JP2008191020A - 基板検査装置及び基板検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】検査で検出した欠陥の観察を容易に行う。
【解決手段】検査テーブル５は、四角形の基板１をその向かい合う二辺だけで支持する。投光系は、光線を基板１の表面へ斜めに照射しながら、光線を基板１の支持された二辺と垂直な方向へ移動して、光線による基板１の走査を行う。欠陥検出回路２５は、上受光系２０が受光した散乱光から基板１の表面の欠陥を検出する。ＣＰＵ６０は、光線が照射されている基板１の表面上の位置を検出して、欠陥検出回路２５が検出した欠陥の基板１の表面上の位置を検出し、欠陥の基板１の表面上の位置の座標を水平面へ投影した位置の座標へ変換する。観察系移動制御回路８３は、ＣＰＵ６０が変換した位置の座標を用いて観察系移動機構８２を制御し、観察系移動機構８２は、観察系８０を欠陥検出回路２５が検出した欠陥の上方へ移動する。
【選択図】図１

Description

本発明は、露光用マスク等に用いられるガラス基板や石英基板等の板厚の大きな基板の欠陥を検出する基板検査装置及び基板検査方法に係り、特に大型の基板を検査するのに好適な基板検査装置及び基板検査方法に関する。

表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトマスクのパターンをガラス基板やプラスチック基板等のパネル基板に転写して行われる。フォトマスクは、ガラス基板や石英基板等のマスク基板の表面に、パターンの部分以外の光を遮断するクロム膜等を形成して製造される。マスク基板に傷や異物等の欠陥が存在すると、クロム膜等の形成やパターンの転写が良好に行われず、不良の原因となる。このため、基板検査装置を用いて、マスク基板の欠陥の検査が行われている。

従来の基板検査装置によるマスク基板の検査では、できるだけマスク基板に接触しない様にするため、四角形のマスク基板の四辺又は四隅を支持しながら検査を行っていた。この様な基板検査装置に用いられる基板のホルダーとして、例えば、特許文献１及び特許文献２に記載のものがある。
特開平１１−５２５５２号公報 特開２００５−１５６９２４号公報

近年、基板検査装置によるマスク基板の検査において、検出した欠陥の画像をカメラ等の画像取得装置により取得して、欠陥を詳細に観察したいという要求が出て来た。これを行うためには、検査で検出した欠陥の位置の座標に基づいて、カメラ等の画像取得装置を含む観察系を正確に欠陥の上方へ移動する必要がある。

従来の基板検査装置では、四角形のマスク基板の四辺又は四隅を支持していたため、マスク基板が自重によりすり鉢状にたわんだ状態で、欠陥の基板の表面上の位置を検出していた。マスク基板がたわんでいるため、欠陥を観察する際に上方から見る欠陥の位置の座標は、検査で検出した欠陥の基板の表面上の位置の座標と異なる。特に、基板が大型になる程、基板のたわみ量が大きくなって、上方から見る欠陥の位置の座標と欠陥の基板の表面上の位置の座標とのずれが大きくなる。このため、カメラ等の画像取得装置を含む観察系を検査で検出した欠陥の基板の表面上の位置の座標へ移動しても、欠陥の位置が画像取得装置の検出範囲から外れて、欠陥の画像を取得できないという問題があった。

また、光が透過するマスク基板の検査では、基板の内部へ透過して基板の裏面で反射された検査光が基板の欠陥により散乱されて散乱光が発生する場合がある。マスク基板は板厚が５ｍｍ〜２０ｍｍ程度と大きいため、この様な散乱光が欠陥の実際の位置から離れた位置で検出され、ゴーストが発生するという問題があった。

