JP2008195601A - 固体原料投入装置、融液原料供給装置および結晶製造装置 - Google Patents
固体原料投入装置、融液原料供給装置および結晶製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008195601A JP2008195601A JP2008002637A JP2008002637A JP2008195601A JP 2008195601 A JP2008195601 A JP 2008195601A JP 2008002637 A JP2008002637 A JP 2008002637A JP 2008002637 A JP2008002637 A JP 2008002637A JP 2008195601 A JP2008195601 A JP 2008195601A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- crucible
- solid
- melt
- solid raw
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】塊状の固体原料4を副坩堝21の開口に向けて案内して供給する案内部材1と、固体原料4を案内部材1に供給する固体原料供給手段3と、飛散防止部材2とを含む固体原料投入装置10とする。また固体原料投入装置10を備える融液原料供給装置20および結晶製造装置とする。
【選択図】図2
Description
坩堝で融解させるべき塊状の固体原料を、案内部材の投入口に供給する固体原料供給手段と、
前記排出口鉛直方向上方に配置され、前記排出口を上面側から覆う飛散防止部材とを含むことを特徴とする固体原料投入装置である。
固体原料を収容する凹所が形成される固体原料収容容器と、
前記固体原料収容容器を前記投入口の上方に配置した状態で、前記固体原料収容容器を水平な方向に延びる回転軸線まわりに回転させる回転手段とを有することを特徴とする。
排出口被覆部のうち、案内部材の投入口寄りの部分から上方に屈曲する屈曲部とを有することを特徴とする。
前記傾斜面の傾斜方向に垂直で水平な方向の両側端部に形成される側壁面とを含むことを特徴とする。
0.7tan−1μ≦θ≦2tan−1μで導かれる範囲に設定されることを特徴とする。
また本発明は、結晶製造装置の主坩堝に融液原料を供給する融液原料供給装置において、
融液を貯留する副坩堝と、
前記副坩堝を加熱する加熱手段と、
副坩堝に塊状の固体原料を投入する固体原料投入装置と、
副坩堝内に貯留される融液を結晶製造装置の主坩堝に導く融液導入手段とを含み、
前記固体原料投入装置は、
副坩堝の開口に対して鉛直方向上方に配置されて、鉛直方向下端部に排出口が形成され、前記排出口とは水平方向にずれた位置で鉛直方向上端部に投入口が形成され、投入口から鉛直方向下方に進むにつれて水平方向に進んで排出口に連なる傾斜面が形成される案内部材と、
副坩堝で融解させるべき塊状の固体原料を、案内部材の投入口に投入する固体原料供給手段と、
前記排出口鉛直方向上方に配置され、前記排出口を上面側から覆う飛散防止部材とを有することを特徴とする融液原料供給装置である。
副坩堝への固体原料の投入によって、副坩堝の側壁に形成される導入口から溢れ出る融液原料を結晶製造装置の主坩堝に導く流路を形成する流路形成部を有することを特徴とする。
融液原料を貯留する主坩堝と、
前記主坩堝を加熱する加熱手段と、
主坩堝に融液原料を供給する前記融液原料供給装置とを含んで構成される結晶製造装置である。
0.7tan−1μ≦θ≦2tan−1μ …(1)
μ=tanη0 …(2)
本実施の形態では、流路形成部25bの外周には、断熱部材が被覆される。さらに前記断熱部材の周囲を囲むように加熱手段が配置される。流路形成部25bの外周に断熱部材および加熱手段を配置することによって、流路形成部25bを流過する融液原料が、流路形成部25b内部で凝固するのを防止することができる。
1a,11a 傾斜面
1b,11b 排出口
1c,11c 側壁面
1d,11d 投入口
2 飛散防止部材
2a 屈曲部
2b 排出口被覆部
3 固体原料供給手段
3a 固体原料収容容器
3b シャフト
4 固体原料
5 融液原料
10 固体原料投入装置
20,30 融液原料供給装置
21 副坩堝
22 断熱部材
23,103 加熱手段
24 支持体
25 融液導入手段
25a 導入口
25b 流路形成部
31 保護部材
100 結晶製造装置
101 主坩堝
102 チャンバ
Claims (14)
- 坩堝の開口に対して鉛直方向上方に配置されて、鉛直方向下端部に排出口が形成され、前記排出口とは水平方向にずれた位置で鉛直方向上端部に投入口が形成され、投入口から鉛直方向下方に進むにつれて水平方向に進んで排出口に連なる傾斜面が形成される案内部材と、
坩堝で融解させるべき塊状の固体原料を、案内部材の投入口に供給する固体原料供給手段と、
前記排出口鉛直方向上方に配置され、前記排出口を上面側から覆う飛散防止部材とを含むことを特徴とする固体原料投入装置。 - 前記固体原料供給手段は、
固体原料を収容する凹所が形成される固体原料収容容器と、
前記固体原料収容容器を前記投入口の上方に配置した状態で、前記固体原料収容容器を水平な方向に延びる回転軸線まわりに回転させる回転手段とを有することを特徴とする請求項1記載の固体原料投入装置。 - 前記固体原料収容容器の開口は、四角形状に形成されることを特徴とする請求項2記載の固体原料投入装置。
- 前記飛散防止部材は、排出口を覆う排出口被覆部と、
