JP2008181103A - 光走査装置及びそれを備えた画像形成装置 - Google Patents

光走査装置及びそれを備えた画像形成装置 Download PDF

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Abstract

【課題】 光源から出射される光束を効率的に利用して高精度な光量制御を行うことができる光走査装置及びそれを有する画像形成装置を提供する。
【解決手段】 光走査装置は、面発光型のレーザダイオードと、レーザダイオードから出射された光束を略平行光束へと変換するコリメータレンズと、コリメータレンズによって変換された略平行光束を所望の形状に整形する絞り部材と、光束を走査するポリゴンミラーと、該絞り部材とポリゴンミラーとの間の光路中に設けられ、前記光源から出射された光束を電圧印加により偏向する電気光学結晶構造体と、電気光学結晶構造体により偏向された光束の光量を検知する光量検知センサと、光量検知センサから得られる検知光量と基準電圧に対応する光量との比較を繰り返しながら、レーザダイオードから出射される光束の光量を制御する光量制御部とを備える。
【選択図】 図1

Description

本発明は、複写機やプリンタ等の画像形成装置に設けられる光走査装置及びそれを備えた画像形成装置に関する。
電子写真方式の画像形成装置が備える光走査装置は、入力された画像データに応じて半導体レーザを駆動し、その画像データに応じた静電潜像を感光体上に形成している。より一層の高速化および高解像度化を図るためには、次の方法がある。1つは、半導体レーザから出射されたレーザビームを感光体上に走査するポリゴンミラーをより高速で回転させることである。もう1つは、レーザビームを出射する半導体レーザの発光点をさらに増加させて、感光体上を同時に走査するレーザビームの数を増加させる必要がある。
しかし、ポリゴンミラーをより高速で回転させるには、発熱や騒音、およびミラーそのものの強度を考慮した場合、限界がある。
そこで、従来用いられてきた端面発光型レーザダイオードから、近年、より多くのレーザビームを出射可能な光源として面発光レーザアレイを用いる構成が製品化されてきている。この面発光レーザアレイは、VCSEL(Vertical Cavity-Surface Emitting Laser)として知られている。
ところで、半導体レーザの光出力特性は周囲の温度の変化に敏感なため、一定電流で駆動していても周囲の温度変化又は自己発熱等により、光出力は大きく変動してしまう。この光出力の温度依存性に対応するために、端面発光型レーザダイオードの場合は、次のような制御を行なう。すなわち、半導体レーザのパッケージ内には一般にモニタダイオードと呼ばれるフォトダイオードが組み込まれており、これにより、半導体レーザのバック光の光出力をモニタして駆動電流を制御し、光出力を一定に保つことができるようにしている。このようなフィードバック機構を持つ半導体レーザのレーザ光量制御を行う駆動回路をAPC(Auto Power Control)回路(自動光出力制御回路)と呼んでいる。
一方、VCSELはその構造上、一方向にしか発光しないため、端面発光型レーザダイオードのようにバック光の光出力をモニタしてAPCを行うことができない。
そこで、特許文献1では、図12に示すように、光源151とポリゴンミラー152とを結ぶ光路の間に配置されたハーフミラー153を用いて、光源151から感光体154に向かうレーザビームの一部を分離する。そして、分離したレーザビームをフォトダイオード(以下、「PD」という)155に導いて、光量を検知する構成が提案されている。
また、特許文献2では、感光体の長手方向である主走査方向におけるレーザビームの書き出し基準となる同期信号を検知するBDセンサを用いて、光量制御を行う構成が提案されている。
特開2003−215485号公報 特開平9−230259号公報
しかしながら、上記説明したような画像形成装置の構成では、バック光ではなく、光源から感光体に向かうレーザビームの光量を計測してレーザ光量制御を行う場合に、以下の問題があった。
すなわち、VCSELから出射されたレーザビームをハーフミラーで分離して光量検知を行う構成では、感光体を走査する光量が分離によって半減してしまう。このためVCSELは構造的にレーザ共振器長が短く最大出力も小さいという弱点があるため、感光体を走査するための十分な光量が得られない可能性がある。
