JP2008258223A - 太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 83
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract description 520
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 249
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 186
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 117
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 117
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims abstract description 89
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 338
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 265
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 154
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 69
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 57
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 52
- -1 titanate ester Chemical class 0.000 claims description 45
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 29
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 27
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 26
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 26
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 claims description 20
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 18
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 8
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical class [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000013522 chelant Substances 0.000 claims description 4
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 claims description 4
- 150000002917 oxazolidines Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 163
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 162
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 162
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 86
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 29
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 125000005370 alkoxysilyl group Chemical group 0.000 description 19
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 8
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 7
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- AYOHIQLKSOJJQH-UHFFFAOYSA-N dibutyltin Chemical compound CCCC[Sn]CCCC AYOHIQLKSOJJQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 5
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 5
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 3
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HGQSXVKHVMGQRG-UHFFFAOYSA-N dioctyltin Chemical compound CCCCCCCC[Sn]CCCCCCCC HGQSXVKHVMGQRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 2
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N (5-methyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-yl)methanol Chemical compound OCC1=C(C)NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBBLRPRYYSJUCZ-GRHBHMESSA-L (z)-but-2-enedioate;dibutyltin(2+) Chemical compound [O-]C(=O)\C=C/C([O-])=O.CCCC[Sn+2]CCCC ZBBLRPRYYSJUCZ-GRHBHMESSA-L 0.000 description 1
- UWFRVQVNYNPBEF-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4-dimethylphenyl)propan-1-one Chemical compound CCC(=O)C1=CC=C(C)C=C1C UWFRVQVNYNPBEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJAGRJAFLCPABV-UHFFFAOYSA-N 2-(4-methylpentan-2-ylideneamino)-n-[2-(4-methylpentan-2-ylideneamino)ethyl]ethanamine Chemical compound CC(C)CC(C)=NCCNCCN=C(C)CC(C)C CJAGRJAFLCPABV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOJHYEMRGGBHOI-UHFFFAOYSA-N 2-(butan-2-ylideneamino)-n-[2-(butan-2-ylideneamino)ethyl]ethanamine Chemical compound CCC(C)=NCCNCCN=C(C)CC NOJHYEMRGGBHOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLSFJOSFPTTYLQ-UHFFFAOYSA-N 2-(methylideneamino)-n-[2-(methylideneamino)ethyl]ethanamine Chemical compound C=NCCNCCN=C CLSFJOSFPTTYLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPHDXPRLWRPJNS-UHFFFAOYSA-N 2-(propan-2-ylideneamino)-n-[2-(propan-2-ylideneamino)ethyl]ethanamine Chemical compound CC(C)=NCCNCCN=C(C)C FPHDXPRLWRPJNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMGVVYCBXBYXRR-UHFFFAOYSA-L 2-acetyl-3-oxobutanoate;dibutyltin(2+) Chemical compound CCCC[Sn+2]CCCC.CC(=O)C(C(C)=O)C([O-])=O.CC(=O)C(C(C)=O)C([O-])=O MMGVVYCBXBYXRR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZHJFAUWFPQHZFH-UHFFFAOYSA-L 2-ethylhex-2-enoate