JP2008251660A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マイクロ波発生器60より出力されたマイクロ波は、導波管62、導波管−同軸管変換器64および同軸管66を有するマイクロ波伝送線路58を伝播して、遅延板56を通ってラジアルラインスロットアンテナ54に給電され、アンテナ54の各スロットからチャンバ10内に向けて放射され、マイクロ波のパワーで処理ガスのプラズマが生成される。処理ガス供給源82より送出された処理ガスは、第1ガス供給管84および同軸管66のガス流路80を通って上部中心ガス吐出口86から吐出され、チャンバ10内で軸対称・放射状に拡散する。
【選択図】 図1
Description
12 サセプタ(基板保持台)
26 排気装置
30 高周波電源
52 石英板(誘電体窓)
54 ラジアルラインスロットアンテナ
58 マイクロ波伝送線路
60 マイクロ波発生器
62 導波管
64 導波管−同軸管変換器
66 同軸管
68 内部導体
70 外部導体
82 処理ガス供給源
84 第1ガス供給管
86 上部中央ガス吐出孔
88 第1処理ガス導入部
94 第2処理ガス導入部
98 側部ガス吐出孔
100 第2ガス供給管
112 磁界形成部
114 モニタ部
Claims (22)
- 被処理基板を出し入れ可能に収容する真空排気可能な処理容器と、
プラズマ励起用のマイクロ波を発生するマイクロ波発生器と、
前記マイクロ波発生器より出力された前記マイクロ波を前記処理容器に向けて伝送するための導波管と、
前記導波管の終端に接続された導波管−同軸管変換器と、
前記導波管−同軸管変換器から前記処理容器まで前記マイクロ波を伝送するための線路を形成し、その内部導体に中空部を有する同軸管と、
前記同軸管の前記内部導体の中空部を介して前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と
を有し、前記処理容器内で前記マイクロ波のパワーにより前記処理ガスのプラズマを生成して、前記基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置。 - 前記処理容器内に前記基板を載置して保持するための保持台が設置され、前記処理容器の前記保持台と対向する天井面に前記マイクロ波を導入するための誘電体からなる窓が設けられている請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体窓に、前記同軸管の内部導体の中空部と連通するガス吐出孔が形成されている請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体窓が平板形アンテナを構成する請求項2または請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記アンテナは、前記同軸管の終端に電磁的に結合されている請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記アンテナは、スロットアンテナである請求項4または請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 前記スロットアンテナは、ラジアルラインスロットアンテナである請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 前記アンテナは、前記同軸管の内部導体の周りに設けられる請求項4〜7のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導波管−同軸管変換器は、前記導波管の伝送モードを前記同軸管のTEMモードに変換する請求項1〜8のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導波管は方形導波管であり、前記導波管−同軸管変換器内で前記同軸管から前記導波管の中に突き出ている前記内部導体の一端部が逆テーパ状に太くなっている請求項9に記載のプラズマ処理装置。
- 前記同軸管の内部導体の中空部は、前記内部導体を貫通し、前記逆テーパ状端部に形成されている入口より処理ガスを導入し、前記処理容器内の空間に臨む出口より処理ガスを吐出する請求項10に記載のプラズマ処理装置。
- 前記同軸管の内部導体が、冷媒を流す冷媒流路を有する請求項1〜11のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理ガス供給部が、前記同軸管の内部導体の中空部を含む第1ガス導入部とは別の経路で前記処理容器内に処理ガスを導入するための第2ガス導入部を有する請求項1〜12のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2ガス導入部が、前記処理容器の側壁から容器中心部に向かって処理ガスを吐出する側壁吐出口を有する請求項13に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理ガス供給部が、前記処理容器内に前記第1および第2ガス導入部よりそれぞれ導入する処理ガスの流量を個別に制御するための流量制御部を有する請求項13または請求項14に記載のプラズマ処理装置。
- 前記保持台に自己バイアス電圧を発生させるための高周波を前記保持台に印加する高周波電源を有する請求項2〜15のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器内でプラズマに電子サイクロトロン共鳴を起こさせるための磁界を形成する磁界形成部を処理容器の周りに設ける請求項1〜16のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 真空排気可能な処理容器内に被処理基板を収容し、前記処理容器内に処理ガスとマイクロ波のパワーを供給して前記処理ガスのプラズマを生成し、前記基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
マイクロ波発生器より出力されたマイクロ波を前記処理容器まで伝送するためのマイクロ波伝送線路においてその終端部を含む所定の区間を同軸線路で構成するとともに、前記同軸線路の内部導体を中空管に構成して、前記中空管を介して前記処理ガスを前記処理容器内に導入するプラズマ処理装置。 - 真空排気可能な処理容器内に被処理基板を収容し、前記処理容器内に処理ガスとマイクロ波のパワーを供給して前記処理ガスのプラズマを生成し、前記基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
マイクロ波発生器からのマイクロ波を前記処理容器まで伝送するためのマイクロ波伝送線路においてその終端部を含む所定の区間を同軸線路で構成するとともに、前記同軸線路の内部導体を中空管に構成し、前記中空管を介して前記処理容器内のプロセスまたはプロセス条件の状態をモニタリングするモニタ部を有するプラズマ処理装置。 - 前記モニタ部は、前記処理容器内のプラズマからの発光を分光して計測するプラズマ発光計測部を有する請求項19に記載のプラズマ処理装置。
- 前記モニタ部は、前記保持台に保持されている前記基板上の所定の膜の膜厚を光学的に測定するための光学式膜厚測定部を有する請求項19に記載のプラズマ処理装置。
- 前記モニタ部は、前記処理容器内の温度を測定するための温度センサを有する請求項19に記載のプラズマ処理装置。
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