JP2008246833A - シリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】分割時にシリコンウェハにかかる応力のばらつきを抑え、シリコンウェハの異常な割れを防ぐことができるシリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】表面の結晶面方位が（１００）面又は（１１０）面であり、デバイス間ブレイクパターン２０４及びデバイス領域２０２と非デバイス領域２０３とを分割するための領域間ブレイクパターン２０５が設けられたシリコンウェハ２００を分割する際に、少なくとも、前記領域間ブレイクパターン２０５上にあり且つ領域間ブレイクパターン２０５の屈折部以外のデバイス間ブレイクパターン２０４の端部であって、該デバイス間ブレイクパターン２０４の端部から（１１１）面方向に沿った方向のシリコンウェハ２００の外周までの距離が最も長いデバイス間ブレイクパターン２０４の端部に相対向する非デバイス領域２０３に溝部２０６を設けた後、シリコンウェハ２００を分割する。
【選択図】図１

Description

本発明は、シリコン基板を分割してシリコンデバイスとするシリコンデバイスの製造方法及び液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法に関し、特に、液体としてインクを吐出するインクジェット式記録ヘッドの製造方法に関する。

液体噴射ヘッドに代表されるシリコンデバイスは、シリコンウェハに複数一体的に形成した後、シリコンウェハをブレイクパターンに沿って分割して１つのチップ単位に形成していた（特許文献１及び２参照）。なお、シリコンウェハの分割は、シリコンウェハをエキスパンドテープ上に載置し、エキスパンドテープを放射状に拡張することで行っていた。

特開２００２−３１３７５４号公報（第４〜５頁、第１〜２図等） 特開２００４−１８１９４７号公報（第４〜５頁、第４図等）

しかしながら、シリコンウェハの外周から各ブレイクパターンまでの距離は通常ばらついているため、シリコンウェハを分割する際にシリコンウェハにかかる応力にばらつきが生じ、特に複数一体的に形成されたシリコンデバイス内部のブレイクパターン（デバイス間ブレイクパターン）のブレイク性が悪くなる場合があった。このような場合、シリコンデバイスとなる領域にもクラックが発生したり、シリコンウェハの破片が大量に発生する等の異常な割れが起こるという問題が生じる。なお、シリコンウェハの破片が大量に発生すると、分割したシリコンデバイスに他部材を接着する際にシリコンの破片によって接着不良が発生してしまったり、分割したシリコンデバイスに成膜する際に、シリコンの破片によって成膜不良が発生してしまい歩留まりが低下してしまう。また、例えば、シリコンデバイスとして液体噴射ヘッドを形成する場合、シリコンウェハを分割する際に発生した破片が圧力発生室などに残留し、液体の噴射不良等が発生してしまうと共に洗浄工程が必要になってしまう。

本発明はこのような事情に鑑み、分割時にシリコンウェハにかかる応力のばらつきを抑え、シリコンウェハの異常な割れを防ぐことができるシリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決する本発明の態様は、シリコンデバイスが中央部側に複数一体的に形成されたデバイス領域とその外周側の非デバイス領域を有し表面の結晶面方位が（１００）面又は（１１０）面であり且つ互いに隣接する前記シリコンデバイスを分割するためのデバイス間ブレイクパターン及び前記デバイス領域と前記非デバイス領域とを分割するための領域間ブレイクパターンからなるブレイクパターンが設けられたシリコンウェハを分割する際に、少なくとも、前記領域間ブレイクパターン上にあり且つ前記領域間ブレイクパターンの屈折部以外の前記デバイス間ブレイクパターンの端部であって、該デバイス間ブレイクパターンの端部から（１１１）面方向に沿った方向の前記シリコンウェハの外周までの距離が最も長い前記デバイス間ブレイクパターンの端部に相対向する前記非デバイス領域に、溝部を設けた後、前記シリコンウェハを分割することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法にある。
かかる態様では、デバイス間ブレイクパターンの端部から（１１１）面方向に沿った方向、すなわち、シリコンウェハが割れやすい方向のシリコンウェハの外周までの距離が最も長い領域に溝部を設けることにより、分割する際にこの領域にかかる応力が小さくなり、外周までの距離が長いデバイス間ブレイクパターンのブレイク性が良好になり、シリコンウェハにかかる応力のばらつきが抑えられる。したがって、シリコンデバイスとなる領域にもクラックが発生したりシリコンウェハの破片が大量に発生したりする等のシリコンウェハの異常な割れを防ぐことができる。

そして、前記領域間ブレイクパターン上にあり且つ前記領域間ブレイクパターンの屈折部以外の前記デバイス間ブレイクパターンの端部に相対向する前記非デバイス領域に前記溝部が複数設けられており、該各溝部の前記シリコンウェハの外周側の端部から（１１１）面方向に沿った方向の前記シリコンウェハの外周までの距離が均一であるようにすることが好ましい。これによれば、デバイス間ブレイクパターンの端部に相対向する非デバイス領域に設けられた溝部から、（１１１）面方向に沿った方向のシリコンウェハの外周までの距離が均一であるため、これらのデバイス間ブレイクパターンにかかる応力が均一になる。したがって、シリコンウェハにかかる応力のばらつきを抑えられるため、シリコンウェハの異常な割れを防ぐことができる。

また、前記シリコンウェハは円形状で、前記デバイス領域は矩形状の角部を切り欠いた十字形状であってもよい。これによれば、複数一体的に十字形状になるようにシリコンデバイスが配置された円形状のシリコンウェハを、異常な割れを発生させることなく、分割することができる。

さらに、前記溝部の壁面が（１１１）面方向に沿った方向であることが好ましい。（１００）面又は（１１０）面からなるシリコンウェハは（１１１）面方向に沿った方向に割れやすいため、溝部の壁面を（１１１）面方向に沿った方向で形成すると、シリコンウェハを分割する際にシリコンウェハにかかる応力を小さくすることができる。