iron(2+) Chemical compound [Fe+2].CCCC=C(CC)C([O-])=O.CCCC=C(CC)C([O-])=O ZHJFAUWFPQHZFH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SDQCONAKTCBAMG-UHFFFAOYSA-N 2-pentadecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 SDQCONAKTCBAMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 2-undecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNNQYHFROJDYHQ-UHFFFAOYSA-N 3-(4-ethylcyclohexyl)propanoic acid 3-(3-ethylcyclopentyl)propanoic acid Chemical compound CCC1CCC(CCC(O)=O)C1.CCC1CCC(CCC(O)=O)CC1 HNNQYHFROJDYHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIAHASMJDOMQER-UHFFFAOYSA-N 5-ethyl-2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CCC1=CN=C(C)N1 RIAHASMJDOMQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQUSIXSOCHTUCV-UHFFFAOYSA-N 5-ethyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(CC)=CN=C1C1=CC=CC=C1 BQUSIXSOCHTUCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGMQJOYUICXLDZ-UHFFFAOYSA-N 6-(4-methylpentan-2-ylideneamino)-n-[6-(4-methylpentan-2-ylideneamino)hexyl]hexan-1-amine Chemical compound CC(C)CC(C)=NCCCCCCNCCCCCCN=C(C)CC(C)C ZGMQJOYUICXLDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQQXCSFSYHAZOO-UHFFFAOYSA-L [acetyloxy(dioctyl)stannyl] acetate Chemical compound CCCCCCCC[Sn](OC(C)=O)(OC(C)=O)CCCCCCCC CQQXCSFSYHAZOO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L [dibutyl(dodecanoyloxy)stannyl] dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)O[Sn](CCCC)(CCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCC UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QASXJOGGAHCHBO-UHFFFAOYSA-L [dimethyl(2-sulfanylpropanoyloxy)stannyl] 2-sulfanylpropanoate Chemical compound C[Sn+2]C.CC(S)C([O-])=O.CC(S)C([O-])=O QASXJOGGAHCHBO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XQBCVRSTVUHIGH-UHFFFAOYSA-L [dodecanoyloxy(dioctyl)stannyl] dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)O[Sn](CCCCCCCC)(CCCCCCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCC XQBCVRSTVUHIGH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000002635 aromatic organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003426 co-catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- JQZRVMZHTADUSY-UHFFFAOYSA-L di(octanoyloxy)tin Chemical compound [Sn+2].CCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCC([O-])=O JQZRVMZHTADUSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PNOXNTGLSKTMQO-UHFFFAOYSA-L diacetyloxytin Chemical compound CC(=O)O[Sn]OC(C)=O PNOXNTGLSKTMQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JGFBRKRYDCGYKD-UHFFFAOYSA-N dibutyl(oxo)tin Chemical compound CCCC[Sn](=O)CCCC JGFBRKRYDCGYKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012975 dibutyltin dilaurate Substances 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-n'-phenylcarbamimidoyl chloride Chemical compound CN(C)C(Cl)=NC1=CC=CC=C1 GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 1
- 239000011356 non-aqueous organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 235000014593 oils and fats Nutrition 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】太陽電池1は、第1の官能基を有する被膜で被覆された透明電極14の表面に、第2の官能基を有する被膜で被覆されたn型シリコン微粒子24が1層結合固定され、その上には第3の官能基を有する被膜で被覆されたp型シリコン微粒子25が1層結合固定されており、第1と第2の官能基、および第2と第3の官能基とは、カップリング剤のカップリング反応基との間で生成された結合を介してそれぞれ固定されている。
【選択図】図1
Description
なお、「カップリング反応」とは、官能基間の付加反応、または縮合反応により生成する任意の反応をいい、熱反応、および光反応のいずれであってもよい。
また、前記第1〜第3の膜化合物の形成する被膜が全て単分子膜であることが好ましい。
また、前記第1〜第(y+1)の膜化合物が形成する被膜が全て単分子膜であることが好ましい。
前記工程Hで形成された前記半導体微粒子膜の表層に裏面電極を形成する工程Iとを有する。
また、前記工程A、B、C、E、およびFにおいて、未反応の前記第1〜第4の膜化合物は洗浄除去され、前記第1〜第4の膜化合物が形成する被膜は、単分子膜であることが好ましい。
また、前記工程A、B、C、E、およびFにおいて、未反応の前記第1〜第3の膜化合物は洗浄除去され、前記第1〜第3の膜化合物が形成する被膜が、単分子膜であることが好ましい。
あるいは、前記第1〜第3の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第1〜第3の膜化合物を含む溶液は、さらに縮合触媒として、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される1または2以上の化合物をさらに含んでいてもよい。
また、前記第1〜第3の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第1〜第3の膜化合物を含む溶液は、さらに縮合触媒として、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される1または2以上の化合物をさらに含んでいてもよい。
あるいは、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたNH−CONH結合であることを特徴とする太陽電池の製造方法。
また、透明電極の表面に半導体微粒子が1層結合固定されているので、太陽電池の剥離強度を高めることができる。
さらに、カップリング反応により形成された結合を介して半導体微粒子膜を1層ずつ積層固定するので、微粒子膜の膜厚を容易に制御できる。