本発明の課題は、検査で検出した欠陥の観察を容易に行うことである。また、本発明の課題は、欠陥の検出結果からゴーストを除外して、検出精度を向上することである。

本発明の基板検査装置は、四角形の基板をその向かい合う二辺だけで支持する検査テーブルと、光線を基板の表面へ斜めに照射しながら、光線を基板の支持された二辺と垂直な方向へ移動して、光線による基板の走査を行う投光系と、光線が基板の欠陥により散乱された散乱光を受光する受光系と、受光系が受光した散乱光から基板の表面の欠陥を検出する検出手段と、光線が照射されている基板の表面上の位置を検出して、検出手段が検出した欠陥の基板の表面上の位置を検出し、欠陥の基板の表面上の位置の座標を水平面へ投影した位置の座標へ変換する処理手段と、検査テーブルに支持された基板の上方から鉛直に欠陥の画像を取得する観察系と、処理手段が変換した位置の座標を用いて、観察系を検出手段が検出した欠陥の上方へ移動する移動手段とを備えたものである。

また、本発明の基板検査方法は、四角形の基板をその向かい合う二辺だけで支持し、光線を基板の表面へ斜めに照射しながら、光線を基板の支持された二辺と垂直な方向へ移動して、光線による基板の走査を行い、光線が基板の欠陥により散乱された散乱光を受光し、受光した散乱光から基板の表面の欠陥を検出し、光線が照射されている基板の表面上の位置を検出して、検出した欠陥の基板の表面上の位置を検出し、欠陥の基板の表面上の位置の座標を水平面へ投影した位置の座標へ変換し、変換した位置の座標を用いて、観察系を検出した欠陥の上方へ移動し、観察系により基板の上方から鉛直に欠陥の画像を取得するものである。

従来の基板検査装置では、四角形の基板の四辺又は四隅を支持していたため、基板が自重によりすり鉢状にたわみ、上方から見る欠陥の位置の座標が、検査で検出した欠陥の基板の表面上の位置の座標からＸＹ両方向にずれていた。このため、複雑な計算を行って基板のたわみを解析する必要があった。本発明では、四角形の基板をその向かい合う二辺だけで支持するので、支持された基板は、従来の様にすり鉢状にたわんだ複雑な形状ではなく、支持された二辺と平行な方向においてたわみ量が一定な簡単な形状となる。従って、簡単な処理で欠陥の基板の表面上の位置の座標を水平面へ投影した位置の座標へ変換することができ、観察系を正確に欠陥の上方へ移動することができる。

さらに、本発明の基板検査装置は、処理手段が、検出した欠陥の基板の表面上の位置から、基板の内部へ透過して基板の裏面で反射され、該欠陥により散乱されて散乱光を発生する光線が照射される基板の表面上の位置を算出し、算出した位置で検出手段が検出した欠陥をゴーストとして除外するものである。また、本発明の基板検査方法は、検出した欠陥の基板の表面上の位置から、基板の内部へ透過して基板の裏面で反射され、該欠陥により散乱されて散乱光を発生する光線が照射される基板の表面上の位置を算出し、算出した位置で検出した欠陥をゴーストとして除外するものである。

光線を基板の表面へ斜めに照射しながら、光線による基板の走査を行い、光線が照射されている基板の表面上の位置を検出して、欠陥の基板の表面上の位置を検出するので、ゴーストが検出される位置は、そのとき光線が照射されている基板の表面上の位置である。本発明では、検出した欠陥の基板の表面上の位置から、基板の内部へ透過して基板の裏面で反射され、該欠陥により散乱されて散乱光を発生する光線が照射される基板の表面上の位置を算出し、算出した位置で検出した欠陥をゴーストとして除外するので、欠陥の検出結果からゴーストが除外され、検出精度が向上する。

本発明によれば、簡単な処理で欠陥の基板の表面上の位置の座標を水平面へ投影した位置の座標へ変換することができ、観察系を正確に欠陥の上方へ移動することができるので、検査で検出した欠陥の観察を容易に行うことができる。

さらに、本発明によれば、検出した欠陥の基板の表面上の位置から、基板の内部へ透過して基板の裏面で反射され、該欠陥により散乱されて散乱光を発生する光線が照射される基板の表面上の位置を算出し、算出した位置で検出した欠陥をゴーストとして除外することにより、欠陥の検出結果からゴーストを除外して、検出精度を向上することができる。

図１は、本発明の一実施の形態による基板検査装置の概略構成を示す図である。基板検査装置は、検査テーブル５、投光系、角度検出器１５、上受光系２０、下受光系３０、アンプ２４，３４、欠陥検出回路２５，３５、焦点調節機構４０、焦点調節制御回路４１、基板移動機構５０、基板移動制御回路５１、投光系移動機構５２、投光系移動制御回路５３、上受光系移動機構５４、上受光系移動制御回路５５、下受光系移動機構５６、下受光系移動制御回路５７、ＣＰＵ６０、メモリ７０、観察系８０、観察系移動機構８２、及び観察系移動制御回路８３を含んで構成されている。

検査対象の基板１が、検査テーブル５上に搭載されている。検査テーブル５には、図面横方向に伸びる基板支持部５ａが、図面奥行き方向に２つ平行に配置されている。各基板支持部５ａは、図面横方向の長さに渡って、基板１に接触する傾斜面を有する。四角形の基板１を検査テーブル５に搭載したとき、基板支持部５ａの傾斜面が基板１の向かい合う二辺の底に接触して、検査テーブル５は四角形の基板１をその向かい合う二辺だけで支持する（後述する図７参照）。

検査テーブル５に搭載された基板１の上方には、走査部１０及びミラー１４からなる投光系が配置されている。図２は、走査部の上面図である。走査部１０は、レーザー光源１１、レンズ１２ａ、ｆθレンズ１２ｃ、及びポリゴンミラー１３を含んで構成されている。レーザー光源１１は、検査光となるレーザー光線を発生する。レンズ１２ａは、レーザー光源１１から発生されたレーザー光線を集光し、基板１の表面に焦点が合う様に収束する。レンズ１２ａで集光されたレーザー光線は、ポリゴンミラー１３で反射され、ｆθレンズ１２ｃへ入射する。ｆθレンズ１２ｃは、ポリゴンミラー１３の回転により振られるレーザー光線の焦点面を平面位置に合わせる。ｆθレンズ１２ｃを透過したレーザー光線は、図１のミラー１４へ照射される。ミラー１４は、走査部１０から照射されたレーザー光線を、基板１の表面へ斜めに照射する。このとき、ポリゴンミラー１３が図２の矢印方向へ回転することにより、ミラー１４から基板１の表面へ照射されるレーザー光線が図１の図面奥行き方向へ移動して、レーザー光線による基板１の走査が行われる。本実施の形態では、一例として、走査範囲を２００ｍｍとする。

図１において、ＣＰＵ６０は、基板移動制御回路５１へ基板１の移動を指示する。基板移動制御回路５１は、ＣＰＵ６０の指示により、基板移動機構５０を駆動する。基板移動機構５０は、例えば直動モータを含んで構成され、検査テーブル５を図面横方向へ移動する。基板移動機構５０が検査テーブル５を移動することにより、検査テーブル５に搭載された基板１が矢印に示す基板移動方向へ移動され、投光系からのレーザー光線が基板１の図面横方向の長さに渡って照射される。従って、検査テーブル５の一回の移動により、図面奥行き方向に走査範囲の幅だけ基板１の検査が行われる。

続いて、ＣＰＵ６０は、投光系移動制御回路５３へ走査範囲の変更を指示する。投光系移動制御回路５３は、ＣＰＵ６０の指示により、投光系移動機構５２を駆動する。投光系移動機構５２は、例えば直動モータを含んで構成され、投光系を図面奥行き方向へ移動する。投光系移動機構５２が投光系を移動することにより、投光系からのレーザー光線による基板１の走査範囲が図面奥行き方向へ変更される。そして、レーザー光線による基板１の走査及び検査テーブル５の移動と、走査範囲の変更とを繰り返すことにより、基板１全体の検査が行われる。

投光系を図面奥行き方向へ移動する際は、上受光系２０及び下受光系３０を、投光系と同じだけ移動する。ＣＰＵ６０は、上受光系移動制御回路５５及び下受光系移動制御回路５７へ移動を指示する。上受光系移動制御回路５５及び下受光系移動制御回路５７は、ＣＰＵ６０の指示により、上受光系移動機構５４及び下受光系移動機構５６をそれぞれ駆動する。上受光系移動機構５４及び下受光系移動機構５６は、例えば直動モータを含んで構成され、上受光系２０及び下受光系３０を投光系と同じだけそれぞれ移動する。

なお、検査ステージ５を移動する代わりに、投光系を図面横方向へ移動することにより、基板１と投光系とをレーザー光線の走査方向と直交する方向へ相対的に移動してもよい。その場合は、上受光系及び下受光系を、投光系と一緒に移動する。また、投光系を移動する代わりに、検査ステージ５を図面奥行き方向へ移動することにより、基板１と投光系とをレーザー光線の走査方向へ相対的に移動して、レーザー光線による基板の走査範囲を変更してもよい。

基板１へ斜めに照射されたレーザー光線の一部は基板１の表面で反射され、一部は基板１の内部へ透過する。基板１の内部へ透過したレーザー光線は、基板１の表面から離れるに従って広がり、その一部は基板１の裏面で反射され、一部は基板１の裏面から基板１の外へ射出される。

基板１の表面側において、基板１の表面で反射されたレーザー光線の光軸から外れた位置に、上受光系２０が配置されている。上受光系２０は、レンズ２１、受光部２２、及び光電子倍増管２３を含んで構成されている。図３は、上受光系を上から見た図である。レンズ２１は、基板１からの散乱光を集光し、受光部２２へ照射する。レンズ２１の焦点位置は、基板１の表面に合っている。受光部２２は、複数の光ファイバー２２ａを束ねて構成され、レンズ２１で集光した散乱光を受光して光電子倍増管２３の受光面へ導く。光電子倍増管２３は、受光面で受光した散乱光の強度に応じた検出信号を出力する。図１において、光電子倍増管２３の検出信号は、アンプ２４で増幅され、欠陥検出回路２５へ入力される。

基板１の表面に欠陥が存在する場合、基板１の表面へ照射されたレーザー光線が欠陥により散乱され、散乱光が発生する。また、基板１の内部へ透過して基板１の裏面で反射され、再び基板１の表面へ到達したレーザー光線が欠陥により散乱され、散乱光が発生する。これらの散乱光が、基板１の表面側に配置された上受光系２０で受光される。基板１の内部に欠陥が存在する場合、基板１の内部へ透過したレーザー光線が欠陥により散乱されて、散乱光が発生する。また、基板１の内部へ透過して基板１の裏面で反射されたレーザー光線が欠陥により散乱されて、散乱光が発生する。これらの散乱光が、基板１を透過して、基板１の表面側に配置された上受光系２０で受光される。基板１の表面の欠陥により発生した散乱光は、基板１の内部の欠陥により発生した散乱光よりも、上受光系２０の受光部２２で受光される強度が大きい。欠陥検出回路２５は、アンプ２４で増幅された検出信号の強度から、基板１の表面の欠陥を検出する。

基板１の裏面側において、基板１の裏面から基板１の外へ射出されたレーザー光線の光軸から外れた位置に、下受光系３０が配置されている。下受光系３０は、レンズ３１、受光部３２、及び光電子倍増管３３を含んで構成されている。ＣＰＵ６０は、焦点調節制御回路４１へ下受光系３０の焦点位置の調節を指示する。焦点調節制御回路４１は、ＣＰＵ６０の指示により、焦点調節機構４０を駆動する。焦点調節機構４０は、例えばパルスモータを含んで構成され、レンズ３１及び受光部３２を上下に移動する。焦点調節機構４０がレンズ３１及び受光部３２を上下に移動することにより、下受光系３０の焦点位置が基板１の内部に合う様に調節される。

図４は、下受光系を横から見た図である。レンズ３１は、基板１からの散乱光を集光し、受光部３２へ照射する。受光部３２は、複数の光ファイバー３２ａを束ねて構成され、レンズ３１で集光した散乱光を受光して光電子倍増管３３の受光面へ導く。光電子倍増管３３は、受光面で受光した散乱光の強度に応じた検出信号を出力する。図１において、光電子倍増管３３の検出信号は、アンプ３４で増幅され、欠陥検出回路３５へ入力される。