そして、前記溝部を前記シリコンウェハの厚さ方向に貫通して設けることが好ましい。これによれば、溝部をシリコン基板を貫通させて形成することで、シリコンウェハを分割する際にかける応力を小さくすることができる。また、深さの制御を行う必要がなく、製造工程を簡略化することができる。

また、前記シリコンウェハの分割では、当該シリコンウェハをエキスパンドテープ上に載置した後、該エキスパンドテープを拡張させることで行ってもよい。これによれば、シリコンウェハを容易に且つ確実に分割することができる。

さらに本発明の他の態様は、液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室が形成されると共に該圧力発生室に圧力を発生させる圧力発生手段が形成された流路形成基板が中央部側に複数一体的に形成され表面の結晶面方位が（１００）面又は（１１０）面のシリコンウェハからなり且つ前記流路形成基板毎に分割するためのブレイクパターンが設けられた流路形成基板用ウェハと、前記流路形成基板に対応して設けられる保護基板が中央部側に複数一体的に形成され表面の結晶面方位が（１００）面又は（１１０）面のシリコンウェハからなり且つ前記保護基板毎に分割するためのブレイクパターンが設けられた保護基板用ウェハとを接合した後に、前記流路形成基板用ウェハ及び前記保護基板用ウェハを分割して液体噴射ヘッドとする際に、前記流路形成基板及び前記保護基板の少なくとも一方が設けられたデバイス領域とその外周側の非デバイス領域とを分割するための領域間ブレイクパターン上にあり且つ前記領域間ブレイクパターンの屈折部以外の互いに隣接する前記流路形成基板又は前記保護基板を分割するためのデバイス間ブレイクパターンの端部であって、該デバイス間ブレイクパターンの端部から（１１１）面方向に沿った方向の前記流路形成基板用ウェハ又は前記保護基板用ウェハの外周までの距離が最も長い前記デバイス間ブレイクパターンの端部に相対向する非デバイス領域に、溝部を設けた後、前記流路形成基板用ウェハ及び前記保護基板用ウェハを分割することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる態様では、デバイス間ブレイクパターンの端部から（１１１）面方向に沿った方向のシリコンウェハの外周までの距離が最も長い領域に溝部を設けることにより、流路形成基板用ウェハ及び保護基板用ウェハを分割する際にこの領域にかかる応力が小さくなり、シリコンウェハにかかる応力のばらつきを抑えられる。したがって、外周までの距離が長いデバイス間ブレイクパターンのブレイク性も良好になり、シリコンウェハにかかる応力のばらつきが抑えられる。これにより、シリコンデバイスとなる領域にもクラックが発生したりシリコンウェハの破片が大量に発生したりする等のシリコンウェハの異常な割れを防ぐことができる。

以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１及び図２は、本発明の実施形態１に係るシリコンデバイスの製造方法を示す平面図であり、図３は、図１のＡ−Ａ′断面図である。

図示するように、シリコン基板であるシリコンウェハ２００は、中央側にシリコンデバイス２０１が複数一体的に形成されたデバイス領域２０２と、その外周側の非デバイス領域２０３とを有する。そして、デバイス領域２０２と非デバイス領域２０３との間及び互いに隣接するシリコンデバイス２０１の間には、ブレイクパターンが形成されている。

シリコンウェハ２００としては、例えば、表面の結晶面方位が（１００）面又は（１１０）面からなるものが挙げられる。本実施形態では、シリコンウェハ２００として、表面の結晶面方位が（１１０）面のものを用いた。なお、本実施形態のシリコンウェハ２００には、表面の（１１０）面に垂直な方向の第１の（１１１）面でオリフラ（オリエンテーションフラット）２５０が形成されている。

各シリコンデバイス２０１は、本実施形態では、例えば、シリコンウェハ２００の面内で矩形状に形成されたものであり、デバイス領域２０２は、シリコンデバイス２０１が複数一体的に形成され、矩形状の角部が切り欠いた形状、すなわち、十字形状となるように配置されている。そして、非デバイス領域２０３は、シリコンウェハ２００のシリコンデバイス２０１が形成されていない領域である。

ブレイクパターンは、シリコンウェハ２００に外力を加えて、互いに隣接するシリコンデバイス２０１同士及びデバイス領域２０２と非デバイス領域２０３とを分割する際にシリコンウェハ２００を破断させ易くするためのものである。本実施形態では、ブレイクパターンとして、互いに隣接するシリコンデバイス２０１を分割するためのデバイス間ブレイクパターン２０４と、デバイス領域２０２と非デバイス領域２０３とを分割するための領域間ブレイクパターン２０５とを設けた。なお、図１において、デバイス間ブレイクパターン２０４を点線で、領域間ブレイクパターン２０５を一点鎖線で示す。ここで、上述したように、デバイス領域２０２は十字形状であるため、図示するように、デバイス領域２０２が非デバイス領域２０３側に凸になる角部２０９ａ〜２０９ｈと、非デバイス領域２０３がデバイス領域２０２側に凸になる角部がある。したがって、この角部では領域間ブレイクパターン２０５は屈折しており、この屈折している箇所を領域間ブレイクパターンの屈折部という。デバイス間ブレイクパターン２０４及び領域間ブレイクパターン２０５として、本実施形態では、厚さ方向に貫通した細溝を所定の間隔で複数配設した。なお、デバイス間ブレイクパターン２０４及び領域間ブレイクパターン２０５は、例えば、シリコンウェハ２００を異方性エッチングすることにより形成することができる。このように異方性エッチングにより形成されたブレイクパターンは、壁面が（１１１）面で形成される。