ここで、図1(a)は本発明の第1の実施の形態に係る太陽電池の断面構造を模式的に表した説明図、図1(b)は本発明の第2の実施の形態に係る太陽電池の断面構造を模式的に表した説明図、図2は本発明の一実施の形態に係る太陽電池の製造方法において、エポキシ化ITOガラス板を製造する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図2(a)は反応前のITOガラス板の断面構造、図2(b)はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたITOガラス板の断面構造をそれぞれ表し、図3は同太陽電池の製造方法において、エポキシ化n型シリコン微粒子を製造する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図3(a)は反応前のn型シリコン微粒子の断面構造、図3(b)はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたn型シリコン微粒子の断面構造をそれぞれ表し、図4(a)、(b)はエポキシ化ITOガラス板の表面に、エポキシ基と2−メチルイミダゾールのアミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された2−メチルイミダゾールの被膜を有する反応性ITOガラス板の断面構造を模式的に表した説明図、図5は太陽電池の製造に用いられる膜化合物およびカップリング剤の組み合わせを模式的に表した説明図である。
図1(a)に示すように、太陽電池1は、反応性ITOガラス板(反応性透明電極の一例)32の表面に、エポキシ化n型シリコン微粒子(被覆n型半導体微粒子の一例)24が配列した微粒子層が1層結合固定されている。エポキシ化n型シリコン微粒子24の上には、反応性p型シリコン微粒子(反応性p型半導体微粒子の一例)43が1層結合固定され、さらにその上にアルミニウム電極(裏面電極の一例)51が形成されている。
反応性ITOガラス板32の表面には、エポキシ化n型シリコン微粒子24が1層結合固定されている。
エポキシ化n型シリコン微粒子24の上に結合固定されている反応性p型シリコン微粒子43の表面は、エポキシ基を有する膜化合物(第3の膜化合物の一例)の単分子膜23で被覆され、2−メチルイミダゾール(第3のカップリング剤の一例)のアミノ基(第3のカップリング反応基の一例)とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された2-メチルイミダゾールの被膜でさらに被覆されている(図1(a)、図3参照)。
反応性ITOガラス板32とエポキシ化n型シリコン微粒子24、およびエポキシ化n型シリコン微粒子24と反応性p型シリコン微粒子43との間は、エポキシ基と2−メチルイミダゾールのアミノ基またはイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物(第3の膜化合物の一例)をp型シリコン微粒子(p型半導体微粒子の一例)の表面に接触させ、アルコキシシリル基(第3の結合基の一例)とp型シリコン微粒子21の表面との間で結合を形成させ、エポキシ化p型シリコン微粒子(被覆p型半導体微粒子の一例)25を調製する工程Cと、まず、エポキシ化ITOガラス板14の表面に、2−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応させて反応性ITOガラス板32を調製し、次いで、反応性ITOガラス板32の表面にエポキシ化n型シリコン微粒子24を接触させ、エポキシ基とイミノ基(第2のカップリング反応基の一例)とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性ITOガラス板32の表面にエポキシ化n型シリコン微粒子24を固定し、次いで、固定されなかったエポキシ化n型シリコン微粒子24を除去する工程D(図4(a)参照)と、エポキシ化アルコキシシラン化合物を含む溶液をp型シリコン微粒子の表面に接触させ、アルコキシシリル基とp型シリコン微粒子の表面との間で結合を形成させ、エポキシ化p型シリコン微粒子25を調製し、次いで、エポキシ化p型シリコン微粒子25の表面に、2−メチルイミダゾール(第2のカップリング剤の一例)を接触させ、エポキシ基(第3の官能基の一例)とアミノ基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された2−メチルイミダゾールの形成する被膜を表面に有する反応性p型シリコン微粒子43を調製し、エポキシ化n型シリコン微粒子24の微粒子層の上に反応性p型シリコン微粒子43を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、反応性p型シリコン微粒子43をエポキシ化n型シリコン微粒子24の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった反応性p型シリコン微粒子43を除去する工程Eと、反応性p型シリコン微粒子43の層の上にアルミニウム電極51を形成する工程Fとを有する。
工程Aでは、エポキシ基を有する膜化合物をITOガラス板11に接触させ、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜13で表面が覆われたエポキシ化ITOガラス板14を製造する(図2)。
なお、ITOガラス板11の大きさには特に制限はない。
用いることのできるエポキシ基を有する膜化合物の具体例としては、下記(1)〜(12)に示したアルコキシシラン化合物が挙げられる。
(2) (CH2OCH)CH2O(CH2)7Si(OCH3)3
(3) (CH2OCH)CH2O(CH2)11Si(OCH3)3
(4) (CH2CHOCH(CH2)2)CH(CH2)2Si(OCH3)3
(5) (CH2CHOCH(CH2)2)CH(CH2)4Si(OCH3)3
(6) (CH2CHOCH(CH2)2)CH(CH2)6Si(OCH3)3
(7) (CH2OCH)CH2O(CH2)3Si(OC2H5)3
(8) (CH2OCH)CH2O(CH2)7Si(OC2H5)3
(9) (CH2OCH)CH2O(CH2)11Si(OC2H5)3
(10) (CH2CHOCH(CH2)2)CH(CH2)2Si(OC2H5)3
(11) (CH2CHOCH(CH2)2)CH(CH2)4Si(OC2H5)3
(12) (CH2CHOCH(CH2)2)CH(CH2)6Si(OC2H5)3
縮合触媒の添加量は、好ましくはアルコキシシラン化合物の0.2〜5質量%であり、より好ましくは0.5〜1質量%である。
カルボン酸金属塩ポリマーの具体例としては、ジブチルスズマレイン酸塩ポリマー、ジメチルスズメルカプトプロピオン酸塩ポリマーが挙げられる。
カルボン酸金属塩キレートの具体例としては、ジブチルスズビスアセチルアセテート、ジオクチルスズビスアセチルラウレートが挙げられる。
チタン酸エステルキレート類の具体例としては、ビス(アセチルアセトニル)ジ−プロピルチタネートが挙げられる。
縮合触媒として上述の金属塩のいずれかを用いた場合、縮合反応の完了までに要する時間は2時間程度である。
さらに、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、あるいはそれらの混合物を用いることもできる。
用いることのできるアミノ基を有する膜化合物の具体例としては、下記(21)〜(28)に示したアルコキシシラン化合物が挙げられる。
(22) H2N(CH2)5Si(OCH3)3
(23) H2N(CH2)7Si(OCH3)3
(24) H2N(CH2)9Si(OCH3)3
(25) H2N(CH2)5Si(OC2H5)3
(26) H2N(CH2)5Si(OC2H5)3
(27) H2N(CH2)7Si(OC2H5)3
(28) H2N(CH2)9Si(OC2H5)3
したがって、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物を用いる場合には、カルボン酸スズ塩、カルボン酸エステルスズ塩、カルボン酸スズ塩ポリマー、カルボン酸スズ塩キレートを除き、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の場合と同様の化合物を単独でまたは2種類以上を混合して縮合触媒として用いることができる。
用いることのできる助触媒の種類およびそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、および助触媒の濃度、反応条件ならびに反応時間についてはエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の場合と同様であるので、説明を省略する。
(以上工程A)
反応後、生成したエポキシ化n型シリコン微粒子24を溶媒で洗浄せずに空気中に放置すると、表面に残ったアルコキシシラン化合物の一部が空気中の水分により加水分解を受け、生成したシラノール基がアルコキシシリル基と縮合反応を起こす。その結果、エポキシ化n型シリコン微粒子24の表面にポリシロキサンよりなる極薄のポリマー膜が形成される。このポリマー膜は、エポキシ化n型シリコン微粒子24の表面に共有結合により固定されていないが、エポキシ基を含んでいるため、エポキシ化n型シリコン微粒子24に対してエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜23と同様の反応性を有している。そのため、洗浄を行わなくても、以下の製造工程に特に支障をきたすことはない。