排出口被覆部のうち、案内部材の投入口寄りの部分から上方に屈曲する屈曲部とを有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の固体原料投入装置。 - 前記案内部材は、前記傾斜面と、
前記傾斜面の傾斜方向に垂直で水平な方向の両側端部に形成される側壁面とを含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の固体原料投入装置。 - 前記傾斜面は、幅手方向の長さが、投入口から排出口にわたって投入口での幅と同じ長さに形成されるか、または投入口での幅が最も短くなるように形成されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の固体原料投入装置。
- 前記案内部材の傾斜面と、水平面とが成す鋭角θが、案内部材と固体原料との平均静止摩擦係数をμとしたとき、
0.7tan−1μ≦θ≦2tan−1μで導かれる範囲に設定されることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の固体原料投入装置。 - 前記斜面部材は、固体原料の硬さよりも高い硬さをもつ材料によって傾斜面が形成されることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の固体原料投入装置。
- 前記固体原料がシリコンであることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つに記載の固体原料投入装置。
- 結晶製造装置の主坩堝に融液原料を供給する融液原料供給装置において、
融液を貯留する副坩堝と、
前記副坩堝を加熱する加熱手段と、
副坩堝に塊状の固体原料を投入する固体原料投入装置と、
副坩堝内に貯留される融液を結晶製造装置の主坩堝に導く融液導入手段とを含み、
前記固体原料投入装置は、
副坩堝の開口に対して鉛直方向上方に配置されて、鉛直方向下端部に排出口が形成され、前記排出口とは水平方向にずれた位置で鉛直方向上端部に投入口が形成され、投入口から鉛直方向下方に進むにつれて水平方向に進んで排出口に連なる傾斜面が形成される案内部材と、
副坩堝で融解させるべき塊状の固体原料を、案内部材の投入口に投入する固体原料供給手段と、
前記排出口鉛直方向上方に配置され、前記排出口を上面側から覆う飛散防止部材とを有することを特徴とする融液原料供給装置。 - 融液導入手段は、前記融液原料供給装置の副坩堝の側面に配置されて、副坩堝から結晶製造装置の主坩堝に融液原料を流過させる融液原料流過手段であって、
副坩堝への固体原料の投入によって、副坩堝の側壁に形成される導入口から溢れ出る融液原料を結晶製造装置の主坩堝に導く流路を形成する流路形成部を有することを特徴とする請求項10記載の融液原料供給装置。 - 副坩堝の中心軸線に垂直な断面で見た場合、前記導入口と、案内部材の排出口とが、中心に関して、略点対称となる位置に位置することを特徴とする請求項11記載の融液原料供給装置。
- 前記固体原料投入装置は、請求項1〜9のいずれか1つに記載の固体原料投入装置であることを特徴とする請求項10〜12のいずれか1つに記載の融液原料供給装置。
- 主坩堝内で融解された融液原料から結晶体を成長させる結晶製造装置において、
融液原料を貯留する主坩堝と、
前記主坩堝を加熱する加熱手段と、
主坩堝に融液原料を供給する請求項10〜13のいずれか1つに記載の融液原料供給装置とを含んで構成される結晶製造装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008002637A JP5103194B2 (ja) | 2007-01-15 | 2008-01-09 | 固体原料投入装置、融液原料供給装置および結晶製造装置 |
PCT/JP2008/050379 WO2008087949A1 (ja) | 2007-01-15 | 2008-01-15 | 固体原料供給装置、融液原料供給装置および結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007006372 | 2007-01-15 | ||
JP2007006372 | 2007-01-15 | ||
JP2008002637A JP5103194B2 (ja) | 2007-01-15 | 2008-01-09 | 固体原料投入装置、融液原料供給装置および結晶製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008195601A true JP2008195601A (ja) | 2008-08-28 |
JP5103194B2 JP5103194B2 (ja) | 2012-12-19 |
Family
ID=39754892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008002637A Expired - Fee Related JP5103194B2 (ja) | 2007-01-15 | 2008-01-09 | 固体原料投入装置、融液原料供給装置および結晶製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5103194B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010120821A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 結晶成長装置及び結晶成長方法 |
WO2011071178A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリカガラスルツボ |
KR20170139162A (ko) * | 2015-04-29 | 2017-12-18 | 1366 테크놀로지 인코포레이티드 | 재료가 고갈되고 다시 채워지는 용융된 재료의 포함된 볼륨을 유지하기 위한 방법 |
US10415150B2 (en) | 2016-09-06 | 2019-09-17 | Sumco Corporation | Apparatus for manufacturing silicon single crystal and melt inlet pipe of the same |
CN114250504A (zh) * | 2020-09-24 | 2022-03-29 | 韩华思路信 | 用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置及其控制方法 |
CN115142139A (zh) * | 2022-09-01 | 2022-10-04 | 浙江求是半导体设备有限公司 | 一种单晶炉复投送料系统 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5258080A (en) * | 1975-11-06 | 1977-05-13 | Siltec Corp | Continuous semiconductor crystal growth apparatus |
JPS6136197A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-02-20 | ゼネラル シグナル コーポレーシヨン | チヨクラルスキー技術を用いて浅いるつぼから半導体材料の単結晶を成長させる装置及び方法 |
JPH0312387A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-21 | Nkk Corp | シリコン単結結晶の製造方法および製造装置 |
JPH03290392A (ja) * | 1990-04-03 | 1991-12-20 | Nkk Corp | 単結晶製造装置 |
JPH05105576A (ja) * | 1991-03-01 | 1993-04-27 | Wacker Chemitronic Ges Elektron Grundstoffe Mbh | チヨクラルスキーによるるつぼ引上げ操作時液体シリコンを連続的に追加装填する方法 |
-
2008
- 2008-01-09 JP JP2008002637A patent/JP5103194B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5258080A (en) * | 1975-11-06 | 1977-05-13 | Siltec Corp | Continuous semiconductor crystal growth apparatus |
JPS6136197A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-02-20 | ゼネラル シグナル コーポレーシヨン | チヨクラルスキー技術を用いて浅いるつぼから半導体材料の単結晶を成長させる装置及び方法 |
JPH0312387A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-21 | Nkk Corp | シリコン単結結晶の製造方法および製造装置 |
JPH03290392A (ja) * | 1990-04-03 | 1991-12-20 | Nkk Corp | 単結晶製造装置 |
JPH05105576A (ja) * | 1991-03-01 | 1993-04-27 | Wacker Chemitronic Ges Elektron Grundstoffe Mbh | チヨクラルスキーによるるつぼ引上げ操作時液体シリコンを連続的に追加装填する方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010120821A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 結晶成長装置及び結晶成長方法 |
WO2011071178A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリカガラスルツボ |
US9416463B2 (en) | 2009-12-11 | 2016-08-16 | Sumco Corporation | Vitreous silica crucible |
KR20170139162A (ko) * | 2015-04-29 | 2017-12-18 | 1366 테크놀로지 인코포레이티드 | 재료가 고갈되고 다시 채워지는 용융된 재료의 포함된 볼륨을 유지하기 위한 방법 |
CN107709633A (zh) * | 2015-04-29 | 2018-02-16 | 1366科技公司 | 用于维持材料被耗尽和补充的熔融材料所含体积的方法 |
US10633765B2 (en) | 2015-04-29 | 2020-04-28 | 1366 Technologies, Inc. | Method for maintaining contained volume of molten material from which material is depleted and replenished |