このようなシリコンウェハ２００の非デバイス領域２０３に、図１及び図３に示すように、（１１１）面方向に沿った壁面となる溝部２０６を形成する。本発明において、この溝部２０６は、少なくとも、領域間ブレイクパターン２０５上にあり且つ領域間ブレイクパターン２０５の屈折部とならないデバイス間ブレイクパターン２０４の端部であって、該デバイス間ブレイクパターン２０４の端部から（１１１）面方向に沿った方向のシリコンウェハ２００の外周までの距離が最も長いデバイス間ブレイクパターン２０４の端部に相対向する非デバイス領域２０３に設ける。具体的には、図１に示すように、少なくとも、領域間ブレイクパターン２０５上にあり且つ領域間ブレイクパターン２０５の屈折部とならないデバイス間ブレイクパターン２０４の端部２０７ａ〜２０７ｈのうち、デバイス間ブレイクパターン２０４の端部２０７ａ〜２０７ｈから（１１１）面方向に沿った方向のシリコンウェハ２００の外周２０８ａ〜２０８ｈまでの距離が最も長いデバイス間ブレイクパターン２０４の端部、すなわち、少なくとも端部２０７ａに相対向する非デバイス領域２０３に溝部２０６ａを設ける。なお、本実施形態では、端部２０７ａだけでなく、領域間ブレイクパターン２０５上にあり、領域間ブレイクパターン２０５の屈折部とならないデバイス間ブレイクパターン２０４の端部２０７ｂ〜２０７ｈにそれぞれ相対向する非デバイス領域２０３にも溝部２０６ｂ〜２０６ｈを設けた。なお、本明細書において、「距離」とは最短距離を意味し、例えば「溝部のシリコンウェハの外周側の端部から（１１１）面方向に沿った方向のシリコンウェハの外周までの距離」という場合は、上記の第１の（１１１）面方向と第２の（１１１）面方向の２つの距離があるが、そのうち短いものを意味する。

ここで、結晶面方位が（１１０）面のシリコンウェハ２００は、表面の（１１０）面に対して垂直な第１の（１１１）面と、表面の（１１０）面に垂直で且つ第１の（１１１）面に対して７０．５３°の角度で交差する第２の（１１１）面とが存在し、この第１の（１１１）面方向（オリフラ２５０の方向）と第２の（１１１）面方向（オリフラ２５０に対して７０．５３°の方向）が割れ易い方向となっている。端部２０７ａ〜２０７ｈからそれぞれ（１１１）面方向に沿った方向のシリコンウェハ２００の外周２０８ａ〜２０８ｈまでの距離が最も長い端部２０７ａに相対向する非デバイス領域２０３に溝部２０６ａを設けることにより、シリコンウェハ２００の外周からブレイクパターンまでの距離が最も長いためにシリコンウェハ２００を分割する際に最も応力がかかっていたこの領域にかかる応力を小さくすることができ、外周までの距離が長いデバイス間ブレイクパターン２０４のブレイク性が良好になり、シリコンウェハ２００にかかる応力のばらつきが抑えられる。したがって、シリコンウェハ２００の破片が大量に発生したり、シリコンデバイス２０１にもクラックが発生する等のシリコンウェハ２００の異常な割れを防ぐことができる。

また、本実施形態では、領域間ブレイクパターン２０５上にあり領域間ブレイクパターン２０５の屈折部以外のデバイス間ブレイクパターン２０４の端部２０７ａ〜２０７ｈに相対向する非デバイス領域２０３全てに溝部２０６ａ〜２０６ｈを設けたので、複数のデバイス間ブレイクパターン２０４のブレイク性が良好になり、シリコンウェハ２００を分割する際にかかる応力を周方向で小さくすることができる。

さらに本実施形態では、各溝部２０６ａ〜２０６ｈのシリコンウェハ２００の外周側の端部から（１１１）面方向に沿った方向のシリコンウェハ２００の外周２０８ａ〜２０８ｈまでの距離Ｌ１〜Ｌ８が、均一となるようにしている。溝部２０６ａ〜２０６ｈから、（１１１）面方向に沿った方向のシリコンウェハ２００の外周２０８ａ〜２０８ｈまでの距離が均一であるため、デバイス間ブレイクパターン２０４にシリコンウェハ２００の分割時にかかる応力が均一になる。よって、分割時にシリコンウェハ２００にかかる応力を均一にすることができるため、シリコンウェハの異常な割れを防止することができる。

なお、溝部２０６の壁面は（１１１）面方向に沿っていなくてもよいが、（１１１）面方向に沿ったものとするとシリコンウェハ２００を分割する際のブレイク性が良好になる。特に、第１の（１１１）面方向と第２の（１１１）面方向とに沿った方向が壁面となるように、すなわち、図１に示すように、平行四辺形の開口となるように形成することが好ましい。ここで、（１１１）面方向に沿った方向の壁面とは、例えば、壁面がシリコンウェハ２００の（１１０）面に対して垂直な方向に対して交差する方向、すなわち、第１の（１１１）面及び第２の（１１１）面に対して傾斜して形成されていても、シリコンウェハ２００の表面の面内で（１１１）面方向に沿って形成されたものを含むものである。さらに、溝部２０６は、壁面を第１の（１１１）面と第２の（１１１）面とで形成するのが好ましい。すなわち、溝部２０６の短辺側の壁面を第１の（１１１）面及び第２の（１１１）面の何れか一方で形成し、長辺側を他方の（１１１）面で形成するのが好ましい。これにより、シリコンウェハ２００の異常な割れの発生を減少させることができる。

また、このような溝部２０６は、シリコンウェハをＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチング（ウェットエッチング）することにより形成することができる。また、シリコンウェハ２００を異方性エッチングすることにより、デバイス間ブレイクパターン２０４及び領域間ブレイクパターン２０５と溝部２０６とを同時に形成することができる。これにより、製造工程を簡略化してコストを低減することができる。勿論、シリコンウェハ２００を異方性エッチングしてデバイス間ブレイクパターン２０４及び領域間ブレイクパターン２０５や溝部２０６を形成する際に、デバイス領域２０２のシリコンデバイス２０１の一部を同時に形成するようにしてもよい。

