JP2008205976A - 多値検出回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】3値以上の信号に対して切り換え検出が可能で、かつ消費電力を確実に少なく抑えることができる多値検出回路を提供する。
【解決手段】入力端子3に入力信号Inが入力され、電源端子1−入力端子3の間にスイッチ7と抵抗9が、接地端子2−入力端子3の間にスイッチ8と抵抗10が接続され、スイッチ7とスイッチ8との間に抵抗11〜16が直列に接続され、入力端子3と抵抗11〜16の各接続点はそれぞれ比較器17〜21で比較され、各比較器17〜21の出力はラッチ回路22によって符号化して出力される構成とすることにより、6値検出選択が可能であり、クロック信号に従った間欠動作により省電力の多値検出が可能となる。
【選択図】図1
【解決手段】入力端子3に入力信号Inが入力され、電源端子1−入力端子3の間にスイッチ7と抵抗9が、接地端子2−入力端子3の間にスイッチ8と抵抗10が接続され、スイッチ7とスイッチ8との間に抵抗11〜16が直列に接続され、入力端子3と抵抗11〜16の各接続点はそれぞれ比較器17〜21で比較され、各比較器17〜21の出力はラッチ回路22によって符号化して出力される構成とすることにより、6値検出選択が可能であり、クロック信号に従った間欠動作により省電力の多値検出が可能となる。
【選択図】図1
Description
本発明は、入力信号の電圧値を検出して複数信号の大小関係を判定する多値検出回路に関するものである。
従来から電子回路において通常に使用される比較器は、2つの入力信号に対して電圧の大小関係を判定し、その結果をハイレベルかロウレベルかのデジタル信号で出力する。即ち、このような比較器は、1つの基準電圧に対する入力信号の大小関係を判定する2値検出回路と言える。
上記のような2値検出回路に対し、特許文献1に記載の3値検出回路の従来例として、図2(a)に示すように、入力端子3と電源端子1の間に接続されたPMOSトランジスタ26及びNMOSトランジスタ27並びに抵抗24と、入力端子3と接地端子2の間に接続されたPMOSトランジスタ28及びNMOSトランジスタ29並びに抵抗25と、2つの出力端子5、6に接続された出力インバータ32、33と、電源端子1及び接地端子2の間に接続された電圧分割用PMOSトランジスタ30、31からなる電圧印加手段を有している。
上記の3値検出回路における入出力信号の関係を表す真理値関係を図2(b)に示す。
以下に、図2(a)および図2(b)を用いて、従来例の3値検出回路における動作を説明する。
以下に、図2(a)および図2(b)を用いて、従来例の3値検出回路における動作を説明する。
入力(In)端子3には、ロウレベル(L)、ハイレベル(H)及びオープン状態(Open)という3通りの電圧が印加される。入力端子3にロウレベルが入力された場合、NMOSトランジスタ27はオンし、PMOSトランジスタ26もオンし、インバータ32を介して出力端子5からの出力Aはハイレベルとなる。また、PMOSトランジスタ28はオフし、NMOSトランジスタ29もオフし、インバータ33を介して出力端子6からの出力Bはハイレベルとなる。
逆に入力端子3にハイレベルが入力された場合、NMOSトランジスタ27はオフし、PMOSトランジスタ26もオフし、インバータ32を介して出力端子5からの出力Aはロウレベルとなる。また、PMOSトランジスタ28はオンし、NMOSトランジスタ29もオンし、インバータ33を介して出力端子6からの出力Bはロウレベルとなる。
さらに入力端子3がオープン状態の場合、各トランジスタ26〜29の駆動能力と抵抗24、25を適切に設定することにより、PMOSトランジスタ26とNMOSトランジスタ29はともにオンし、インバータ32を介して出力端子5からの出力Aはロウレベルとなり、インバータ33を介して出力端子6からの出力Bはハイレベルとなる。
以上のように、3値検出回路は入力端子のロウレベル、ハイレベル及びオープン状態に応じた出力を2つの端子から得られるが、近年モバイル機器等において、より高機能化の中多様な設定をできるシステム回路が検討されている。
特開平7−135464号公報
しかしながら、上記のような従来の3値検出回路において、図2に示した従来例2の構成では、1入力端子で3値以上の多値切替検出ができない。また、入力端子に抵抗分割型のバイアス電圧を印加したり、しきい値電圧を設定するための電圧分割回路手段があるため、消費電流の更なる低減ができないという問題がある。
さらに、従来例の構成では、2.5Vの高いしきい値電圧での動作のため、電源電圧が下がると検出できなくなるという問題もある。
そのため、入力信号に対する多値レベル検出を低電源電圧構成で実現することができず、全体の回路規模も増大化して電力消費を抑制することが難しくなり、低電力消費化が進むモバイル機器にうまく対応することができないという問題点を有していた。
そのため、入力信号に対する多値レベル検出を低電源電圧構成で実現することができず、全体の回路規模も増大化して電力消費を抑制することが難しくなり、低電力消費化が進むモバイル機器にうまく対応することができないという問題点を有していた。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、入力信号に対する高精度な多値レベル検出を実現することができるとともに、全体の電力消費を抑制することができ、低電力消費化が進むモバイル機器に容易に対応することができる多値検出回路を提供する。
上記の課題を解決するために、本発明の請求項1記載の多値検出回路は、直流電圧が印加される第1の電源端子及び第2の電源端子と、前記第1の電源端子の電圧と前記第2の電源端子の電圧との間の電圧が印加される入力端子と、前記第1の電源端子と前記入力端子との間に接続された第1の回路と、前記第2の電源端子と前記入力端子との間に接続された第2の回路と、前記第1の電源端子と前記第2の電源端子との間に接続され前記直流電圧を複数のレベルに分圧する分圧回路と、前記分圧回路が出力する各分圧電圧と前記入力端子の電圧を比較する複数の比較器と、前記複数の比較器の各出力を符号化して出力する出力回路とを備えたことを特徴とする。
また、本発明の請求項2記載の多値検出回路は、請求項1記載の多値検出回路であって、クロック信号が入力され、前記第1の回路または前記第2の回路または前記分圧回路または前記複数の比較器または前記出力回路は、前記クロック信号のタイミングに同期して動作することを特徴とする。
また、本発明の請求項3記載の多値検出回路は、請求項1または請求項2記載の多値検出回路であって、前記第1の回路及び前記第2の回路は抵抗を含むことを特徴とする。
また、本発明の請求項4記載の多値検出回路は、請求項1または請求項2記載の多値検出回路であって、前記第1の回路及び前記第2の回路は容量性素子を含むことを特徴とする。
また、本発明の請求項4記載の多値検出回路は、請求項1または請求項2記載の多値検出回路であって、前記第1の回路及び前記第2の回路は容量性素子を含むことを特徴とする。
また、本発明の請求項5記載の多値検出回路は、請求項1または請求項2記載の多値検出回路であって、前記分圧回路は抵抗を含むことを特徴とする。
また、本発明の請求項6記載の多値検出回路は、請求項1または請求項2記載の多値検出回路であって、前記分圧回路は容量性素子を含むことを特徴とする。
また、本発明の請求項6記載の多値検出回路は、請求項1または請求項2記載の多値検出回路であって、前記分圧回路は容量性素子を含むことを特徴とする。
以上のように本発明によれば、コンパレータが増えても、ラッチのタイミングで間欠動作することにより、回路動作に必要な消費電流を更に抑制し、かつトランジスタ動作電圧で制約されないため、低電源電圧でも1入力信号に対する多値レベルの確実な検出動作を実現することができる。
その結果、最小端子数で入力信号に対する高精度な多値レベル検出を実現することができるとともに、全体の回路規模に対し電力消費を確実に抑制することができ、低電力消費で多様設定が進むモバイル機器に容易に対応することができる。
以下、本発明の実施の形態を示す多値検出回路について、図面を参照しながら具体的に説明する。
図1は本実施の形態の多値検出回路である6値検出回路の構成を示す回路図である。図1において、1は電源端子、2は接地端子(グランド(GND)電位に設定されるGND端子)であり、それらの間に電源電圧Vccが印加されている。3は入力端子であり、入力信号Inが入力される。4はラッチ信号が印加される信号端子である。5は出力端子であり、出力信号Aを出力する。7は電源端子1に接続されたスイッチで、8は接地端子2に接続されたスイッチである。9は抵抗であり、スイッチ7と入力端子3の間に接続される。10は抵抗であり、スイッチ8と入力端子3の間に接続される。11は抵抗であり、スイッチ7に接続され、抵抗9と平行に接続され、以下12は抵抗で抵抗11と直列に、13は抵抗で抵抗12と直列に、14は抵抗で抵抗13と直列に、15は抵抗で抵抗14と直列に、16は抵抗で抵抗15とスイッチ8の間に接続される。17は比較器であり、入力端子3の電圧と抵抗11、12間の電圧を比較する。18は比較器であり、入力端子3の電圧と抵抗12、13間の電圧を比較する。19は比較器であり、入力端子3の電圧と抵抗13、14間の電圧を比較する。20は比較器であり、入力端子3の電圧と抵抗14、15間の電圧を比較する。21は比較器であり、入力端子3の電圧と抵抗15、16間の電圧を比較する。22はラッチ(Latch)回路であり比較器17、18、19、20、21のハイレベル及びロウレベル出力の各出力を保持する。23はパラシリ(P/S:パラレル/シリアル)変換回路であり、ラッチ回路22の各ラッチ出力(パラレル信号)を直列(シリアル)データに変換する。
図1は本実施の形態の多値検出回路である6値検出回路の構成を示す回路図である。図1において、1は電源端子、2は接地端子(グランド(GND)電位に設定されるGND端子)であり、それらの間に電源電圧Vccが印加されている。3は入力端子であり、入力信号Inが入力される。4はラッチ信号が印加される信号端子である。5は出力端子であり、出力信号Aを出力する。7は電源端子1に接続されたスイッチで、8は接地端子2に接続されたスイッチである。9は抵抗であり、スイッチ7と入力端子3の間に接続される。10は抵抗であり、スイッチ8と入力端子3の間に接続される。11は抵抗であり、スイッチ7に接続され、抵抗9と平行に接続され、以下12は抵抗で抵抗11と直列に、13は抵抗で抵抗12と直列に、14は抵抗で抵抗13と直列に、15は抵抗で抵抗14と直列に、16は抵抗で抵抗15とスイッチ8の間に接続される。17は比較器であり、入力端子3の電圧と抵抗11、12間の電圧を比較する。18は比較器であり、入力端子3の電圧と抵抗12、13間の電圧を比較する。19は比較器であり、入力端子3の電圧と抵抗13、14間の電圧を比較する。20は比較器であり、入力端子3の電圧と抵抗14、15間の電圧を比較する。21は比較器であり、入力端子3の電圧と抵抗15、16間の電圧を比較する。22はラッチ(Latch)回路であり比較器17、18、19、20、21のハイレベル及びロウレベル出力の各出力を保持する。23はパラシリ(P/S:パラレル/シリアル)変換回路であり、ラッチ回路22の各ラッチ出力(パラレル信号)を直列(シリアル)データに変換する。
以上のような本実施の形態の6値検出回路について、その動作を図1を用いて以下に説明する。
まず、入力端子3に入力信号Inとしてロウ(L)レベル(Lレベル=0V)が印加された場合、比較器17、18、19、20、21は、入力信号Inが抵抗11〜16により電源電圧Vccから分割された各基準電圧に対して全て低くなり、全てがロウレベル信号を出力する。この比較器17〜21の5つのロウレベル出力をラッチ回路22がラッチし、さらにパラシリ変換回路23でシリアルデータに変換され出力される。しかし、信号端子4に入力されるラッチ信号がLの期間は、この抵抗分割の基準電圧源・比較器17〜21・ラッチ回路22及びパラシリ変換回路23は動作を停止する。即ち、各回路は待機状態にあって電力消費を抑制されている。