また、本実施の形態においては工程Aと同一のアルコキシシラン化合物を用いているが、異なるアルコキシシラン化合物を用いてもよい。ただし、工程Cにおいて用いるカップリング剤のカップリング反応基と反応して結合を形成する官能基を有するものでなければならない。
(以上工程B)
なお、本実施の形態においては、微粒子としてp型シリコン微粒子を用いたが、任意のp型半導体微粒子を用いることができる。
(以上工程C)
膜前駆体の製造には、2−メチルイミダゾールが可溶な任意の溶媒を用いることができるが、価格、室温での揮発性、および毒性等を考慮すると、イソプロピルアルコール、エタノール等の低級アルコール系溶媒が好ましい。
2−メチルイミダゾールの添加量、塗布する溶液の濃度、反応温度および反応時間は、用いる基材および微粒子の種類、形成する太陽電池の膜厚等に応じて適宜調節される。
加熱温度は、100〜200℃が好ましい。加熱温度が100℃未満だと、カップリング反応の進行に長時間を要し、200℃を上回ると、エポキシ基を有する単分子膜23や反応性単分子膜31の分解反応が起こり、均一な太陽電池1が得られない。
(31) 2−メチルイミダゾール(R2=Me、R4=R5=H)
(32) 2−ウンデシルイミダゾール(R2=C11H23、R4=R5=H)
(33) 2−ペンタデシルイミダゾール(R2=C15H31、R4=R5=H)
(34) 2−メチル−4−エチルイミダゾール(R2=Me、R4=Et、R5=H)
(35) 2−フェニルイミダゾール(R2=Ph、R4=R5=H)
(36) 2−フェニル−4−エチルイミダゾール(R2=Ph、R4=Et、R5=H)
(37) 2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール(R2=Ph、R4=Me、R5=CH2OH)
(38) 2−フェニル−4,5−ビス(ヒドロキシメチル)イミダゾール(R2=Ph、R4=R5=CH2OH)
なお、Me、Et、およびPhは、それぞれメチル基、エチル基、およびフェニル基を表す。
これらのジイソシアネート化合物の添加量は、2−メチルイミダゾールの場合と同様、エポキシ化シリカ微粒子の5〜15重量%が好ましい。この場合、膜前駆体の製造に用いることのできる溶媒としては、キシレン等の芳香族有機溶媒が挙げられる。
また、アミノ基を有する膜化合物を用いる場合には、架橋剤としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル等の2または3以上のエポキシ基を有する化合物を用いることもできる。
(以上工程D)
用いられる2−メチルイミダゾール溶液の濃度、反応条件等は、溶液を塗布するのではなく、エポキシ化p型シリコン微粒子25を溶液中に分散させて加熱することを除くと、工程Cにおける反応性ITOガラス板32の調製の場合と同様であるので、詳しい説明を省略する。他に用いることのできるカップリング剤についても、工程Dにおける反応性ITOガラス板42の調製の場合と同様である。
工程Eにおける反応条件については、工程C、およびDと同様であるので、詳しい説明を省略する。
(以上工程E)
また、導電性を有する他の金属を用いてもよい。
(以上工程F)
図1(b)に示すように、太陽電池2は、エポキシ化ITOガラス板(被覆透明電極の一例)14の表面に、反応性n型シリコン微粒子(反応性n型半導体微粒子の一例)42が配列した微粒子層が1層結合固定されている。エポキシ化n型シリコン微粒子24の上には、エポキシ化p型シリコン微粒子25が1層結合固定され、さらにその上にアルミニウム電極51が形成されている。
エポキシ化ITOガラス板14の表面には、反応性n型シリコン微粒子42が1層結合固定されている。反応性n型シリコン微粒子42の表面は、エポキシ基を有する膜化合物(第2の膜化合物の一例)の単分子膜23で被覆され、2−メチルイミダゾール(第2のカップリング剤の一例)のアミノ基(第2のカップリング反応基の一例)とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された2-メチルイミダゾールの被膜でさらに被覆されている(図1(b)、図3参照)。
反応性n型シリコン微粒子42の上に結合固定されている被覆p型シリコン微粒子25の表面は、エポキシ基を有する膜化合物(第3の膜化合物の一例)の単分子膜23で被覆されている(図1(b)、図3参照)。
エポキシ化ITOガラス板14と反応性n型シリコン微粒子42、および反応性n型シリコン微粒子42とエポキシ化p型シリコン微粒子25との間は、エポキシ基と2−メチルイミダゾールのアミノ基またはイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物(第3の膜化合物の一例)をp型シリコン微粒子の表面に接触させ、アルコキシシリル基(第3の結合基の一例)とp型シリコン微粒子21の表面との間で結合を形成させ、エポキシ化p型シリコン微粒子25を調製する工程Cと、
まず、被覆n型シリコン微粒子24の表面に、2−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応させて反応性n型シリコン微粒子42を調製し、、次いで、エポキシ化ITOガラス板14の表面に反応性n型シリコン微粒子42を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化ITOガラス板14の表面に反応性n型シリコン微粒子42を固定し、次いで、固定されなかった反応性n型シリコン微粒子42を除去する工程D(図4(b)参照)と、
エポキシ化アルコキシシラン化合物を含む溶液をp型シリコン微粒子の表面に接触させ、アルコキシシリル基とp型シリコン微粒子の表面との間で結合を形成させ、エポキシ化p型シリコン微粒子25を調製し、次いで、反応性n型シリコン微粒子42の微粒子層の上にエポキシ化p型シリコン微粒子25を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、エポキシ化p型シリコン微粒子25を反応性n型シリコン微粒子42の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかったエポキシ化p型シリコン微粒子25を除去する工程Eと、反応性p型シリコン微粒子43の層の上にアルミニウム電極51を形成する工程Fとを有する。
かかる方法は、エポキシ化ITOガラス板14を製造する工程A、エポキシ化n型シリコン微粒子24を製造する工程B、エポキシ化p型シリコン微粒子25を製造する工程C、反応性ITOガラス板32を製造する工程D(場合によっては省略可能である)、反応性n型シリコン微粒子42を製造する工程E、反応性p型シリコン微粒子43を調製する工程F、被覆n型シリコン微粒子24および反応性シリコン微粒子42を交互に積層する工程G、被覆p型シリコン微粒子25および反応性シリコン微粒子43を交互に積層する工程H,およびアルミニウム電極51を形成する工程Iとを有する。
(a)透明電極として反応性ITOガラス板32を用い、積層されるn型シリコン微粒子の層の数が偶数である場合、(b)透明電極として反応性ITOガラス板32を用い、積層されるn型シリコン微粒子の層の数が奇数である場合、(c)透明電極としてエポキシ化ITOガラス板14を用い、積層されるn型シリコン微粒子の層の数が偶数である場合、および(d)透明電極としてエポキシ化ITOガラス板14を用い、積層されるn型シリコン微粒子の層の数が奇数である場合である場合について、太陽電池の製造に用いられる膜化合物およびカップリング剤の組み合わせを模式的に表した説明図を図5に示す。
ITOガラス板を用意し、洗浄後よく乾燥した。
3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(化8、信越化学工業株式会社製)0.99重量部、およびジブチルスズビスアセチルアセトナート(縮合触媒)0.01重量部を秤量し、これを100重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。
その後、クロロホルムで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物およびジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。
粒径が100nmの無水のn型シリコン微粒子を用意し、よく乾燥した。
3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(化8)0.99重量部、およびジブチルスズビスアセチルアセトナート(縮合触媒)0.01重量部を秤量し、これを100重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。
その後、トリクレンで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物およびジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。
粒径が100nmの無水のp型シリコン微粒子を用いて、(2)と同様の方法で調製した。
実施例1で調製したエポキシ化ITOガラス板の表面に、2−メチルイミダゾールのエタノール溶液を塗布し、100℃で加熱すると、エポキシ基と2−メチルイミダゾールのアミノ基とが反応して反応性ITOガラス板が得られた。エタノールで洗浄することにより余分な2−メチルイミダゾールを除去した。
(2)で調製したエポキシ化n型シリコン微粒子を、2−メチルイミダゾールのエタノール溶液中に分散して、100℃で加熱すると、エポキシ基と2−メチルイミダゾールのアミノ基とが反応して反応性ITOガラス板が得られた。エタノールで洗浄することにより余分な2−メチルイミダゾールを除去した。