また、本実施形態では、結晶面方位が（１１０）面のシリコンウェハを用いたが、例えば、表面の結晶面方位が（１００）面のシリコンウェハの場合には、表面の（１００）面に垂直な方向に対して所定角度傾斜した第１の（１１１）面と、表面の（１００）面に垂直な方向に対して所定角度（例えば、４５°）で傾斜して且つ表面の面内で第１の（１１１）面に対して直交する第２の（１１１）面とが存在し、この第１の（１１１）面方向と第２の（１１１）面とが割れ易い方向となっている。このようなシリコンウェハには、溝部を第１の（１１１）面方向と第２の（１１１）面方向とに沿った方向が壁面となるように形成することが好ましい。なお、表面の結晶面方位が（１００）のシリコンウェハの場合にも、上述した表面の結晶面方位が（１１０）のシリコンウェハ２００と同様に、溝部はその壁面が第１の（１１１）面と第２の（１１１）面とで形成するのが好ましい。また、表面の結晶面方位が（１００）面のシリコンウェハの場合にも、（１１１）面方向に沿った方向の壁面とは、例えば、壁面がシリコンウェハの（１００）面に垂直な方向で形成されていても、シリコンウェハの表面の面内で（１１１）面方向に沿って形成されたものを含むものである。

さらに、溝部２０６としては、シリコンウェハ２００を厚さ方向に貫通させて設けても、貫通させずに凹形状に設けてもよいが、溝部２０６をシリコンウェハ２００を厚さ方向に貫通させて設けると、シリコンウェハを分割する際にかける応力を小さくすることができ、また、深さの制御を行う必要がなく、製造工程を簡略化することができるため好ましい。なお、溝部２０６をシリコンウェハ２００を厚さ方向に貫通させて設ける場合、溝部２０６はシリコンウェハ２００の外周まで開口しないように設ける。外周から溝部２０６の端部までの距離を短くすると、分割する際のシリコンウェハ２００のブレイク性は良好になるが、分割する前のシリコンウェハ２００が壊れやすくなりハンドリング性が悪くなるため、このブレイク性とハンドリング性を考慮して、溝部２０６の外周までの距離を設定することが好ましい。また、貫通させずに凹形状に設ける場合は、シリコンウェハ２００の外周側まで延設して外周面に開口するように設けてもよい。

このようにシリコンウェハ２００の非デバイス領域２０３に溝部２０６を形成した後、図１及び図３に示すように、シリコンウェハ２００をエキスパンドテープ２１０上に載置する。

そして、エキスパンドテープ２１０を放射方向に拡張することで、シリコンウェハ２００を分割する。詳しくは、シリコンウェハ２００のデバイス領域２０２をデバイス間ブレイクパターン２０４及び領域間ブレイクパターン２０５によって１つのチップサイズのシリコンデバイス２０１に分割すると共に、デバイス領域２０２と非デバイス領域２０３とを分割する。このとき、本実施形態では、上述のように溝部２０６ａを設けることにより、シリコンウェハ２００の外周からブレイクパターンまでの距離が最も長いためにシリコンウェハ２００を分割する際に最も応力がかかっていた領域にかかる応力を小さくできるので、外周までの距離が長いデバイス間ブレイクパターン２０４のブレイク性が良好になり、シリコンウェハ２００にかかる応力のばらつきが抑えられる。特に本実施形態では、領域間ブレイクパターン２０５上にあり領域間ブレイクパターン２０５の屈折部以外のデバイス間ブレイクパターン２０４の端部２０７ａ〜２０７ｈに相対向する非デバイス領域２０３全てに溝部２０６ａ〜２０６ｈを設け、その溝部２０６の外周側の端部からシリコンウェハ２００までの距離Ｌ１〜Ｌ８を同じ長さにしたので、シリコンデバイス２０１自体にクラックが発生したりシリコンウェハ２００の破片が大量に発生する等のシリコンウェハ２００の異常な割れを確実に防ぐことができる。

なお、本実施形態では、領域間ブレイクパターン２０５上にあり且つ領域間ブレイクパターン２０５の屈折部以外のデバイス間ブレイクパターン２０４の端部２０７ａ〜２０７ｈに相対向する非デバイス領域２０３全てに溝部２０６ａ〜２０６ｈを設けたが、溝部２０６はこれらの端部２０７ａ〜２０７ｈのうち、少なくとも、（１１１）面方向に沿った方向のシリコンウェハ２００の外周までの距離が最も長い端部、すなわち、端部２０７ａに設けられていればよい。

また、隣り合う角部を繋ぐ直線状の領域間ブレイクパターン２０５上にあるデバイス間ブレイクパターン２０４の端部であって、該デバイス間ブレイクパターンの端部から（１１１）面方向に沿った方向のシリコンウェハの外周までの距離が最も長いデバイス間ブレイクパターン２０４の端部に相対向する非デバイス領域２０３に溝部を設けるようにしてもよい。詳述すると、隣り合う角部２０９ａ〜２０９ｈを繋ぐ直線状の領域間ブレイクパターン２０５上にあるデバイス間ブレイクパターン２０４の端部、すなわち、端部２０７ａ及び２０７ｂ、２０７ｃ及び２０７ｄ、２０７ｅ及び２０７ｆ、２０７ｇ及び２０７ｈのそれぞれのうち、（１１１）面方向に沿った方向のシリコンウェハ２００の外周までの距離が最も長いデバイス間ブレイクパターン２０４の端部、すなわち、端部２０７ａ、２０７ｃ及び２０７ｄ、２０７ｅ及び２０７ｆ、２０７ｇ及び２０７ｈに相対向する非デバイス領域２０３に溝部を設けるようにしてもよい。これにより、複数の方向の外周までの距離が長いデバイス間ブレイクパターン２０４のブレイク性が良好になり、シリコンウェハ２００にかかる応力のばらつきが抑えられる。なお、本実施形態においては、端部２０７ｃ及び２０７ｄからシリコンウェハ２００の外周２０８ｃ及び２０８ｄまでの距離は、等しいため、端部２０７ｃ及び２０７ｄに相対向する非デバイス領域２０３に、溝部を形成することになる。端部２０７ｅ及び２０７ｆ、２０７ｇ及び２０７ｈについても同様である。