基板１の表面に欠陥が存在する場合、基板１の表面へ照射されたレーザー光線が欠陥により散乱され、散乱光が発生する。この散乱光が、基板１を透過して、基板１の裏面側に配置された下受光系３０で受光される。複数の光ファイバー３２ａを束ねた受光部３２で受光された散乱光は、欠陥の形状をほぼそのまま表した形状となる。また、基板１の内部へ透過して基板１の裏面で反射され、再び基板１の表面へ到達したレーザー光線が欠陥により散乱され、散乱光が発生する。基板１の板厚が大きいとき、この散乱光は、レーザー光線が基板１の表面へ照射された位置からかなり離れた位置で発生する。下受光系３０のレンズ３１による受光領域を最適位置にすると、この散乱光は下受光系３０で受光されない。

基板１の内部に欠陥が存在する場合、基板１の内部へ透過したレーザー光線が欠陥により散乱されて、散乱光が発生する。また、基板１の内部へ透過して基板１の裏面で反射されたレーザー光線が欠陥により散乱されて、散乱光が発生する。これらの散乱光が、基板１を透過して、基板１の裏面側に配置された下受光系３０で受光される。複数の光ファイバー３２ａを束ねた受光部３２で受光された散乱光は、欠陥の形状に関わらず、縦横に広がった十字形状となる。欠陥検出回路３５は、この散乱光の形状的特徴から、基板１の内部の欠陥を検出する。基板１の裏面側に配置された下受光系３０により、基板１を透過した散乱光を受光するので、基板１の表面付近の欠陥だけでなく、基板１の表面から離れた深い位置にある欠陥も検出される。

角度検出器１５は、走査部１０のポリゴンミラー１３の回転角度を検出する。基板移動制御回路５１は、基板移動機構５０への駆動信号から、検査テーブル５の図面横方向の位置を把握する。ＣＰＵ６０は、投光系の図面奥行き方向の位置、角度検出器１５の検出結果及び基板移動制御回路５１からの位置情報に基づき、レーザー光線が照射されている基板１の表面上の位置を検出する。そして、ＣＰＵ６０は、欠陥検出回路２５，３５が欠陥を検出したときレーザー光線が照射されている基板１の表面上の位置を、欠陥の位置として、欠陥検出回路２５，３５の検出結果と共にメモリ７０に記憶する。

欠陥検出回路２５が検出した基板１の表面の欠陥の内、基板１の内部へ透過して基板１の裏面で反射され、再び基板１の表面へ到達したレーザー光線が欠陥により散乱されて発生した散乱光によるものは、実際には検出された基板１の表面上の位置に存在しないゴーストである。

図５は、ゴーストの発生を説明する図である。基板１の表面に欠陥２が存在する場合、基板１の内部へ透過して基板１の裏面で反射され、再び基板１の表面へ到達したレーザー光線が欠陥２により散乱され、散乱光が発生する。レーザー光線を基板１の表面へ斜めに照射しながら、レーザー光線による基板１の走査を行い、レーザー光線が照射されている基板１の表面上の位置を検出して、欠陥２の基板１の表面上の位置を検出するので、ゴーストが検出される位置は、そのときレーザー光線が照射されている基板１の表面上の位置である。基板の厚さをＴ、空気の屈折率をＮ１、基板の屈折率をＮ２、レーザー光線の入射角をＩ、屈折角をＲとすると、ゴーストが検出される位置と欠陥２の基板１の表面上の位置との距離は、図中に示す式で計算されるＤの倍数となる。

図６は、ゴーストが検出される位置と欠陥の基板の表面上の位置との関係を示す図である。ゴーストが検出される位置と欠陥２の基板１の表面上の位置との距離をＤ、走査によるレーザー光線の角度をαとすると、ゴーストが検出される位置と欠陥２の基板１の表面上の位置とのＸ方向の距離Ｘｄ及びＹ方向の距離Ｙｄは、図中に示す式で計算される。ＣＰＵ６０は、ゴーストが検出される位置と欠陥２の基板１の表面上の位置との距離及び角度検出器１５の検出結果から、Ｘｄ及びＹｄを計算する。そして、ＣＰＵ６０は、検出した欠陥２の基板１の表面上の位置から、基板１の内部へ透過して基板１の裏面で反射され、欠陥２により散乱されて散乱光を発生するレーザー光線が照射される基板１の表面上の位置を算出し、メモリ７０に記憶された欠陥検出回路２５の検出結果の内、算出した位置で検出した欠陥をゴーストとして除外する。

以上説明した実施の形態によれば、検出した欠陥の基板の表面上の位置から、基板の内部へ透過して基板の裏面で反射され、該欠陥により散乱されて散乱光を発生するレーザー光線が照射される基板の表面上の位置を算出し、算出した位置で検出した欠陥をゴーストとして除外することにより、欠陥の検出結果からゴーストを除外して、検出精度を向上することができる。

検査後に欠陥検出回路２５が検出した基板１の表面の欠陥の観察を行う場合、図１において、ＣＰＵ６０は、欠陥検出回路２５が検出した欠陥について、欠陥の基板の表面上の位置の座標を水平面へ投影した位置の座標へ変換し、観察系移動制御回路８３へ観察系８０の移動を指示する。以下、欠陥の基板の表面上の位置の座標から水平面へ投影した位置の座標への変換を説明する。

図７は、検査テーブルに搭載された基板の斜視図である。図７に示す様に、検査テーブル５の基板支持部５ａにより、四角形の基板１をＹ方向に伸びる二辺だけで支持すると、支持された基板１は、Ｙ方向においてたわみ量が一定な簡単な形状となる。従って、基板１のＸ方向の寸法及び厚さと、基板１の材料特性（密度、ヤング率、断面二次モーメント）とから、簡単な計算で基板１のたわみを解析することができる。

図８は、基板のたわみの解析を説明する図である。図８に示す様に、基板１のＸ方向の寸法をＬ、基板の密度をｑ、ヤング率をＥ、断面二次モーメントをＩとすると、支持された二辺のうちの一辺からＸ方向に距離ｘだけ離れた位置における基板１のたわみ量ω及びたわみ角βは、図中に示す式で計算することができる。

図９は、欠陥の基板の表面上の位置の座標から水平面へ投影した位置の座標への変換を説明する図である。欠陥２の基板１の表面上の位置のＸ座標をＸｉ、基板１のたわみ角をβとすると、水平面へ投影した位置のＸ座標Ｘｏは、図中に示す式で計算することができる。ＣＰＵ６０は、この式を実行する変換テーブルを有し、メモリ７０に記憶された欠陥検出回路２５が検出した基板１の表面の欠陥について、欠陥の基板１の表面上の位置のＸ座標を水平面へ投影した位置のＸ座標へ変換する。

さらに、本実施の形態では、基板１のたわみにより発生する欠陥の検出位置のＹ方向のずれを補正する。投光系からレーザー光線を基板１の表面へ斜めに照射するため、基板１のたわみにより、欠陥の検出位置にＹ方向のずれが生じる。図１０は、基板のたわみによる欠陥の検出位置のＹ方向のずれを説明する図である。図中、破線は、基板１にたわみが無い場合の基板の表面を示す。基板１のたわみにより、基板１にたわみが無い場合に比べ、レーザー光線は、基板１の表面上のＹ方向にΔＹだけずれた位置に照射される。基板１のたわみ量をω、レーザー光線の入射角をＩとすると、欠陥の検出位置のＹ方向のずれ量ΔＹは、図中に示す式で計算することができる。ＣＰＵ６０は、このずれ量ΔＹを格納した補正テーブルを有し、メモリ７０に記憶された欠陥検出回路２５が検出した基板１の表面の欠陥について、欠陥の基板１の表面上の位置のＹ座標を補正する。

図１において、観察系移動制御回路８３は、ＣＰＵ６０が変換した位置のＸ座標及び補正後のＹ座標を用いて、観察系移動機構８２を制御する。観察系移動機構８２は、例えば直動モータを含んで構成され、観察系８０をＸ方向（図面奥行き方向）及びＹ方向（図面横方向）へ移動して、観察系８０を欠陥検出回路２５が検出した欠陥の上方へ移動する。観察系８０は、カメラ等の画像取得装置８１を含んで構成され、検査テーブル５に支持された基板１の上方から鉛直に欠陥の画像を取得する。