(3)で調製したエポキシ化p型シリコン微粒子を用いて、(5)と同様の方法で調製した。
(4)で調製した反応性ITOガラス板の表面に、(2)で調製したエポキシ化n型シリコン微粒子のエタノール分散液を塗布し、100℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分なエポキシ化n型シリコン微粒子を除去した。
次いで、(6)で調製した反応性p型シリコン微粒子のエタノール分散液をさらに塗布し、100℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分な反応性p型シリコン微粒子を除去し、その上にアルミニウム電極を蒸着すると太陽電池が得られた。
(1)で調製したエポキシ化ITOガラス板の表面に、(5)で調製した反応性n型シリコン微粒子のエタノール分散液を塗布し、100℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分な反応性n型シリコン微粒子を除去した。
次いで、(3)で調製したエポキシ化p型シリコン微粒子のエタノール分散液をさらに塗布し、100℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分なエポキシ化p型シリコン微粒子を除去し、その上にアルミニウム電極を蒸着すると太陽電池が得られた。
Claims (30)
- 第1の官能基を有する第1の膜化合物の形成する被膜で被覆された透明電極の表面に、第2の官能基を有する第2の膜化合物の形成する被膜で被覆されたn型半導体微粒子が1層結合固定され、前記n型半導体微粒子の層の上には第3の官能基を有する第3の膜化合物の形成する被膜で被覆されたp型半導体微粒子が1層結合固定された太陽電池であって、
前記被覆されたn型半導体微粒子は、前記第1の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも1の第1のカップリング反応基と、前記第2の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも1の第2のカップリング反応基とを有する第1のカップリング剤と、前記第1および前記第2の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して結合固定され、
前記被覆されたp型半導体微粒子は、前記第2の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも1の第2のカップリング反応基と、前記第3の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも1の第3のカップリング反応基とを有する第2のカップリング剤と、前記第2および前記第3の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して結合固定されていることを特徴とする太陽電池。 - 請求項1記載の太陽電池において、前記透明電極の表面に前記第1の膜化合物の形成する被膜の表面は、前記第1の官能基と前記第1のカップリング反応基とのカップリング反応により結合した前記第1のカップリング剤の形成する被膜でさらに被覆され、
前記p型半導体微粒子の表面に前記第3の膜化合物の形成する被膜の表面は、前記第3の官能基と前記第3のカップリング反応基とのカップリング反応により結合した前記第2のカップリング剤の形成する被膜でさらに被覆されていることを特徴とする太陽電池。 - 請求項1記載の太陽電池において、前記n型半導体微粒子の表面に前記第2の膜化合物の形成する被膜の表面は、前記第2の官能基と前記第2のカップリング反応基とのカップリング反応により結合した前記第1のカップリング剤の形成する被膜でさらに被覆されていることを特徴とする太陽電池。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の太陽電池において、前記第1〜第3の膜化合物とが同一の化合物であることを特徴とする太陽電池。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の太陽電池において、前記第1〜第3の膜化合物の形成する被膜は全て単分子膜であることを特徴とする太陽電池。
- 第1の官能基を有する第1の膜化合物の形成する被膜で被覆された透明電極の表面に、n型半導体微粒子が前記被覆された透明電極側から裏面電極側に向かって第1層から第x層(xは1以上の整数)まで順次積層し、その上に、p型半導体微粒子が、第y層(yは、y≧x+1である整数)までさらに順次積層した半導体微粒子層が形成され、
第m番目(mは、1≦m≦yである整数)の前記半導体微粒子層を形成している前記被覆された半導体微粒子の表面は、第(m+1)の官能基を有する第mの膜化合物の形成する被膜で被覆されており、
前記半導体微粒子層の第(m−1)層と第m層は、第mの官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも1の第mのカップリング反応基と、前記第(m+1)の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも1の第(m+1)のカップリング反応基とを有する第mのカップリング剤と、前記第mの官能基と前記第mのカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合、および前記第(m+1)の官能基と前記第(m+1)のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに固定されていることを特徴とする太陽電池。 - 請求項6記載の太陽電池において、前記第1〜第(y+1)の膜化合物、ならびに前記第1〜第yのカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であることを特徴とする太陽電池。
- 請求項6および7のいずれか1項に記載の太陽電池において、前記第1〜第(y+1)の膜化合物が形成する被膜が全て単分子膜であることを特徴とする太陽電池。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の太陽電池において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたN−CH2CH(OH)結合であることを特徴とする太陽電池。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の太陽電池において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたNH−CONH結合であることを特徴とする太陽電池。
- 分子の両端にそれぞれ第1の官能基および第1の結合基を有する第1の膜化合物の形成する被膜で被覆された透明電極の表面に、分子の両端にそれぞれ第2の官能基および第2の結合基を有する第2の膜化合物の形成する被膜で被覆されたn型半導体微粒子が配列した第1の微粒子層が結合固定され、前記n型半導体微粒子層の上には分子の両端にそれぞれ第3の官能基および第3の結合基を有する第3の膜化合物の形成する被膜で被覆されたp型半導体微粒子が配列した第2の微粒子層が結合固定された太陽電池の製造方法であって、
前記第1の膜化合物を含む溶液を透明電極の表面に接触させ、前記第1の結合基と前記透明電極の表面との間で結合を形成させ、前記第1の膜化合物の形成する被膜で前記透明電極の表面が被覆された被覆透明電極を調製する工程Aと、
第2の官能基を有する第2の膜化合物を含む溶液をn型半導体微粒子の表面に接触させ、前記第2の結合基と前記第1の微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第2の膜化合物の形成する被膜で前記n型半導体微粒子の表面が被覆された被覆n型半導体微粒子を調製する工程Bと、
前記第3の膜化合物を含む溶液をp型半導体微粒子の表面に接触させ、前記第3の結合基と前記p型半導体微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第3の膜化合物の形成する被膜で前記p型半導体微粒子の表面が被覆された被覆p型半導体微粒子を調製する工程Cと、
前記第1の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第1のカップリング反応基と、前記第2の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第2のカップリング反応基とを有する第1のカップリング剤を、前記被覆された透明電極および前記被覆n型半導体微粒子の表面にそれぞれ接触させ、前記第1の官能基と前記第1のカップリング反応基とのカップリング反応、および前記第2の官能基と前記第2のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記被覆n型半導体微粒子からなる1層のn型半導体微粒子層を、前記被覆透明電極の表面に結合固定し、次いで、前記被覆透明電極の表面に固定されなかった前記被覆n型半導体微粒子を除去する工程Dと、
前記第2の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第2のカップリング反応基と、前記第3の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第3のカップリング反応基とを有する第2のカップリング剤を、前記n型半導体微粒子層および前記被覆p型半導体微粒子の表面にそれぞれ接触させ、前記第2の官能基と前記第2のカップリング反応基とのカップリング反応、および前記第3の官能基と前記第3のカップリング反応基とのカップリング反応により結合を形成させ、前記被覆p型半導体微粒子からなる1層のp型半導体微粒子層を、前記n型半導体微粒子層の上に結合固定し、次いで、前記n型半導体微粒子層の上に固定されなかった前記被覆p型半導体微粒子を除去する工程Eと、
前記p型半導体微粒子層の上に裏面電極を形成する工程Fとを有することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項11記載の太陽電池の製造方法において、前記工程Dでは、前記第1のカップリング剤を、まず、前記被覆透明電極の被覆された表面に接触させ、該第1のカップリング剤の被膜を有する反応性透明電極を調製し、次いで、該反応性透明電極の表面に前記被覆n型半導体微粒子を接触させ、該反応性透明電極の表面に前記被覆n型半導体微粒子を固定し、
前記工程Eでは、まず前記第2のカップリング剤を前記被覆p型半導体微粒子に接触させ、該第2のカップリング剤の被膜を有する反応性p型半導体微粒子を調製し、次いで前記被覆n型半導体微粒子の上に前記反応性p型半導体微粒子を接触させ、前記反応性p型半導体微粒子を固定することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項11記載の太陽電池の製造方法において、前記工程Dでは、まず、前記被覆n型半導体微粒子の表面に前記第1のカップリング剤を接触させ、前記第1のカップリング剤の被膜を有する反応性n型半導体微粒子を調製し、次いで、該反応性n型半導体微粒子の表面を前記被覆透明電極と接触させ、該被覆透明電極の表面に前記反応性n型半導体微粒子を固定し、
前記工程Eでは、前記反応性n型半導体微粒子の上に前記被覆p型半導体微粒子を接触させ、前記反応性p型半導体微粒子を固定することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項11〜13のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、前記第1〜第3の膜化合物とが同一の化合物であることを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 請求項11〜14のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、前記工程A、B、およびCにおいて、未反応の前記第1〜第3の膜化合物は洗浄除去され、前記第1〜第3の膜化合物が被膜は全て単分子膜であることを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 分子の両端にそれぞれ第1の官能基および第1の結合基を有する第1の膜化合物の形成する被膜で被覆された透明電極の表面に、n型半導体微粒子が前記被覆された透明電極側から裏面電極側に向かって第1層から第x層(xは2以上の偶数)まで順次積層し、その上に、p型半導体微粒子が、第y層(yは、y≧x+1である整数)までさらに順次積層した半導体微粒子層が形成された太陽電池の製造方法であって、
前記第1の膜化合物を含む溶液を透明電極の表面に接触させ、前記第1の結合基と前記透明電極の表面との間で結合を形成させ、前記第1の膜化合物の形成する被膜で前記透明電極の表面が被覆された被覆透明電極を調製する工程Aと、
分子の両端にそれぞれ第2の官能基および第2の結合基を有する第2の膜化合物を含む溶液をn型半導体微粒子の表面に接触させ、前記第2の結合基と前記n型半導体微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第2の膜化合物の形成する被膜で前記n型半導体微粒子の表面が被覆された被覆n型半導体微粒子を調製する工程Bと、
前記第2の膜化合物を含む溶液をp型半導体微粒子の表面に接触させ、前記第2の結合基と前記p型半導体微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第2の膜化合物の形成する被膜で前記p型半導体微粒子の表面が被覆された被覆p型半導体微粒子を調製する工程Cと、
前記被覆透明電極の前記被覆された表面に前記第1の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第1のカップリング反応基と、前記第2の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第2のカップリング反応基とを有する第1のカップリング剤を接触させ、該第1のカップリング剤の被膜を有する反応性透明電極を調製する工程Dと、
分子の両端にそれぞれ第3の官能基および第3の結合基を有する第3の膜化合物を含む溶液をn型半導体微粒子の表面に接触させ、前記第3の結合基と前記n型半導体微粒子の表面との間で結合を形成させ、さらにその表面に、前記第2の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第2のカップリング反応基と、前記第3の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第3のカップリング反応基とを有する第2のカップリング剤を接触させ、前記第3の官能基と前記第3のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された前記第2のカップリング剤の形成する被膜を表面に有する反応性n型半導体微粒子を調製する工程Eと、
分子の両端にそれぞれ第4の官能基および第4の結合基を有する第4の膜化合物を含む溶液をp型半導体微粒子の表面に接触させ、前記第4の結合基と前記p型半導体微粒子の表面との間で結合を形成させ、さらにその表面に、前記第2の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第2のカップリング反応基と、前記第4の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第4のカップリング反応基とを有する第3のカップリング剤を接触させ、前記第4の官能基と前記第4のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された前記第3のカップリング剤の形成する被膜を表面に有する反応性p型半導体微粒子を調製する工程Fと、
前記反応性透明電極の表面に、前記被覆n型半導体微粒子および前記反応性n型半導体微粒子を交互に積層させ、前記第2の官能基と前記第2のカップリング反応基とのカップリング反応を介して固定し、第1層から第x層まで順次積層したn型半導体微粒子からなる半導体微粒子層を形成する工程Gと、
前記工程Gで形成された前記半導体微粒子膜の表層に位置する前記反応性n型半導体微粒子の微粒子層の上に、前記被覆p型半導体微粒子および前記反応性p型半導体微粒子を交互に積層させ、前記第2の官能基と前記第2のカップリング反応基とのカップリング反応を介して固定し、第(x+1)層から第y層まで順次積層したp型半導体微粒子からなる半導体微粒子層を形成する工程Hと、
前記工程Hで形成された前記半導体微粒子膜の表層に裏面電極を形成する工程Iとを有することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 分子の両端にそれぞれ第1の官能基および第1の結合基を有する第1の膜化合物の形成する被膜で被覆された透明電極の表面に、n型半導体微粒子が前記被覆された透明電極側から裏面電極側に向かって第1層から第x層(xは1以上の奇数)まで順次積層し、その上に、p型半導体微粒子が、第y層(yは、y≧x+1である整数)までさらに順次積層した半導体微粒子層が形成された太陽電池の製造方法であって、
前記第1の膜化合物を含む溶液を透明電極の表面に接触させ、前記第1の結合基と前記透明電極の表面との間で結合を形成させ、前記第1の膜化合物の形成する被膜で前記透明電極の表面が被覆された被覆透明電極を調製する工程Aと、
分子の両端にそれぞれ第2の官能基および第2の結合基を有する第2の膜化合物を含む溶液をn型半導体微粒子の表面に接触させ、前記第2の結合基と前記n型半導体微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第2の膜化合物の形成する被膜で前記n型半導体微粒子の表面が被覆された被覆n型半導体微粒子を調製する工程Bと、
前記第2の膜化合物を含む溶液をp型半導体微粒子の表面に接触させ、前記第2の結合基と前記p型半導体微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第2の膜化合物の形成する被膜で前記p型半導体微粒子の表面が被覆された被覆p型半導体微粒子を調製する工程Cと、
前記被覆透明電極の前記被覆された表面に前記第1の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第1のカップリング反応基と、前記第2の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第2のカップリング反応基とを有する第1のカップリング剤を接触させ、該第1のカップリング剤の被膜を有する反応性透明電極を調製する工程Dと、