また、この構成の場合、APCを行うための発光をしている間に分離した残りのレーザビームが感光体を走査しないように、レーザビームが感光体を走査しない非走査領域内でAPCを行わなければならないという制約もある。これは、APC用発光によって感光体に潜像が形成されてしまうと、現像時に画像が形成される位置以外の意図しない位置にトナーが載ってしまい。従って、出力紙の端部汚れや感光体のクリーニング不良等が発生する恐れがあるためである。
また、BDセンサを用いる構成の場合、ポリゴンミラーによって反射される走査光を用いて光量検知を行うため、BDセンサにレーザビームが入射する時間が極めて短く、高精度に光量検知を行うための十分な光量が得られない可能性があるという問題がある。
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、光源から出射される光束を効率的に利用して高精度な光量制御を行うことができる光走査装置及びそれを備えた画像形成装置を提供する。
かかる課題を解決するために、本発明の光走査装置は、光束を出射する光源と、前記光源から出射された光束を偏向して、偏向した光束で像担持体を走査する光走査手段と、前記光源と前記光走査手段との間の光路中に設けられ、前記光源から出射された光束を電圧印加により偏向する電気光学結晶構造体と、前記電気光学結晶構造体により偏向された光束の光量を検知する、少なくとも1つの光量検知手段と、前記光量検知手段の検知結果に基づいて、前記光源から出射される光束の光量を制御する光量制御手段とを備えることを特徴とする。
ここで、前記電気光学結晶構造体は、電圧印加により屈折率が変化する特性を有する電気光学結晶からなり、前記光量検知手段は、前記電気光学結晶に電圧が印加された場合に光束の光量を検知する。また、前記電気光学結晶構造体は、電圧印加により屈折率が変化する特性を有する電気光学結晶からなり、前記電気光学結晶に印加される電圧を制御する電圧制御手段を更に備える。また、前記電圧制御手段は、前記電気光学結晶に取り付けられた一対の電極部を有し、前記一対の電極部は、前記電気光学結晶の内部に、前記電気光学結晶を通過する光束の進路方向に対して垂直方向の電界を形成する。また、前記電気光学結晶は、カリウム、タンタル、ニオブおよび酸素から成る。また、前記光源は、面発光型レーザダイオードである。また、前記光源から出射された光束を略平行光束へと変換する第1のレンズ部材と、前記第1のレンズ部材により変換された略平行光束を所定の形状に整形する絞り部材と、前記絞り部材により整形された光束に副走査方向への変化を与えると共に、該光束を前記電気光学結晶に入射させる第2のレンズ部材とを備える。
また、本発明の画像形成装置は、上記光走査装置を備えた画像形成装置であって、前記光源の発光および消灯と、前記電圧制御手段による前記電気光学結晶に印加される電圧とを制御するための画像処理手段を備え、前記画像処理手段は、主走査方向の光束の走査に従って、前記光源の発光を開始後、BD信号検知により前記光源を消灯して、前記電圧制御部により前記電気光学結晶に所定電圧を印加させ、前記光源を発光させて、前記光量制御手段による光量制御を開始させ、前記光量制御が終了すると前記光源を消灯して、前記電圧制御部による前記電気光学結晶への所定電圧の印加を停止し、前記光源を発光させて、前記光走査手段により光束で像担持体を走査させることを特徴とする。
また、本発明の光走査装置は、複数の発光点を有して複数の光束を出射する光源と、前記光源から出射された複数の光束を走査する光走査手段と、前記光源と前記光走査手段との間の光路中に設けられ、前記光源から出射された複数の光束を電圧印加により偏向する電気光学結晶構造体と、前記電気光学結晶構造体により異なる方向に偏向された複数の光束の光量を検知する複数の光量検知手段と、前記複数の光量検知手段の検知結果に基づいて、前記光源から出射される複数の光束の光量を制御する光量制御手段とを備え、前記電気光学結晶構造体は、前記光源の各発光点に応じて異なる電圧印加により、前記複数の発光点から出射される複数の光束を夫々異なる光量検知手段に入射させ、前記光量制御手段は、第1の光量検知手段の検知結果に基づいて第1の光束の光量を制御し、第2の光量検知手段の検知結果に基づいて第2の光束の光量を制御することを特徴とする。ここで、前記電気光学結晶構造体は、電圧印加により屈折率が変化する特性を有する電気光学結晶からなり、前記電気光学結晶に印加される異なる電圧を制御する電圧制御手段を更に備える。
また、本発明の画像形成装置は、光走査装置を備えた画像形成装置であって、前記光源の発光および消灯と、前記電圧制御手段による前記電気光学結晶に印加される電圧とを制御するための画像処理手段を備え、前記画像処理手段は、主走査方向の光束の走査に従って、前記光源の第1の発光点からの発光を開始後、BD信号検知により前記光源の第1の発光点を消灯して、前記電圧制御手段により前記電気光学結晶に第1の電圧を印加させ、前記光源の第1の発光点から発光させて、前記光量制御手段による第1の発光点からの光束の光量制御を開始させ、前記光量制御が終了すると前記光源の第1の発光点を消灯して、前記電圧制御部により前記電気光学結晶に第2の電圧を印加させ、前記光源の第2の発光点から発光させて、前記光量制御手段による第2の発光点からの光束の光量制御を開始させ、前記光量制御が終了すると前記光源の第2の発光点を消灯して、前記電圧制御部による前記電気光学結晶への電圧の印加を停止し、前記光源の複数の発光点を発光させて、前記光走査手段により複数の光束で像担持体を走査させることを特徴とする。
本発明により、光源から出射される光束を効率的に利用して高精度な光量制御を行うことができる光走査装置及びそれを備えた画像形成装置を提供でる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳述する。
<本実施形態の光走査装置の第1構成例>
図1は、本発明の第1の実施形態に係る光走査装置であるレーザ走査装置の構成を概略的に示す平面図である。
図1において、レーザ走査装置100は、面発光型のレーザダイオード(光源の相当)1と、レーザダイオード1から出射された光束(レーザ光)を略平行光束へと変換するコリメータレンズ2(第1のレンズ部材に相当)とを備える。また、コリメータレンズ2によって変換された略平行光束を所望の形状に整形する絞り部材3を備える。また、絞り部材3によって整形された光束に副走査方向への変化を与えると共に、該光束を後述の電気光学結晶21に入射させるシリンドリカルレンズ4(第2のレンズ部材に相当)を備える。また、光束を走査するポリゴンミラー5(光走査手段に相当)と、該絞り部材3とポリゴンミラー5との間の光路中に設けられ、前記光源から出射された光束を電圧印加により主走査方向に偏向する電気光学結晶構造体12とを備える。また、電気光学結晶構造体12により主走査方向に偏向された光束の光量を検知する光量検知センサ13(光量検知手段に相当)と、ポリゴンミラー5によって走査された光束を像担持体である感光ドラム8上に結像するfθレンズ6,7とを備える。
光量検知センサ13は、ポリゴンミラー5より上流に設けられている。これにより、ポリゴンミラー5で走査される光束ではなく静止光束を用いて光束のAPCを行うことができる。
感光ドラム8上への画像形成期間には、次のように光束が導かれる。レーザダイオード1から出射された光束は、コリメータレンズ2を通過して略平行光束へと変換される。その後、変換された略平行光束を所望の形状に整形する絞り部材3および光束の副走査方向にのみ変化を与えるシリンドリカルレンズ4を通過して、ポリゴンミラー5上に入射されて偏向走査される。そして、ポリゴンミラー5によって偏向走査された光束は、fθレンズ6,7を通って感光ドラム8上にスポット状に結像して潜像を形成する。
BDセンサ11は、感光体ドラム8の主走査方向の書き込み基準となる水平同期(BD)信号を検出する。画像形成領域に先立つ書き出し側の光束が、BDレンズ9を通過して集光されながらBDミラー10によって折り返されて、BDセンサ11に入射する。
(電気光学結晶構造体12の構成例)
図2は、図1における電気光学結晶構造体12の構成を概略的に示す斜視図である。
図2に示すように、電気光学結晶構造体12は、光束の入射面21aおよび出射面21bを有する直方体形状の電気光学結晶(以下、「EO結晶」という)21を備える。また、主走査方向に対して直角をなす両端面に取り付けられた一対の電極22a,22b(電極部に相当)と、一対の電極22a,22b間に電圧を印加する不図示の電源とを備える。