以上説明した実施の形態によれば、簡単な処理で欠陥の基板の表面上の位置の座標を水平面へ投影した位置の座標へ変換することができ、観察系を正確に欠陥の上方へ移動することができるので、検査で検出した欠陥の観察を容易に行うことができる。

本発明の一実施の形態による基板検査装置の概略構成を示す図である。 走査部の上面図である。 上受光系を上から見た図である。 下受光系を横から見た図である。 ゴーストの発生を説明する図である。 ゴーストが検出される位置と欠陥の基板の表面上の位置との関係を示す図である。 検査テーブルに搭載された基板の斜視図である。 基板のたわみの解析を説明する図である。 欠陥の基板の表面上の位置の座標から水平面へ投影した位置の座標への変換を説明する図である。 基板のたわみによる欠陥の検出位置のＹ方向のずれを説明する図である。

符号の説明

１ 基板
２ 欠陥
５ 検査テーブル
５ａ 基板支持部
１０ 走査部
１１ レーザー光源
１２ａ レンズ
１２ｃ ｆθレンズ
１３ ポリゴンミラー
１４ ミラー
１５ 角度検出器
２０ 上受光系
３０ 下受光系
２１，３１ レンズ
２２，３２ 受光部
２２ａ，３２ａ 光ファイバー
２３，３３ 光電子倍増管
２４，３４ アンプ
２５，３５ 欠陥検出回路
４０ 焦点調節機構
４１ 焦点調節制御回路
５０ 基板移動機構
５１ 基板移動制御回路
５２ 投光系移動機構
５３ 投光系移動制御回路
５４ 上受光系移動機構
５５ 上受光系移動制御回路
５６ 下受光系移動機構
５７ 下受光系移動制御回路
６０ ＣＰＵ
７０ メモリ
８０ 観察系
８１ 画像取得装置
８２ 観察系移動機構
８３ 観察系移動制御回路

Claims (4)

1. 四角形の基板をその向かい合う二辺だけで支持する検査テーブルと、
   光線を基板の表面へ斜めに照射しながら、光線を基板の支持された二辺と垂直な方向へ移動して、光線による基板の走査を行う投光系と、
   光線が基板の欠陥により散乱された散乱光を受光する受光系と、
   前記受光系が受光した散乱光から基板の表面の欠陥を検出する検出手段と、
   光線が照射されている基板の表面上の位置を検出して、前記検出手段が検出した欠陥の基板の表面上の位置を検出し、欠陥の基板の表面上の位置の座標を水平面へ投影した位置の座標へ変換する処理手段と、
   前記検査テーブルに支持された基板の上方から鉛直に欠陥の画像を取得する観察系と、
   前記処理手段が変換した位置の座標を用いて、前記観察系を前記検出手段が検出した欠陥の上方へ移動する移動手段とを備えたことを特徴とする基板検査装置。
2. 前記処理手段は、検出した欠陥の基板の表面上の位置から、基板の内部へ透過して基板の裏面で反射され、該欠陥により散乱されて散乱光を発生する光線が照射される基板の表面上の位置を算出し、算出した位置で前記検出手段が検出した欠陥をゴーストとして除外することを特徴とする請求項１に記載の基板検査装置。
3. 四角形の基板をその向かい合う二辺だけで支持し、
   光線を基板の表面へ斜めに照射しながら、光線を基板の支持された二辺と垂直な方向へ移動して、光線による基板の走査を行い、
   光線が基板の欠陥により散乱された散乱光を受光し、
   受光した散乱光から基板の表面の欠陥を検出し、
   光線が照射されている基板の表面上の位置を検出して、検出した欠陥の基板の表面上の位置を検出し、
   欠陥の基板の表面上の位置の座標を水平面へ投影した位置の座標へ変換し、
   変換した位置の座標を用いて、観察系を検出した欠陥の上方へ移動し、
   観察系により基板の上方から鉛直に欠陥の画像を取得することを特徴とする基板検査方法。
4. 検出した欠陥の基板の表面上の位置から、基板の内部へ透過して基板の裏面で反射され、該欠陥により散乱されて散乱光を発生する光線が照射される基板の表面上の位置を算出し、算出した位置で検出した欠陥をゴーストとして除外することを特徴とする請求項３に記載の基板検査方法。

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