JPH11191675A - ビルドアッププリント配線板の製造方法 - Google Patents
ビルドアッププリント配線板の製造方法Info
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- JPH11191675A JPH11191675A JP35977497A JP35977497A JPH11191675A JP H11191675 A JPH11191675 A JP H11191675A JP 35977497 A JP35977497 A JP 35977497A JP 35977497 A JP35977497 A JP 35977497A JP H11191675 A JPH11191675 A JP H11191675A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
-
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- C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ブラインドバイアホールにおける層間の接続
を確実にするためのビルドアッププリント配線板の簡易
な製造方法を提供する。 【解決手段】 ブラインドバイアホールを有するビルド
アッププリント配線板を製造する際に、ブラインドバイ
アホールに、無電解銅めっきを施し、次いで、ダイレク
トプレーティング法により導電性薄膜を形成した後、電
気銅めっきを行う。又は、ブラインドバイアホールに、
パラジウムを使用するダイレクトプレーティング法によ
り導電性薄膜を形成し、次いで、無電解銅めっき法によ
り銅薄膜を形成した後、電気銅めっきを行う。
を確実にするためのビルドアッププリント配線板の簡易
な製造方法を提供する。 【解決手段】 ブラインドバイアホールを有するビルド
アッププリント配線板を製造する際に、ブラインドバイ
アホールに、無電解銅めっきを施し、次いで、ダイレク
トプレーティング法により導電性薄膜を形成した後、電
気銅めっきを行う。又は、ブラインドバイアホールに、
パラジウムを使用するダイレクトプレーティング法によ
り導電性薄膜を形成し、次いで、無電解銅めっき法によ
り銅薄膜を形成した後、電気銅めっきを行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ブラインドバイア
ホールにおける層間の接続を確実にするためのビルドア
ッププリント配線板の簡易な製造方法に関する。
ホールにおける層間の接続を確実にするためのビルドア
ッププリント配線板の簡易な製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術と解決すべき課題】プリント配線板は、エ
レクトロニクス機器の小型化、薄型化、軽量化の進展に
つれて、高密度の要求が厳しくなってきている。高密度
化するためには、ファインパターン化や、ファインピッ
チ化、高多層化等の方法がある。しかしながら、最近で
は低コスト化の要求が強く、できるだけ層数を増加せず
に、面密度を上げる必要がある。そのため、ビルドアッ
ププリント配線板の製造方法が検討されてきた。通常、
基板にはガラスエポキシ積層板が使用されており、樹脂
を塗布することにより絶縁層が形成され、銅めっきによ
り導体層が逐次積層される。この構造においては、樹脂
層又はその上に形成された導電性層に開けられた閉塞端
面を有する微小径（例えば、50〜200 μm ）のブライン
ドバイアホールにより、信号層間の電気的接続がなされ
る。
レクトロニクス機器の小型化、薄型化、軽量化の進展に
つれて、高密度の要求が厳しくなってきている。高密度
化するためには、ファインパターン化や、ファインピッ
チ化、高多層化等の方法がある。しかしながら、最近で
は低コスト化の要求が強く、できるだけ層数を増加せず
に、面密度を上げる必要がある。そのため、ビルドアッ
ププリント配線板の製造方法が検討されてきた。通常、
基板にはガラスエポキシ積層板が使用されており、樹脂
を塗布することにより絶縁層が形成され、銅めっきによ
り導体層が逐次積層される。この構造においては、樹脂
層又はその上に形成された導電性層に開けられた閉塞端
面を有する微小径（例えば、50〜200 μm ）のブライン
ドバイアホールにより、信号層間の電気的接続がなされ
る。
【０００３】従来より、樹脂上への銅めっき方法では、
触媒付与、無電解銅めっき、電気銅めっき、又はアディ
ティブ法による無電解銅めっきプロセスが採用されてい
る。しかしながら、無電解銅めっきにおいては、無電解
反応時に水素ガスが発生し、ブラインドバイアホールを
有するプリント配線板で使用しようとすると、ブライン
ドバイアホールの閉塞端面側（又は底部）でトラップさ
れてしまう。その結果、ブラインドバイアホールの底部
には、部分的に無電解銅めっきによる析出が生じず、エ
アーボイドの原因となり、層間の接続不良を生じること
が多いのが現状である。
触媒付与、無電解銅めっき、電気銅めっき、又はアディ
ティブ法による無電解銅めっきプロセスが採用されてい
る。しかしながら、無電解銅めっきにおいては、無電解
反応時に水素ガスが発生し、ブラインドバイアホールを
有するプリント配線板で使用しようとすると、ブライン
ドバイアホールの閉塞端面側（又は底部）でトラップさ
れてしまう。その結果、ブラインドバイアホールの底部
には、部分的に無電解銅めっきによる析出が生じず、エ
アーボイドの原因となり、層間の接続不良を生じること
が多いのが現状である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、プリント基
板や、その上に形成された各層に光学的又は物理的にブ
ラインドバイアホールを有するビルドアッププリント配
線板を製造するに際して、樹脂上だけでなく、ブライン
ドバイアホール内にも密着力の優れた銅皮膜を形成する
時、接続不良が発生しない方法を提供することである。
本発明は、特に、湿式法による比較的簡単な処理工程に
よって、作業環境や、地球環境を汚染することなく、ブ
ラインドバイアホール内に密着力の優れた銅皮膜を形成
する方法を提供することである。
板や、その上に形成された各層に光学的又は物理的にブ
ラインドバイアホールを有するビルドアッププリント配
線板を製造するに際して、樹脂上だけでなく、ブライン
ドバイアホール内にも密着力の優れた銅皮膜を形成する
時、接続不良が発生しない方法を提供することである。
本発明は、特に、湿式法による比較的簡単な処理工程に
よって、作業環境や、地球環境を汚染することなく、ブ
ラインドバイアホール内に密着力の優れた銅皮膜を形成
する方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討した結果、無電解銅めっき法
と、ダイレクトプレーティング法とを併用することによ
って、その後の電気銅めっきを行うのに十分な導電性層
がブラインドバイアホール内に形成できること及び、そ
の結果、ブラインドバイアホール内に密着力の優れた銅
皮膜を形成できることを見出し、本発明に到達したもの
である。例えば、本発明によれば、無電解銅めっき時に
おける反応によるガス発生のため、ブラインドバイアホ
ールに気泡がトラップされ、ブラインドバイアホールの
底部に無電解銅めっきが十分な導電性が得られない場合
であっても、ダイレクトプレーティング法によって、そ
の後の電気銅めっきを行える十分な導電性層が確保され
るので、後の電気銅めっきが可能となり、密着力の優れ
た銅皮膜を形成することができる。また、同様に、ダイ
レクトプレーティング法を実施する際に、ブラインドバ
イアホールの閉塞端面に気泡が溜まり、十分な導電性が
得られない場合においても、その後の無電解銅めっきに
よって導電性を十分に確保できることを見出した。
を解決するために鋭意検討した結果、無電解銅めっき法
と、ダイレクトプレーティング法とを併用することによ
って、その後の電気銅めっきを行うのに十分な導電性層
がブラインドバイアホール内に形成できること及び、そ
の結果、ブラインドバイアホール内に密着力の優れた銅
皮膜を形成できることを見出し、本発明に到達したもの
である。例えば、本発明によれば、無電解銅めっき時に
おける反応によるガス発生のため、ブラインドバイアホ
ールに気泡がトラップされ、ブラインドバイアホールの
底部に無電解銅めっきが十分な導電性が得られない場合
であっても、ダイレクトプレーティング法によって、そ
の後の電気銅めっきを行える十分な導電性層が確保され
るので、後の電気銅めっきが可能となり、密着力の優れ
た銅皮膜を形成することができる。また、同様に、ダイ
レクトプレーティング法を実施する際に、ブラインドバ
イアホールの閉塞端面に気泡が溜まり、十分な導電性が
得られない場合においても、その後の無電解銅めっきに
よって導電性を十分に確保できることを見出した。
【０００６】即ち、本発明は、以下の発明に関するもの
である。 １．ブラインドバイアホールを有するビルドアッププリ
ント配線板の製造方法であって、ブラインドバイアホー
ルに、無電解銅めっきを施し、次いで、ダイレクトプレ
ーティング法により導電性薄膜を形成した後、電気銅め
っきを行うことを特徴とする製造方法。 ２．ブラインドバイアホールを有するビルドアッププリ
ント配線板の製造方法であって、ブラインドバイアホー
ルに、パラジウムを使用するダイレクトプレーティング
法により導電性薄膜を形成し、次いで、無電解銅めっき
法により銅薄膜を形成した後、電気銅めっきを行うこと
を特徴とする製造方法。
である。 １．ブラインドバイアホールを有するビルドアッププリ
ント配線板の製造方法であって、ブラインドバイアホー
ルに、無電解銅めっきを施し、次いで、ダイレクトプレ
ーティング法により導電性薄膜を形成した後、電気銅め
っきを行うことを特徴とする製造方法。 ２．ブラインドバイアホールを有するビルドアッププリ
ント配線板の製造方法であって、ブラインドバイアホー
ルに、パラジウムを使用するダイレクトプレーティング
法により導電性薄膜を形成し、次いで、無電解銅めっき
法により銅薄膜を形成した後、電気銅めっきを行うこと
を特徴とする製造方法。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明について、詳細に説
明する。本発明によりビルドアッププリント配線板を製
造するのに使用されるプリント基板としては、通常、公
知のように、例えば、ガラスエポキシ積層板が使用され
ており、樹脂を塗布することにより絶縁層が形成され、
銅めっきにより導体層が逐次積層される。ビルドアップ
プリント配線板に設けられるブラインドバイアホール
は、下層との電気的接続を行うために形成されるもので
あり、プリント基板上の樹脂層又はその上に積層される
導電性層に開けられる。ブラインドバイアホールは、一
端が閉塞端面となっている微小径（例えば、50〜200 μ
m ）のバイアホールであり、ここを通して、信号層間の
電気的接続がなされる。ブラインドバイアホールの形成
方法は公知であり、例えば、ドリルや、炭酸ガスレーザ
ー、エキシマレーザー等の物理的な形成手段や、フォト
法等の光学的な形成方法等によって好適に行うことがで
きる。本発明で使用される無電解銅めっきは、周知技術
である。無電解銅めっきを行う場合、まず、無電解銅め
っきのための触媒化処理を行う。
明する。本発明によりビルドアッププリント配線板を製
造するのに使用されるプリント基板としては、通常、公
知のように、例えば、ガラスエポキシ積層板が使用され
ており、樹脂を塗布することにより絶縁層が形成され、
銅めっきにより導体層が逐次積層される。ビルドアップ
プリント配線板に設けられるブラインドバイアホール
は、下層との電気的接続を行うために形成されるもので
あり、プリント基板上の樹脂層又はその上に積層される
導電性層に開けられる。ブラインドバイアホールは、一
端が閉塞端面となっている微小径（例えば、50〜200 μ
m ）のバイアホールであり、ここを通して、信号層間の
電気的接続がなされる。ブラインドバイアホールの形成
方法は公知であり、例えば、ドリルや、炭酸ガスレーザ
ー、エキシマレーザー等の物理的な形成手段や、フォト
法等の光学的な形成方法等によって好適に行うことがで
きる。本発明で使用される無電解銅めっきは、周知技術
である。無電解銅めっきを行う場合、まず、無電解銅め
っきのための触媒化処理を行う。
【０００８】無電解銅めっきのための触媒化処理には、
従来から使用されている一般的な使用条件が適用でき
る。無電解銅めっきのために、銅イオンの還元を促進す
るための触媒化方法は例えば、以下の通りである。 (1) クリーナーコンディショナー（コンディショニン
グ） (2) 水洗 (3) アクチベーター（触媒付与；Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶
液） (4) 水洗 (5) アクセレレーター（密着増進；Ｓｎの除去） また、各工程における浴条件の一例を示せば、以下の通
りである。
従来から使用されている一般的な使用条件が適用でき
る。無電解銅めっきのために、銅イオンの還元を促進す
るための触媒化方法は例えば、以下の通りである。 (1) クリーナーコンディショナー（コンディショニン
グ） (2) 水洗 (3) アクチベーター（触媒付与；Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶
液） (4) 水洗 (5) アクセレレーター（密着増進；Ｓｎの除去） また、各工程における浴条件の一例を示せば、以下の通
りである。
【０００９】(1) クリーナーコンディショナー浴条件 この処理は、ブラインドバイアホールへの濡れ性を改善
し、触媒の付着性を改良するために行われる。 浴組成 カチオン系界面活性剤 ３ ｇ／Ｌ 水酸化ナトリウム ２０ ｇ／Ｌ 処理条件 浴温度 ６０℃ 浸漬時間 ５分(2) アクチベーター浴条件 この工程は、触媒付与工程である。例えば、触媒として
は、Pd-Sn コロイド溶液が使用される。 浴組成 塩化パラジウム ５００ｍｇ／Ｌ 塩化第一すず ２０ ｇ／Ｌ 塩酸 １５０ｍＬ／Ｌ 処理条件 浴温度 ２５℃ 浸漬時間 ５分
し、触媒の付着性を改良するために行われる。 浴組成 カチオン系界面活性剤 ３ ｇ／Ｌ 水酸化ナトリウム ２０ ｇ／Ｌ 処理条件 浴温度 ６０℃ 浸漬時間 ５分(2) アクチベーター浴条件 この工程は、触媒付与工程である。例えば、触媒として
は、Pd-Sn コロイド溶液が使用される。 浴組成 塩化パラジウム ５００ｍｇ／Ｌ 塩化第一すず ２０ ｇ／Ｌ 塩酸 １５０ｍＬ／Ｌ 処理条件 浴温度 ２５℃ 浸漬時間 ５分
【００１０】(3) アクセレレーター浴条件 この工程は、Pd-Sn 触媒のスズを除去し、パラジウムの
密着性を向上する工程である。 浴組成 硫酸 ５０ｍＬ／Ｌ 硫酸ヒドラジン ５ ｇ／Ｌ 処理条件 浴温度 ２５℃ 浸漬時間 ５分無電解銅めっき処理 無電解銅めっきには、還元剤として、ホルマリンや、グ
リオキシル酸、ジメチルアミンボラン、ヒドラジン等を
用いる一般的な無電解銅めっき浴が使用できる。無電解
銅めっき浴の条件の一例を以下に示す。 浴組成 硫酸銅五水和物 １５ ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ ４５ ｇ／Ｌ ホルムアルデヒド １５ ｇ／Ｌ ビピリジル １０ｍｇ／Ｌ 処理条件 ｐＨ １２．５ 浴温度 ２５℃ 浸漬時間 １５分 無電解銅めっき処理の後、必要に応じて、任意の工程を
付加することができる。このような付加工程としては、
例えば、水洗工程や、酸化皮膜除去のための酸処理（例
えば、10％硫酸を使用）、更にその後の水洗工程等の工
程が挙げられる。
密着性を向上する工程である。 浴組成 硫酸 ５０ｍＬ／Ｌ 硫酸ヒドラジン ５ ｇ／Ｌ 処理条件 浴温度 ２５℃ 浸漬時間 ５分無電解銅めっき処理 無電解銅めっきには、還元剤として、ホルマリンや、グ
リオキシル酸、ジメチルアミンボラン、ヒドラジン等を
用いる一般的な無電解銅めっき浴が使用できる。無電解
銅めっき浴の条件の一例を以下に示す。 浴組成 硫酸銅五水和物 １５ ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ ４５ ｇ／Ｌ ホルムアルデヒド １５ ｇ／Ｌ ビピリジル １０ｍｇ／Ｌ 処理条件 ｐＨ １２．５ 浴温度 ２５℃ 浸漬時間 １５分 無電解銅めっき処理の後、必要に応じて、任意の工程を
付加することができる。このような付加工程としては、
例えば、水洗工程や、酸化皮膜除去のための酸処理（例
えば、10％硫酸を使用）、更にその後の水洗工程等の工
程が挙げられる。
【００１１】本発明で使用するダイレクトプレーティン
グ法は、本来、無電解銅めっきを用いずに樹脂表面を導
電化し、直接電気銅めっきを行う方法である。ダイレク
トプレーティング法は、日本においても１９９０年頃か
ら実用化されはじめ、環境対策や、廃棄物処理費の低
減、プロセス管理、自動化の容易さなどの観点から普及
している。現在までに、パラジウム−スズコロイド系
や、スズフリーパラジウム系、導電性ポリマー系、カー
ボン（グラファイト）系等の材料を使用して、ダイレク
トプレーティング法により導電性皮膜を形成するプロセ
スが研究開発されている。パラジウム−スズコロイド系
及びスズフリーパラジウム系を使用するダイレクトプレ
ーティング法は、パラジウムを壁面、この場合、ブライ
ンドバイアホールの壁面に吸着させるものである。必要
に応じて、パラジウム−スズコロイド系については、吸
着後に、アクセレレーターにより、吸着したパラジウム
コロイドの間を金属で塞いだり、スズイオンを還元した
りして、導電性を向上させてもよい。また、内層銅箔上
のパラジウムは銅めっきとの密着性を阻害するので、マ
イクロエッチング等によりパラジウムを除去してもよ
い。また、スズフリーパラジウム系は、例えば、パラジ
ウムイオンを還元して、壁面に吸着させるものである。
グ法は、本来、無電解銅めっきを用いずに樹脂表面を導
電化し、直接電気銅めっきを行う方法である。ダイレク
トプレーティング法は、日本においても１９９０年頃か
ら実用化されはじめ、環境対策や、廃棄物処理費の低
減、プロセス管理、自動化の容易さなどの観点から普及
している。現在までに、パラジウム−スズコロイド系
や、スズフリーパラジウム系、導電性ポリマー系、カー
ボン（グラファイト）系等の材料を使用して、ダイレク
トプレーティング法により導電性皮膜を形成するプロセ
スが研究開発されている。パラジウム−スズコロイド系
及びスズフリーパラジウム系を使用するダイレクトプレ
ーティング法は、パラジウムを壁面、この場合、ブライ
ンドバイアホールの壁面に吸着させるものである。必要
に応じて、パラジウム−スズコロイド系については、吸
着後に、アクセレレーターにより、吸着したパラジウム
コロイドの間を金属で塞いだり、スズイオンを還元した
りして、導電性を向上させてもよい。また、内層銅箔上
のパラジウムは銅めっきとの密着性を阻害するので、マ
イクロエッチング等によりパラジウムを除去してもよ
い。また、スズフリーパラジウム系は、例えば、パラジ
ウムイオンを還元して、壁面に吸着させるものである。
【００１２】また、導電性ポリマー系のダイレクトプレ
ーティング法は、例えば、ピロール誘導体のモノマーを
過マンガン酸塩処理することによって、生成した酸化マ
ンガンによる酸性下で酸化重合させることによって、次
の電気銅めっきを行うに十分な導電性の膜を形成させる
ものである。カーボン系のダイレクトプレーティング法
は、懸濁したカーボンブラックの溶液で表面を処理する
ことにより、導電性のカーボンを静電気的に吸着させる
ものである。パラジウム−スズコロイド系としては、例
えば、アンプ−アクゾ製のＥＥ−１や、ＥＥ−２００
０、リーローナル製のConductron DP 等が挙げられる。
スズフリーパラジウム系としては、例えば、Atotech 製
のNeopact や、Okuno 製のTopDP等が挙げられる。導電
