JP2008214706A - 無電解めっき法で用いる触媒溶液及びその触媒溶液を用いた無電解めっき法並びにその無電解めっき法を用いて金属皮膜を形成した被めっき物 - Google Patents
無電解めっき法で用いる触媒溶液及びその触媒溶液を用いた無電解めっき法並びにその無電解めっき法を用いて金属皮膜を形成した被めっき物 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】上記課題を解決するために、無電解めっき法で金属皮膜を形成する際に前段の処理として行なう触媒化処理に用いる触媒溶液として、銅(I)イオンとスズ(I)イオンとを含む触媒溶液を採用する。この触媒溶液では、スズ(I)イオンが銅(I)イオンの吸着プロモーターとして機能し、触媒化処理が進行する。そして、スズ(I)イオンを常に含んでいる触媒溶液中では、銅は安定して銅(I)イオンの形態で存在することになり、安定した触媒化処理が可能である。
【選択図】図1
Description
工程B:前記前処理済被めっき物を前記触媒溶液を用いて触媒化処理し、触媒化処理済被めっき物を得る工程。
工程C:前記触媒化処理済被めっき物を活性化処理し、活性化済被めっき物を得る工程。
工程D:前記活性化済被めっき物を無電解めっき液と接触させて無電解めっきを施し、金属皮膜を形成した被めっき物を得る工程。
無電解めっきを施す絶縁体には、一般的にプリント配線板として使用されているFR−4基板を使用した。具体的には、市販されている35μm両面銅張積層板の両面に張り合わされている電解銅箔を硝酸で全溶解して、評価用基板を作成した。この基板表面の粗さを数点測定したところ、Rzjisで3μm〜5μmであった。
前処理では、水酸化ナトリウム濃度50g/Lに調製した水溶液を用いて試験基板の脱脂処理を施した。脱脂処理した試験基板は、液切りを行なった状態で25℃の市販のコンディショニング剤(CC−231:Rohm and Haas Co., Ltd.製)に3分間浸漬した。前処理を施した基板は、流水洗浄とイオン交換水を用いた浸漬洗浄を行ない、室内で放置して風乾し、前処理済試験基板を得た。
イオン交換水を用い、以下に記す薬品配合で触媒溶液を調製した。この触媒溶液の塩化第一スズ(SnCl2)と塩化第二銅(CuCl2)との重量比[(SnCl2)/(CuCl2)]の値は5とした。得られた溶液の色調は、無色透明であった。
CuCl2 10g/L
SnCl2 50g/L
濃塩酸 40mL/L
NaCl 180g/L
上記前処理にて得られた前処理済試験基板を、25℃の前記触媒溶液に10分間浸漬し、触媒化処理を行なった。この時の液攪拌は、比較的緩やかなものとした。触媒化処理された表面は均一であり、銅の付着量は2.33mg/dm2であった。触媒化処理後の表面観察写真を図1に示す。
上記にて得られた触媒化処理済試験基板を、25℃の活性化処理液に3分間浸漬し、活性化処理を施した。この時用いた活性化処理液は、DMABをイオン交換水に溶解して濃度を3g/Lとし、pHを12.5に調整した水溶液(活性化処理液1)、水素化ホウ素をイオン交換水に溶解して濃度を2g/Lとし、pHを9.5に調整した水溶液(活性化処理液2)、ヒドラジンをイオン交換水に溶解して濃度を1.6g/Lとし、pHを12.5に調整した水溶液(活性化処理液3)の3種類である。活性化処理後の試験基板表面は、活性化処理液1及び活性化処理液2を用いた場合が優れていた。活性化処理液3を用いた場合には、活性化処理により還元された銅触媒核の減少は見られたが、実用上は支障がない程度であった。結果を表1に纏めて示す。
上記にて得られた活性化処理済試験基板を、液温を60℃とした無電解銅めっき液に浸漬し、エア攪拌を実施しながら0.5μm厚さの銅層を形成した。用いた無電解銅めっき液の組成を以下に記す。下記において、PEG−1000は平均分子量1000のポリエチレングリコールである。
CuSO4 0.03mol/L
EDTA 0.24mol/L
2,2’−ビピリジン 0.01g/L
PEG−1000 0.1g/L
ホルムアルデヒド 0.20mol/L
pH 12.5
0.5μm厚さの銅層を形成した試験基板の外観は、均一であった。表面観察写真を図2に示す。
上記銅層を形成した試験基板の、銅層の密着性などを評価するために、電気銅めっきを行ない、銅層厚さを30μmにした。電気銅めっきは、めっき後の表面が平滑で光沢を有するように、以下に記す浴組成を用い、液温を25℃とし、エア攪拌しながら陰極電流密度2.5A/dm2で実施した。下記において、PEG−4000は平均分子量4000のポリエチレングリコール、SPSはビス(3−スルホプロピル)ジスルフィド、JGBはヤヌスグリーンである。
CuSO4 0.8mol/L
H2SO4 0.5mol/L
Cl− 1.4×10−3mol/L
PEG−4000 0.01g/L
SPS 0.01g/L
JGB 0.01g/L
上記にて得られた、表面に30μm厚さの銅皮膜を有する試験基材の銅皮膜の密着性は、JIS C 5012に従い測定した。具体的には、銅皮膜に10mm幅の直線回路を形成し、インストロン型万能試験機(SV−950:(株)MKSハピネス製)を用い、前記10mmの回路端部をチャックに挟み込み、50mm/分の早さで基板面に対して90°で引き上げ、引き剥がし強さを測定した。測定の結果、引き剥がし強さは1.02kgf/cmであり、実用上十分な値であった。
上記にて得られた、表面に30μm厚さの銅皮膜を有する試験基材に、一般的なプリント配線板製造工程と同様、ドライフィルムを用いて100μmピッチの直線配線を形成するためのエッチングレジストを形成した。これを塩化第二銅エッチング液でエッチング加工し、図3に示す配線を得た。この配線間の基板表面をEDXで分析したところ、金属元素は検出されなかった。
上記にて形成したスルーホール及びブラインドビアホールへの無電解銅めっきでは、実施例1と同様の液及び処理条件を採用した。従って、繰り返しとなる説明は省略する。異なる試験条件を採用した工程は、処理中に液を攪拌する工程で液攪拌の代わりに試験基板を揺動したことである。また、電解銅めっき工程では陰極電流密度を1A/dm2とした。試験の結果、ブラインドビアホール内、スルーホール内ともに良好な銅皮膜が形成された。無電解銅めっき後と電解銅めっき後の断面観察写真を、開口径30μmのブラインドビアホールについて図4に、開口径60μmのブラインドビアホールについて図5に、一般的なアスペクト比のスルーホールについて図6に示す。高アスペクト比のスルーホールへの無電解銅めっき層の形成状態を図7示す。上記の全てにおいて、無電解銅めっき後の内壁面には、均一な厚さで形成された銅皮膜の存在が確認できる。
上記表面改質したエポキシ樹脂表面への無電解銅めっきでは、実施例1と同様の液及び処理条件を採用した。従って、繰り返しとなる説明は省略する。試験の結果、均一な銅皮膜が形成された。表面観察写真を図8に示す。この銅皮膜に対して、密着性をクロスカットテープテストで評価した結果、剥離した部分はなく、密着性も良好なものであった。表面改質していない同一材質に対して無電解銅めっきを施したものは、無電解銅めっき処理直後の銅層にふくれが観察されており、クロスカットをしていない状態でのテープテストでも剥離が発生した。表面観察写真を図9に示す。
CuCl2 10g/L
SnCl2 5g/L
濃塩酸 40mL/L
NaCl 180g/L
比較例では、上記にて調製した触媒溶液を用いた以外は、実施例1と同様の液及び処理条件を採用した。従って、繰り返しとなる説明は省略する。試験の結果、試験基板面に均一な銅皮膜の形成はできなかった。表面観察写真を図10に示す。従って、この銅皮膜に対しては詳細な評価は実施しなかった。
Claims (8)
- 無電解めっき法で金属皮膜を形成する際に前段の処理として行なう触媒化処理に用いる触媒溶液において、
銅(I)イオンとスズ(I)イオンとを含むことを特徴とする触媒溶液。 - 銅(I)イオンの供給源として塩化第二銅(CuCl2)を用い、スズ(I)イオンの供給源として塩化第一スズ(SnCl2)を用い、且つ塩化第二銅(CuCl2)と塩化第一スズ(SnCl2)との重量比[(SnCl2)/(CuCl2)]の値が1〜1000である請求項1に記載の触媒溶液。
- 銅濃度が塩化第二銅(CuCl2)として0.5g/L〜300g/Lである請求項1又は請求項2に記載の無電解めっき用の触媒溶液。
- 請求項1〜請求項3のいずれかに記載の触媒溶液を用いて被めっき物の表面に金属皮膜を形成する無電解めっき法であって、
以下の工程A〜工程Dを含むことを特徴とする無電解めっき法。
工程A:被めっき物の表面をコンディショニング剤を用いて前処理し、前処理済被めっき物を得る工程。
工程B:前記前処理済被めっき物を前記触媒溶液を用いて触媒化処理し、触媒化処理済被めっき物を得る工程。
工程C:前記触媒化処理済被めっき物を活性化処理し、活性化済被めっき物を得る工程。
工程D:前記活性化済被めっき物を無電解めっき液と接触させて無電解めっきを施し、金属皮膜を形成した被めっき物を得る工程。 - 前記工程Aで用いるコンディショニング剤は、アニオン系界面活性剤を0.01g/L〜10g/L含むものを用いる請求項4に記載の無電解めっき法。
- 前記工程Bで用いる触媒溶液は、液温を10℃〜80℃とし、前処理済被めっき物を0.1分間〜120分間接触処理する請求項4又は請求項5に記載の無電解めっき法。
- 前記工程Cの活性化処理は、ジメチルアミンボラン(以下、「DMAB」と称する。)、水素化ホウ素、ホルムアルデヒド、エチレンジアミン4酢酸(以下、「EDTA」と称する。)、ヒドラジン、ビピリジンから選択される1種以上を用いて触媒化処理済被めっき物を接触処理する請求項4〜請求項6のいずれかに記載の無電解めっき法。
- 請求項4〜請求項7のいずれかに記載の無電解めっき法を用いて金属皮膜を形成した被めっき物。
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