JP2008263006A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板1と、半導体基板1上に形成されたウェル層3,5と、ウェル層3,5の上に形成されたチャネルドープ層6と、チャネルドープ層6内の上部周縁に設けられたソース・ドレイン拡散層と、チャネルドープ層6の上に、ゲート絶縁膜7を介して形成されたゲート電極12と、ゲート電極12間に、ゲート絶縁膜7を貫通してソース・ドレイン拡散層と連結するように形成された多結晶シリコンプラグとを有し、ソース・ドレイン拡散層において、ソース領域13にのみ選択的にフッ素が注入されたことを特徴とする。
【選択図】図6
Description
この界面準位はキャリアに対してトラップとして働くため、界面準位が十分低減されていないと生成電流が発生し、リーク電流が増加する。またゲート絶縁膜の界面準位は、経時的に半導体装置の閾値電圧などの特性を変動させる要因となり、半導体装置の信頼性を悪化させる。
DRAM(Dynamic Random Access Memory)のメモリセルにおいて、このように微小なリーク電流の増加や閾値電圧の変動が発生すると、リフレッシュ特性が劣化する。
しかし、Si−H結合は、高温の熱ストレスやホットキャリア注入などにより比較的容易に切れ、再びダングリングボンドが発生するため、シリコン界面にフッ素を導入しSi−H結合よりも結合力が強いSi−F結合にするといった方法も取られるようになった.
例えば、特許文献1には、ソース・ドレイン領域を形成した後、基板全面にフッ素をイオン注入し、さらに熱処理を行うことにより、ダングリングボンドをフッ素でターミネートする方法が記載されている。
また、特許文献2には、pMOS形成領域におけるゲート電極周辺のシリコン基板表面にフッ素を注入し、その後、ランプアニール処理と炉アニール処理を行なう方法が記載されている。
また、特許文献3には、ゲート電極のパターニングに用いたレジスト・マスクをそのまま用いてフッ素のイオン注入を行い、pMOS形成領域にホウ素をイオン注入する方法が記載されている。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、フッ素注入による欠陥の発生を抑制しながら、フッ素注入によって界面準位が低減され、特性変動及びリーク電流の少ない半導体製造装置及びその製造方法を提供する。
また、前記フッ素を注入する工程が、ドーズ量が1×1014〜1×1017/cm2の範囲で注入することで、十分な量のフッ素が界面に注入され、効果的に界面準位を低減することができ、ドーズ量が1×1015〜1×1016/cm2の範囲で注入することで、より効果的に界面準位を低減することができる。
また、前記フッ素を注入する工程が、加速エネルギーが0.5〜50keVの範囲で注入することで、所望の深さ領域に効果的にフッ素を注入することができる。
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置として、n型MOS FET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)構造で構成されるDRAMのメモリセルトランジスタに適用した場合について、図面を参照して詳細に説明するが、本発明はこの実施形態に限定されない。
半導体基板1は所定濃度の不純物を含有する半導体、例えばシリコンにて形成されていて、半導体基板1上には(n型埋め込み)ウェル層3及び(p型)ウェル層5が順に形成されている。さらに、絶縁膜(素子分離領域)2、2が、半導体基板1上のトランジスタ形成領域以外の部分に形成され、トランジスタ(選択用トランジスタ)を絶縁分離(素子分離)している。
チャネルドープ層6の上にはゲート絶縁膜7を介してゲート電極12が形成され、ゲート電極12の下を除くチャネルドープ層6の上部にはソース領域13とドレイン領域14とが形成され、ソース領域13のみにフッ素が注入されている。
ゲート電極12は多結晶シリコン膜8とタングステンシリサイド膜(金属膜)9との多層膜からなり、多結晶シリコン膜8はCVD法での成膜時に不純物を含有させて形成するドープト多結晶シリコン膜を用いることができ、タングステンシリサイド膜9はタングステンシリサイド(WSi)の代わりに、タングステン(W)や高融点金属を用いることができる。
ゲート電極12及びゲート側面絶縁膜11を覆っている第2のシリコン窒化膜16の外側面に接するようにコンタクトホール18が形成され、コンタクトホール18の下部は、第2のシリコン窒化膜16のゲート絶縁膜7と接している面とゲート絶縁膜7とを貫通してソース領域13、またはドレイン領域14に連結している。
