結合型絶縁回路 | |
JP2005265744A (ja) | ピーク電圧検出回路および電子機器検査装置 | |
TWI439046B (zh) | 自動調零放大器及相關的偵測模組 | |
JP4859353B2 (ja) | 増幅回路、及び試験装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130822 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140304 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140521 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140710 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140805 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140903 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5611906 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |