JP2008209528A - 画像形成装置及び画像形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】像担持体2と、像担持体2上を帯電させる帯電手段3と、発光量設定値に基づいて発光レベルを変更可能であって、帯電した像担持体2上を露光して像担持体2上に静電像を形成する像露光手段20と、像担持体2上に形成された静電像を現像剤を用いて現像する現像手段6と、目標とする画像形成条件に対応して設定されている発光量設定値にて像担持体2を露光したときの像担持体2上の静電像と現像手段6との間に設けられる電位差であるコントラスト電圧が目標値となるように画像形成条件を設定する設定手段31と、を有する画像形成装置1は、発光量設定値に対する像露光手段20の実際の露光量の関係に基づいて、上記目標とする画像形成条件に対応して設定されている発光量設定値を補正する補正手段31を有する構成とする。
【選択図】図6
Description
[画像形成装置の全体構成]
先ず、本発明に係る画像形成装置の一実施例の全体構成について説明する。
次に、図2を参照して、電圧制御部31が行う画像濃度制御(電位制御)について説明する。
α={VD(VG1)−VD(VG2)}/(VG2−VG1) ・・・(1)
β={VL(VG1)−VL(VG2)}/(VG2−VG1) ・・・(2)
更に、電圧制御部31は、上記α、βの値、暗部電位VD(VG1)、VD(VG2)、及び明部電位VL(VG1)、VL(VG2)から、感光ドラム2の電位変化特性について、直線近似を行う。斯かる直線近似をした電位変化特性、即ち、暗部電位変化特性VD(VG)、明部電位変化特性VL(VG)は、下記式(3)、(4)で表わされる。
VD(VG)=α(VG−VG1)+VD(VG1) ・・・(3)
VL(VG)=β(VG−VG1)+VL(VG1) ・・・(4)
次に、電圧制御部31は、上記式(3)、(4)から目標とする電位差VBACKとコントラスト電圧VCONTとの和に相当するグリッドバイアス電圧VGを求める。即ち、図7(a)に示した関係から、下記式(5)、(6)が成立する。
VD−VL=VBACK+VCONT ・・・(5)
VDC=VL+VCONT ・・・(6)
そのため、上記式(3)、(4)の関係から、
VG={VD(VG)−VL(VG)−(VD(VG1)−VL(VG1))}/(α−β)+VG1
となる。更に、上記式(5)から、VGは、
VG={VBACK+VCONT−(VD(VG1)−VL(VG1))}/(α−β)+VG1 ・・・(7)
となる。
次に、感光体の目標帯電電位について説明する。感光体の帯電電位は、感光体上の電位履歴が残る現象である感光体メモリ(ドラムメモリ)の発生しない領域を選択する必要性から決定される場合がある。本実施例の構成においては、帯電電位が比較的低い場合に、先行する画像の静電潜像の電位履歴が後続の画像に現れる像露光ゴーストと言われる現象が発生した。
図2には、VDの計算値が帯電電位の上限を超えた場合にはレーザ光量を所定量強めて、又VDの計算値が帯電電位の下限を下回った場合にはレーザ光量を所定量弱めて、再び電位制御のための測定を行うフローが示されている。前述の如く、必要なコントラスト電圧VCONTに対する発光量設定値が、標準のレーザスキャナユニット20に対応する値で固定されていると、発光量特性の異なるレーザスキャナユニット20が搭載された場合には、この繰り返し制御の回数が多くなってしまう。
Y=γX+δ ・・・(8)
上記式(8)に、レーザスキャナユニット20のEPROM25に記憶された発光量情報、即ち、(X、Y)=(c、64)、(a、192)を代入すると、下記式(9)、(10)が得られる。
64=γc+δ ・・・(9)
192=γa+δ ・・・(10)
上記式(9)、(10)より、そのレーザスキャナユニット20に固有のγ、δを求める。これにより、任意のレーザ光量Xに対する発光量設定値Yを求めることが可能となる。
2 感光ドラム(像担持体)
3 一次帯電装置(帯電手段)
5 表面電位センサ(表面状態検知手段)
6 現像装置(現像手段)
12 現像スリーブ(現像剤担持体)
20 レーザスキャナユニット(像露光手段)
21 レーザ制御ユニット
25 EPROM(記憶手段)
31 電圧制御部(設定手段、補正手段)
33 高圧制御ユニット(高圧制御部)
35 現像バイアス電圧制御回路(高圧制御部)
100 CPU(演算制御手段)
200 内部メモリ(装置本体側記憶手段)
Claims (5)
- 像担持体と、前記像担持体上を帯電させる帯電手段と、発光量設定値に基づいて発光レベルを変更可能であって、帯電した前記像担持体上を露光して前記像担持体上に静電像を形成する像露光手段と、前記像担持体上に形成された静電像を現像剤を用いて現像する現像手段と、目標とする画像形成条件に対応して設定されている発光量設定値にて前記像担持体を露光したときの前記像担持体上の静電像と前記現像手段との間に設けられる電位差であるコントラスト電圧が目標値となるように画像形成条件を設定する設定手段と、を有する画像形成装置において、
前記発光量設定値に対する前記像露光手段の実際の露光量の関係に基づいて、前記目標とする画像形成条件に対応して設定されている前記発光量設定値を補正する補正手段を有することを特徴とする画像形成装置。 - 前記発光量設定値に対する前記像露光手段の実際の露光量の関係を示す情報を記憶する記憶手段を有し、前記補正手段は前記記憶手段に記憶された情報に基づいて前記発光量設定値の補正を行うことを特徴とする請求項1に記載の画像形成装置。
- 前記設定手段は、前記帯電手段による前記像担持体の帯電電位、前記像露光手段による前記像担持体の露光量、前記現像手段に印加するバイアスのうち少なくとも1つを可変制御することを特徴とする請求項1又は2に記載の画像形成装置。
- 前記設定手段は、前記画像形成装置の使用環境条件に応じて前記画像形成条件を設定することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかの項に記載の画像形成装置。
- 像担持体を帯電手段にて帯電する工程と、帯電した前記像担持体上を像露光手段にて露光して前記像担持体上に静電像を形成する工程と、前記像担持体上に形成された静電像を現像手段にて現像剤を用いて現像する工程と、目標とする画像形成条件に対応した前記発光量設定値により露光することで画像形成条件を制御する工程と、を有する画像形成方法において、
前記発光量設定値に対する前記像露光手段の実際の露光量を検知し、この検知結果に基づいて前記目標とする画像形成条件に対応した前記発光量設定値を変更する工程を有することを特徴とする画像形成方法。
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