JP2008226912A - 半導体装置、半導体モジュールおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 巻き取られた板状リード20を用意し、プレスする事で板状リード5を用意し、これを保持する事により、半導体素子に固着する。
これにより無駄の多いリードフレームの用意する事がなくなるため、環境負荷の低減を実現できる。
【選択図】 図2
Description
どちらにしても共通の環境負荷の問題があり、以下に述べる。
当然、この樹脂の分が余分であるし、ここの部分には、流動性を維持するために、熱も加わり、電力も消費する事になる。
第一に、拡散領域により素子が作りこまれ、前記素子と電気的に接続されたボンディング電極が表面に設けられた半導体チップと、
前記半導体チップの前記ボンディング電極に固着される第1の面と、前記第1の面から延在され実質的に前記半導体チップ裏面と同一面を成す第2の面とを有する板状リードとを有する事で解決するものである。
更には、前記板状リードは、断面が実質円の形状のワイヤが板状につぶされて成るものを用いることで解決するものである。
前記半導体チップの前記ボンディング電極に固着される第1の面と、前記第1の面から延在され実質的に前記半導体チップ裏面と同一面を成す第2の面とを有する板状リードと、前記板状リードの第2の面と電気的に固着される接続電極を有する支持基板とを有する事で解決するものである。
第3に、フープ状に巻き取られた板状のワイヤと、拡散領域により素子が作りこまれ、前記素子と電気的に接続されたボンディング電極が表面に設けられた半導体チップを用意し、
前記ワイヤを所定の長さで切断し、板状リードを形成し、
前記板状リードを保持して、前記半導体チップのボンディング電極に載置固着する事で解決するものである。
第4に、フープ状に巻き取られたワイヤと、拡散領域により素子が作りこまれ、前記素子と電気的に接続されたボンディング電極が表面に設けられた半導体チップを用意し、
前記ワイヤをプレスして板状にし、所定の長さで切断して、板状リードを形成し、
前記板状リードを保持して、前記半導体チップのボンディング電極に載置固着する事で解決するものである。
どちらにしても、本発明の半導体装置1は、最上層にパシベーション膜3が形成され、この開口部に電極4が露出している。そして、この電極に半田またはバンプを形成し、ここに板状リード5が配置される。しかもパシベーション膜3によって電極4は、保護されており、携帯等に於いて、軽薄短小のデバイスが要求される分野では有効である。
図番70は、リードフレームのアイランドに相当するもので、Cuで構成される。板状リード5は、半導体素子2の電極4にその一端71があり、他端は、2度折り曲げられて、図番72に位置する。第1の折り曲げ部73は、第1の水平部74の先に設けられ、チップの周囲からアイランドの周囲、またはその近傍で下方に折り曲げられている。図面では、下に垂直に延在しているが、ややその傾斜がゆるく形成されても良い。そして折り曲げ部73から第2の水平部75を経て第2の折り曲げ部76があり、更には第3の水平部77が設けられている。そしてアイランド70の裏面と第3の水平部77の裏面は、実質同一面となる。
そして第2の搬送装置に設けられた凹部に装着される。矢印で示す搬送の先には、注入装置106があり、凹部に樹脂が注入される。
2 :半導体素子
5 :板状リード
10:基板
11:導電パターン
20:巻き取られた板状リード
22:プレス台
23:プレスカット
42:ワイヤ
43:押圧手段
44:カット手段
Claims (14)
- 拡散領域により素子が作りこまれ、前記素子と電気的に接続されたボンディング電極が表面に設けられた半導体チップと、
前記半導体チップの前記ボンディング電極に固着される第1の面と、前記第1の面から延在され実質的に前記半導体チップ裏面と同一面を成す第2の面とを有する板状リードとを有する事を特徴とした半導体装置。 - 前記板状リードは、板状のワイヤの両端が切断され、前記半導体チップに設けられる請求項1に記載の半導体装置。
- 前記板状リードは、断面が実質円の形状のワイヤが板状につぶされて平面を少なくとも1つ構成し、前記平面と角部を成す側面は、湾曲されている請求項2に記載の半導体装置。
- 前記板状リードの両端に形成されるバリ面が、上に向いて前記半導体チップに設けられる請求項2または請求項3に記載の半導体装置。
- 前記板状リードは、複数本設けられ、前記複数本の板状リードは、粘着性のテープにより支持されている請求項1〜請求項4に記載の半導体装置。
- 拡散領域により素子が作りこまれ、前記素子と電気的に接続されたボンディング電極が表面に設けられた半導体チップと、
前記半導体チップの前記ボンディング電極に固着される第1の面と、前記第1の面から延在され実質的に前記半導体チップ裏面と同一面を成す第2の面とを有する板状リードと、前記板状リードの第2の面と電気的に固着される接続電極を有する支持基板とを有する事を特徴とする半導体モジュール。 - 前記板状リードは、板状のワイヤの両端が切断され、前記半導体チップに設けられる請求項6に記載の半導体モジュール。
- 前記板状リードは、断面が実質円の形状のワイヤが板状につぶされて成り、前記対向する切断面と角部を成す側面は、湾曲されている請求項7に記載の半導体モジュール。
- 前記板状リードの両端に形成されるバリ面が、上に向いて前記半導体チップに設けられる請求項7または請求項8に記載の半導体モジュール。
- 前記板状リードは、複数本設けられ、前記複数本の板状リードは、粘着性のテープにより支持されている請求項6〜請求項9に記載の半導体モジュール。
- フープ状に巻き取られた板状のワイヤと、拡散領域により素子が作りこまれ、前記素子と電気的に接続されたボンディング電極が表面に設けられた半導体チップを用意し、
前記ワイヤを所定の長さで切断し、板状リードを形成し、
前記板状リードを保持して、前記半導体チップのボンディング電極に載置固着する事を特徴とした半導体装置の製造方法。 - フープ状に巻き取られたワイヤと、拡散領域により素子が作りこまれ、前記素子と電気的に接続されたボンディング電極が表面に設けられた半導体チップを用意し、
前記ワイヤをプレスして板状にし、所定の長さで切断して、板状リードを形成し、
前記板状リードを保持して、前記半導体チップのボンディング電極に載置固着する事を特徴とした半導体装置の製造方法。 - 前記板状リードの切断面に形成されるバリ面が、上に向いて前記半導体チップに設けられる請求項11または請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記板状リードは、複数本設けられ、前記複数本の板状リードは、粘着性のテープにより支持されてから前記半導体チップに搭載固着される請求項11または請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2008226912A5 JP2008226912A5 (ja) | 2010-04-15 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008226913A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2013149802A (ja) * | 2012-01-19 | 2013-08-01 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置及び接続子 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0766357A (ja) * | 1993-08-25 | 1995-03-10 | Toshiba Corp | リ−ドフレ−ムとその製造方法、及び、このリ−ドフレ−ムを用いた半導体装置 |
JPH1074793A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Sony Corp | 半導体装置と、半導体装置の製造方法と、半導体製造装置 |
JP2002313851A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Kaga Toshiba Electron Kk | 半導体装置の製造方法 |
JP2006032873A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | ストラップボンディング装置及びストラップボンディング方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0766357A (ja) * | 1993-08-25 | 1995-03-10 | Toshiba Corp | リ−ドフレ−ムとその製造方法、及び、このリ−ドフレ−ムを用いた半導体装置 |
JPH1074793A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Sony Corp | 半導体装置と、半導体装置の製造方法と、半導体製造装置 |
JP2002313851A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Kaga Toshiba Electron Kk | 半導体装置の製造方法 |
JP2006032873A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | ストラップボンディング装置及びストラップボンディング方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008226913A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2013149802A (ja) * | 2012-01-19 | 2013-08-01 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置及び接続子 |
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