電極22a,22bは比較的細い電極幅d、長さLにて直線短冊形状に形成されたものである。電極22a,22bの材料は例えばAuが使用されるが、他の導電性材料であってもよい。製法は真空蒸着法による。一対の電極22a,22bは、EO結晶21の内部に、EO結晶21内を通過する光束の進路方向に対して垂直方向(図2の主走査方向)の電界を形成する。
電極22a,22bに電圧を印加しない状態では、EO結晶21はレンズ作用を持たず、入射面21aに入射された入射ビームは、そのまま出射面21bからポリゴンミラー5へ向けて出射される(実線で示す出射光束)。
一対の電極22a,22bに最大5〜10kVの電圧を印加して、電気光学結晶21内に電界を発生させることにより電界分布が生じ、ms〜ns単位の時間内に光束を主走査方向に十数度、例えば12度偏向する(破線で示す出射光束)。電気光学結晶構造体12は、この高速かつ広角な電気光学効果により、非画像形成期間に光束を光量検知センサ13に導く。
ここで、電気光学結晶とは、電圧を印加することにより屈折率が変化する特性を有する結晶である。EO結晶21は、カリウム,タンタル,ニオブおよび酸素から成る電気光学結晶で形成されている。例えば、KTN(KTaNbO3 :タンタル酸ニオブ酸カリウム、KTa1-xNbxO3)結晶等である。KTN結晶は、通常の光学ガラス同様に扱うことが可能であり、良好な加工性を有して切削や研磨加工での表面精度の確保が容易である。また、KTN結晶の光線の透過率については、レーザの波長である赤外から可視光全域に至るまで1mあたり95%以上の内部透過率を示し、複屈折も小さい。さらに、KTN結晶の吸水率は、通常のガラス以下であって、樹脂などに対して極端に小さい。
また、KTN結晶は、内部に電界を作用させることで内部の屈折率が変化することが知られている。KTN結晶の両端に電極を設置(一方に電圧=V、他方に電圧=0)して内部に電界を発生させた場合には、内部に電界が傾斜して分布することにより屈折率もその影響で傾斜して分布することになり、光が方向を変えながら進むことが判っている。KTN結晶は、高速かつ広角走査が可能という特徴がある。
EO結晶21は、その両端部に印加する電圧の増大に応じて、EO結晶21内を通過する光束の進路がその電界方向に大きく偏向される。
本発明では、この現象を利用してレーザビームを透過させる際に進路を変化させるものである。
なお、本実施形態では、光束を光量検知センサ13に導くための走査角(光束の直進方向からの偏向角度)を12度としているが、これに限定されない。なお、入射光束を確実に分離するためには、光量センサよりも小さな折り返しミラーを使ったとしても、EO結晶には少なくとも3度以上の走査角が必要である。
<光走査装置を備える画像形成装置の構成例>
図3は、図1のレーザ走査装置を備える画像形成装置の構成を概略的に示すブロック図である。
図3において、画像形成装置200の制御部310には、画像処理部311およびポリゴンモータ制御部314が含まれる。また、レーザ走査装置100には、レーザダイオード1、レーザダイオード1の光量を検知するための光量検知センサ13、BDセンサ11、レーザ駆動部312が含まれる。また、光量制御部313、EO結晶電圧制御部315、ポリゴンミラー5を回転駆動させるポリゴンモータ324、および電気光学結晶構造体12が含まれる。
画像処理部311(画像処理手段に相当)は、BDセンサ11から得られるBD信号に基づいて、非画像形成領域で光量制御を行う指示を光量制御部313に出力する。光量制御部313(光量制御手段に相当)は、画像処理部311からの指示を受けてレーザダイオード1を発光させる。そして、光量検知センサ13から得られる検知光量と基準電圧に対応する光量との比較を繰り返しながら、レーザダイオード1から出射される光束の光量を所望の光量になるように制御する(APC)。そして、検知光量が規定の値になると、画像処理部311は外部から入力された画像データに基づいて、光束のON/OFFを制御するビデオ信号をレーザ駆動部312に出力する。
なお、本発明は、APCの制御の詳細に関連するものではなく、光量検知センサによる光量検知のための構成と制御に係るものであり、APCの制御内容は詳説しない。
画像処理部311は、レーザダイオード1のAPCが行われる前に、BDセンサ11より得られたBD信号に基づいてEO結晶21に電圧を印可する指示をEO結晶電圧制御部315(電圧制御手段に相当)に送信する。これによりEO結晶21は、この高速かつ広角な電気光学効果により、光束を光量検知センサ13に導く。さらに、画像処理部311は、APC終了のタイミングでEO結晶21への電圧印加を停止する指示をEO結晶電圧制御部315に送信する。これによりEO結晶21はレンズ作用を持たず、入射ビームはEO結晶21で偏向されずそのままポリゴンミラー5へ向けて出射される。
<本実施形態の光走査装置の動作例>
図4は、主走査方向の1ラインの走査における光束のAPCを説明するフローチャートである。
図4において、ユーザが操作部からコピーボタンを押すか、又はPC等の外部機器から送信されるプリント指示を受ける。すると、ポリゴンミラー5が一定速度で回転する状態になったら、主走査方向の発光タイミングを制御するための基準として、レーザダイオード1から光束を発光させて(ステップS401)、BDセンサ11によりBD信号を検知する(ステップS402)。
次に、発光の開始後、BD信号検知すると光束を消灯し(ステップS403)、電気光学結晶構造体12の一対の電極22a,22b間に所定電圧を印加する。これにより、EO結晶21に電圧が印加される(ステップS404)。
EO結晶21への電圧印加を保持しつつ光束を発光させる(ステップS405)。EO結晶21内に発生する電界を制御して光束を主走査方向に約12度偏向させ、該光束を光量検知センサ13に入射させる。そして、光量検知センサ13により検知された光束の光量に基づいてAPCを行う(ステップS406)。
APCが終了すると、光束を消灯して(ステップS407)、EO結晶21への電圧印加を停止する(ステップS408)。EO結晶21への電圧印加を停止すると、レーザダイオード1から発光される光束の進路は、光量検知センサ13へ向かう方向からポリゴンミラー5へ向かう方向に戻る。
その後、APCによって光量制御された光束にて、感光ドラム8上の走査および潜像形成を行う(ステップS409)。全画像データの走査が終了したか否かを判別し(ステップS410)、全画像データの走査が終了していない場合はステップS401に戻り、全画像データの走査が終了している場合は、本処理を終了する。
図5は、本実施形態の1ラインの走査における、BD信号のON/OFFタイミングと、レーザ光のON/OFFタイミングと、EO結晶への電圧印加のON/OFFタイミングとの関係を説明する図である。
図5に示すように、レーザ光は、BDセンサ11に光束が入射する直前の位相から発光を開始し、BD信号検知と同時に消灯する。EO結晶電圧制御部315からEO結晶21への電圧印加が行われると、光量制御部313によりレーザダイオード1のAPCを行う。APCが終わって光量が決定されると、EO結晶21への電圧印加を停止し、APCにより決定された光量を有する光束にて潜像形成を行う。
この動作を、感光体の主走査方向への1ライン走査毎(ポリゴンミラーの各面ごとの走査毎)に繰り返し行う。すなわち、主走査方向の1ラインの画像形成の開始前に必ず光量制御が実施される。
(第1の実施形態の効果)
本実施の形態によれば、電気光学結晶構造体12がレーザダイオード1とポリゴンミラー5との間の光路中に設けられると共に、レーザダイオード1から出射された光束を電圧印加により主走査方向に偏向する。そして、光量検知センサ13が主走査方向に偏向された光束の光量を検知し、光量制御部313が光量検知センサ13の検知結果に基づいて、レーザダイオード1から出射する光束の光量を制御する。従って、途中で光束を分岐させることなく光束の光量調整を行うことができ、もってレーザダイオード1から出射される光束を効率よく利用して高精度なAPCを行うことができる。また、従来のようにハーフミラーなどによって、光源から出射された光束を分離するのではなく、全光束を用いてAPCを行うことができる。そのため、VCSEL等の最大出力が小さい光源を用いた場合であっても、光束を効率よく利用して高精度なAPCを行うことができる。
電気光学結晶構造体12としてKTN結晶を使用することで、KTN結晶の光線の透過率がレーザの波長である赤外から可視光全域に至るまで1mあたり95%以上の内部透過率を示し、複屈折も小さいので、高精度なAPCを行うことができる。
また、光量検知センサ13をポリゴンミラー5より上流に設けているので、VCSEL等の最大出力が小さい光源を用いた場合であっても、光束を効率よく利用して高精度なAPCを行うことができる。
さらに、APC用発光を行う際、全光束が光量検知センサ方向に偏向されて入射しているため、光束分離方式のようにAPC用発光が誤って感光ドラムを走査してしまう恐れがなく、非画像形成領域を最大限に利用してAPCを行うことができる。
本実施形態では、電気光学結晶構造体12は、絞り部材3とポリゴンミラー5との間の光路中に設けられるが、これに限るものではなく、レーザダイオード1と絞り部材3との間の光路中のいずれに設けられてもよい。
<本実施形態の光走査装置の第2構成例>
図6は、本発明の第2の実施形態に係る光走査装置であるレーザ走査装置の構成を概略的に示す平面図である。尚、本第2実施形態は、その構成が上記第1の実施形態と類似であり、同じ構成要素については、同一の符号を付して重複した説明を省略し、以下に異なる部分を説明する。
レーザ走査装置200は、発光点を2つ有するモノリシック型マルチビームレーザダイオード(以下、「MMLD」という)201を備える。また、MMLD201から出射された2つの光束(レーザ光Aおよびレーザ光B)を、電圧印加により互いに異なる方向に偏向する電気光学結晶構造体202を備える。また、前記偏向された各光束の光量を夫々検知する2つの光量検知センサ203a,203bを備える。
ここで、レーザ光Aが第1の光束に相当し、レーザ光Bが第2の光束に相当する。また、図示しないが、レーザ光Aを出射する発光点が第1の発光点に相当し、レーザ光Bを出射する発光点が第2の発光点に相当する。また、レーザ光Aの光量を検知する光量検知センサ203aが第1の光量検知手段に相当し、レーザ光Bの光量を検知する光量検知センサ203bが第2の光量検知手段に相当する。
すなわち、上記第1の実施形態では光量検知センサが1つ設けられているのに対して、本実施形態では、2つの発光点から出射されるマルチビーム(レーザ光AおよびB)に対応した光量検知センサ203aおよび203bが設けられている。2つの発光点より出射した光束は、EO結晶202によって夫々光量検知センサ203aおよび光量検知センサ203bに導かれる。光量制御部313は、光量検知センサ203aの検知結果に基づいてレーザ光Aの光量を制御し、さらに、光量検知センサ203bの検知結果に基づいてレーザ光Bの光量を制御する。
<光走査装置の第2構成例の動作例>
図7は、図6のレーザ走査装置で実行される1ライン走査における、光束のAPCを説明するフローチャートである。
図7において、ユーザが操作部からコピーボタンを押すか、またはPC等の外部機器から送信されるプリント指示を受ける。すると、主走査方向の発光タイミングを制御するための基準として、MMLD201からレーザ光Aを発光させて(ステップS701)、BDセンサ11によりBD信号を検知する(ステップS702)。次に、BD信号検知と同時にレーザ光Aを消灯し(ステップS703)、電気光学結晶構造体12の一対の電極22a,22b間に所定電圧Vaを印加する。すなわち、EO結晶21に電圧Vaが印加される(ステップS704)。この電圧Vaとは、入射光をEO結晶21の電気光学効果によって光量検知センサ203aに導くための設定電圧で、本例では約5〜10kVである。
電圧Vaを保持しつつレーザ光Aを発光させ(ステップS705)、EO結晶21内に発生する電界を制御して光束を主走査方向に約12度偏向し、該光束を光量検知センサ203aに入射させる。そして、光量検知センサ203aにより検知された光束の光量に基づいて、APCを行う(ステップS706)。
レーザ光AのAPCが終了すると、レーザ光Aを消灯して(ステップS707)、EO結晶21への印加電圧を電圧Vbに切り替える(ステップS708)。この電圧Vbとは入射光を光量検知センサ203bに導くための設定電圧で、本実施形態では電圧Vaの約半分である。ここで、電圧Vaが第1の電圧に相当し、電圧Vbが第2の電圧に相当する。
電圧Vbを保持しつつレーザ光Bを発光させ(ステップS709)、EO結晶21内に発生する電界を制御して光束を主走査方向に約6度偏向し、該光束を光量検知センサ203bに入射させる。そして、光量検知センサ203bにより検知された光束の光量に基づいて、APCを行う(ステップS710)。