KR102520095B1 (ko) * | 2015-04-29 | 2023-04-07 | 1366 테크놀로지 인코포레이티드 | 재료가 고갈되고 다시 채워지는 용융된 재료의 포함된 볼륨을 유지하기 위한 방법 |
US10415150B2 (en) | 2016-09-06 | 2019-09-17 | Sumco Corporation | Apparatus for manufacturing silicon single crystal and melt inlet pipe of the same |
CN114250504A (zh) * | 2020-09-24 | 2022-03-29 | 韩华思路信 | 用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置及其控制方法 |
CN115142139A (zh) * | 2022-09-01 | 2022-10-04 | 浙江求是半导体设备有限公司 | 一种单晶炉复投送料系统 |
CN115142139B (zh) * | 2022-09-01 | 2022-11-22 | 浙江求是半导体设备有限公司 | 一种单晶炉复投送料系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5103194B2 (ja) | 2012-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5103194B2 (ja) | 固体原料投入装置、融液原料供給装置および結晶製造装置 | |
US5087321A (en) | Manufacturing method and equipment of single silicon crystal | |
KR100800212B1 (ko) | 단결정 성장 장치에 고체 원료를 공급하는 장치 및 방법 | |
US8652257B2 (en) | Controlled gravity feeding czochralski apparatus with on the way melting raw material | |
US20100320638A1 (en) | Device and method for producing crystalline bodies by directional solidification | |
WO2008025872A2 (en) | Crystal manufacturing | |
TWI516650B (zh) | 熔融設備 | |
JP5830979B2 (ja) | ガラス母材の焼結装置および焼結方法 | |
JP2007290914A (ja) | 融液原料供給装置および多結晶体または単結晶体製造装置 | |
EP0425065A1 (en) | Apparatus for manufacturing silicon single crystals | |
JP4349493B2 (ja) | 単結晶シリコン引き上げ装置、シリコン融液の汚染防止方法及びシリコン融液の汚染防止装置 | |
TW202328509A (zh) | 用於涉及矽進料管之惰性氣體控制之單晶矽錠生長之方法 | |
JP4800292B2 (ja) | 融解装置 | |
EP1783098A1 (en) | Cooled lump from molten silicon and process for producing the same | |
EP0494307A1 (en) | Apparatus for making silicon single crystal | |
JP7052912B1 (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
KR101202616B1 (ko) | 단결정 실리콘 잉곳 | |
JP6601378B2 (ja) | リチャージ管及びシリコン単結晶の製造方法 | |
JP2005272265A (ja) | 単結晶引上装置 | |
JP2008081367A (ja) | 単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP2018095538A (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
JP2010280552A (ja) | シリコン融液の搬送部材及びシリコン融液の搬送方法 | |
JP4499178B2 (ja) | シリコン融液の汚染防止装置 | |
CN116783333A (zh) | 在单晶硅锭生长期间使用缓冲剂 | |
JPH01164735A (ja) | ガラスの溶融方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120717 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120823 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120911 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121001 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151005 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |