JP2008185552A - 測定装置および測定方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】テラヘルツ波を透過させて、読み取り易い被測定物２１０の周波数特性を得る。
【解決手段】導体により包囲された空隙１１２をひとつの平面上に有する空隙配置構造体１１０と、空隙配置構造体１１０の平面上に保持された被測定物２１０に向かって電磁波を照射する電磁波照射部３１０と、電磁波照射部３１０から空隙配置構造体１１０に向かって投射され、空隙配置構造体１１０を透過した電磁波を測定する電磁波検出部３２０とを備え、空隙１１２および被測定物２１０を含む空間を透過した電磁波を測定することにより被測定物２１０の特性を測定する測定装置３００であって、電磁波照射部３１０から空隙配置構造体１１０に向かって投射される電磁波が、空隙１１２を含む平面に対して傾斜した入射角αを有して、測定値の周波数特性に生じるディップ波形の変移により被測定物２１０の特性を検出する。
【選択図】図３

Description

本発明は、測定装置および方法に関する。より詳細には、測定対象に対して電磁波を照射して、測定対象により変調された電磁波を計測することにより測定対象の特性を測定する装置および方法に関する。
周波数にして２０ＧＨｚから１２０ＴＨｚ、波長にして１．５ｃｍから２．５μｍ程度の帯域の電磁波（以下、これらを総称して「テラヘルツ波」と記載する）は光と電波の境界に属して、いずれの分野からも利用が少ない帯域であった。しかしながら、半導体レーザを用いてフェムト秒レベルの短いテラヘルツ波パルスを発生することができるようになり、更に、それを利用したテラヘルツ時間領域分光法が開発されるに及び、多くの技術分野での応用が検討されるようになった。
下記非特許文献１には、テラヘルツ帯域の電磁波を用いた分光測定、イメージング等についての原理が記載される。ここに記載されるように、テラヘルツ波は、電波の透過性と光の直進性とを兼ね備え、物質を透過しつつ高い分解能が得られると共に、レンズ、ミラー等の光学素子に準じたデバイスで取り扱うことができる。
下記特許文献１には、被対象物に波長の異なるテラヘルツ波を照射してその透過率を計測して、被対象物による電磁波吸収に基づいて被測定物の形状、組成等を検出する方法が記載される。これにより、測定対象の表面に限らず、テラヘルツ波の吸収に波長依存性のある被対象物を検出できる。
また、下記特許文献２には、周期的に形成された空隙を有する金属板（いか、「空隙配置構造体」と記載する）が電磁波をよく透過することが記載される。このような空隙配置構造体は、それ自体が位相差板として利用できる他、テラヘルツ波による測定において被測定物を支持する部材として利用することができる。
特開２００４−１０８９０５号公報 特開２００４−１１７７０３号公報 阪井清美、「テラヘルツ時間領域分光法」、分光研究、２００１年、５０巻、第６号、ｐ．２６１−２７３ Ｊ．Ｍ．Ｌａｍａｒｒｅ ｅｔ． ａｌ．， "ＭＥＴＡＬＬＩＣ ＭＥＳＨ ＰＲＯＰＥＲＴＩＥＳ ＡＮＤ ＤＥＳＩＧＮ ＯＦ ＳＵＢＭＩＬＬＩＭＥＴＥＲ ＦＩＬＴＥＲＳ"， Ｉｎｔ． Ｊｎｌ． ｏｆ Ｉｎｆｒａｒｅｄ ａｎｄ Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ Ｗａｖｅｓ， ｖｏｌ．２， Ｎｏ．２， １９８１， ｐｐ．２７３−２９２
被測定物に対してテラヘルツ波を照射すると、その特性に応じた固有の測定結果が得られる。例えば、測定項目が透過率である場合、透過率の周波数特性には、被測定物の特性に応じた固有の極大値を示すピークが現れる。
そこで、まず、単独の空隙配置構造体について特性を測定し、次いで、空隙配置構造体に被測定物を支持させた一体型構造体の特性を測定すると、その差分から、被測定物の特性を知ることができる。例えば、前述した透過率の周波数特性を例に挙げると、ピ−クが現れる帯域が変移する。これにより、被測定物が存在すること自体が検出でき、更に、生じたピークの変移により被測定物の組成等を特定できる場合もある。このような測定結果の変化は鋭敏なので、被測定物の量が僅かであっても有効な測定ができる。
しかしながら、テラヘルツ波により計測した透過率の周波数特性は比較的滑らかに連続した曲線を描くので、被測定物の存在による変移が僅かであった場合には、その変移を検知し難いという問題がある。そこで、テラヘルツ波による測定の利点を活かしつつ、被測定物の特性をより容易に検出できる測定方法および装置が求められている。
上記の課題を解決する目的で、本発明の第１の形態として、導体により包囲された空隙領域をひとつの平面上に有する空隙配置構造体と、空隙配置構造体の平面上に保持された被測定物に向かって電磁波を照射する電磁波照射部と、電磁波照射部から空隙配置構造体に向かって投射され、空隙配置構造体を透過した電磁波を測定する電磁波検出部とを備え、空隙領域および被測定物を含む空間を透過した電磁波を測定することにより被測定物の特性を測定する測定装置であって、電磁波照射部から空隙配置構造体に向かって投射される電磁波が、空隙領域を含む平面に対して傾斜して入射され、前記傾斜により測定値の周波数特性に生じたディップ波形の位置が、被測定物の存在により移動することに基づいて被測定物の特性を検出する測定装置が提供される。
また、本発明の第２の形態として、導体により包囲された空隙領域をひとつの平面上に有する空隙配置構造体と、空隙配置構造体の平面上に保持された被測定物に向かって電磁波を照射する電磁波照射部と、電磁波照射部から空隙配置構造体に向かって投射され、空隙配置構造体を透過した電磁波を測定する電磁波検出部とを用い、空隙領域を含む平面に対して傾斜した電磁波を照射し、前記傾斜により測定値の周波数特性に生じたディップ波形の位置が、被測定物の存在により移動することに基づいて被測定物の特性を検出する測定方法が提供される。
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。これらの特徴群のサブコンビネーションもまた発明となり得る。
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を何等限定するものではい。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
図１は、後述する測定装置３００において被測定物２１０（図１には不図示）を支持する支持部材１００の構造を示す斜視図である。同図に示すように、支持部材１００は、空隙配置構造体１１０および支持膜１２０を組み合わせて形成される。
空隙配置構造体１１０は、一定の間隔で形成された複数の空隙１１２を有する、金属等の導体板により形成される。このようなメッシュ状の導体板は、電磁波に対してその開口面積比を越える透過率を有する。従って、被測定物２１０を支持しつつ、テラヘルツ波等の電磁波を高効率で透過させることができる。
なお、空隙配置構造体１１０の材料は、導体材料であれば金属に制限されない。また、厳密には、空隙１１２の各々が導体により包囲されていれば、電磁波を高効率に透過させるという所期の効果を発揮する。更に、空隙１１２の形状も、個々の空隙１１２の形状が対称形であれば、正方形に限定されない。また更に、空隙１１２の配置も、規則的あるいは周期的に配列されていれば、図１に示すようなマトリックス状の配置に限定されるわけではない。また更に、空隙１１２の数も、ひとつ以上あれば、特に制限はない。従って、被測定物２１０の種類、測定条件等に応じて、広範な材料と構造を選択し得る。
ただし、空隙１１２の寸法は、測定に用いる電磁波の波長の０．３倍以上、２倍以下であることが好ましい。空隙１１２の寸法がこの範囲よりも小さくなると、電磁波の透過率が著しく低下する。また、空隙１１２の寸法がこの範囲よりも大きくなると、後述する電磁波に対する作用が生じなくなる。
一方、支持膜１２０は、空隙１１２を有する空隙配置構造体１１０の表面に、粉体等の微細なあるいは微量の被測定物２１０を固定する目的で用いられる。従って、被測定物２１０を支持できる強度が得られる範囲で薄く、測定に用いる電磁波の透過を妨げない材料で形成されることが好ましい。具体的には、ポリアミド樹脂膜等を用いることにより、微量のタンパク質等の測定もできる。また、支持膜１２０に換えて、気密または液密な容器を用いて、流体または流体に分散させた物質を測定することもできる。
図２は、図１に示した支持部材１００を用いたプレパラート２００の構造を示す断面図である。同図に示すように、空隙配置構造体１１０の表面に支持膜１２０が貼付され、更に、支持膜１２０に被測定物２１０が付着される。これにより、空隙１１２の寸法よりも小さな被測定物２１０であっても、空隙配置構造体１１０の表面に固定することができる。従って、これをプレパラート２００とすることにより、測定装置３００への装着等の取り扱いが容易になる。
図３は、測定装置３００全体の構造と、測定装置３００におけるプレパラート２００の配置を模式的に示す図である。同図に示すように、この測定装置３００は、電磁波を発生して照射する電磁波照射部３１０と、照射された電磁波を検出する電磁波検出部３２０との間に形成された光学系３３０を備える。光学系３３０は、一対のコリメートレンズ３３２、３３４を備える。なお、測定装置３００において取り扱われる電磁波は、直進性等の光学的特性を有する波長帯域に属して、レンズ、ミラー等の光学素子により取り扱うことができるので、ここでは便宜的に光学系３３０と記載する。
また、電磁波照射部３１０の動作を制御する照射制御部３４０、電磁波検出部３２０の検出結果を解析する解析処理部３５０、および、解析処理部３５０の解析結果を表示する表示部３６０を備える。なお、照射制御部３４０は、検出のタイミングを同期させる目的で、解析処理部３５０にも結合される。
上記のような測定装置３００において、電磁波照射部３１０は、照射制御部３４０の制御の下、短光パルスレーザを光源として、ＺｎＴｅ等の電気光学結晶の光整流効果によりテラヘルツ波を発生する。電磁波照射部３１０から放射された電磁波は、一方のコリメートレンズ３３２により平行光束状に変換され、他方のコリメートレンズ３３４に照射される。他方のコリメートレンズ３３４に入射した電磁波は、電磁波検出部３２０の受光部に向かって収束される。電磁波検出部３２０において検波された電磁波は、電気信号として解析処理部３５０に転送され、例えば透過率の周波数特性として目視できる形式で表示部３６０に表示される。
これに対して、プレパラート２００は、一対のコリメートレンズ３３２、３３４の間に配置されたホルダ（不図示）により、平行光束状の電磁波内に保持される。また、プレパラート２００は、光学系３３０の光軸に対して傾斜して配置される。従って、電磁波照射部３１０から照射された電磁波は、プレパラート２００を斜めに透過した後、電磁波検出部３２０において検出される。
図４は、測定装置３００の光学系３３０におけるプレパラート２００に対するテラヘルツ波の入射角度の定義を説明する図である。同図に示すように、ここでは、空隙配置構造体１１０において空隙１１２が配置された平面と直交する直線が、測定装置３００に形成された光学系３３０の光軸に対してなす角度を入射角αとする。
図５は、前記非特許文献２から引用した、プレパラート２００に対するテラヘルツ波の入射角αの変化に応じた透過率の周波数特性の変化を示すグラフである。同図に示すように、電磁波照射部３１０からプレパラート２００に対して電磁波を照射して電磁波検出部３２０で測定すると、電磁波透過率の周波数特性には、その極大値を示すピークが現れる。更に、光学系３３０の光軸に直交するプレパラート２０３から入射角αを有するプレパラート２０１までプレパラート２００の傾斜を変化させた場合、前記ピークの比較的近傍にひとつのディップが現れる。更に、入射角αが大きくなるにつれて、このディップは深く急峻になる。
ただし、入射角αが極端に大きくなり、空隙１１２を通じて電磁波照射部３１０から電磁波検出部３２０を見通すことができなくなると、空隙配置構造体１１０における電磁波の透過率が著しく低下する。従って、入射角αは、空隙配置構造体１１０に対する電磁波の透過率が低下しない範囲で決定される。具体的には、入射角αは１０°まで、好ましくは数度程度とすることが好ましい。
測定結果の周波数特性に上記のような鋭いディップが形成されることにより、後述するように、測定結果が変化した場合に、非常に容易にその変化を検知することができる。また、検知を容易にするために周波数特性に意図的にディップを形成しても、ディップの幅が狭いので、周波数特性全体の傾向は変化することなく読み取ることができる。
このように、被測定物２１０を保持した空隙配置構造体１１０は、電磁波照射部３１０および電磁波検出部３２０の間において、電磁波照射部３１０および電磁波検出部３２０を結ぶ直線に対して空隙１１２を含む平面が傾斜するように配置することができる。これにより、測定結果において、特定の帯域に鋭いディップが生じる。このディップを指標とすることにより、被測定物２１０の物性に応じた測定結果の変化を容易且つ正確に読み取ることができる。
これにより、導体により包囲された空隙１１２をひとつの平面上に有する空隙配置構造体１１０と、空隙配置構造体１１０の平面上に保持された被測定物２１０に向かって電磁波を照射する電磁波照射部３１０と、電磁波照射部３１０から空隙配置構造体１１０に向かって投射され、空隙配置構造体１１０を透過した電磁波を測定する電磁波検出部３２０とを用い、空隙１１２を含む平面に対して傾斜した入射角度αで、電磁波照射部３１０から空隙配置構造体１１０に対して電磁波を投射し、空隙１１２および被測定物２１０を含む空間を透過した電磁波を測定し、測定値の周波数特性に生じるディップ波形の変移により被測定物２１０の特性を検出する測定方法が提供される。これにより、測定結果における変移を容易に検知できる。従って、透過性および直線性を兼ね備えたテラヘルツ波による被測定物２１０の測定を、多くの分野で利用することができる。
また、導体により包囲された空隙１１２をひとつの平面上に有する空隙配置構造体１１０と、空隙配置構造体１１０の平面上に保持された被測定物２１０に向かって電磁波を照射する電磁波照射部３１０と、電磁波照射部３１０から空隙配置構造体１１０に向かって投射され、空隙配置構造体１１０を透過した電磁波を測定する電磁波検出部３２０とを備え、空隙１１２および被測定物２１０を含む空間を透過した電磁波を測定することにより被測定物２１０の特性を測定する測定装置３００であって、電磁波照射部３１０から空隙配置構造体１１０に向かって投射される電磁波が、空隙１１２を含む平面に対して傾斜した入射角度αを有し、測定値の周波数特性に生じるディップ波形の変移により被測定物２１０の特性を検出する測定装置３００が提供される。これにより、上記の測定方法を実行する装置が提供される。
図６は、他の実施例に係る測定装置３０２における光学的な構造を示す図である。なお、この図において、電磁波照射部３１０、電磁波検出部３２０、解析処理部３５０および表示部３６０の構造は測定装置３００と共通なので、図示を省略した。
同図に示すように、測定装置３０２の光学系３７０は、図３に示した測定装置３００に対して、コリメートレンズ３３２、３３４に換えて集光レンズ３７２、３７４を備える点で固有の構造を有する。これにより、空隙配置構造体１１０に入射する電磁波は、光軸上を除いて傾斜して入射する。その余の構造は、図３に示した測定装置３００と共通なので重複する説明は省く。
図７は、測定装置３０２において収束光束により測定した被測定物２１０の透過率の周波数特性を示すグラフである。また、比較のために、図３に示した測定装置３００と同じ構造の光学系３３０により、平行光束により同じ被測定物２１０を測定した場合の周波数特性も併せて示した。
同図に示すように、電磁波照射部３１０および電磁波検出部３２０の間に形成される光学系３８０の光軸に対して空隙配置構造体１１０が直交して配置されるにもかかわらず、収束光束が空隙配置構造体１１０に対して傾斜して入射するので、測定結果には顕著なディップが生じている。これにより、空隙配置構造体１１０と共に電磁波を照射された被測定物２１０による僅かな周波数特性の変化を容易に見出すことができる。なお、プレパラート２００を光学系３７０の光軸方向に移動させて、被測定物２１０が光学系３７０の焦点上に位置するようにした場合でも、測定した周波数特性上に顕著なディップが生じる現象は変わらない。
このように、上記測定装置３０２においては、被測定物２１０を保持した空隙配置構造体１１０は、電磁波照射部３１０および電磁波検出部３２０の間において、電磁波照射部３１０および電磁波検出部３２０を結ぶ直線に対して空隙１１２を含む平面が直交するように配置され、電磁波照射部３１０から投射された電磁波は直線上の１点に向かって収束される。これにより、空隙配置構造体１１０を垂直に配置することができると同時に、空隙配置構造体１１０に入射する電磁波は、光軸上を除いて傾斜して入射するので、測定結果の変化を容易に見出すことができる。また、このような測定装置３０２は、測定装置３００に対して、コリメートレンズ３３２、３３４を集光レンズ３７２、３７４に置き換えることにより形成できる。従って、測定装置３００のレイアウトを変更することなく、上記の効果を享受できる。
図８は、被測定物２１０の有無による透過率の周波数特性のディップの変移を示すグラフである。同図に示すように、被測定物２１０なしに空隙配置構造体１１０単独で測定した場合も、測定した透過率の周波数特性には、ピークとディップがそれぞれ生じる。更に、空隙配置構造体１１０に直接に植物油を付着させた状態で同じように測定したところ、周波数特性のピークおよびディップはいずれも図中で左方に変移した。この場合、ピークよりもディップの方が曲線が急峻なので、ディップの位置を比較することにより、変化が生じたこと自体、および、その変化の量を容易に検知できる。このように、テラヘルツ波を用いた被測定物２１０の特性測定の実効的な検出精度を向上させることができる。また、変化の検知が容易なので、熟練していない者でも容易に変化を検知できる。これにより、テラヘルツ波を用いた特性測定の応用分野を拡大できる。
図９は、被測定物２１０の変化による透過率の周波数特性のディップの変移を示すグラフである。ここでは、被測定物２１０として、支持膜１２０に微量のアビジンを含浸させた。なお、アビジンはハイブリダイゼーションアッセイにおいて利用されるタンパク質の一種である。
同図に示すように、被測定物２１０が存在しない場合、被測定物２１０として２００ｎｇ／ｍｍ２のアビジンを付着させた場合、および、被測定物２１０として１２００ｎｇ／ｍｍ２のアビジンを付着させた場合のそれぞれの測定結果において、互いに異なる位置にピークおよびディップが観察される。ただし、ピークは比較的ブロードなので、特に被測定物２１０が存在しない場合と、２００ｎｇ／ｍｍ２のアビジンを付着させた場合との区別がし難い。しかしながら、ディップは急峻なので、測定結果を実効的に高精度に評価できる。
図１０は、更に他の実施例に係る測定装置３０４の光学系３８０の構造を模式的に示す図である。なお、この図においても、電磁波照射部３１０、電磁波検出部３２０、解析処理部３５０および表示部３６０の構造は測定装置３００と共通なので、図示を省略した。
同図に示すように、測定装置３０４の光学系３８０は、図３に示した測定装置３００に対して、コリメートレンズ３３２、３３４に換えて複合レンズ３８２、３８４を備える点で固有の構造を有する。その余の構造は、図３に示した測定装置３００と共通なので、重複する説明は省く。
図１１は、図１０に示す測定装置３０４において使用される複合レンズ３８２、３８４の形状を示す斜視図である。同図に示すように、複合レンズ３８２、３８４は、図上で鉛直な軸を有する円筒面として形成された水平コリメート部３８１と、水平な軸を有する円筒面として形成された垂直集光部３８３とを重ねて形成される。
これにより、電磁波照射部３１０から複合レンズ３８２に入射した電磁波は、水平方向については複合レンズ３８２に入射したときの幅を有する平行光となる。一方、垂直方向については、焦点に向かって集光される。従って、垂直集光部３８３の焦点上においては紙面に対して直角な直線上を通過する線状ビームとなる。
このような線状ビームは、プレパラート２００の空隙配置構造体１１０に対して傾斜して入射するので、実施例２について説明した通り、計測した透過率の周波数特性に顕著なディップ波形を含む。従って、空隙配置構造体１１０と共に電磁波を照射された被測定物２１０による僅かな周波数特性の変化を容易に見出すことができる。
なお、この実施形態では線状ビームを水平に形成する場合を例示したが、空隙配置構造体１１０の空隙１１２が配列された面に対して傾斜した入射角αを含む電磁波が形成されれば、線状ビームの方向が水平に限られないことは勿論である。
このように、測定装置３０４においては、被測定物２１０を支持した空隙配置構造体１１０を、電磁波照射部３１０および電磁波検出部３２０の間において、電磁波照射部３１０および電磁波検出部３２０を結ぶ直線に対して空隙１１２を含む平面が直交するように配置して、電磁波照射部３１０から投射された電磁波が、直線上のひとつの点を含み、且つ、直線と直交する直線に対して収束するように形成することができる。これにより、空隙配置構造体１１０自体を傾斜させることなく装着しても、空隙配置構造体１１０を傾斜させて配置した場合と同様に、測定結果の変化を容易に見出すことができる。また、このような測定装置３０４は、測定装置３００に対して、コリメートレンズ３３２、３３４を複合レンズ３８２、３８４に置き換えることにより形成できる。従って、測定装置３００を大きく変更することなく、上記の効果を享受できる。
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加え得ることが当業者に明らかである。また、その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることは、特許請求の範囲の記載から明らかである。
測定装置３００において被測定物２１０を支持する支持部材１００の形状を示す分解斜視図である。 図１に示した支持部材１００を用いたプレパラート２００の構造を示す断面図である。 測定装置３００全体の構造と、測定装置３００におけるプレパラート２００の配置を模式的に示す図である。 測定装置３００の光学系３３０におけるプレパラート２００に対するテラヘルツ波の入射角αの定義を説明する図である。 テラヘルツ波の入射角αの変化に応じた、プレパラート２００の周波数特性の変化を示すグラフである。 他の実施例に係る測定装置３０２における光学系３７０の構造を模式的に示す図である。 測定装置３０２において測定した透過率の周波数特性を、平行光束の場合と比較して示すグラフである。 被測定物２１０の有無による周波数特性のピークおよびディップの変移を示すグラフである。 被測定物２１０の変化による透過率の周波数特性のピークおよびディップの変移を示すグラフである。 更に他の実施例に係る測定装置３０４における光学系３８０の構造を模式的に示す図である。 図１０に示す測定装置３０４において使用される複合レンズ３８２、３８４の形状を示す斜視図である。
符号の説明
１００ 支持部材、１１０ 空隙配置構造体、１１２ 空隙、１２０ 支持膜、２００、２０１、２０３ プレパラート、２１０ 被測定物、３００、３０２、３０４ 測定装置、３１０ 電磁波照射部、３２０ 電磁波検出部、３３０、３７０、３８０ 光学系、３３２、３３４ コリメートレンズ、３４０ 照射制御部、３５０ 解析処理部、３６０ 表示部、３７２、３７４ 集光レンズ、３８１ 水平コリメート部、３８２、３８４ 複合レンズ、３８３ 垂直集光部

Claims (6)

  1. 平面上に導体により包囲された空隙領域を有する空隙配置構造体と、
    前記空隙配置構造体の前記平面上に保持された被測定物に向かって電磁波を照射する電磁波照射部と、
    前記電磁波照射部から前記空隙配置構造体に向かって投射され、前記空隙配置構造体を透過した電磁波を測定する電磁波検出部と
    を備え、前記空隙領域および被測定物を含む空間を透過した電磁波を測定することにより前記被測定物の特性を測定する測定装置であって、
    前記電磁波照射部から前記空隙配置構造体に向かって投射される電磁波が、前記空隙領域を含む平面に対して傾斜して入射され、前記傾斜により測定値の周波数特性に生じたディップ波形の位置が、被測定物の存在により移動することに基づいて前記被測定物の特性を検出する測定装置。
  2. 前記被測定物を保持した前記空隙配置構造体は、前記電磁波照射部および前記電磁波検出部の間において、前記電磁波照射部および前記電磁波検出部を結ぶ直線に対して前記空隙領域を含む平面が傾斜するように配置される請求項１に記載の測定装置。
  3. 前記被測定物を保持した前記空隙配置構造体は、前記電磁波照射部および前記電磁波検出部の間において、前記電磁波照射部および前記電磁波検出部を結ぶ直線に対して前記空隙領域を含む平面が直交するように配置され、前記電磁波照射部から投射された電磁波は前記直線の上の１点に向かって収束される請求項１に記載の測定装置。
  4. 前記被測定物を保持した前記空隙配置構造体は、前記電磁波照射部および前記電磁波検出部の間において、前記電磁波照射部および前記電磁波検出部を結ぶ直線に対して前記空隙領域を含む平面が直交するように配置され、前記電磁波照射部から投射された電磁波は、前記直線の上のひとつの点を含み、且つ、前記直線と直交する直線に対して収束する請求項１に記載の測定装置。
  5. 前記電磁波が、２０ＧＨｚから１２０ＴＨｚの周波数を有するテラヘルツ波である請求項１に記載の測定装置。
  6. 平面上に導体により包囲された空隙領域を有する空隙配置構造体と、
    前記空隙配置構造体の前記平面上に保持された被測定物に向かって電磁波を照射する電磁波照射部と、
    前記電磁波照射部から前記空隙配置構造体に向かって投射され、前記空隙配置構造体を透過した電磁波を測定する電磁波検出部と
    を用い、前記空隙領域を含む平面に対して前記電磁波照射部から前記空隙配置構造体に傾斜して入射する電磁波を投射し、前記傾斜により測定値の周波数特性に生じたディップ波形の位置が、被測定物の存在により移動することに基づいて前記被測定物の特性を検出する測定方法。
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