まず、入力端子3に入力信号Inとしてロウ(L)レベル(Lレベル=0V)が印加された場合、比較器17、18、19、20、21は、入力信号Inが抵抗11〜16により電源電圧Vccから分割された各基準電圧に対して全て低くなり、全てがロウレベル信号を出力する。この比較器17〜21の5つのロウレベル出力をラッチ回路22がラッチし、さらにパラシリ変換回路23でシリアルデータに変換され出力される。しかし、信号端子4に入力されるラッチ信号がLの期間は、この抵抗分割の基準電圧源・比較器17〜21・ラッチ回路22及びパラシリ変換回路23は動作を停止する。即ち、各回路は待機状態にあって電力消費を抑制されている。
次に、入力端子3に入力信号Inとしてハイ(H)レベル(Hレベル=Vcc)が印加された場合、比較器17、18、19、20、21は、入力信号Inが抵抗11〜16により電源電圧Vccから分割された各基準電圧に対して全て高くなり、全てがハイレベル信号を出力する。この比較器17〜21の5つのハイレベル出力をラッチ回路22がラッチし、さらにパラシリ変換回路23でシリアルデータに変換され出力される。
次に、入力端子3に抵抗10として抵抗値が小さな任意の抵抗が接地端子2との間に接続された場合、入力端子3の電圧は、抵抗11〜16による抵抗分割で設定された基準側の各電圧に対して、例えば抵抗15、16間の電圧より高くなることができ、比較器21だけハイレベルを出力し、残りの比較器17〜20の各出力はロウレベルとなる。これらの出力をラッチ回路22でラッチし、パラシリ変換回路23でシリアルデータに変換され出力される。
次に、入力端子3に抵抗10として抵抗値が大きな任意の抵抗が接地端子2との間に接続された場合、入力端子3の電圧は、抵抗11〜16による抵抗分割で設定された基準側の各電圧に対して、例えば抵抗15、16間の電圧及び抵抗14、15間の電圧より高くなることができ、比較器21及び比較器20はハイレベルを出力し、残りの比較器17〜19の各出力はロウレベルとなる。これらの出力をラッチ回路22でラッチし、パラシリ変換回路23でシリアルデータに変換され出力される。
次に、入力端子3に抵抗9として抵抗値が小さな任意の抵抗が電源端子1との間に接続された場合、入力端子3の電圧は、抵抗11〜16による抵抗分割で設定された基準側の電圧に対して、例えば抵抗11、12間の電圧より低くなることができ、比較器17だけロウレベルを出力し、残りの比較器18〜21の各出力はハイレベルとなる。これらの出力をラッチ回路22でラッチし、パラシリ変換回路23でシリアルデータに変換され出力される。
次に、入力端子3に抵抗9として抵抗値が大きな任意の抵抗が電源端子1との間に接続された場合、入力端子3の電圧は、抵抗11〜16による抵抗分割で設定された基準側の電圧に対して、例えば抵抗11、12間の電圧及び抵抗12、13間の電圧より低くなることができ、比較器17及び比較器18はロウレベルを出力し、残りの比較器19〜21の各出力はハイレベルとなる。これらの出力をラッチ回路22でラッチし、パラシリ変換回路23で変換され出力される。
以上のように、本実施の形態の多値検出回路は、最小端子数で多値検出選択が可能であり、コンパレータが増えてもラッチのタイミングでしか動作しない間欠動作により省電力の多値検出が可能となる。
以上により、コンパレータが増えても、ラッチのタイミングで間欠動作することにより、回路動作に必要な消費電流を更に抑制し、かつトランジスタ動作電圧で制約されないため、低電源電圧でも1入力信号に対する多値(本実施例では6値)レベルの確実な検出動作を実現することができる。
その結果、最小端子数で入力信号に対する高精度な多値レベル検出を実現することができるとともに、全体の回路規模に対し電力消費を確実に抑制することができ、低電力消費で多様設定が進むモバイル機器に容易に対応することができる。
尚、上記の実施の形態において、抵抗分割による比較回路を用いたが、本発明はこのような構成に限定されるものではなく、例えば、電源電圧の低消費電力化を実現するために、抵抗9〜16は、コンデンサのような容量性素子であっても、基本となる動作は変わることがない。
本発明の多値検出回路は、入力信号に対する高精度な多値レベル検出を実現することができるとともに、全体の電力消費を抑制することができ、低電力消費化が進むモバイル機器に容易に対応することができるもので、低電力消費で多様設定が要求されるモバイル機器などで、多値検出を必要とする電子回路等に適用できる。
1 電源端子(Vcc端子)
2 接地端子(GND端子)
3 入力端子
4 信号
5 出力端子
6 出力端子
7 スイッチ
8 スイッチ
9 抵抗
10 抵抗
11 抵抗
12 抵抗
13 抵抗
14 抵抗
15 抵抗
16 抵抗
17 比較器
18 比較器
19 比較器
20 比較器
21 比較器
22 ラッチ(Latch)回路
23 パラシリ(P/S:パラレル/シリアル)変換回路
24 抵抗
25 抵抗
26 PMOSトランジスタ
27 NMOSトランジスタ
28 PMOSトランジスタ
29 NMOSトランジスタ
30 PMOSトランジスタ
31 PMOSトランジスタ
32 インバータ
33 インバータ
2 接地端子(GND端子)
3 入力端子
4 信号
5 出力端子
6 出力端子
7 スイッチ
8 スイッチ
9 抵抗
10 抵抗
11 抵抗
12 抵抗
13 抵抗
14 抵抗
15 抵抗
16 抵抗
17 比較器
18 比較器
19 比較器
20 比較器
21 比較器
22 ラッチ(Latch)回路
23 パラシリ(P/S:パラレル/シリアル)変換回路
24 抵抗
25 抵抗
26 PMOSトランジスタ
27 NMOSトランジスタ
28 PMOSトランジスタ
29 NMOSトランジスタ
30 PMOSトランジスタ
31 PMOSトランジスタ
32 インバータ
33 インバータ
Claims (6)
- 直流電圧が印加される第1の電源端子及び第2の電源端子と、
前記第1の電源端子の電圧と前記第2の電源端子の電圧との間の電圧が印加される入力端子と、
前記第1の電源端子と前記入力端子との間に接続された第1の回路と、
前記第2の電源端子と前記入力端子との間に接続された第2の回路と、
前記第1の電源端子と前記第2の電源端子との間に接続され前記直流電圧を複数のレベルに分圧する分圧回路と、
前記分圧回路が出力する各分圧電圧と前記入力端子の電圧を比較する複数の比較器と、
前記複数の比較器の各出力を符号化して出力する出力回路とを備えた
ことを特徴とする多値検出回路。 - クロック信号が入力され、
前記第1の回路または前記第2の回路または前記分圧回路または前記複数の比較器または前記出力回路は、前記クロック信号のタイミングに同期して動作する
ことを特徴とする請求項1記載の多値検出回路。 - 前記第1の回路及び前記第2の回路は抵抗を含む
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載の多値検出回路。 - 前記第1の回路及び前記第2の回路は容量性素子を含む
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載の多値検出回路。 - 前記分圧回路は抵抗を含む
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載の多値検出回路。 - 前記分圧回路は容量性素子を含む
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載の多値検出回路。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication Number | Publication Date |
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---|---|---|---|
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- 2007-02-22 JP JP2007041539A patent/JP2008205976A/ja active Pending
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