さらに、デバイス領域２０２の突出した各角部２０９ａ〜２０９ｈに相対向する非デバイス領域２０３にも、溝部２０６を設けるようにしてもよい。これにより、領域間ブレイクパターン２０５のブレイク性を良好にすることができ、また、非デバイス領域２０３を分割した際に発生するシリコンの破片を減少させることができる。なお、角部２０９ａ〜２０９ｈに相対向する非デバイス領域２０３に設ける溝部２０６の方向に特に制限はないが、上記デバイス間ブレイクパターン２０４と同様に、第１の（１１１）面方向や第２の（１１１）面方向にすることが好ましく、非デバイス領域２０３に空き領域がある場合には、両方向に沿って溝部２０６を設けるようにしてもよい。このように溝部２０６の数を増やすことによって、さらにシリコンの破片が発生するのを減少させることができると共に、シリコンウェハ２００に印加される応力をさらに減少させてもシリコンウェハ２００を分割することができる。

また、角部２０９又は角部２０９に相対向する非デバイス領域２０３に設けた溝部２０６のシリコンウェハ２００の外周側の端部から（１１１）面方向に沿った方向のシリコンウェハ２００の外周までの距離を、上述したデバイス間ブレイクパターン２０４の端部の相対向する領域に設けられた溝部２０６のシリコンウェハ２００の外周側の端部から（１１１）面方向に沿った方向のシリコンウェハ２００の外周までの距離と、均一にしてもよい。これにより、全てのブレイクパターンにかかる応力が均一になるので、異常な割れを確実に抑制できる。

また、本実施形態では、デバイス領域２０２を矩形状の角部を切り欠いた十字形状としたが、デバイス領域の形状は十字形状に限定されず、例えば、矩形状としてもよい。

（実施形態２）
図４は、本発明の実施形態２に係る製造方法によって製造される液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図５は、インクジェット式記録ヘッドの平面図及びそのＢ−Ｂ′断面図である。

図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では板厚方向の結晶面方位が（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる、厚さ０．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。この流路形成基板１０には、その他方面側から異方性エッチングすることにより、流路形成基板１０には、複数の隔壁１１によって区画された複数の圧力発生室１２がその幅方向（短手方向）に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向一端部側には、インク供給路１４と連通路１５とが隔壁１１によって区画されている。また、連通路１５の一端には、各圧力発生室１２の共通のインク室（液体室）となるリザーバ１００の一部を構成する連通部１３が形成されている。すなわち、流路形成基板１０には、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５からなる液体流路が設けられている。

インク供給路１４は、圧力発生室１２の長手方向一端部側に連通し且つ圧力発生室１２より小さい断面積を有する。そして、各連通路１５は、インク供給路１４の圧力発生室１２とは反対側に連通し、インク供給路１４の幅方向（短手方向）より大きい断面積を有する。本実施形態では、連通路１５を圧力発生室１２と同じ断面積で形成した。すなわち、流路形成基板１０には、圧力発生室１２と、圧力発生室１２の短手方向の断面積より小さい断面積を有するインク供給路１４と、このインク供給路１４に連通すると共にインク供給路１４の短手方向の断面積よりも大きく圧力発生室１２と同等の断面積を有する連通路１５とが複数の隔壁１１により区画されて設けられている。

また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。

一方、流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように、二酸化シリコンからなり厚さが例えば、約０.５〜２μｍの弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、例えば、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）等からなり厚さが例えば、約０．３〜０．４μｍの絶縁体膜５５が積層形成されている。また、絶縁体膜５５上には、厚さが例えば、約０．１〜０．５μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約０．５〜５μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とからなる圧電素子３００が形成されている。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、各圧力発生室１２毎に圧電体能動部が形成されていることになる。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエータ装置と称する。なお、本実施形態では、下電極膜６０を複数の圧電素子３００の並設方向に亘って設け、下電極膜６０の圧力発生室１２の長手方向の端部を、圧力発生室１２に相対向する位置となるように設けた。また、上述した例では、弾性膜５０、絶縁体膜５５及び下電極膜６０が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜５０及び絶縁体膜５５を設けずに、下電極膜６０のみが振動板として作用するようにしてもよい。

そして、このような各圧電素子３００の上電極膜８０には、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０がそれぞれ接続され、このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加されるようになっている。

また、圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上には、圧電素子３００に対向する領域に、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部３１を有する保護基板３０が、接着剤３５によって接合されている。なお、圧電素子保持部３１は、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。

また、保護基板３０には、連通部１３に対向する領域にリザーバ部３２が設けられており、このリザーバ部３２は、上述したように、流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００を構成している。また、保護基板３０の圧電素子保持部３１とリザーバ部３２との間の領域には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられ、この貫通孔３３内に下電極膜６０の一部及びリード電極９０の先端部が露出され、これらの先端部に図示しない導電性ワイヤを介して圧電素子３００を駆動するための駆動回路が電気的に接続されている。

保護基板３０としては、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料、すなわち、表面の結晶面方位が（１１０）面のシリコン単結晶基板を用いた。

保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３２の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。

このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、図示しない駆動回路からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、絶縁体膜５５、下電極膜６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。

