JP2008181497A - ページデータを保存するための方法と装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ローカルバックアップデータを提供するために不揮発性メモリの第1ブロックの第1ターゲットページに成功的にプログラムされた第1データをバックアップする段階と、第1ターゲットページでの第2データのプログラミングの成敗を決定する段階と、ローカルバックアップデータを不揮発性メモリの第2ブロックの第2ターゲットページにプログラミングする段階と、を含む不揮発性メモリの動作方法を提供する。
【選択図】図2
Description
50:ページバッファ 60:バックアップバッファ
120、220:コントローラ 221:プロセッサ
223:第1揮発性メモリ 225:第2揮発性メモリ
410:スロット(または、接続部) 420:インターフェース
430:電子回路
Claims (20)
- ローカルバックアップデータを提供するために不揮発性メモリの第1ブロックの第1ターゲットページに成功的にプログラムされた第1データをバックアップする段階と、
前記第1ターゲットページでの第2データのプログラミングの成敗を決定する段階と、
前記ローカルバックアップデータを前記不揮発性メモリの第2ブロックの第2ターゲットページにプログラミングする段階と、を含むことを特徴とする不揮発性メモリの動作方法。 - 前記不揮発性メモリの動作方法は、
前記ローカルバックアップデータを前記第2ターゲットページにプログラミングする段階と、
前記第2データを前記第2ターゲットページにプログラミングする段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリの動作方法。 - 前記ローカルバックアップデータを提供するために不揮発性メモリの第1ブロックの第1ターゲットページに成功的にプログラムされた第1データをバックアップする段階は、
検証された第1データを提供するために、前記第1ターゲットページにプログラムされた前記第1データを読出す段階と、
前記検証された第1データを前記ローカルバックアップデータとして保存する段階と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリの動作方法。 - 前記ローカルバックアップデータを提供するために不揮発性メモリの第1ブロックの第1ターゲットページに成功的にプログラムされた第1データをバックアップする段階は、
前記ローカルバックアップデータを提供するために、前記第1データを保存する段階と、
検証された第1データを提供するために、前記第1ターゲットページにプログラムされた前記第1データを読出す段階と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリの動作方法。 - 前記検証された第1データを前記ローカルバックアップデータとして保存する段階は、データパイプラインのページバッファから不揮発性メモリに、前記検証された第1データをアップストリームに配置される揮発性メモリ内の前記ローカルバックアップデータとして保存する段階を含むことを特徴とする請求項3に記載の不揮発性メモリの動作方法。
- 前記揮発性メモリは、前記データパイプラインのライトバッファからアップストリームに配置されることを特徴とする請求項5に記載の不揮発性メモリの動作方法。
- 前記検証された第1データを前記ローカルバックアップデータとして保存する段階は、データパイプラインのページバッファと並列している不揮発性メモリコントローラから不揮発性メモリに、前記検証された第1データをダウンストリームに配置されるバックアップバッファ内の前記ローカルバックアップデータとして保存することを特徴とする請求項3に記載の不揮発性メモリの動作方法。
- 前記ローカルバックアップデータをプログラミングする段階は、ページバッファから、前記ページバッファへの前記ローカルバックアップデータの伝送なしに、前記ローカルバックアップデータを前記第2ターゲットページにプログラミングし、
前記第2データをプログラミングする段階は、前記ページバッファから分離されて制御される構造を有する前記ページバッファから、前記第2データを前記第2ターゲットページにプログラミングすることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリの動作方法。 - 前記ローカルバックアップデータをプログラミングする段階は、ページバッファを通じて第1揮発性メモリから前記ローカルバックアップデータを前記第2ターゲットページにプログラミングし、
前記第2データをプログラミングする段階は、前記ページバッファを通じて第2揮発性メモリから前記第2データを前記第2ターゲットページにプログラムすることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリの動作方法。 - 前記第1揮発性メモリと前記第2揮発性メモリのそれぞれは、SRAMであることを特徴とする請求項9に記載の不揮発性メモリの動作方法。
- 不揮発性メモリの1次的なターゲットページへの後続して受信された第2データのプログラミングが失敗したと決定した後で、前記1次的なターゲットページに以前にプログラムされたローカルバックアップデータとして保存された第1データを前記不揮発性メモリの代替ターゲットページにプログラミングする段階を含むことを特徴とする不揮発性メモリの動作方法。
- ホストにデータの再伝送を要請せずに、前記ホストから受信された検証されたデータを不揮発性メモリのページに再プログラミングする段階を含むことを特徴とする不揮発性メモリの動作方法。
- ローカルバックアップデータを提供するために不揮発性メモリの1次的なターゲットページに成功的にプログラムされた第1データを保存し、前記第1データに後続して受信された第2データの前記1次的なターゲットページへのプログラムの失敗に応答して、前記ローカルバックアップデータを前記不揮発性メモリの2次的なターゲットページにプログラミングするために、前記ローカルバックアップデータを提供するように構成されるローカルバックアップバッファを含むことを特徴とする不揮発性メモリ。
- 前記不揮発性メモリは、
ホストから第1データを受信した後、第2データを受信するように構成される不揮発性メモリコントローラと、
前記不揮発性メモリコントローラと接続され、プログラミングのために前記第1データと前記第2データとを前記不揮発性メモリに提供するように構成されるデータパイプラインと、を含み、