性ポリマー系としては、例えば、Blasberg製のDMS-2
や、Atotech 製のCompact CP等が挙げられる。カーボン
系としては、例えば、Mac Dermid製のBlack hole-2や、
Olin hunt 製のBlack hole等が挙げられる。
ーティング法は、例えば、ピロール誘導体のモノマーを
過マンガン酸塩処理することによって、生成した酸化マ
ンガンによる酸性下で酸化重合させることによって、次
の電気銅めっきを行うに十分な導電性の膜を形成させる
ものである。カーボン系のダイレクトプレーティング法
は、懸濁したカーボンブラックの溶液で表面を処理する
ことにより、導電性のカーボンを静電気的に吸着させる
ものである。パラジウム−スズコロイド系としては、例
えば、アンプ−アクゾ製のＥＥ−１や、ＥＥ−２００
０、リーローナル製のConductron DP 等が挙げられる。
スズフリーパラジウム系としては、例えば、Atotech 製
のNeopact や、Okuno 製のTopDP等が挙げられる。導電
性ポリマー系としては、例えば、Blasberg製のDMS-2
や、Atotech 製のCompact CP等が挙げられる。カーボン
系としては、例えば、Mac Dermid製のBlack hole-2や、
Olin hunt 製のBlack hole等が挙げられる。
【００１３】本発明で使用されるダイレクトプレーティ
ング工程の典型的な順序を以下に示す。 (1) コンディショナー (2) 水洗 (3) アクチベーター (4) 水洗 (5) アクセレレーター (6) 水洗 (7) 酸活性 上記各工程で使用される典型的な浴条件を一例を以下に
示す。
ング工程の典型的な順序を以下に示す。 (1) コンディショナー (2) 水洗 (3) アクチベーター (4) 水洗 (5) アクセレレーター (6) 水洗 (7) 酸活性 上記各工程で使用される典型的な浴条件を一例を以下に
示す。
【００１４】コンディショナー浴条件 この処理は、ブラインドバイアホールへの濡れ性を改善
し、触媒の付着性を改良するために行われる。 浴組成 ＤＰ−Ｈコンディショナーコンク ５０ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） 処理条件 浴温度 ４５℃ スプレー時間 ２０秒アクチベーター浴条件 この処理は、ブラインドバイアホール壁面を導電化（パ
ラジウム−すず触媒の付着）するために、使用される。 浴組成 ＤＰ−Ｈアクチベーターコンク ５０ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） ＤＰ−Ｈプリディップ溶液 ９５０ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） 処理条件 浴温度 ４５℃ スプレー時間 ５０秒
し、触媒の付着性を改良するために行われる。 浴組成 ＤＰ−Ｈコンディショナーコンク ５０ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） 処理条件 浴温度 ４５℃ スプレー時間 ２０秒アクチベーター浴条件 この処理は、ブラインドバイアホール壁面を導電化（パ
ラジウム−すず触媒の付着）するために、使用される。 浴組成 ＤＰ−Ｈアクチベーターコンク ５０ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） ＤＰ−Ｈプリディップ溶液 ９５０ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） 処理条件 浴温度 ４５℃ スプレー時間 ５０秒
【００１５】アクセレレーター浴条件 この処理は、後の銅めっき時における樹脂−銅めっき間
の密着性を増強（すずの除去）するために使用される。 浴組成 ＤＰ−ＨアクセレレーターＧ２ １００ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） ＤＰ−Ｈノルマリティーアジャスター １００ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） 処理条件 浴温度 ６０℃ スプレー時間 ４０秒酸活性浴条件 この処理は、 するために使
用される。 浴組成 硫酸（９８％） １００ｍＬ／Ｌ 処理条件 浴温度 ２５℃ スプレー時間 １０秒
の密着性を増強（すずの除去）するために使用される。 浴組成 ＤＰ−ＨアクセレレーターＧ２ １００ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） ＤＰ−Ｈノルマリティーアジャスター １００ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） 処理条件 浴温度 ６０℃ スプレー時間 ４０秒酸活性浴条件 この処理は、 するために使
用される。 浴組成 硫酸（９８％） １００ｍＬ／Ｌ 処理条件 浴温度 ２５℃ スプレー時間 １０秒
【００１６】本発明で使用される電気銅めっき処理は、
周知技術であり、その条件等は、本発明の目的等を考慮
して、容易に理解される。電気銅めっき処理としては、
例えば、ピロリン酸銅めっき浴や、硫酸銅めっき浴等が
使用できる。使用する場合は、特別な変更は必要なく、
従来の使用条件が適用できる。硫酸銅めっき浴の使用例
を以下に一例として示す。 浴組成 硫酸銅五水和物 ７５ｇ／Ｌ 硫酸（９８％） １９０ｇ／Ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／Ｌ 光沢剤 ５ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール社製 カパーグリーム ST-901） めっき条件 温度 ２５℃ 陰極電流密度 １〜６Ａ／dm2 撹拌 エアー撹拌 アノード 含リン銅アノード（P:0.04％） 硫酸銅めっき処理は、必要に応じて、また、任意な工程
を間に介することによって、複数回行ってもよい。
周知技術であり、その条件等は、本発明の目的等を考慮
して、容易に理解される。電気銅めっき処理としては、
例えば、ピロリン酸銅めっき浴や、硫酸銅めっき浴等が
使用できる。使用する場合は、特別な変更は必要なく、
従来の使用条件が適用できる。硫酸銅めっき浴の使用例
を以下に一例として示す。 浴組成 硫酸銅五水和物 ７５ｇ／Ｌ 硫酸（９８％） １９０ｇ／Ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／Ｌ 光沢剤 ５ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール社製 カパーグリーム ST-901） めっき条件 温度 ２５℃ 陰極電流密度 １〜６Ａ／dm2 撹拌 エアー撹拌 アノード 含リン銅アノード（P:0.04％） 硫酸銅めっき処理は、必要に応じて、また、任意な工程
を間に介することによって、複数回行ってもよい。
【００１７】なお、硫酸銅めっき処理に続いて、必要に
応じて、エッチングレジストの目的で、すずめっきして
もよい。すずめっきの処理条件としては、公知の条件を
使用することができる。このような条件としては、例え
ば、以下の条件が挙げられる。すずめっき処理 浴組成 硫酸（９８％） １９０ｇ／Ｌ 硫酸第一すず ４０ｇ／Ｌ カテコール 0.5 ｇ／Ｌ めっき条件 温度 ２５℃ 陰極電流密度 １〜３Ａ／dm2 撹拌 カソード揺動 アノード すずアノード（純度：99.9％以上） 本発明の一つの態様においては、ダイレクトプレーティ
ング法は、無電解銅めっき処理の後に行う。
応じて、エッチングレジストの目的で、すずめっきして
もよい。すずめっきの処理条件としては、公知の条件を
使用することができる。このような条件としては、例え
ば、以下の条件が挙げられる。すずめっき処理 浴組成 硫酸（９８％） １９０ｇ／Ｌ 硫酸第一すず ４０ｇ／Ｌ カテコール 0.5 ｇ／Ｌ めっき条件 温度 ２５℃ 陰極電流密度 １〜３Ａ／dm2 撹拌 カソード揺動 アノード すずアノード（純度：99.9％以上） 本発明の一つの態様においては、ダイレクトプレーティ
ング法は、無電解銅めっき処理の後に行う。
【００１８】一方、本発明の第２の態様においては、ダ
イレクトプレーティング法を行った後、無電解銅めっき
処理を行う。特に、パラジウムを使用するダイレクトプ
レーティング法の後に、無電解銅めっき処理を行うと、
ダイレクトプレーティング法において使用されているパ
ラジウムが、無電解銅めっき処理における触媒となるの
で、ダイレクトプレーティング法に引き続き、無電解銅
めっき処理を行うことができる。このような組合せによ
って、ビルドアッププリント配線板製造時におる、基板
表面のダイレクトプレーティング処理皮膜の持つ抵抗値
による電気銅めっきの析出速度が遅れることによるめっ
き皮膜の不均一性の問題が、ダイレクトプレーティング
処理の後、無電解銅めっきを行うことによって、抵抗値
が低くなり、電気銅めっき皮膜の不均一性の問題が解決
される。更に、ブラインドバイアホールの導電化処理で
問題となるブラインドバイアホールに気泡がトラップさ
れて、その閉塞端面（底部）側にダイレクトプレーティ
ング法による導電性層の形成が十分でない場合にでも、
予めダイレクトプレーティング法をおこなってあるた
め、次の電気銅めっきにて導電化することができ、層間
の接続不良の問題が解決される。
イレクトプレーティング法を行った後、無電解銅めっき
処理を行う。特に、パラジウムを使用するダイレクトプ
レーティング法の後に、無電解銅めっき処理を行うと、
ダイレクトプレーティング法において使用されているパ
ラジウムが、無電解銅めっき処理における触媒となるの
で、ダイレクトプレーティング法に引き続き、無電解銅
めっき処理を行うことができる。このような組合せによ
って、ビルドアッププリント配線板製造時におる、基板
表面のダイレクトプレーティング処理皮膜の持つ抵抗値
による電気銅めっきの析出速度が遅れることによるめっ
き皮膜の不均一性の問題が、ダイレクトプレーティング
処理の後、無電解銅めっきを行うことによって、抵抗値
が低くなり、電気銅めっき皮膜の不均一性の問題が解決
される。更に、ブラインドバイアホールの導電化処理で
問題となるブラインドバイアホールに気泡がトラップさ
れて、その閉塞端面（底部）側にダイレクトプレーティ
ング法による導電性層の形成が十分でない場合にでも、
予めダイレクトプレーティング法をおこなってあるた
め、次の電気銅めっきにて導電化することができ、層間
の接続不良の問題が解決される。
【００１９】第２の態様において使用されるダイレクト
プレーティング法は、触媒として、パラジウムを使用す
る系が好適に使用することができる。その他の条件とし
ては、第１の態様の場合と同様である。また、第２の態
様で使用される無電解処理及びそれに続く電気銅めっき
処理は、上記第１の態様の場合と同様である。上記無電
解銅めっき処理と、ダイレクトプレーティング法との組
合せによる処理工程により、基板樹脂表面及びブライン
ドバイアホール内に金属の導電性薄膜を形成した後、上
記のように通常の電気銅めっき、例えば、硫酸銅めっき
等を用いて銅めっきを施す。また、必要ならば、通常の
腐食液を用いてエッチングを行い、所望の回路を形成す
ることも可能である。本発明の工程に、従来のプリント
配線板製造技術を適宜組み合わせてビルドアッププリン
ト配線板の製造を行うことができる。
プレーティング法は、触媒として、パラジウムを使用す
る系が好適に使用することができる。その他の条件とし
ては、第１の態様の場合と同様である。また、第２の態
様で使用される無電解処理及びそれに続く電気銅めっき
処理は、上記第１の態様の場合と同様である。上記無電
解銅めっき処理と、ダイレクトプレーティング法との組
合せによる処理工程により、基板樹脂表面及びブライン
ドバイアホール内に金属の導電性薄膜を形成した後、上
記のように通常の電気銅めっき、例えば、硫酸銅めっき
等を用いて銅めっきを施す。また、必要ならば、通常の
腐食液を用いてエッチングを行い、所望の回路を形成す
ることも可能である。本発明の工程に、従来のプリント
配線板製造技術を適宜組み合わせてビルドアッププリン
ト配線板の製造を行うことができる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明について、実施例により、更に
詳細に説明するが、本発明の範囲は、これらの実施例に
よって何ら限定されるものではない。実施例１ 次の工程によりビルドアッププリント配線板の製造を行
った。 (1) 穴明け（ブラインドバイアホール） (2) クリーナーコンディショナー 浴組成 カチオン系界面活性剤 ３ ｇ／Ｌ 水酸化ナトリウム ２０ ｇ／Ｌ 処理条件 浴温度 ６０℃ 浸漬時間 ５分 (3) 水洗 (4) 無電解銅めっき用アクチベーター 浴組成 塩化パラジウム ５００ｍｇ／Ｌ 塩化第一すず ２０ ｇ／Ｌ 塩酸 １５０ｍＬ／Ｌ 処理条件 浴温度 ２５℃ 浸漬時間 ５分 (5) 水洗 (6) 無電解銅めっき用アクセレレーター 浴組成 硫酸 ５０ｍＬ／Ｌ 硫酸ヒドラジン ５ ｇ／Ｌ 処理条件 浴温度 ２５℃ 浸漬時間 ５分 (7) 水洗 (8) 無電解銅めっき 浴組成 硫酸銅五水和物 １５ ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ ４５ ｇ／Ｌ ホルムアルデヒド １５ ｇ／Ｌ ビピリジル １０ｍｇ／Ｌ 処理条件 ｐＨ １２．５ 浴温度 ２５℃ 浸漬時間 １５分 (9) 水洗 (10)コンディショナー 浴組成 ＤＰ−Ｈコンディショナーコンク ５０ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） 処理条件 浴温度 ４５℃ スプレー時間 ２０秒 (11)水洗 (12)アクチベーター 浴組成 ＤＰ−Ｈアクチベーターコンク ５０ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） ＤＰ−Ｈプリディップ溶液 ９５０ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） 処理条件 浴温度 ４５℃ スプレー時間 ５０秒 (13)水洗 (14)アクセレレーター 浴組成 ＤＰ−ＨアクセレレーターＧ２ １００ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） ＤＰ−Ｈノルマリティーアジャスター １００ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） 処理条件 浴温度 ６０℃ スプレー時間 ４０秒 (15)水洗 (16)酸活性 浴組成 硫酸（９８％） １００ｍＬ／Ｌ 処理条件 浴温度 ２５℃ スプレー時間 １０秒 (17)水洗 (18)硫酸銅めっき 浴組成 硫酸銅五水和物 ７５ｇ／Ｌ 硫酸（９８％） １９０ｇ／Ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／Ｌ 光沢剤 ５ｍＬ／Ｌ めっき条件 温度 ２５℃ 陰極電流密度 2.5Ａ／dm2 撹拌 エアー撹拌 アノード 含リン銅アノード（P:0.04％） 時間 60分 (19)水洗 (20)防錆処理（銅インヒビターとしてベンゾトリアゾールを使用） (21)水洗 (22)乾燥（80℃） (23)ドライフィルムイメージング（露光、現像） (24)エッチング (25)水洗 (26)ドライフィルム剥離 (27)水洗 (28)乾燥
詳細に説明するが、本発明の範囲は、これらの実施例に
よって何ら限定されるものではない。実施例１ 次の工程によりビルドアッププリント配線板の製造を行
った。 (1) 穴明け（ブラインドバイアホール） (2) クリーナーコンディショナー 浴組成 カチオン系界面活性剤 ３ ｇ／Ｌ 水酸化ナトリウム ２０ ｇ／Ｌ 処理条件 浴温度 ６０℃ 浸漬時間 ５分 (3) 水洗 (4) 無電解銅めっき用アクチベーター 浴組成 塩化パラジウム ５００ｍｇ／Ｌ 塩化第一すず ２０ ｇ／Ｌ 塩酸 １５０ｍＬ／Ｌ 処理条件 浴温度 ２５℃ 浸漬時間 ５分 (5) 水洗 (6) 無電解銅めっき用アクセレレーター 浴組成 硫酸 ５０ｍＬ／Ｌ 硫酸ヒドラジン ５ ｇ／Ｌ 処理条件 浴温度 ２５℃ 浸漬時間 ５分 (7) 水洗 (8) 無電解銅めっき 浴組成 硫酸銅五水和物 １５ ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ ４５ ｇ／Ｌ ホルムアルデヒド １５ ｇ／Ｌ ビピリジル １０ｍｇ／Ｌ 処理条件 ｐＨ １２．５ 浴温度 ２５℃ 浸漬時間 １５分 (9) 水洗 (10)コンディショナー 浴組成 ＤＰ−Ｈコンディショナーコンク ５０ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） 処理条件 浴温度 ４５℃ スプレー時間 ２０秒 (11)水洗 (12)アクチベーター 浴組成 ＤＰ−Ｈアクチベーターコンク ５０ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） ＤＰ−Ｈプリディップ溶液 ９５０ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） 処理条件 浴温度 ４５℃ スプレー時間 ５０秒 (13)水洗 (14)アクセレレーター 浴組成 ＤＰ−ＨアクセレレーターＧ２ １００ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） ＤＰ−Ｈノルマリティーアジャスター １００ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） 処理条件 浴温度 ６０℃ スプレー時間 ４０秒 (15)水洗 (16)酸活性 浴組成 硫酸（９８％） １００ｍＬ／Ｌ 処理条件 浴温度 ２５℃ スプレー時間 １０秒 (17)水洗 (18)硫酸銅めっき 浴組成 硫酸銅五水和物 ７５ｇ／Ｌ 硫酸（９８％） １９０ｇ／Ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／Ｌ 光沢剤 ５ｍＬ／Ｌ めっき条件 温度 ２５℃ 陰極電流密度 2.5Ａ／dm2 撹拌 エアー撹拌 アノード 含リン銅アノード（P:0.04％） 時間 60分 (19)水洗 (20)防錆処理（銅インヒビターとしてベンゾトリアゾールを使用） (21)水洗 (22)乾燥（80℃） (23)ドライフィルムイメージング（露光、現像） (24)エッチング (25)水洗 (26)ドライフィルム剥離 (27)水洗 (28)乾燥
【００２１】板厚0.8 mmの25cm×25cmの両面銅張積層板
（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を厚さ0.1 mm
を塗布し、フォト法により直径0.1 mm、深さ0.1 mmのブ
ラインドバイアホールを1000穴形成したビルドアッププ
リント配線板10枚について、実施例１の工程にて作成し
た。また、同様のビルドアッププリント配線板10枚につ
いて、実施例１の工程の(1）から(8）まで同様に処理を
行った後、(16)から(28)までの処理を行ったビルドアッ
ププリント配線板を作成し（通常の無電解銅めっき処理
のみを行った後、硫酸銅めっきを行った場合）性能の比
較を行った。その結果、実施例１の工程にて作成したビ
ルドアッププリント配線板についてボイドの発生率を測
定したところ、10000 穴中０穴であり、ボイドの発生率
は０％であった。一方、無電解銅めっき処理後、ダイレ
クトプレーティング処理を行わないで、硫酸銅めっきを
行ったビルドアッププリント配線板については、ボイド
の発生は、10000 穴中3793穴であり、ボイドの発生率は
38％であった。
（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を厚さ0.1 mm
を塗布し、フォト法により直径0.1 mm、深さ0.1 mmのブ
ラインドバイアホールを1000穴形成したビルドアッププ
リント配線板10枚について、実施例１の工程にて作成し
た。また、同様のビルドアッププリント配線板10枚につ
いて、実施例１の工程の(1）から(8）まで同様に処理を
行った後、(16)から(28)までの処理を行ったビルドアッ
ププリント配線板を作成し（通常の無電解銅めっき処理
のみを行った後、硫酸銅めっきを行った場合）性能の比
較を行った。その結果、実施例１の工程にて作成したビ
ルドアッププリント配線板についてボイドの発生率を測
定したところ、10000 穴中０穴であり、ボイドの発生率
は０％であった。一方、無電解銅めっき処理後、ダイレ
クトプレーティング処理を行わないで、硫酸銅めっきを
行ったビルドアッププリント配線板については、ボイド
の発生は、10000 穴中3793穴であり、ボイドの発生率は
38％であった。
【００２２】更に、板厚0.8 mmの25cm×25cmの両面銅張
積層板材質（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を
厚さ0.08mmを塗布し、フォト法により直径0.08mm、深さ
0.08mmのブラインドバイアホールを1000穴形成したビル
ドアッププリント配線板10枚について、上記と同様の処
理を行い、ボイドの発生率の比較を行った。その結果、
実施例１にて作成した場合のボイドの発生率を測定した
ところ、10000 穴中0穴であり、ボイドの発生率は0%で
あった。一方、無電解銅めっき処理後、ダイレクトプレ
ーティング処理を行わないで、硫酸銅めっきを行った場
合についてはボイドの発生は、10000 穴中8061穴であ
り、ボイドの発生率は81％であった。また、実施例１の
工程にて作成したビルドアッププリント配線板を、ドラ
イフィルムイメージング後、エッチングして回路を形成
し、ＭＩＬ−Ｐ−５５１１０Ｄの耐熱試験を行った結
果、良好であった。実施例２ 次の工程によりビルドアッププリント配線板の製造を行
った。 (1) 実施例１の工程(1) 〜(22)まで同じ処理 (2) ドライフィルムイメージング（露光、現像） (3) 酸性脱脂 (4) 水洗 (5) 酸浸漬（１０％硫酸、２５℃、１分） (6) すずめっき （条件） 浴組成 硫酸（９８％） １９０ｇ／Ｌ 硫酸第一すず ４０ｇ／Ｌ カテコール 0.5 ｇ／Ｌ めっき条件 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ２Ａ／dm2 撹拌 カソード揺動 アノード すずアノード（純度：99.9％以上） (7) 水洗 (8) 乾燥 (9) ドライフィルム剥離 (10)水洗 (11)エッチング (12)水洗 (13)乾燥
積層板材質（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を
厚さ0.08mmを塗布し、フォト法により直径0.08mm、深さ
0.08mmのブラインドバイアホールを1000穴形成したビル
ドアッププリント配線板10枚について、上記と同様の処
理を行い、ボイドの発生率の比較を行った。その結果、
実施例１にて作成した場合のボイドの発生率を測定した
ところ、10000 穴中0穴であり、ボイドの発生率は0%で
あった。一方、無電解銅めっき処理後、ダイレクトプレ
ーティング処理を行わないで、硫酸銅めっきを行った場
合についてはボイドの発生は、10000 穴中8061穴であ
り、ボイドの発生率は81％であった。また、実施例１の
工程にて作成したビルドアッププリント配線板を、ドラ
イフィルムイメージング後、エッチングして回路を形成
し、ＭＩＬ−Ｐ−５５１１０Ｄの耐熱試験を行った結
果、良好であった。実施例２ 次の工程によりビルドアッププリント配線板の製造を行
った。 (1) 実施例１の工程(1) 〜(22)まで同じ処理 (2) ドライフィルムイメージング（露光、現像） (3) 酸性脱脂 (4) 水洗 (5) 酸浸漬（１０％硫酸、２５℃、１分） (6) すずめっき （条件） 浴組成 硫酸（９８％） １９０ｇ／Ｌ 硫酸第一すず ４０ｇ／Ｌ カテコール 0.5 ｇ／Ｌ めっき条件 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ２Ａ／dm2 撹拌 カソード揺動 アノード すずアノード（純度：99.9％以上） (7) 水洗 (8) 乾燥 (9) ドライフィルム剥離 (10)水洗 (11)エッチング (12)水洗 (13)乾燥
【００２３】板厚0.8 mmの25cm×25cm両面銅張積層板
（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を厚さ0.1 mm
塗布し、フォト法により直径0.1 mm、深さ0.1 mmのブラ
インドバイアホールを1000穴形成したビルドアッププリ
ント配線板10枚について、実施例２の工程にて作成し
た。また、同様のビルドアッププリント配線板10枚につ
いて、実施例１の工程の(1) から(8) まで処理を行った
後、実施例１の(16)から(28)までの処理を行ったビルド
アッププリント配線板を作成し（通常の無電解銅めっき
処理のみを行った後、硫酸銅めっきを行った場合）、性
能の比較を行った。その結果、実施例２の工程にて作成
したビルドアッププリント配線板についてボイドの発生
率を測定したところ、10000 穴中0 穴であり、ボイドの
発生率は０％であった。一方、無電解銅めっき処理後、
ダイレクトプレーティング処理を行わないで、硫酸銅め
っきを行ったビルドアッププリント配線板についてはボ
イドの発生は、10000 穴中3793穴であり、ボイドの発生
率は38％であった。更に、板厚0.8 mmの25cm×25cm両面
銅張積層板材質（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹
脂を厚さ0.08mm塗布し、フォト法により直径0.08mm、深
さ0.08mmのブラインドバイアホールを1000穴形成したビ
ルドアッププリント配線板10枚について、同様にボイド
の発生率の比較を行った。その結果、実施例1にて作成
した場合のボイドの発生率を測定したところ、10000 穴
中０穴であり、ボイドの発生率は０％であった。一方、
無電解銅めっき処理後、ダイレクトプレーティング処理
を行わないで、硫酸銅めっきを行った場合についてはボ
イドの発生は、10000穴中8061穴であり、ボイドの発生
率は81％であった。また、実施例２の工程にて作成した
ビルドアッププリント配線板を、ドライフィルムイメー
ジング後、エッチングして回路を形成し、ＭＩＬ−Ｐ−
５５１１０Ｄの耐熱試験を行った結果、良好であった。
（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を厚さ0.1 mm
塗布し、フォト法により直径0.1 mm、深さ0.1 mmのブラ
インドバイアホールを1000穴形成したビルドアッププリ
ント配線板10枚について、実施例２の工程にて作成し
た。また、同様のビルドアッププリント配線板10枚につ
いて、実施例１の工程の(1) から(8) まで処理を行った
後、実施例１の(16)から(28)までの処理を行ったビルド
アッププリント配線板を作成し（通常の無電解銅めっき
処理のみを行った後、硫酸銅めっきを行った場合）、性
能の比較を行った。その結果、実施例２の工程にて作成
したビルドアッププリント配線板についてボイドの発生
率を測定したところ、10000 穴中0 穴であり、ボイドの
発生率は０％であった。一方、無電解銅めっき処理後、
ダイレクトプレーティング処理を行わないで、硫酸銅め
っきを行ったビルドアッププリント配線板についてはボ
イドの発生は、10000 穴中3793穴であり、ボイドの発生
率は38％であった。更に、板厚0.8 mmの25cm×25cm両面
銅張積層板材質（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹
脂を厚さ0.08mm塗布し、フォト法により直径0.08mm、深
さ0.08mmのブラインドバイアホールを1000穴形成したビ
ルドアッププリント配線板10枚について、同様にボイド
の発生率の比較を行った。その結果、実施例1にて作成
した場合のボイドの発生率を測定したところ、10000 穴
中０穴であり、ボイドの発生率は０％であった。一方、
無電解銅めっき処理後、ダイレクトプレーティング処理
を行わないで、硫酸銅めっきを行った場合についてはボ
イドの発生は、10000穴中8061穴であり、ボイドの発生
率は81％であった。また、実施例２の工程にて作成した
ビルドアッププリント配線板を、ドライフィルムイメー
ジング後、エッチングして回路を形成し、ＭＩＬ−Ｐ−
５５１１０Ｄの耐熱試験を行った結果、良好であった。
【００２４】実施例３ 次の工程によりビルドアッププリント配線板の製造を行
った。 (1) 実施例１の工程(1) 〜(22)まで同じ処理。但し、実
施例１の工程(18)における硫酸銅めっきの時間は、３０
分であった。 (2) ドライフィルムイメージング（露光、現像） (3) 酸性脱脂剤 (4) 水洗 (5) 酸活性 (6) 水洗 (7) 硫酸銅めっき（2.5 Ａ／dm2 、30分、25℃） (8) 水洗 (9) 酸浸漬（１０％硫酸、２５℃、１分） (10)すずめっき （条件） 実施例２の工程(6) のすずめっきと同様。 (11)水洗 (12)乾燥 (13)ドライフィルム剥離 (14)水洗 (15)エッチング (16)水洗 (17)乾燥
った。 (1) 実施例１の工程(1) 〜(22)まで同じ処理。但し、実
施例１の工程(18)における硫酸銅めっきの時間は、３０
分であった。 (2) ドライフィルムイメージング（露光、現像） (3) 酸性脱脂剤 (4) 水洗 (5) 酸活性 (6) 水洗 (7) 硫酸銅めっき（2.5 Ａ／dm2 、30分、25℃） (8) 水洗 (9) 酸浸漬（１０％硫酸、２５℃、１分） (10)すずめっき （条件） 実施例２の工程(6) のすずめっきと同様。 (11)水洗 (12)乾燥 (13)ドライフィルム剥離 (14)水洗 (15)エッチング (16)水洗 (17)乾燥
【００２５】板厚0.8 mmの25cm×25cm両面銅張積層板
（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を厚さ0.1 mm
塗布し、フォト法により直径0.1 mm、深さ0.1 mmのブラ
インドバイアホールを1000穴形成したビルドアッププリ
ント配線板10枚について、実施例３の工程にて作成し
た。また、同様のビルドアッププリント配線板10枚につ
いて、実施例１の工程の(1) から(8) まで処理を行った
後、実施例３の(5) から(17)までの処理を行ったビルド
アッププリント配線板を作成し（通常の無電解銅めっき
処理のみを行った後、硫酸銅めっきを行った場合）性能
の比較を行った。その結果、実施例３の工程にて作成し
たビルドアッププリント配線板についてボイドの発生率
を測定したところ、10000 穴中０穴であり、ボイドの発
生率は0%であった。一方、無電解銅めっき処理後、ダイ
レクトプレーティング処理を行わないで、硫酸銅めっき
を行ったビルドアッププリント配線板についてはボイド
の発生は、10000 穴中3793穴であり、ボイドの発生率は
38％であった。
（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を厚さ0.1 mm
塗布し、フォト法により直径0.1 mm、深さ0.1 mmのブラ
インドバイアホールを1000穴形成したビルドアッププリ
ント配線板10枚について、実施例３の工程にて作成し
た。また、同様のビルドアッププリント配線板10枚につ
いて、実施例１の工程の(1) から(8) まで処理を行った
後、実施例３の(5) から(17)までの処理を行ったビルド
アッププリント配線板を作成し（通常の無電解銅めっき
処理のみを行った後、硫酸銅めっきを行った場合）性能
の比較を行った。その結果、実施例３の工程にて作成し
たビルドアッププリント配線板についてボイドの発生率
を測定したところ、10000 穴中０穴であり、ボイドの発
生率は0%であった。一方、無電解銅めっき処理後、ダイ
レクトプレーティング処理を行わないで、硫酸銅めっき
を行ったビルドアッププリント配線板についてはボイド
の発生は、10000 穴中3793穴であり、ボイドの発生率は
38％であった。
【００２６】更に、板厚0.8 mmの25cm×25cm両面銅張積
層板材質（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を厚
さ0.08mm塗布し、フォト法により直径0.08mm、深さ0.08
mmのブラインドバイアホールを1000穴形成したビルドア
ッププリント配線板10枚について、同様にボイドの発生
率の比較を行った。その結果、実施例１にて作成した場
合のボイドの発生率を測定したところ、10000穴中0穴で
あり、ボイドの発生率は0%であった。一方、無電解銅め
っき処理後、ダイレクトプレーティング処理を行わない
で、硫酸銅めっきを行った場合についてはボイドの発生
は、10000穴中8061穴であり、ボイドの発生率は81%であ
った。また、実施例３の工程にて作成したビルドアップ
プリント配線板を、ドライフィルムイメージング後、エ
ッチングして回路を形成し、ＭＩＬ−Ｐ−５５１１０Ｄ
の耐熱試験を行った結果、良好であった。
層板材質（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を厚
さ0.08mm塗布し、フォト法により直径0.08mm、深さ0.08
mmのブラインドバイアホールを1000穴形成したビルドア
ッププリント配線板10枚について、同様にボイドの発生
率の比較を行った。その結果、実施例１にて作成した場
合のボイドの発生率を測定したところ、10000穴中0穴で
あり、ボイドの発生率は0%であった。一方、無電解銅め
っき処理後、ダイレクトプレーティング処理を行わない
で、硫酸銅めっきを行った場合についてはボイドの発生
は、10000穴中8061穴であり、ボイドの発生率は81%であ
った。また、実施例３の工程にて作成したビルドアップ
プリント配線板を、ドライフィルムイメージング後、エ
ッチングして回路を形成し、ＭＩＬ−Ｐ−５５１１０Ｄ
の耐熱試験を行った結果、良好であった。
【００２７】実施例４ 次の工程によりビルドアッププリント配線板の製造を行
った。 (1) 穴明け（ブラインドバイアホール） (2) コンディショナー 浴組成 ＤＰ−Ｈコンディショナーコンク ５０ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） 処理条件 浴温度 ４５℃ スプレー時間 ２０秒 (3) 水洗 (4) アクチベーター 浴組成 ＤＰ−Ｈアクチベーターコンク ５０ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） ＤＰ−Ｈプリディップ溶液 ９５０ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） 処理条件 浴温度 ４５℃ スプレー時間 ５０秒 (5) 水洗 (6) アクセレレーター 浴組成 ＤＰ−ＨアクセレレーターＧ２ １００ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） ＤＰ−Ｈノルマリティーアジャスター １００ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） 処理条件 浴温度 ６０℃ スプレー時間 ４０秒 (7) 水洗 (8) 酸活性 浴組成 硫酸（９８％） １００ｍＬ／Ｌ 処理条件 浴温度 ２５℃ スプレー時間 １０秒 (9) 水洗 (10)無電解銅めっき 浴組成 硫酸銅五水和物 １５ ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ ４５ ｇ／Ｌ ホルムアルデヒド １５ ｇ／Ｌ ビピリジル １０ｍｇ／Ｌ 処理条件 ｐＨ １２．５ 浴温度 ２５℃ 浸漬時間 １５分 (11)水洗 (12)酸浸漬（１０％硫酸、２５℃、１分） (13)水洗 (14)硫酸銅めっき（2.5 Ａ／dm2 、60分、25℃） (15)水洗 (16)防錆処理 (17)水洗 (18)乾燥 (19)ドライフィルムイメージング（露光、現像） (20)エッチング (21)水洗 (22)ドライフィルム剥離 (23)水洗 (24)乾燥
った。 (1) 穴明け（ブラインドバイアホール） (2) コンディショナー 浴組成 ＤＰ−Ｈコンディショナーコンク ５０ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） 処理条件 浴温度 ４５℃ スプレー時間 ２０秒 (3) 水洗 (4) アクチベーター 浴組成 ＤＰ−Ｈアクチベーターコンク ５０ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） ＤＰ−Ｈプリディップ溶液 ９５０ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） 処理条件 浴温度 ４５℃ スプレー時間 ５０秒 (5) 水洗 (6) アクセレレーター 浴組成 ＤＰ−ＨアクセレレーターＧ２ １００ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） ＤＰ−Ｈノルマリティーアジャスター １００ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール株式会社製） 処理条件 浴温度 ６０℃ スプレー時間 ４０秒 (7) 水洗 (8) 酸活性 浴組成 硫酸（９８％） １００ｍＬ／Ｌ 処理条件 浴温度 ２５℃ スプレー時間 １０秒 (9) 水洗 (10)無電解銅めっき 浴組成 硫酸銅五水和物 １５ ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ ４５ ｇ／Ｌ ホルムアルデヒド １５ ｇ／Ｌ ビピリジル １０ｍｇ／Ｌ 処理条件 ｐＨ １２．５ 浴温度 ２５℃ 浸漬時間 １５分 (11)水洗 (12)酸浸漬（１０％硫酸、２５℃、１分） (13)水洗 (14)硫酸銅めっき（2.5 Ａ／dm2 、60分、25℃） (15)水洗 (16)防錆処理 (17)水洗 (18)乾燥 (19)ドライフィルムイメージング（露光、現像） (20)エッチング (21)水洗 (22)ドライフィルム剥離 (23)水洗 (24)乾燥
【００２８】板厚0.8 mmの25cm×25cm両面銅張積層板
（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を厚さ0.1 mm
塗布し、フォト法により直径0.1 mm、深さ0.1 mmのブラ
インドバイアホールを1000穴形成したビルドアッププリ
ント配線板10枚について、実施例４の工程にて作成し
た。また、同様のビルドアッププリント配線板10枚につ
いて、実施例４の工程の(1) から(8) まで処理を行った
後、実施例４の(12)から(24)までの処理を行ったビルド
アッププリント配線板を作成し（通常の無電解銅めっき
処理のみを行った後、硫酸銅めっきを行った場合）性能
の比較を行った。その結果、実施例４の工程にて作成し
たビルドアッププリント配線板についてボイドの発生率
を測定したところ、10000 穴中０穴であり、ボイドの発
生率は0%であった。一方、無電解銅めっき処理後、ダイ
レクトプレーティング処理を行わないで、硫酸銅めっき
を行ったビルドアッププリント配線板についてはボイド
の発生は、10000 穴中3793穴であり、ボイドの発生率は
38％であった。更に、板厚0.8 mmの25cm×25cm両面銅張
積層板材質（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を
厚さ0.08mm塗布し、フォト法により直径0.08mm、深さ0.
08mmのブラインドバイアホールを1000穴形成したビルド
アッププリント配線板10枚について、同様にボイドの発
生率の比較を行った。その結果、実施例1にて作成した
場合のボイドの発生率を測定したところ、10000 穴中０
穴であり、ボイドの発生率は0%であった。一方、無電解
銅めっき処理後、ダイレクトプレーティング処理を行わ
ないで、硫酸銅めっきを行った場合についてはボイドの
発生は、10000穴中8061穴であり、ボイドの発生率は81%
であった。また、実施例４の工程にて作成したビルドア
ッププリント配線板を、ドライフィルムイメージング
後、エッチングして回路を形成し、ＭＩＬ−Ｐ−５５１
１０Ｄの耐熱試験を行った結果、良好であった。
（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を厚さ0.1 mm
塗布し、フォト法により直径0.1 mm、深さ0.1 mmのブラ
インドバイアホールを1000穴形成したビルドアッププリ
ント配線板10枚について、実施例４の工程にて作成し
た。また、同様のビルドアッププリント配線板10枚につ
いて、実施例４の工程の(1) から(8) まで処理を行った
後、実施例４の(12)から(24)までの処理を行ったビルド
アッププリント配線板を作成し（通常の無電解銅めっき
処理のみを行った後、硫酸銅めっきを行った場合）性能
の比較を行った。その結果、実施例４の工程にて作成し
たビルドアッププリント配線板についてボイドの発生率
を測定したところ、10000 穴中０穴であり、ボイドの発
生率は0%であった。一方、無電解銅めっき処理後、ダイ
レクトプレーティング処理を行わないで、硫酸銅めっき
を行ったビルドアッププリント配線板についてはボイド
の発生は、10000 穴中3793穴であり、ボイドの発生率は
38％であった。更に、板厚0.8 mmの25cm×25cm両面銅張
積層板材質（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を
厚さ0.08mm塗布し、フォト法により直径0.08mm、深さ0.
08mmのブラインドバイアホールを1000穴形成したビルド
アッププリント配線板10枚について、同様にボイドの発
生率の比較を行った。その結果、実施例1にて作成した
場合のボイドの発生率を測定したところ、10000 穴中０
穴であり、ボイドの発生率は0%であった。一方、無電解
銅めっき処理後、ダイレクトプレーティング処理を行わ
ないで、硫酸銅めっきを行った場合についてはボイドの
発生は、10000穴中8061穴であり、ボイドの発生率は81%
であった。また、実施例４の工程にて作成したビルドア
ッププリント配線板を、ドライフィルムイメージング
後、エッチングして回路を形成し、ＭＩＬ−Ｐ−５５１
１０Ｄの耐熱試験を行った結果、良好であった。
【００２９】実施例５ 次の工程によりビルドアッププリント配線板の製造を行
った。 (1) 実施例４の工程(1) 〜(13)まで同じ処理 (2) １次硫酸銅めっき （条件） 浴組成 硫酸銅五水和物 ７５ｇ／Ｌ 硫酸（９８％） １９０ｇ／Ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／Ｌ 光沢剤 ５ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール社製 カパーグリーム ST-901） めっき条件 温度 ２５℃ 陰極電流密度 2.5Ａ／dm2 撹拌 エアー撹拌 アノード 含リン銅アノード（P:0.04％） 時間 60分 (3) 水洗 (4) 乾燥 (5) ドライフィルムイメージング（露光、現像） (6) 酸性脱脂 (7) 水洗 (8) ソフトエッチング (9) 水洗 (10)酸浸漬（１０％硫酸、２５℃、１分） (11)水洗 (12)２次硫酸銅めっき ( 条件) １次硫酸銅めっきと同様。 (13)水洗 (14)酸浸漬（１０％硫酸、２５℃、１分） (15)すずめっき （条件） 実施例２の工程(6) のすずめっきと同様。 (16)水洗 (17)乾燥 (18)ドライフィルム剥離 (19)水洗 (20)エッチング (21)水洗 (22)乾燥
った。 (1) 実施例４の工程(1) 〜(13)まで同じ処理 (2) １次硫酸銅めっき （条件） 浴組成 硫酸銅五水和物 ７５ｇ／Ｌ 硫酸（９８％） １９０ｇ／Ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／Ｌ 光沢剤 ５ｍＬ／Ｌ （日本リーロナール社製 カパーグリーム ST-901） めっき条件 温度 ２５℃ 陰極電流密度 2.5Ａ／dm2 撹拌 エアー撹拌 アノード 含リン銅アノード（P:0.04％） 時間 60分 (3) 水洗 (4) 乾燥 (5) ドライフィルムイメージング（露光、現像） (6) 酸性脱脂 (7) 水洗 (8) ソフトエッチング (9) 水洗 (10)酸浸漬（１０％硫酸、２５℃、１分） (11)水洗 (12)２次硫酸銅めっき ( 条件) １次硫酸銅めっきと同様。 (13)水洗 (14)酸浸漬（１０％硫酸、２５℃、１分） (15)すずめっき （条件） 実施例２の工程(6) のすずめっきと同様。 (16)水洗 (17)乾燥 (18)ドライフィルム剥離 (19)水洗 (20)エッチング (21)水洗 (22)乾燥
【００３０】板厚0.8 mmの25cm×25cm両面銅張積層板
（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を厚さ0.1 mm
塗布し、フォト法により直径0.1 mm、深さ0.1 mmのブラ
インドバイアホールを1000穴形成したビルドアッププリ
ント配線板10枚について、実施例５の工程にて作成し
た。また、同様のビルドアッププリント配線板10枚につ
いて、実施例４の工程の(1) から(8) まで処理を行った
後、酸活性を行い、実施例５の(2)から(22)までの処理
を行ったビルドアッププリント配線板を作成し(通常の
無電解銅めっき処理のみを行った後、硫酸銅めっきを行
った場合)性能の比較を行った。その結果、実施例５の
工程にて作成したビルドアッププリント配線板について
ボイドの発生率を測定したところ、10000 穴中０穴であ
り、ボイドの発生率は０％であった。一方、無電解銅め
っき処理後、ダイレクトプレーティング処理を行わない
で、硫酸銅めっきを行ったビルドアッププリント配線板
についてはボイドの発生は、10000 穴中3793穴であり、
ボイドの発生率は38％であった。更に、板厚0.8 mmの25
cm×25cm両面銅張積層板材質（材質FR-4）の片面に塗布
型エポキシ樹脂を厚さ0.08mm塗布し、フォト法により直
径0.08mm、深さ0.08mmのブラインドバイアホールを1000
穴形成したビルドアッププリント配線板10枚について、
同様にボイドの発生率の比較を行った。その結果、実施
例１にて作成した場合のボイドの発生率を測定したとこ
ろ、10000 穴中０穴であり、ボイドの発生率は０％であ
った。一方、無電解銅めっき処理後、ダイレクトプレー
ティング処理を行わないで、硫酸銅めっきを行った場合
についてはボイドの発生は、10000穴中8061穴であり、
ボイドの発生率は81％であった。また、実施例５の工程
にて作成したビルドアッププリント配線板を、ドライフ
ィルムイメージング後、エッチングして回路を形成し、
ＭＩＬ−Ｐ−５５１１０Ｄの耐熱試験を行った結果、良
好であった。
（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を厚さ0.1 mm
塗布し、フォト法により直径0.1 mm、深さ0.1 mmのブラ
インドバイアホールを1000穴形成したビルドアッププリ
ント配線板10枚について、実施例５の工程にて作成し
た。また、同様のビルドアッププリント配線板10枚につ
いて、実施例４の工程の(1) から(8) まで処理を行った
後、酸活性を行い、実施例５の(2)から(22)までの処理
を行ったビルドアッププリント配線板を作成し(通常の
無電解銅めっき処理のみを行った後、硫酸銅めっきを行
った場合)性能の比較を行った。その結果、実施例５の
工程にて作成したビルドアッププリント配線板について
ボイドの発生率を測定したところ、10000 穴中０穴であ
り、ボイドの発生率は０％であった。一方、無電解銅め
っき処理後、ダイレクトプレーティング処理を行わない
で、硫酸銅めっきを行ったビルドアッププリント配線板
についてはボイドの発生は、10000 穴中3793穴であり、
ボイドの発生率は38％であった。更に、板厚0.8 mmの25
cm×25cm両面銅張積層板材質（材質FR-4）の片面に塗布
型エポキシ樹脂を厚さ0.08mm塗布し、フォト法により直
径0.08mm、深さ0.08mmのブラインドバイアホールを1000
穴形成したビルドアッププリント配線板10枚について、
同様にボイドの発生率の比較を行った。その結果、実施
例１にて作成した場合のボイドの発生率を測定したとこ
ろ、10000 穴中０穴であり、ボイドの発生率は０％であ
った。一方、無電解銅めっき処理後、ダイレクトプレー
ティング処理を行わないで、硫酸銅めっきを行った場合
についてはボイドの発生は、10000穴中8061穴であり、
ボイドの発生率は81％であった。また、実施例５の工程
にて作成したビルドアッププリント配線板を、ドライフ
ィルムイメージング後、エッチングして回路を形成し、
ＭＩＬ−Ｐ−５５１１０Ｄの耐熱試験を行った結果、良
好であった。
【００３１】実施例６ 次の工程によりビルドアッププリント配線板の製造を行
った。 (1) 実施例４の工程(1) 〜(13)まで同じ処理 (2) 乾燥 (3) ドライフィルムイメージング（露光、現像） (4) 酸性脱脂 (5) 水洗 (6) 酸浸漬（１０％硫酸、２５℃、１分） (7) 水洗 (8) 硫酸銅めっき （条件） 実施例１の工程(18)と同様。 (9) 水洗 (10)酸浸漬（１０％硫酸、２５℃、１分） (11)すずめっき （条件） 実施例２の工程(6) の場合と同様。 (12)水洗 (13)乾燥 (14)ドライフィルム剥離 (15)水洗 (16)エッチング (17)水洗 (18)乾燥
った。 (1) 実施例４の工程(1) 〜(13)まで同じ処理 (2) 乾燥 (3) ドライフィルムイメージング（露光、現像） (4) 酸性脱脂 (5) 水洗 (6) 酸浸漬（１０％硫酸、２５℃、１分） (7) 水洗 (8) 硫酸銅めっき （条件） 実施例１の工程(18)と同様。 (9) 水洗 (10)酸浸漬（１０％硫酸、２５℃、１分） (11)すずめっき （条件） 実施例２の工程(6) の場合と同様。 (12)水洗 (13)乾燥 (14)ドライフィルム剥離 (15)水洗 (16)エッチング (17)水洗 (18)乾燥
【００３２】板厚0.8 mmの25cm×25cm両面銅張積層板
（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を厚さ0.1 mm
塗布し、フォト法により直径0.1 mm、深さ0.1 mmのブラ
インドバイアホールを1000穴形成したビルドアッププリ
ント配線板10枚について、実施例６の工程にて作成し
た。また、同様のビルドアッププリント配線板10枚につ
いて、実施例４の工程の(1) から(8) まで処理を行った
後、実施例６の(6) から(18)までの処理を行ったビルド
アッププリント配線板を作成し（通常の無電解銅めっき
処理のみを行った後、硫酸銅めっきを行った場合）性能
の比較を行った。その結果、実施例６の工程にて作成し
たビルドアッププリント配線板についてボイドの発生率
を測定したところ、10000 穴中０穴であり、ボイドの発
生率は0%であった。一方、無電解銅めっき処理後、ダイ
レクトプレーティング処理を行わないで、硫酸銅めっき
を行ったビルドアッププリント配線板についてはボイド
の発生は、10000 穴中3793穴であり、ボイドの発生率は
38％であった。板厚0.8 mmの25cm×25cm両面銅張積層板
材質（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を厚さ0.
08mm塗布し、フォト法により直径0.08mm、深さ0.08mmの
ブラインドバイアホールを1000穴形成したビルドアップ
プリント配線板10枚について、同様にボイドの発生率の
比較を行った。その結果、実施例1にて作成した場合の
ボイドの発生率を測定したところ、10000 穴中０穴であ
り、ボイドの発生率は0%であった。一方、無電解銅めっ
き処理後、ダイレクトプレーティング処理を行わない
で、硫酸銅めっきを行った場合についてはボイドの発生
は、10000 穴中8061穴であり、ボイドの発生率は81％で
あった。また、実施例６の工程にて作成したビルドアッ
ププリント配線板を、ドライフィルムイメージング後、
エッチングして回路を形成し、ＭＩＬ−Ｐ−５５１１０
Ｄの耐熱試験を行った結果、良好であった。
（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を厚さ0.1 mm
塗布し、フォト法により直径0.1 mm、深さ0.1 mmのブラ
インドバイアホールを1000穴形成したビルドアッププリ
ント配線板10枚について、実施例６の工程にて作成し
た。また、同様のビルドアッププリント配線板10枚につ
いて、実施例４の工程の(1) から(8) まで処理を行った
後、実施例６の(6) から(18)までの処理を行ったビルド
アッププリント配線板を作成し（通常の無電解銅めっき
処理のみを行った後、硫酸銅めっきを行った場合）性能
の比較を行った。その結果、実施例６の工程にて作成し
たビルドアッププリント配線板についてボイドの発生率
を測定したところ、10000 穴中０穴であり、ボイドの発
生率は0%であった。一方、無電解銅めっき処理後、ダイ
レクトプレーティング処理を行わないで、硫酸銅めっき
を行ったビルドアッププリント配線板についてはボイド
の発生は、10000 穴中3793穴であり、ボイドの発生率は
38％であった。板厚0.8 mmの25cm×25cm両面銅張積層板
材質（材質FR-4）の片面に塗布型エポキシ樹脂を厚さ0.
08mm塗布し、フォト法により直径0.08mm、深さ0.08mmの
ブラインドバイアホールを1000穴形成したビルドアップ
プリント配線板10枚について、同様にボイドの発生率の
比較を行った。その結果、実施例1にて作成した場合の
ボイドの発生率を測定したところ、10000 穴中０穴であ
り、ボイドの発生率は0%であった。一方、無電解銅めっ
き処理後、ダイレクトプレーティング処理を行わない
で、硫酸銅めっきを行った場合についてはボイドの発生
は、10000 穴中8061穴であり、ボイドの発生率は81％で
あった。また、実施例６の工程にて作成したビルドアッ
ププリント配線板を、ドライフィルムイメージング後、
エッチングして回路を形成し、ＭＩＬ−Ｐ−５５１１０
Ｄの耐熱試験を行った結果、良好であった。
【００３３】
【発明の効果】 本発明によれば、微細なブラインドバ
イアホールを有するビルドアッププリント配線板を容易
に製造することができる。また、得られたビルドアップ
プリント配線板は、不良箇所の発生が少ない。
イアホールを有するビルドアッププリント配線板を容易
に製造することができる。また、得られたビルドアップ
プリント配線板は、不良箇所の発生が少ない。
Claims (2)
- 【請求項１】 ブラインドバイアホールを有するビルド
アッププリント配線板の製造方法であって、ブラインド
バイアホールに、無電解銅めっきを施し、次いで、ダイ
レクトプレーティング法により導電性薄膜を形成した
後、電気銅めっきを行うことを特徴とする製造方法。 - 【請求項２】 ブラインドバイアホールを有するビルド
アッププリント配線板の製造方法であって、ブラインド
バイアホールに、パラジウムを使用するダイレクトプレ
ーティング法により導電性薄膜を形成し、次いで、無電
解銅めっき法により銅薄膜を形成した後、電気銅めっき
を行うことを特徴とする製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35977497A JPH11191675A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | ビルドアッププリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35977497A JPH11191675A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | ビルドアッププリント配線板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11191675A true JPH11191675A (ja) | 1999-07-13 |
Family
ID=18466231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35977497A Pending JPH11191675A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | ビルドアッププリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11191675A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001038604A1 (en) * | 1999-11-22 | 2001-05-31 | Learonal Japan Inc. | Accelerator solution for direct plating and method for direct plating |
| JP2005340653A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 配線基材およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-12-26 JP JP35977497A patent/JPH11191675A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001038604A1 (en) * | 1999-11-22 | 2001-05-31 | Learonal Japan Inc. | Accelerator solution for direct plating and method for direct plating |
| JP2001214278A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-08-07 | Learonal Japan Inc | ダイレクトプレーティング用アクセレレータ浴液およびダイレクトプレーティング方法 |
| JP4646376B2 (ja) * | 1999-11-22 | 2011-03-09 | 日本リーロナール有限会社 | ダイレクトプレーティング用アクセレレータ浴液およびダイレクトプレーティング方法 |
| JP2005340653A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 配線基材およびその製造方法 |
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|---|---|---|---|
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