分子の両端にそれぞれ第3の官能基および第3の結合基を有する第3の膜化合物を含む溶液をn型半導体微粒子の表面に接触させ、前記第3の結合基と前記n型半導体微粒子の表面との間で結合を形成させ、さらにその表面に、前記第2の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第2のカップリング反応基と、前記第3の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第3のカップリング反応基とを有する第2のカップリング剤を接触させ、前記第3の官能基と前記第3のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された前記第2のカップリング剤の形成する被膜を表面に有する反応性n型半導体微粒子を調製する工程Eと、
分子の両端にそれぞれ第4の官能基および第4の結合基を有する第4の膜化合物を含む溶液をp型半導体微粒子の表面に接触させ、前記第4の結合基と前記p型半導体微粒子の表面との間で結合を形成させ、さらにその表面に、前記第2の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第2のカップリング反応基と、前記第4の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第4のカップリング反応基とを有する第3のカップリング剤を接触させ、前記第4の官能基と前記第4のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された前記第3のカップリング剤の形成する被膜を表面に有する反応性p型半導体微粒子を調製する工程Fと、
前記反応性透明電極の表面に、前記被覆n型半導体微粒子および前記反応性n型半導体微粒子を交互に積層させ、前記第2の官能基と前記第2のカップリング反応基とのカップリング反応を介して固定し、第1層から第x層まで順次積層したn型半導体微粒子からなる半導体微粒子層を形成する工程Gと、
前記工程Gで形成された前記半導体微粒子膜の表層に位置する前記被覆n型半導体微粒子の微粒子層の上に、前記反応性p型半導体微粒子および前記被覆p型半導体微粒子を交互に積層させ、前記第2の官能基と前記第2のカップリング反応基とのカップリング反応を介して固定し、第(x+1)層から第y層まで順次積層したp型半導体微粒子からなる半導体微粒子層を形成する工程Hと、
前記工程Hで形成された前記半導体微粒子膜の表層に裏面電極を形成する工程Iとを有することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項16および17のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、前記第1〜第4の膜化合物、および前記第1〜第3のカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であることを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 請求項16〜18のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、前記工程A、B、C、E、およびFにおいて、未反応の前記第1〜第4の膜化合物は洗浄除去され、前記第1〜第4の膜化合物が形成する被膜は、単分子膜であることを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 分子の両端にそれぞれ第1の官能基および第1の結合基を有する第1の膜化合物の形成する被膜で被覆された透明電極の表面に、n型半導体微粒子が前記被覆された透明電極側から裏面電極側に向かって第1層から第x層(xは2以上の偶数)まで順次積層し、その上に、p型半導体微粒子が、第y層(yは、y≧x+1である整数)までさらに順次積層した半導体微粒子層が形成された太陽電池の製造方法であって、
前記第1の膜化合物を含む溶液を透明電極の表面に接触させ、前記第1の結合基と前記透明電極の表面との間で結合を形成させ、前記第1の膜化合物の形成する被膜で前記透明電極の表面が被覆された被覆透明電極を調製する工程Aと、
前記第1の膜化合物を含む溶液をn型半導体微粒子の表面に接触させ、前記第1の結合基と前記n型半導体微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第1の膜化合物の形成する被膜で前記n型半導体微粒子の表面が被覆された被覆n型半導体微粒子を調製する工程Bと、
前記第1の膜化合物を含む溶液をp型半導体微粒子の表面に接触させ、前記第1の結合基と前記p型半導体微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第1の膜化合物の形成する被膜で前記p型半導体微粒子の表面が被覆された被覆p型半導体微粒子を調製する工程Cと、
分子の両端にそれぞれ第2の官能基および第2の結合基を有する第2の膜化合物を含む溶液をn型半導体微粒子の表面に接触させ、前記第2の結合基と前記n型半導体微粒子の表面との間で結合を形成させ、さらにその表面に、前記第1の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第1のカップリング反応基と、前記第2の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第2のカップリング反応基とを有する第1のカップリング剤を接触させ、前記第2の官能基と前記第2のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された前記第1のカップリング剤の形成する被膜を表面に有する反応性n型半導体微粒子を調製する工程Eと、
分子の両端にそれぞれ第3の官能基および第3の結合基を有する第3の膜化合物を含む溶液をp型半導体微粒子の表面に接触させ、前記第3の結合基と前記p型半導体微粒子の表面との間で結合を形成させ、さらにその表面に、前記第1の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第1のカップリング反応基と、前記第3の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第3のカップリング反応基とを有する第2のカップリング剤を接触させ、前記第3の官能基と前記第3のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された前記第2のカップリング剤の形成する被膜を表面に有する反応性p型半導体微粒子を調製する工程Fと、
前記被覆透明電極の表面に、前記反応性n型半導体微粒子および前記被覆n型半導体微粒子を交互に積層させ、前記第1の官能基と前記第1のカップリング反応基とのカップリング反応を介して固定し、第1層から第x層まで順次積層したn型半導体微粒子からなる半導体微粒子層を形成する工程Gと、
前記工程Gで形成された前記半導体微粒子膜の表層に位置する前記被覆n型半導体微粒子の微粒子層の上に、前記反応性p型半導体微粒子および前記被覆p型半導体微粒子を交互に積層させ、前記第1の官能基と前記第1のカップリング反応基とのカップリング反応を介して固定し、第(x+1)層から第y層まで順次積層したp型半導体微粒子からなる半導体微粒子層を形成する工程Hと、
前記工程Hで形成された前記半導体微粒子膜の表層に裏面電極を形成する工程Iとを有することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 第1の官能基を有する第1の膜化合物の形成する被膜で被覆された透明電極の表面に、n型半導体微粒子が前記被覆された透明電極側から裏面電極側に向かって第1層から第x層(xは1以上の奇数)まで順次積層し、その上に、p型半導体微粒子が、第y層(yは、y≧x+1である整数)までさらに順次積層した半導体微粒子層が形成された太陽電池の製造方法であって、
前記第1の膜化合物を含む溶液を透明電極の表面に接触させ、前記第1の結合基と前記透明電極の表面との間で結合を形成させ、前記第1の膜化合物の形成する被膜で前記透明電極の表面が被覆された被覆透明電極を調製する工程Aと、
前記第1の膜化合物を含む溶液をn型半導体微粒子の表面に接触させ、前記第1の結合基と前記n型半導体微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第1の膜化合物の形成する被膜で前記n型半導体微粒子の表面が被覆された被覆n型半導体微粒子を調製する工程Bと、
前記第1の膜化合物を含む溶液をp型半導体微粒子の表面に接触させ、前記第1の結合基と前記p型半導体微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第1の膜化合物の形成する被膜で前記p型半導体微粒子の表面が被覆された被覆p型半導体微粒子を調製する工程Cと、
分子の両端にそれぞれ第2の官能基および第2の結合基を有する第2の膜化合物を含む溶液をn型半導体微粒子の表面に接触させ、前記第2の結合基と前記n型半導体微粒子の表面との間で結合を形成させ、さらにその表面に、前記第1の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第1のカップリング反応基と、前記第2の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第2のカップリング反応基とを有する第1のカップリング剤を接触させ、前記第2の官能基と前記第2のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された前記第1のカップリング剤の形成する被膜を表面に有する反応性n型半導体微粒子を調製する工程Eと、