前記データパイプラインは、
前記不揮発性メモリコントローラと接続され、前記不揮発性メモリコントローラから前記第1データと前記第2データとを受信するように構成されるライトバッファと、
前記ライトバッファと接続され、前記ライトバッファから前記データパイプラインのダウンストリームに配置され、前記不揮発性メモリと接続されるページバッファと、を含み、
前記ローカルバックアップバッファは、前記データパイプラインで前記ページバッファと並列に配置されることを特徴とする請求項13に記載の不揮発性メモリ。 - 前記不揮発性メモリは、
ホストから前記第1データと前記第2データとを受信するように構成される不揮発性メモリコントローラと、
前記不揮発性メモリコントローラと接続され、プログラミングのために前記不揮発性メモリに前記第1データと前記第2データとを提供するように構成されるデータパイプラインと、を含み、
前記データパイプラインは、
前記不揮発性メモリコントローラから前記第1データと前記第2データとを受信するように構成される第1揮発性メモリと、
前記第1揮発性メモリから前記データパイプラインのダウンストリームに配置され、前記第1揮発性メモリから前記第1データと前記第2データとを受信するように構成されるライトバッファと、
前記ライトバッファから前記データパイプラインのダウンストリームに配置され、前記不揮発性メモリと接続されるページバッファと、
前記ページバッファの入力と接続され、前記ローカルバックアップデータを提供するように構成される第2揮発性メモリと、をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の不揮発性メモリ。 - 前記第1揮発性メモリ及び前記第2揮発性メモリのそれぞれは、前記不揮発性メモリコントローラに含まれた第1SRAM及び第2SRAMであることを特徴とする請求項15に記載の不揮発性メモリ。
- 前記第2揮発性メモリは、前記1次的なターゲットページへの前記第1データの成功的なプログラミング検証に応答して、前記ローカルバックアップデータを提供するために前記第1データを保存するように構成されることを特徴とする請求項15に記載の不揮発性メモリ。
- 前記ローカルバックアップバッファは、前記1次的なターゲットページへの前記第1データの成功的なプログラミング検証に応答して、前記ローカルバックアップデータを提供するために前記第1データを保存するように構成されることを特徴とする請求項14に記載の不揮発性メモリ。
- 第1ページと第2ページとを含む不揮発性メモリと、
コントローラと、を含み、
前記コントローラは、
第1揮発性メモリと、
第2揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリの前記第1ページにプログラミングするためにホストから受信された現在のページデータを前記第1揮発性メモリに受信して保存し、前記不揮発性メモリの前記第1ページにプログラミングされた以前のページデータを受信して、前記第2揮発性メモリにバックアップするように構成されるプロセッサと、を含むことを特徴とする不揮発性メモリシステム。 - メモリカードを含むシステムにおいて、
第1ページと第2ページとを含む不揮発性メモリと、
コントローラと、を含み、
前記コントローラは、
第1揮発性メモリと、
第2揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリの前記第1ページにプログラミングするためにホストから受信された現在のページデータを前記第1揮発性メモリに受信して保存し、前記不揮発性メモリの前記第1ページにプログラミングされた以前のページデータを受信して、前記第2揮発性メモリにバックアップするように構成されるプロセッサと、
カードインターフェースと、
前記カードインターフェースと接続されるスロットと、を含み、
前記メモリカードは、前記スロットに着脱可能であることを特徴とするメモリカードを含むシステム。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011048725A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Panasonic Corp | 不揮発性記憶装置および不揮発性メモリコントローラ |
JP2011243193A (ja) * | 2010-05-13 | 2011-12-01 | Micron Technology Inc | プログラムフェイル後のアクセス可能な情報を持つメモリバッファ |
JP2018506109A (ja) * | 2014-12-24 | 2018-03-01 | ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド | データ読出方法及び装置 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8832353B2 (en) * | 2009-04-07 | 2014-09-09 | Sandisk Technologies Inc. | Host stop-transmission handling |
CN101872644A (zh) * | 2009-04-24 | 2010-10-27 | 威刚科技(苏州)有限公司 | 电子存储装置及其存储方法 |
KR101594030B1 (ko) * | 2009-05-13 | 2016-02-29 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법 |
TWI416523B (zh) * | 2009-06-10 | 2013-11-21 | Silicon Motion Inc | 非揮發性記憶體之寫入錯誤管理方法、非揮發性記憶體、記憶卡、以及非揮發性記憶體之控制器 |
US8307241B2 (en) * | 2009-06-16 | 2012-11-06 | Sandisk Technologies Inc. | Data recovery in multi-level cell nonvolatile memory |
US8132045B2 (en) * | 2009-06-16 | 2012-03-06 | SanDisk Technologies, Inc. | Program failure handling in nonvolatile memory |
KR20110119406A (ko) * | 2010-04-27 | 2011-11-02 | 삼성전자주식회사 | 동작 모드 전환기능을 갖는 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 동작 모드 전환방법 |
US20120137093A1 (en) * | 2010-11-30 | 2012-05-31 | Micron Technology, Inc. | Reliable write for non-volatile memory |
KR101847976B1 (ko) * | 2011-11-03 | 2018-04-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 시스템 |
US20130205066A1 (en) * | 2012-02-03 | 2013-08-08 | Sandisk Technologies Inc. | Enhanced write abort management in flash memory |
KR102024850B1 (ko) | 2012-08-08 | 2019-11-05 | 삼성전자주식회사 | 3차원 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템 및 그것의 프로그램 방법 |
CN103853629A (zh) * | 2012-11-29 | 2014-06-11 | 艺伦半导体技术股份有限公司 | 数据流存储方法及现场可编程门阵列 |
KR102002826B1 (ko) | 2012-12-04 | 2019-07-23 | 삼성전자 주식회사 | 저장 장치, 플래시 메모리 및 저장 장치의 동작 방법 |
US9037902B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-05-19 | Sandisk Technologies Inc. | Flash memory techniques for recovering from write interrupt resulting from voltage fault |
KR102102171B1 (ko) * | 2013-04-05 | 2020-05-29 | 삼성전자 주식회사 | 멀티 레벨 셀 메모리 시스템 |
KR102310580B1 (ko) * | 2014-10-24 | 2021-10-13 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법 |
WO2016204789A1 (en) * | 2015-06-19 | 2016-12-22 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Handling errors during run time backups |
KR20170008339A (ko) * | 2015-07-13 | 2017-01-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법 |
CN113220602B (zh) * | 2018-10-09 | 2023-08-08 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种闪存器的数据写入方法及闪存器 |
KR20210017109A (ko) | 2019-08-07 | 2021-02-17 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001325796A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-11-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US20050195653A1 (en) * | 2000-12-28 | 2005-09-08 | Conley Kevin M. | Novel method and structure for efficient data verification operation for non-volatile memories |
JP2006221743A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Toshiba Corp | 記憶システムと半導体記憶装置の書き込み方法 |
US20060198202A1 (en) * | 2005-02-18 | 2006-09-07 | M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. | Flash memory backup system and method |
WO2006120686A2 (en) * | 2005-05-12 | 2006-11-16 | Sandisk Il Ltd. | Flash memory management method that is resistant to data corruption by power loss |
JP2006318366A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びデータ書き込み方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3737528B2 (ja) * | 1993-06-30 | 2006-01-18 | インテル・コーポレーション | フラッシュ・メモリ・デバイス、それのページ・バッファー資源の割り当てをする方法および回路 |
KR100393595B1 (ko) * | 2001-08-27 | 2003-08-02 | 엘지전자 주식회사 | 메모리 프로그래밍 시스템 및 그 방법 |
US6836432B1 (en) | 2002-02-11 | 2004-12-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Partial page programming of multi level flash |
US6871257B2 (en) | 2002-02-22 | 2005-03-22 | Sandisk Corporation | Pipelined parallel programming operation in a non-volatile memory system |
JP4237648B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2009-03-11 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7298648B2 (en) | 2004-11-19 | 2007-11-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Page buffer and multi-state nonvolatile memory device including the same |
US7420847B2 (en) * | 2004-12-14 | 2008-09-02 | Sandisk Corporation | Multi-state memory having data recovery after program fail |
JP2006309829A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Nec Electronics Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法 |
KR100845526B1 (ko) * | 2006-10-19 | 2008-07-10 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리를 포함한 메모리 시스템 및 그것의 프로그램방법 |
-
2007
- 2007-01-23 KR KR1020070006961A patent/KR100877610B1/ko active IP Right Grant
- 2007-10-19 US US11/875,317 patent/US7873778B2/en active Active
- 2007-12-19 JP JP2007327907A patent/JP5399626B2/ja active Active
- 2007-12-29 CN CN2007103035695A patent/CN101256525B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001325796A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-11-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US20050195653A1 (en) * | 2000-12-28 | 2005-09-08 | Conley Kevin M. | Novel method and structure for efficient data verification operation for non-volatile memories |
JP2006221743A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Toshiba Corp | 記憶システムと半導体記憶装置の書き込み方法 |
US20060198202A1 (en) * | 2005-02-18 | 2006-09-07 | M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. | Flash memory backup system and method |
WO2006120686A2 (en) * | 2005-05-12 | 2006-11-16 | Sandisk Il Ltd. | Flash memory management method that is resistant to data corruption by power loss |
JP2006318366A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びデータ書き込み方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011048725A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Panasonic Corp | 不揮発性記憶装置および不揮発性メモリコントローラ |
JP2011243193A (ja) * | 2010-05-13 | 2011-12-01 | Micron Technology Inc | プログラムフェイル後のアクセス可能な情報を持つメモリバッファ |
KR101337812B1 (ko) * | 2010-05-13 | 2013-12-06 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 프로그램 실패 후에 액세스 가능한 정보를 갖는 메모리 버퍼 |
US9208901B2 (en) | 2010-05-13 | 2015-12-08 | Micron Technology, Inc. | Memory buffer having accessible information after a program-fail |
JP2018506109A (ja) * | 2014-12-24 | 2018-03-01 | ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド | データ読出方法及び装置 |
US10261906B2 (en) | 2014-12-24 | 2019-04-16 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Data accessing method and apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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CN101256525B (zh) | 2013-03-06 |
KR100877610B1 (ko) | 2009-01-09 |
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US20080175065A1 (en) | 2008-07-24 |
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