JP2008244227A - 多孔性シリコン基板およびこれを利用する発光素子並びにそれらの製造方法 - Google Patents
多孔性シリコン基板およびこれを利用する発光素子並びにそれらの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 シリコン基板上に形成された多孔性シリコン層と、該多孔性シリコン層の上側に部分的に不純物を注入して形成したシリコン/不純物混合層とを有することを特徴とする多孔性シリコン基板および多孔質シリコン層が形成されたシリコン基板上に、基板垂直面に対し角度を持ってイオン打ち込みを行うことを特徴とする多孔性シリコン層上側に部分的にシリコン/不純物混合層を有する多孔性シリコン基板の製造方法並びに上記多孔性シリコン基板の、前記シリコン/不純物混合層の上に第一電極を、前記多孔性シリコン基板裏面に第二電極を形成してなる発光素子およびその製造方法である。
【選択図】 図5
Description
発光素子の製造:
(1)シリコン基板材料として比抵抗約20Ω・cmの(100)面方位p−Si単結晶を用いた。まず、このシリコン基板材料を、陽極酸化し、表面に多孔性シリコン層を形成する。この時、陽極酸化には、フッ酸とエタノールを主とする電解液(濃度50%フッ酸水溶液:水:エタノール=23:17:10)を用いた(フッ酸溶液としてみた場合の濃度は、26.0%となる)。
2……多孔質シリコン層
3……第一電極
4……第二電極
5……酸化膜
6……不純物導入層
Claims (13)
- シリコン基板上に形成された多孔性シリコン層と、該多孔性シリコン層の上側に部分的に不純物を注入して形成したシリコン/不純物混合層とを有することを特徴とする多孔性シリコン基板。
- 前記シリコン基板がp型シリコン基板であり、部分的に注入する不純物がシリコンに対し自由電子を与え、n型シリコンとしての性質を与えることの出来る元素である請求項1に記載の多孔性シリコン基板。
- 部分的に注入される不純物が、リン(P)、アンチモン(Sb)、ヒ素(As)またはビスマス(Bi)である請求項1または2記載の多孔性シリコン基板。
- 前記シリコン基板がn型シリコン基板であり、部分的に注入される不純物がシリコンに対しホールを与えp型シリコンとしての性質を与えることの出来る元素である請求項1に記載の多孔性シリコン基板。
- 部分的に注入される不純物が、ボロン(B)またはインジウム(In)である請求項1または4記載の多孔性シリコン基板。
- シリコン/不純物混合層中で、PN接合が形成されているものである請求項1〜5のいずれかに記載の多孔性シリコン基板。
- 形成された前記シリコン/不純物混合層の厚みが、多孔性シリコン層全体の厚みの90%以下である請求項1〜6の何れかの項記載の多孔性シリコン基板。
- 請求項1〜7のいずれかの項に記載の多孔性シリコン基板の、前記シリコン/不純物混合層の上に第一電極を、前記多孔性シリコン基板裏面に第二電極を形成してなる発光素子。
- 前記第一電極が光透過性電極である請求項8に記載の発光素子。
- 多孔質シリコン層が形成されたシリコン基板上に、基板垂直面に対し角度を持ってイオン打ち込みを行うことを特徴とする多孔性シリコン層上側に部分的にシリコン/不純物混合層を有する多孔性シリコン基板の製造方法。
- イオン打ち込みを行う角度が、5〜85°である請求項第10項記載の多孔性シリコン層上側に部分的にシリコン/不純物混合層を有する多孔性シリコン基板の製造方法。
- シリコン基板に多孔性シリコン層を形成する第1工程、該多孔性シリコン層に、基板垂直面に対し角度を持ってイオン打ち込みを行ない不純物導入層を形成する第2工程、該不純物導入層の上及び前記多孔性シリコン基板裏面にそれぞれ電極を形成する第3工程を包含することを特徴とする発光素子の製造方法。
- 前記第3工程においてシリコン基板垂直面に対し垂直又は所定の角度を持って電極金属の蒸着により電極を形成することを特徴とする請求項12に記載の発光素子の製造方法。
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---|---|---|---|---|
JPH08148280A (ja) * | 1994-04-14 | 1996-06-07 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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JP2003124453A (ja) * | 2001-10-11 | 2003-04-25 | Japan Fine Ceramics Center | 量子井戸構造を有するSi系半導体デバイスおよびその製造方法 |
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