分子の両端にそれぞれ第3の官能基および第3の結合基を有する第3の膜化合物を含む溶液をp型半導体微粒子の表面に接触させ、前記第3の結合基と前記p型半導体微粒子の表面との間で結合を形成させ、さらにその表面に、前記第1の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第1のカップリング反応基と、前記第3の官能基とカップリング反応して結合を形成する1または2以上の第3のカップリング反応基とを有する第2のカップリング剤を接触させ、前記第3の官能基と前記第3のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して固定された前記第2のカップリング剤の形成する被膜を表面に有する反応性p型半導体微粒子を調製する工程Fと、
前記被覆透明電極の表面に、前記反応性n型半導体微粒子および前記被覆n型半導体微粒子を交互に積層させ、前記第1の官能基と前記第1のカップリング反応基とのカップリング反応を介して固定し、第1層から第x層まで順次積層したn型半導体微粒子からなる半導体微粒子層を形成する工程Gと、
前記工程Gで形成された前記半導体微粒子膜の表層に位置する前記反応性n型半導体微粒子の微粒子層の上に、前記被覆p型半導体微粒子および前記反応性p型半導体微粒子を交互に積層させ、前記第1の官能基と前記第1のカップリング反応基とのカップリング反応を介して固定し、第(x+1)層から第y層まで順次積層したp型半導体微粒子からなる半導体微粒子層を形成する工程Hと、
前記工程Hで形成された前記半導体微粒子膜の表層に裏面電極を形成する工程Iとを有することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項20および21のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、前記第1〜第3の膜化合物、および前記第1および第2のカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であることを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 請求項20〜22のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、前記工程A、B、C、E、およびFにおいて、未反応の前記第1〜第3の膜化合物は洗浄除去され、前記第1〜第3の膜化合物が形成する被膜は、単分子膜であることを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 請求項11〜15、および20〜23のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、前記第1および第2の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第1および第2の膜化合物を含む溶液は、さらに縮合触媒として、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される1または2以上の化合物を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 請求項11〜15、および20〜23のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、前記第1〜第3の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第1〜第3の膜化合物を含む溶液は、さらに縮合触媒として、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される1または2以上の化合物をさらに含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 請求項16〜19のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、前記第1〜第4の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第1〜第4の膜化合物を含む溶液は、さらに縮合触媒として、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される1または2以上の化合物を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 請求項16〜19のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、前記第1〜第3の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第1〜第3の膜化合物を含む溶液は、さらに縮合触媒として、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される1または2以上の化合物をさらに含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 請求項24および26のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、さらに助触媒として、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される1または2以上の化合物をさらに含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 請求項11〜28のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたN−CH2CH(OH)結合であることを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 請求項11〜28のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたNH−CONH結合であることを特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007095861A JP5374674B2 (ja) | 2007-03-31 | 2007-03-31 | 太陽電池およびその製造方法 |
PCT/JP2008/055430 WO2008123193A1 (ja) | 2007-03-31 | 2008-03-24 | 太陽電池およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007095861A JP5374674B2 (ja) | 2007-03-31 | 2007-03-31 | 太陽電池およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008258223A true JP2008258223A (ja) | 2008-10-23 |
JP5374674B2 JP5374674B2 (ja) | 2013-12-25 |
Family
ID=39830690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007095861A Expired - Fee Related JP5374674B2 (ja) | 2007-03-31 | 2007-03-31 | 太陽電池およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5374674B2 (ja) |
WO (1) | WO2008123193A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012164897A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Kagawa Univ | 半導体微粒子膜、ダイオード、光電変換素子およびそれらの製造方法 |
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Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4868496B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2012-02-01 | 国立大学法人 香川大学 | 太陽電池とその製造方法 |
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JP5087764B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2012-12-05 | 国立大学法人 香川大学 | シリコン微粒子とその製造方法およびそれらを用いた太陽電池とその製造方法 |
-
2007
- 2007-03-31 JP JP2007095861A patent/JP5374674B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-24 WO PCT/JP2008/055430 patent/WO2008123193A1/ja active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP5374674B2 (ja) | 2013-12-25 |
WO2008123193A1 (ja) | 2008-10-16 |
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