本実施形態では、絶縁膜2により囲まれている1つの活性領域に、活性領域の両端部と中央部に個々に不純物拡散層が配置され、中央部にソース領域13、その両端部側にドレイン拡散領域14,14が形成されることで、トランジスタの基本構造が形成されている。
第1の層間絶縁膜30には、多結晶シリコンプラグ19の端面が露出するように、ビットコンタクトホール31が貫通して設けられている。このビットコンタクトホール31内には、導電性材料が充填されており、これによりビットコンタクトプラグ32が形成されている。
ビットコンタクトプラグ32の表面には、タングステン膜などの金属膜からなるビット配線層33が形成されている。すなわち、ビット配線層33は、ビットコンタクトプラグ32及び多結晶シリコンプラグ19を介して、ソース電極の拡散層(ソース領域13)と接続されている。
続いて、半導体装置の製造方法について、図1〜8及び図20を基に説明する。
次に、図2に示すように、例えば加速エネルギー15keVでドーズ量が1×1013/cm2のホウ素注入を行った後、例えば1000℃で10秒の熱処理を窒素雰囲気中で行うことにより、p型チャネルドープ層6を形成する。
本実施形態はゲート電極12の低抵抗化のために、多結晶シリコン膜8上にタングステンシリサイド層9を設けているが、ゲート電極12は高融点金属膜としてタングステン(W)またはチタン(Ti)などを用いたポリメタルゲート構造としても良い。
次に、図4に示すように、第1のシリコン窒化膜10、タングステンシリサイド膜9、多結晶シリコン膜8をパターニングして、多結晶シリコン膜8及びタングステンシリサイド膜9から成るゲート電極12を形成する。次いで、熱酸化法によりゲート電極12の側面に厚さ10nm程度のゲート側面絶縁膜11を形成する。
後に配線を形成することにより、ソース領域13はビット線へ接続され、ドレイン領域14は容量へ接続される。
DRAMは情報を容量に電荷として保持するため、電荷を保持している状態とは、容量に接続されるn型拡散層をドレイン領域14として、トランジスタがオフになっている状態といえる。このとき、電荷を保持するために、ドレイン領域14の接合リーク電流は出来るだけ少なくする必要がある。リーク電流の要因としては、接合電界、空乏層中の残留欠陥、界面準位等が挙げられる。
注入するフッ素の加速エネルギーはデバイスの構造やスルー酸化膜の膜厚に応じて適宜変更することが可能である。フッ素のドーズ量は、1×1014〜1×1016/cm2の範囲が好ましい。
ドーズ量が少ない場合は、シリコン界面へ供給されるフッ素が少なく、ダングリングボンドのターミネートが十分出来なくなるためである。
フッ素を注入した後の熱処理温度は、好ましくは600〜800℃である。第2のシリコン窒化膜16の堆積温度を600〜800℃の間で行うことにより、この熱処理を省略することも可能である。
いずれにせよ、フッ素はソース領域13中に1×1018〜1×1022/cm3の範囲で存在するように注入することが好ましい。
このようにして、ドレイン領域14にフォトレジスト15膜を形成し、ソース領域13に選択的にフッ素を注入することで、ドレイン領域14にはイオン注入による欠陥は発生することなく、フッ素注入によって界面準位が低減することができる。そして、その後の熱処理により、ソース14領域に注入されたフッ素をシリコン中及び界面へ拡散させることができ、界面準位を低減させる効果が高まる。
次に、図8に示すように、高濃度のリンを含む多結晶シリコンを堆積し、通常の方法でエッチバックすることにより、多結晶シリコンプラグ(ビット側)19、多結晶シリコンプラグ(容量側)20を形成する。その後の配線形成工程を経て、多結晶シリコンプラグ19はビット線と接続され、多結晶シリコンプラグ20は容量と接続され、ワード配線・ビット配線の形成ならびにキャパシタ構造を形成すると、DRAMを形成できる。
多結晶シリコンプラグ19,20を形成した第2のシリコン酸化膜17全面に、シリコン酸化膜からなる第1の層間絶縁膜30を200nm程度形成する。
そして、フォトレジスト膜をマスクとして用い、ドライエッチング技術により、第1の層間絶縁膜30及び第2のシリコン酸化膜17を貫通してゲート電極12に達するゲートコンタクトホール(図示せず)を形成する。このゲートコンタクトホールは、ゲート電極12に電位を与えるためのゲートコンタクトプラグが形成されるものである。その後、ドライエッチング技術によりフォトレジスト膜を剥離する。
また、フォトレジスト膜をマスクとして用い、ドライエッチング技術により、第1の層間絶縁膜30を貫通して、セルコンタクトプラグに達するビットコンタクトホール31を形成する。その後、ドライエッチング技術によりフォトレジスト膜を剥離する。
なお、シリコン膜の不純物濃度は、例えば1.0×1020〜4.5×1020atoms/cm3とすればよい。また、シリコン膜を除去する際に第2の層間絶縁膜34を削り込んでしまうため、最終的な第2の層間絶縁膜34の上面とビット配線層33の上面との距離は、200nm程度となる。
次に、前処理後、CVD法により、キャパシタ用深穴シリンダ40の内底面、内側面及びキャパシタ用深穴シリンダ40間の隔壁部の上面を含む全面に、不純物を含有する多結晶シリコンやアモルファスシリコンよりなる不純物含有シリコン膜41を25〜35nm程度形成する。なお、不純物含有シリコン膜41中の不純物の好ましい濃度は、4.4×1020atoms/cm3程度である。
この下部金属電極42としては、例えばTi膜とTiN膜を、それぞれ高温プラズマCVD技術と熱CVD技術を用いて順に積層した積層膜を設ける。Ti膜とTiN膜の膜厚は、それぞれ10nm/20nm程度とする。Ti膜の成膜を、650℃程度の高温で行うと、Ti膜がインサイチュ(in‐situ)に完全にシリサイド化し、第3のシリコン酸化膜39と下部金属電極42との界面にシリサイド(TiSi2)と呼ばれる抵抗が低い膜が形成される。ここで、この製造方法では、Tiの被覆状態が悪くても、キャパシタ用深穴シリンダ40の内底面及び内側面に、不純物含有シリコン膜41が形成されていることにより、Tiとシリコン膜との接触面積が広く、シリサイド層44が広い面積で形成される。そのため、シリサイド層44の形成不良が防止され、キャパシタ−容量コンタクト間の抵抗を低減することができる。なお、下部金属電極42を構成する金属系材料、下部金属電極42の膜厚及び形成方法はこれに限るものではない。
第3のシリコン酸化膜39の厚さが上記の範囲を大きく超えると、シリサイド層の生成には充分であるが、キャパシタ用としては容量低下の面で不向きとなり、第3のシリコン膜39の厚さが15nmを下回ると、シリサイド層44の生成厚さが不足してコンタクト特性が低下する。下部金属電極42のTi膜においては、20nmを超えるとシリサイド層の過剰反応の面で望ましくなく、5nmを下回ると、シリサイド層44の生成量が不足し、キャパシタ-容量コンタクト間の抵抗が増大する。
なお、ここでは前述の不純物含有シリコン膜41と下部金属電極42とを合わせて下部電極43と呼ぶ。
また、本実施形態はDRAMのメモリセルトランジスタへの適用例であったが、通常のn型MOS FETまたはp型MOS FETへも同様に適用することができる。さらに、ドレインの電界を緩和するために、公知であるソース側のみにポケット注入を行う技術と併用すると、さらに効果的にリーク電流を低減することができる。
これを第2の実施形態として、図面を参照して製造方法を説明する。
以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置として、ソース側のみにフッ素がポケット注入されたn型MOS FET構造で構成されるDRAMのメモリセルトランジスタに適用した場合について、図面を参照して詳細に説明するが、本発明はこの実施形態に限定されない。
第1の実施形態と同様に、半導体基板1は所定濃度の不純物を含有する半導体、例えばシリコンにて形成されていて、半導体基板1上には(n型埋め込み)ウェル層3及び(p型)ウェル層5が順に形成されている。さらに、絶縁膜(素子分離領域)2、2が、半導体基板1上のトランジスタ形成領域以外の部分に形成され、トランジスタ(選択用トランジスタ)を絶縁分離(素子分離)している。
チャネルドープ層6の上にはゲート絶縁膜7を介してゲート電極12が形成され、ゲート電極12の下を除くチャネルドープ層6の上部には、リンの注入によりソース領域13とドレイン領域14とが形成されている。
ソース領域13のみに更にボロンとフッ素が注入され、ソース領域13とチャネルドープ層の境界にはp型ポケット層23が形成されている。
ゲート電極12は多結晶シリコン膜8とタングステンシリサイド膜(金属膜)9との多層膜からなり、多結晶シリコン膜8はCVD法での成膜時に不純物を含有させて形成するドープト多結晶シリコン膜を用いることができ、タングステンシリサイド膜9はタングステンシリサイド(WSi)の代わりに、タングステン(W)や高融点金属を用いることができる。
ゲート電極12及びゲート側面絶縁膜11を覆っている第2のシリコン窒化膜16の外側面に接するようにコンタクトホール18が形成され、コンタクトホール18の下部は、第2のシリコン窒化膜16のゲート絶縁膜7と接している面とゲート絶縁膜7とを貫通してソース領域13、またはドレイン領域14に連結し、基本的なトランジスタの構成になっている。
このトランジスタを用いたDRAMの構成については、第1の実施形態と同様である。
続いて、この半導体装置の製造方法について、図10〜18を基に説明する。
次に、例えば加速エネルギー15keVで、例えばドーズ量が7×1012/cm2のホウ素注入を行った後、例えば1000℃で10秒の熱処理を窒素雰囲気中で行うことにより、図10に示すように、p型チャネルドープ層6を形成する。
次に、図12に示すように、第1のシリコン窒化膜10、タングステンシリサイド膜9、多結晶シリコン膜8をパターニングして、多結晶シリコン膜8及びタングステンシリサイド膜9から成るゲート電極12を形成する。次いで、熱酸化法によりゲート電極12の側面に厚さ10nm程度のゲート側面絶縁膜11を形成する。
次に、図14に示すように、容量側のドレイン領域14上にフォトレジスト15によるマスクを形成し、ビット線側のソース領域13のみに、例えば加速エネルギー10keVで、例えばドーズ量が1×1013/cm2のボロンを注入する。
次いで、図15に示すように、例えば加速エネルギー10keVで、例えばドーズ量が1×1015/cm2のフッ素を注入した後、フォトレジスト15によるマスクを除去する。
なお、このような不純物の活性化に好適な熱処理を行うと、フッ素の外方拡散が生じ、界面準位のターミネートに寄与するフッ素が減少するため、第1の実施形態よりもフッ素は多量に注入しておく。1×1015/cm2〜1×1016/cm2のドーズ量が好ましい。
このポケット層23により、メモリセルトランジスタの閾値電圧が上がるため、第1の実施形態よりもp型チャネルドープ層6の不純物濃度を下げて、容量側のドレイン領域14のリーク電流を抑えることができる。ここで、フッ素が注入されていると、ボロンの熱拡散が抑制され、p型ポケット層23の濃度が濃く保たれるため、メモリセルトランジスタの閾値電圧がさらに上昇する。
次に、図18に示すように、高濃度のリンを含む多結晶シリコンを堆積し、通常の方法でエッチバックすることにより、多結晶シリコンプラグ19,20を形成する。
その後の配線形成工程を経て、多結晶シリコンプラグ19はビット線と接続され、多結晶シリコンプラグ20は容量と接続される(図示せず)。
このトランジスタを用いたDRAMの製造方法については、第1の実施形態と同様である。
図1〜8で示されるような、n型MOS FET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)構造で構成されるDRAMのメモリセルトランジスタ(実施例1)及び比較例1を作製し、図20に示されるようなDRAMを作製した。
次に、図2に示すように加速エネルギー15keVでドーズ量が1×1013/cm2のホウ素注入を行った後、1000℃で10秒の熱処理を窒素雰囲気中で行うことにより、p型チャネルドープ層6を形成した。
次に、図4に示すように、第1のシリコン窒化膜10、タングステンシリサイド膜9、多結晶シリコン膜8をパターニングして、多結晶シリコン膜8及びタングステンシリサイド膜9から成るゲート電極12を形成した。次いで、熱酸化法によりゲート電極12の側面に厚さ10nmのゲート側面絶縁膜11を形成した。
次に、窒素雰囲気中において、680℃で60分の熱処理を行うことにより、拡散層13に注入されたフッ素はシリコン界面へ拡散させた。
次に、図8に示すように、高濃度のリンを含む多結晶シリコンを堆積し、通常の方法でエッチバックすることにより、多結晶シリコンプラグ(ビット側)19、多結晶シリコンプラグ(容量側)20を形成した。その後、配線形成工程を行い、多結晶シリコンプラグ19とビット線を接続し、多結晶シリコンプラグ20と容量を接し、ワード配線・ビット配線を形成し、キャパシタ構造を形成し、図20に示されるようなDRAMを形成した。
そして、実施例1と比較例1において、512MビットのDRAMメモリセルトランジスタを用い、全ビットに“1”を書き込むときのリフレッシュ時間と不良ビット数を計測した。その結果を図9に示す。(なお、a.u.は、arbitrary unitを意味する。)
本発明を適用しフッ素を注入した実施例では、フッ素を注入していない比較例よりも不良ビット数が低減され、リフレッシュ特性が向上することが示された。
次に、図10〜18で示されるような、n型MOS FET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)構造で構成されるDRAMのメモリセルトランジスタ(実施例2、3)及び比較例2を作製し、図20に示されるようなDRAMを作製した。
次に、図12に示すように、第1のシリコン窒化膜10、タングステンシリサイド膜9、多結晶シリコン膜8をパターニングして、多結晶シリコン膜8及びタングステンシリサイド膜9から成るゲート電極12を形成した。次いで、熱酸化法によりゲート電極12の側面に厚さ10nmのゲート側面絶縁膜11を形成した。
次に、図14に示すように、容量側のドレイン領域14上にフォトレジスト15によるマスクを形成し、ビット線側のソース領域13のみに、加速エネルギー10keVでドーズ量が1×1013/cm2のボロンを注入した。
