JP2008252058A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 第１の表面に半導体素子の第１の電極が配設され、前記第１の表面と対向する第２の表面に前記半導体素子の第２の電極が配設された半導体チップと、
   前記半導体チップの第１の表面に接続された第１の導電性部材と、
   前記半導体チップの第２の表面に接続された第２の導電性部材と、
   前記第１の導電性部材と接続され、前記第１の導電性部材よりも大きな接続面積を有する第１の外部電極と、
   前記第２の導電性部材と接続され、前記第２の導電性部材よりも大きな接続面積を有する第２の外部電極と、
   前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極の間において、加熱により溶融、硬化することで前記半導体チップ、前記第１の導電性部材及び前記第２の導電性部材を封止する封止材と、
   を備えることを特徴とする半導体装置。
2. 第１の表面に半導体素子の第１の電極が配設され、前記第１の表面と対向する第２の表面に前記半導体素子の第２の電極が配設された半導体チップと、
   前記半導体チップの第１の表面に接続された第１の導電性部材と、
   前記半導体チップの第２の表面に接続された第２の導電性部材と、
   前記第１の導電性部材と第２の導電性部材との間において、加熱により溶融、硬化することで前記半導体チップを封止する封止材と、を備え、
   前記第１の導電性部材と前記第２の導電性部材は、前記半導体チップの表面に配設された電極と接する一端が前記半導体チップの表面積よりも小さな面積を有しており、他端が前記半導体チップの表面積よりも大きな面積を有していることを特徴とする半導体装置。
3. 第１の表面に半導体素子の第１の電極が配設され、前記第１の表面と対向する第２の表面に前記半導体素子の第２の電極が配設された半導体チップと、
   前記半導体チップの構成面のうち前記第１の表面と前記第２の表面を除く４つの面を封止し、前記第１の表面と前記第２の表面とそれぞれ同一平面を形成する封止材と、
   前記第１の表面の全面と接続され、前記第１の表面の一端部から前記第１の表面の他端部を越えて前記第１の表面と同一平面を形成する前記封止材の終端部まで延ばして形成された第１の導電性部材と、
   前記第２の表面の全面と接続され、前記第１の表面の他端部と同一平面を形成する前記第２の表面の一端部から前記第２の表面の他端部を越えて前記第２の表面と同一平面を形成する前記封止材の終端部まで延ばして形成された第２の導電性部材と、
   前記第１の導電性部材及び前記半導体チップの第１の表面と同一平面を形成する前記封止材の表面であって前記第１の導電性部材に覆われない領域を封止する第１のシート状封止材と、
   前記第２の導電性部材及び前記半導体チップの第２の表面と同一平面を形成する前記封止材の表面であって前記第２の導電性部材に覆われない領域を封止する第２のシート状封止材と、
   同一平面を形成する前記第１のシート状封止材、前記第１の導電性部材、前記第１の導電性部材に覆われる封止材及び前記第２のシート状封止材の表面とこの表面との垂直面に形成される第１のめっき膜と、
   同一平面を形成する前記第２のシート状封止材、前記第２の導電性部材、前記第２の導電性部材に覆われる封止材及び前記第１のシート状封止材の表面とこの表面との垂直面に形成される第２のめっき膜と、
   を備えることを特徴とする半導体装置。
4. 第１の表面に半導体素子の第１の電極が配設され、前記第１の表面と対向する第２の表面に前記半導体素子の第２の電極が配設された半導体チップと、
   前記半導体チップの構成面のうち前記第１の表面と前記第２の表面を除く４つの面を封止し、前記第１の表面と前記第２の表面とそれぞれ同一平面を形成する封止材と、
   前記第１の表面の全面と接続され、前記第１の表面の一端部から前記第１の表面の他端部を越えて前記第１の表面と同一平面を形成する前記封止材の終端部まで延ばして形成された第１の金属箔と、
   前記第２の表面の全面と接続され、前記第１の表面の他端部と同一平面を形成する前記第２の表面の一端部から前記第２の表面の他端部を越えて前記第２の表面と同一平面を形成する前記封止材の終端部まで延ばして形成された第２の金属箔と、
   前記第１の金属箔及び前記半導体チップの第１の表面と同一平面を形成する前記封止材の表面であって前記第１の金属箔に覆われない領域を封止する第１のシート状封止材と、
   前記第２の金属箔及び前記半導体チップの第２の表面と同一平面を形成する前記封止材の表面であって前記第２の金属箔に覆われない領域を封止する第２のシート状封止材と、
   同一平面を形成する前記第１のシート状封止材、前記第１の金属箔、前記第１の金属箔に覆われる封止材及び前記第２のシート状封止材の表面及びこの表面との垂直面に形成される第１のめっき膜と、
   同一平面を形成する前記第２のシート状封止材、前記第２の金属箔、前記第２の金属箔に覆われる封止材及び前記第１のシート状封止材の表面及びこの表面との垂直面に形成される第２のめっき膜と、
   を備えることを特徴とする半導体装置。
5. 第１の表面に第１の電極が設けられ、前記第１の表面と対向する第２の表面に第２の電極が設けられた半導体チップと、
   前記半導体チップの前記第１の表面及び前記第２の表面を除く４つの面を封止する封止材と、
   前記封止材と接着され、前記半導体チップにおいて前記第１の電極が設けられた領域に該当する位置に貫通孔が設けられた第１の樹脂基板と、
   前記封止材と接着され、前記第１の樹脂基板とともに前記半導体チップを挟み、前記半導体チップにおいて前記第２の電極が設けられた領域に該当する位置に貫通孔が設けられた第２の樹脂基板と、
   前記第１の樹脂基板の前記貫通孔を充填しその一端が前記第１の電極に接続されるとともに、その他端の表面積は前記半導体チップにおける前記第１の表面の表面積よりも大きな表面積を有する第１の外部電極と、
   前記第２の樹脂基板の前記貫通孔を充填しその一端が前記第２の電極に接続されるとともに、その他端の表面積は前記半導体チップにおける前記第２の表面の表面積よりも大きな表面積を有する第２の外部電極と、
   前記第１の外部電極の他端を構成する５面及び前記第２の外部電極の他端を構成する５面をそれぞれ覆うめっき膜と、
   を備えることを特徴とする半導体装置。
6. 第１の表面に第１の電極が設けられ、前記第１の表面と対向する第２の表面に第２の電極が設けられた半導体チップと、
   前記半導体チップの前記第１の表面及び前記第２の表面を除く４つの面を封止する封止材と、
   前記封止材と接着され、前記半導体チップにおいて前記第１の電極が設けられた領域に該当する位置に貫通孔が設けられた第１の樹脂基板と、
   前記封止材と接着され、前記第１の樹脂基板とともに前記半導体チップを挟み、前記半導体チップにおいて前記第２の電極が設けられた領域に該当する位置に貫通孔が設けられた第２の樹脂基板と、
   前記第１の樹脂基板の前記貫通孔を充填しその一端が前記第１の電極に接続される第１の導通経路と、前記第１の導通経路の他端と直角に接続して延びる第２の導通経路と、前記第２の導通経路と直角に接続し前記第１の導通経路と並行に延びる第３の導通経路とから構成される第１の外部電極と、
   前記第２の樹脂基板の前記貫通孔を充填しその一端が前記第２の電極に接続される第１の導通経路と、前記第１の導通経路の他端と直角に接続して延びる第２の導通経路と、前記第２の導通経路と直角に接続し前記第１の導通経路と並行に延びる第３の導通経路とから構成される第２の外部電極と、
   前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極のそれぞれ前記第２の導通経路及び前記第３の導通経路から構成される５面を覆うめっき膜と、
   を備えることを特徴とする半導体装置。