ここで、インクジェット式記録ヘッドＩの製造方法について、図６〜図１１を参照して説明する。なお、図６〜図９は、圧力発生室の長手方向の断面図であり、図１０及び図１１は、平面図である。まず、図６（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５２を形成する。なお、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０として、表面の結晶面方位が（１１０）面で、且つ膜厚が約６２５μｍと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。

次に、図６（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５２）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。具体的には、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５２）上に、例えば、スパッタ法等によりジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、このジルコニウム層を、例えば、５００〜１２００℃の拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）からなる絶縁体膜５５を形成する。

次に、図６（ｃ）に示すように、圧電素子３００を形成する。具体的には、例えば、白金（Ｐｔ）とイリジウム（Ｉｒ）とを絶縁体膜５５上に積層することにより下電極膜６０を形成した後、この下電極膜６０を所定形状にパターニングする。その後、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層７０と、例えば、白金（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）等からなる上電極膜８０とを流路形成基板１０の全面に形成後、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧電素子３００を形成する。圧電素子３００を構成する圧電体層７０の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。また、圧電体層７０の形成方法は、特に限定されないが、例えば、本実施形態では、金属有機物を溶媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層７０を形成した。

なお、圧電体層７０と上電極膜８０とのパターニングでは、例えば、ドライエッチングにより一括して行うことができる。

次に、図７（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０を形成後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン（図示なし）を介して各圧電素子３００毎にパターニングする。

次に、図７（ｂ）及び図１０に示すように、表面の結晶面方位が（１１０）面からなるシリコンウェハからなる保護基板用ウェハ１３０に、複数の保護基板３０、デバイス間ブレイクパターン２０４Ａと領域間ブレイクパターン２０５Ａからなるブレイクパターン及び溝部２０６Ａを形成する。すなわち、保護基板用ウェハ１３０をＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチング（ウェットエッチング）することにより、保護基板用ウェハ１３０の各保護基板３０となる領域に圧電素子保持部３１、リザーバ部３２及び貫通孔３３を形成する。また、互いに隣接する保護基板３０の間にデバイス間ブレイクパターン２０４Ａを、保護基板３０となる領域（デバイス領域２０２Ａ）と保護基板３０が形成されていない領域（非デバイス領域２０３Ａ）との間に領域間ブレイクパターン２０５Ａを形成する。このデバイス間ブレイクパターン２０４Ａ及び領域間ブレイクパターン２０５Ａは、保護基板用ウェハ１３０に外力を加えて、互いに隣接する保護基板３０同士及びデバイス領域２０２Ａと非デバイス領域２０３Ａとを分割する際に保護基板用ウェハ１３０を破断させ易くするためのものである。デバイス間ブレイクパターン２０４Ａ及び領域間ブレイクパターン２０５Ａとしては、例えば、本実施形態では、厚さ方向に貫通した細溝を所定の間隔で複数配設したものを設けた。なお、デバイス間ブレイクパターン２０４Ａ及び領域間ブレイクパターン２０５Ａは、例えば、保護基板用ウェハ１３０を異方性エッチングすることにより形成することができる。このように異方性エッチングにより形成されたブレイクパターンは、壁面が（１１１）面で形成される。

また、図１０に示すように、保護基板用ウェハ１３０の非デバイス領域に、（１１１）面方向に沿った壁面となる溝部２０６Ａを形成する。本実施形態は、実施形態１と同様の溝部２０６Ａを設けたが、本発明においては、この溝部２０６Ａは、少なくとも、領域間ブレイクパターン２０５Ａ上にあり且つ領域間ブレイクパターン２０５Ａの屈折部以外のデバイス間ブレイクパターン２０４Ａの端部であって、該デバイス間ブレイクパターン２０４Ａの端部から（１１１）面方向に沿った方向の保護基板用ウェハ１３０の外周までの距離が最も長いデバイス間ブレイクパターン２０４Ａの端部に相対向する非デバイス領域２０３Ａに、溝部２０６Ａを設けていればよい。

このように、端部から結晶面方位が（１１０）面の保護基板用ウェハ１３０が割れやすい方向である（１１１）面方向に沿った方向の保護基板用ウェハ１３０の外周までの距離が最も長い端部に相対向する非デバイス領域２０３Ａに溝部２０６Ａを設けることにより、保護基板用ウェハ１３０の外周からブレイクパターンまでの距離が最も長いために保護基板用ウェハ１３０を分割する際に最も応力がかかっていたこの領域にかかる応力を小さくすることができ、外周までの距離が長いデバイス間ブレイクパターン２０４Ａのブレイク性が良好になり、保護基板用ウェハ１３０にかかる応力のばらつきを抑えられる。したがって、保護基板用ウェハ１３０の破片が大量に発生したり、保護基板３０にもクラックが発生する等の保護基板用ウェハ１３０の異常な割れを防ぐことができる。

また、本実施形態では、領域間ブレイクパターン２０５Ａ上にあり領域間ブレイクパターン２０５Ａの屈折部以外のデバイス間ブレイクパターン２０４Ａの端部全てに相対向する非デバイス領域２０３Ａに溝部２０６Ａを設けたので、複数のデバイス間ブレイクパターン２０４Ａのブレイク性が良好になり、保護基板用ウェハ１３０を分割する際にかかる応力を特に小さくすることができる。

さらに本実施形態では、各溝部２０６Ａの保護基板用ウェハ１３０の外周側の端部から（１１１）面方向に沿った方向の保護基板用ウェハ１３０の外周までの距離が、均一となるようにしている。溝部２０６Ａから、（１１１）面方向に沿った方向の保護基板用ウェハ１３０の外周までの距離が均一であるため、これらのデバイス間ブレイクパターン２０４Ａに保護基板用ウェハ１３０の分割時にかかる応力が均一になる。よって、分割時に保護基板用ウェハ１３０にかかる応力のばらつきを低減することができるため、保護基板用の異常な割れを確実に防ぐことができる。