フッ素注入の後、フォトレジスト15によるマスクを除去し、窒素雰囲気中において900℃で10秒の熱処理を行った。
比較例2では、トランジスタの構成は実施例2、3と同じであるが、フッ素注入を行なっていない。
次に、図18に示すように、高濃度のリンを含む多結晶シリコンを堆積し、通常の方法でエッチバックすることにより、多結晶シリコンプラグ19,20を形成した。
その後、配線形成工程を行い、多結晶シリコンプラグ19とビット線を接続し、多結晶シリコンプラグ20と容量を接続し、図20に示されるようなDRAMを作製した。
フッ素注入がない場合と同じ閾値電圧にするために、p型チャネルドープ層6のボロン濃度を下げれば、容量側のソース・ドレイン接合の電界が弱まり、接合リーク電流をさらに低くすることが可能となる。
Claims (12)
- 半導体基板と、
該半導体基板上に形成されたウェル層と、
前記ウェル層の上に形成されたチャネルドープ層と、
前記チャネルドープ層内の上部周縁に設けられたソース・ドレイン拡散層と、
前記チャネルドープ層の上に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極間に、前記ゲート絶縁膜を貫通して前記ソース・ドレイン拡散層と連結するように形成された多結晶シリコンプラグとを有し、
前記ソース・ドレイン拡散層において、ソース領域にのみ選択的に前記フッ素が注入されたことを特徴とする半導体装置。 - 前記フッ素は、前記ソース領域に1×1018〜1×1022/cm3の範囲で存在するように注入されたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記フッ素は、ドーズ量が1×1014〜1×1017/cm2の範囲で注入されたことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記フッ素は、ドーズ量が1×1015〜1×1016/cm2の範囲で注入されたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記フッ素は、注入後の熱処理によって前記ソース領域からシリコン-酸化膜界面へ拡散されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 半導体基板上にウェル層を形成する工程と、
前記ウェル層の上にチャネルドープ層を形成する工程と、
前記チャネルドープ層内の上部周縁にソース・ドレイン拡散層を形成する工程と、
前記チャネルドープ層の上に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極間に、前記ゲート絶縁膜を貫通して前記ソース・ドレイン拡散層と連結するように多結晶シリコンプラグを形成する工程と、
前記ソース・ドレイン拡散層において、ソース領域にのみ選択的に前記フッ素を注入する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記フッ素を注入する工程は、フォトレジストマスクを用いて、ソース領域にのみ選択的にフッ素を注入することを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 前記フッ素を注入する工程は、前記フッ素が、前記ソース領域に1×1018〜1×1022/cm3の範囲で存在するように注入することを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記フッ素を注入する工程は、ドーズ量が1×1014〜1×1017/cm2の範囲で注入することを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記フッ素を注入する工程は、ドーズ量が1×1015〜1×1016/cm2の範囲で注入することを特徴とする請求項6〜9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記フッ素を注入する工程は、加速エネルギーが0.5〜50keVの範囲で、注入することを特徴とする請求項6〜10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記フッ素を注入する工程後、600〜1100℃の温度範囲で熱処理によって前記ソース領域からシリコン-酸化膜界面へ拡散する工程を有することを特徴とする請求項6〜11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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