JP2008235715A - プロセスモニター方法、プロセス制御方法、及びプロセスモニターマークの形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プロセスモニター方法は、半導体回路に形成される配線のピッチの2倍のピッチのラインアンドスペースパターンA1,A2をスペースパターンA0或いは残しパターンを挟んで対に備えたレジストパターンであるプロセスモニターマークを、半導体回路の形成領域とは異なる箇所に形成し、対に備えられたラインアンドスペースパターンA1,A2の中心間距離を測定し、ラインアンドスペースパターンのラインパターンを細らせるスリミングを行い、スリミングの後に対に備えられたラインアンドスペースパターンA1,A2の中心間距離を測定し、スリミング前後のラインアンドスペースパターンA1,A2の中心間距離の変化量に基づいてラインパターンのスリミングによる寸法変化量を算出する。
【選択図】 図7
Description
本発明の第1の実施形態に関わるプロセスモニター方法を図1乃至図8を用いて説明する。以下では、半導体回路が形成されない領域上に形成されたレジストパターンであるプロセスモニターマークを利用したプロセスモニター方法の例を説明する。
ΔE2−ΔE1=(X4−X2)+(X1−X3)
=(W2−W4)/2+(W1−W3)/2 (1)
と、スリミングによるラインパターンの寸法変化量(W2−W4)及び(W1−W3)を用いて表現できる。この場合は、レジストのスリミングによって中心間距離が増大するケースである。
ΔE4−ΔE3=−(X6−X8)−(X7−X5)
=−(W6−W8)/2−(W5−W7)/2 (2)
と、スリミングによるラインパターンの寸法変化量(W6−W8)及び(W5−W7)を用いて表現できる。この場合は、レジストのスリミングによって中心間距離が減少するケースである。
本発明の第2の実施形態に関わるプロセスモニター方法を図面を用いて説明する。以下では、側壁転写プロセスにおいて、半導体回路の形成領域とは異なる箇所に形成されたプロセスモニターマークを利用したプロセスモニター方法の例を説明する。
ΔE6−ΔE5=−(X11−X9)−(X10−X12)
=−(W9+W10)/2 (3)
と、側壁転写プロセスによって形成された側壁パターンのライン幅であるW9及びW10を用いて表現できる。この場合は、側壁パターンへの転写によって中心間距離が減少するケースである。
ΔE8−ΔE7=(X13−X15)+(X16−X14)
=(W11+W12)/2 (4)
と、側壁転写プロセスによって形成された側壁パターンのライン幅であるW11及びW12を用いて表現できる。この場合は、側壁パターンへの転写によって中心間距離が増大するケースである。
15…ダミーパターン材料、20…下地材料、30…側壁材料、
30−1…側壁材料(トップ)、30−2…側壁材料(ボトム)、100…半導体チップ、A0、C0…スペースパターン、B0、D0…残しパターン、
A1、A2、B1、B2、C1、C2、D1、D2…ラインアンドスペースパターン、
X1〜X16…中心位置、W1〜W12…ライン幅、
A1´、A2´、B1´、B2´、C1´、C2´、D1´、D2´…ダミーパターン、A1´´、A2´´、B1´´、B2´´、C1´´、C2´´、D1´´、D2´´…側壁パターン。
Claims (5)
- 半導体回路に形成される配線のピッチの2倍のピッチのラインアンドスペースパターンをスペースパターン或いは残しパターンを挟んで対に備えたレジストパターンであるプロセスモニターマークを形成する工程と、
対に備えられた前記ラインアンドスペースパターン領域の中心間距離を測定する工程と、
前記ラインアンドスペースパターン領域のラインパターンを細らせるスリミング工程と、
前記スリミング工程の後に対に備えられた前記ラインアンドスペースパターン領域の中心間距離を測定する工程と、
前記スリミング工程前後の前記ラインアンドスペースパターン領域の中心間距離の変化量に基づいて前記ラインパターンのスリミングによる寸法変化量を算出する工程と
を含むことを特徴とするプロセスモニター方法。 - 半導体回路に形成される配線のピッチの2倍のピッチのラインアンドスペースパターンをスペースパターン或いは残しパターンを挟んで対に備えたダミーパターンであるプロセスモニターマークを形成する工程と、
前記ダミーパターンの対に備えられた前記ラインアンドスペースパターン領域の第1の中心間距離を測定する工程と、
前記ダミーパターンの側壁に側壁パターンを形成する工程と、
前記側壁パターンの形成後に前記ダミーパターンを除去する工程と、
前記ダミーパターンを除去した後に前記側壁パターンの対に形成されているラインアンドスペースパターン領域の第2の中心間距離を測定する工程と、
前記第1の中心間距離と前記第2の中心間距離との変化量に基づいて前記側壁パターンのライン幅を算出する工程と
を含むことを特徴とするプロセスモニター方法。 - 請求項1記載のプロセスモニター方法によって算出した前記ラインパターンのスリミングによる寸法変化量に基づいて所望の寸法変化量となるようにスリミングを制御する
ことを特徴とするプロセス制御方法。 - 請求項2記載のプロセスモニター方法によって算出した前記側壁パターンのライン幅に基づいて所望のライン幅となるように側壁パターンの形成を制御する
ことを特徴とするプロセス制御方法。 - 半導体回路に形成される配線のピッチの2倍のピッチのラインアンドスペースパターンを、前記半導体回路が形成されない領域上にスペースパターン或いは残しパターンを挟んで対に配置する
ことを特徴とするプロセスモニターマークの形成方法。
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
JP2010287890A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ方法及びリソグラフィ装置 |
JP2013195912A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | マスクおよび半導体装置の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003142385A (ja) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Toshiba Corp | 露光装置の検査方法、焦点位置を補正する露光方法、および半導体装置の製造方法 |
JP2004030579A (ja) * | 2002-03-12 | 2004-01-29 | Toshiba Corp | デザインルールおよびプロセスパラメータの少なくとも一方を決定する方法、この決定方法を用いた半導体集積回路装置の製造方法、並びに、デザインルールおよびプロセスパラメータの少なくとも一方を決定するシステム |
JP2004354906A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Toshiba Corp | レジスト感度の評価方法及びレジストの製造方法 |
JP2006303022A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003142385A (ja) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Toshiba Corp | 露光装置の検査方法、焦点位置を補正する露光方法、および半導体装置の製造方法 |
JP2004030579A (ja) * | 2002-03-12 | 2004-01-29 | Toshiba Corp | デザインルールおよびプロセスパラメータの少なくとも一方を決定する方法、この決定方法を用いた半導体集積回路装置の製造方法、並びに、デザインルールおよびプロセスパラメータの少なくとも一方を決定するシステム |
JP2004354906A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Toshiba Corp | レジスト感度の評価方法及びレジストの製造方法 |
JP2006303022A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010287890A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ方法及びリソグラフィ装置 |
JP2013195912A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | マスクおよび半導体装置の製造方法 |
US8790851B2 (en) | 2012-03-22 | 2014-07-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask and method for fabricating semiconductor device |
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