また、このような溝部２０６Ａは、実施形態１と同様に、保護基板用ウェハ１３０をＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチング（ウェットエッチング）することにより形成することができる。このような溝部２０６Ａ及びブレイクパターンは、保護基板用ウェハ１３０を異方性エッチングしてリザーバ部３２等の保護基板３０を形成する際に、同時に形成することができる。これにより、製造工程を簡略化してコストを低減することができる。

次に、図７（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の圧電素子３００側に、保護基板用ウェハ１３０を接着剤３５を介して接合する。なお、この保護基板用ウェハ１３０は、例えば、４００μｍ程度の厚さを有するため、保護基板用ウェハ１３０を接合することによって流路形成基板用ウェハ１１０の剛性は著しく向上することになる。

次に、図８（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで研磨した後、さらにフッ硝酸によって異方性エッチングすることにより流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚みにする。例えば、本実施形態では、約７０μｍ厚になるように流路形成基板用ウェハ１１０をエッチング加工した。

次いで、図８（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるマスク膜５１を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図８（ｃ）及び図１１に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をマスク膜５１を介してＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチング（ウェットエッチング）することにより、圧電素子３００に対応する圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４、連通路１５等の流路形成基板１０と、互いに隣接する流路形成基板１０の間にデバイス間ブレイクパターン２０４Ｂを、流路形成基板１０となる領域（デバイス領域２０２Ｂ）と流路形成基板１０が形成されていない領域（非デバイス領域２０３Ｂ）との間に領域間ブレイクパターン２０５Ｂを形成する。また、流路形成基板用ウェハ１１０の非デバイス領域２０３Ｂに（１１１）面方向に沿った壁面となる溝部２０６Ｂを形成する。このデバイス間ブレイクパターン２０４Ｂ、領域間ブレイクパターン２０５Ｂ及び溝部２０６Ｂは、上述した保護基板用ウェハ１３０のデバイス間ブレイクパターン２０４Ａ、領域間ブレイクパターン２０５Ａ及び溝部２０６Ａと実質的に同一のものである。

次に、図９（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０をエキスパンドテープ２１０上に載置し、図９（ｂ）に示すように、エキスパンドテープ２１０を放射状に拡張することで、図４に示すような１つのチップサイズの流路形成基板１０と保護基板３０との接合体に分割すると共に、デバイス領域２０２Ａ、２０２Ｂと非デバイス領域２０３Ａ、２０３Ｂとを分割する。このとき、本実施形態では、上述のような、溝部２０６Ａ及び２０６Ｂを設けることにより、流路形成基板用ウェハ１１０又は保護基板用ウェハ１３０の外周からブレイクパターンまでの距離が最も長いために流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０を分割する際に最も応力がかかっていた領域にかかる応力を小さくできるので、外周までの距離が長いデバイス間ブレイクパターン２０４Ａ及び２０４Ｂのブレイク性が良好になり、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０にかかる応力のばらつきを抑えられる。特に本実施形態では、領域間ブレイクパターン２０５Ａ又は２０５Ｂ上にあり領域間ブレイクパターン２０５Ａ又は２０５Ｂの屈折部以外のデバイス間ブレイクパターン２０４Ａ及び２０４Ｂの端部に相対向する非デバイス領域２０３全てに溝部２０６Ａ及び２０６Ｂを設け、その溝部２０６Ａ又は２０６Ｂの外周側の端部から流路形成基板用ウェハ１１０又は保護基板用ウェハ１３０までの距離を同じ長さにしたので、流路形成基板用ウェハ１１０や保護基板用ウェハ１３０自体にクラックが発生したり流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０の破片が大量に発生する等の異常な割れを確実に防ぐことができる。

その後は、流路形成基板１０の保護基板３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板３０にコンプライアンス基板４０を接合することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドとする。

このようにして製造された本実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、応力のばらつきを抑え、異常な割れを確実に防ぐことができるので、歩留りを向上でき、また、流路形成基板１０の圧力発生室１２内や保護基板３０のリザーバ部３２内などにシリコンの破片が入り込むのを防止してインク滴の吐出不良を防止することができると共に、シリコンの破片を除去する作業を簡略化することができる。また、分割時に発生するシリコンの破片を減少させることで、流路形成基板１０と保護基板３０との接合体にノズルプレート２０やコンプライアンス基板４０を接合する際に、シリコンの破片による接合不良を防止することができる。これにより信頼性を向上することができる。

なお、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０と保護基板用ウェハ１３０とを接合した後、これら接合体を分割するようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、流路形成基板用ウェハ１１０と保護基板用ウェハ１３０とを接合する前に、上述した実施形態１と同様に各基板を分割した後、分割した流路形成基板１０と保護基板３０とを接合するようにしてもよい。また、流路形成基板用ウェハ１１０と保護基板用ウェハ１３０とを接合し、さらにノズルプレート２０及びコンプライアンス基板４０を接合した後、これら接合体を分割してもよい。その際には、ノズルプレート２０及びコンプライアンス基板４０にもブレイクパターンをレーザ等で形成しておく。

また、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０として、表面の結晶面方位が（１１０）のシリコンウェハを用いたが、特にこれに限定されず、例えば、上述した実施形態１と同様に、表面の結晶面方位が（１００）のシリコンウェハを用いるようにしてもよい。

さらに、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０の非デバイス領域２０３Ｂ及び保護基板用ウェハ１３０の非デバイス領域２０３Ａの両方に溝部２０６Ａ、２０６Ｂを設けるようにしたが、特にこれに限定されず、溝部は、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０の少なくとも何れか一方に設けるようにすればよいが、溝部を両者に設けることによって、より応力のばらつきを抑制することができ、異常な割れを防止できる。また、両者を接着後に流路形成基板用ウェハ１１０のデバイス間ブレイクパターン２０４Ｂ、領域間ブレイクパターン２０５Ｂ及び非デバイス領域の溝部２０６Ｂを部分的ではなく、全体的にエッチングし、デバイスを個々に分割させることにより、後の分割の際に保護基板用ウェハ１３０のみに応力が掛かるため、流路形成基板用ウェハ１１０のデバイス領域にクラックが発生するのを防止することができる。

（他の実施形態）
以上、本発明の各実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、成膜及びリソグラフィ法を応用して製造される薄膜型のインクジェット式記録ヘッドを例にしたが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、グリーンシートを貼付する等の方法により形成される厚膜型のインクジェット式記録ヘッドや、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型のインクジェット式記録ヘッドにも本発明を採用することができる。

また、上述した実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（電界放出ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。

実施形態１に係るシリコンデバイスの製造方法を示す平面図である。 実施形態１に係るシリコンデバイスの製造方法を示す平面図である。 実施形態１に係るシリコンデバイスの製造方法を示す断面図である。 実施形態２に係る記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図である。 実施形態２に係る記録ヘッドの要部平面図及び断面図である。 実施形態２に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。 実施形態２に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。 実施形態２に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。 実施形態２に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。 実施形態２に係る記録ヘッドの製造工程を示す平面図である。 実施形態２に係る記録ヘッドの製造工程を示す平面図である。

符号の説明

Ｉ インクジェット式記録ヘッド（液体噴射ヘッド） １０ 流路形成基板、 １２ 圧力発生室、 １３ 連通部、 １４ インク供給路、 ２０ ノズルプレート、 ２１ ノズル開口、 ３０ 保護基板、 ３１ 圧電素子保持部、 ３２ リザーバ部、 ４０ コンプライアンス基板、 ６０ 下電極膜、 ７０ 圧電体層、 ８０ 上電極膜、 ９０ リード電極、 １００ リザーバ、 １１０ 流路形成基板用ウェハ、 １３０ 保護基板用ウェハ、 ２００ シリコンウェハ、 ２０１ シリコンデバイス、 ２０２ デバイス領域、 ２０３ 非デバイス領域、 ２０４ デバイス間ブレイクパターン、 ２０５ 領域間ブレイクパターン、 ２０６ 溝部、 ３００ 圧電素子

Claims (7)

1. シリコンデバイスが中央部側に複数一体的に形成されたデバイス領域とその外周側の非デバイス領域を有し表面の結晶面方位が（１００）面又は（１１０）面であり且つ互いに隣接する前記シリコンデバイスを分割するためのデバイス間ブレイクパターン及び前記デバイス領域と前記非デバイス領域とを分割するための領域間ブレイクパターンからなるブレイクパターンが設けられたシリコンウェハを分割する際に、
   少なくとも、前記領域間ブレイクパターン上にあり且つ前記領域間ブレイクパターンの屈折部以外の前記デバイス間ブレイクパターンの端部であって、該デバイス間ブレイクパターンの端部から（１１１）面方向に沿った方向の前記シリコンウェハの外周までの距離が最も長い前記デバイス間ブレイクパターンの端部に相対向する前記非デバイス領域に、溝部を設けた後、前記シリコンウェハを分割することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
2. 前記領域間ブレイクパターン上にあり且つ前記領域間ブレイクパターンの屈折部以外の前記デバイス間ブレイクパターンの端部に相対向する前記非デバイス領域に前記溝部が複数設けられており、該各溝部の前記シリコンウェハの外周側の端部から（１１１）面方向に沿った方向の前記シリコンウェハの外周までの距離が均一であることを特徴とする請求項１に記載のシリコンデバイスの製造方法。
3. 前記シリコンウェハは円形状で、前記デバイス領域は矩形状の角部を切り欠いた十字形状であることを特徴とする請求項１又は２に記載のシリコンデバイスの製造方法。
4. 前記溝部の壁面が（１１１）面方向に沿った方向であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のシリコンデバイスの製造方法。
5. 前記溝部を前記シリコンウェハの厚さ方向に貫通して設けることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載のシリコンデバイスの製造方法。
6. 前記シリコンウェハの分割では、当該シリコンウェハをエキスパンドテープ上に載置した後、該エキスパンドテープを拡張させることで行うことを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載のシリコンデバイスの製造方法。
7. 液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室が形成されると共に該圧力発生室に圧力を発生させる圧力発生手段が形成された流路形成基板が中央部側に複数一体的に形成され表面の結晶面方位が（１００）面又は（１１０）面のシリコンウェハからなり且つ前記流路形成基板毎に分割するためのブレイクパターンが設けられた流路形成基板用ウェハと、前記流路形成基板に対応して設けられる保護基板が中央部側に複数一体的に形成され表面の結晶面方位が（１００）面又は（１１０）面のシリコンウェハからなり且つ前記保護基板毎に分割するためのブレイクパターンが設けられた保護基板用ウェハとを接合した後に、前記流路形成基板用ウェハ及び前記保護基板用ウェハを分割して液体噴射ヘッドとする際に、
   前記流路形成基板及び前記保護基板の少なくとも一方が設けられたデバイス領域とその外周側の非デバイス領域とを分割するための領域間ブレイクパターン上にあり且つ前記領域間ブレイクパターンの屈折部以外の互いに隣接する前記流路形成基板又は前記保護基板を分割するためのデバイス間ブレイクパターンの端部であって、該デバイス間ブレイクパターンの端部から（１１１）面方向に沿った方向の前記流路形成基板用ウェハ又は前記保護基板用ウェハの外周までの距離が最も長い前記デバイス間ブレイクパターンの端部に相対向する非デバイス領域に、溝部を設けた後、前記流路形成基板用ウェハ及び前記保護基板用ウェハを分割することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。