レーザ光BのAPCが終了すると、レーザ光Bを消灯して(ステップS711)、EO結晶21への電圧印加を停止する(ステップS712)。
EO結晶21への電圧印加を停止すると、MMLD201から発光されるレーザ光A及びBの進路は、光量検知センサ203bへ向かう方向からポリゴンミラー5へ向かう方向に戻る。その後、APCによって光量制御されたレーザ光Aおよびレーザ光Bにて感光ドラム8上の走査および潜像形成を行う(ステップS713)。
全画像データの走査が終了したか否かを判別し(ステップS714)、全画像データの走査が終了していない場合はステップS701に戻り、全画像データの走査が終了している場合は、本処理を終了する。
(光量検知センサが1つの場合の動作例)
図8は、マルチビームに対して光量検知センサが1つしかない場合の、BD信号のON/OFFタイミングと、レーザ光A及びBのON/OFFタイミングと、EO結晶への電圧印加のON/OFFタイミングとの関係を説明する図である。例えば、図6で、光量検知センサ203aあるいは203bの一方のみを設けた場合である。
図8に示すように、光量検知センサが1つしかない場合、レーザ光AのAPCを行った後に、光量検知対象をレーザ光Aからレーザ光Bに切り替える。そのために、一度レーザ光Aを消灯して光量検知センサの電荷を下げてから(図8中に示す消灯区間)、改めてレーザ光Bを発光させる必要がある。
また、EO結晶への電圧印加のON/OFFタイミングも、光量検知対象をレーザ光Aからレーザ光Bに切り替えるために、EO結晶への電圧印加もOFF(図8中に示すOFF区間)する。すなわち、一度レーザ光Aを消灯して光量検知センサの電荷を下げるのにあわせてEO結晶への電圧印加もOFFし、改めてEO結晶への電圧印加をONさせる必要がある。
消灯、OFF区間の必要性は、一般的に、光量検知センサとして用いられるPDセンサでは、電荷が下がるときには図9に示すような立ち下がりカーブを描き、電荷がしきい値を下回るまでのディレイ時間δとして3〜5nsかかる場合があるためである。
(光量検知センサが2つの場合の動作例)
図10は、図6のように、マルチビームに対して光量検知センサが複数設けられた場合における、BD信号のON/OFFタイミングとレーザのON/OFFタイミングとEO結晶への電圧印加のON/OFFタイミングとの関係を説明する図である。
図10に示すように、レーザ光Aおよびレーザ光Bがそれぞれ別々の光量検知センサに入射するため、図8に示すような消灯区間を設ける必要がなく、レーザ光Aの消灯とほぼ同時にレーザ光Bを発光させることが可能である。また、EO結晶への電圧印加のON/OFFタイミングも、レーザ光Aおよびレーザ光Bがそれぞれ別々の光量検知センサに入射させるように切り替えればよい。そのため、図8中に示すOFF区間を設ける必要がなく連続して制御することが可能である。これにより、光量センサが1つしかない構成において必要であった消灯区間分、レーザ光Aおよびレーザ光Bの光量検知時間を増大させることができる。
(第2の実施形態の効果)
本実施形態によれば、電気光学結晶構造体202は、MMLD201の各発光点に応じた電圧印加により、2つの発光点から出射されるレーザ光Aおよびレーザ光Bを夫々光量検知センサ203a,203bに入射させる。光量制御部313は、光量検知センサ203aの検知結果に基づいてレーザ光Aの光量を制御し、次に、光量検知センサ203bの検知結果に基づいてレーザ光Bの光量を制御する。従って、MMLD201から出射される光束を効率よく利用すると共に、十分な光量で更に高精度なAPCを行うことができる。また、レーザ光Aを消灯後すぐにレーザ光Bを発光させることができるため、各レーザ光の光量検知時間を増大させることができる。
さらに、レーザ光Aを消灯後すぐにレーザ光Bを発光させることができるため光量検知時間として割り当てられている所定時間内に、より多くのレーザ光の光量を制御する動作を行うことが可能となる。
本実施形態では、レーザ走査装置200は、発光点を2つ有するMMLD201と、2つの光量検知センサ203a,203bとを備えるが、これに限るものではない。3つ以上の複数の発光点を有するMMLDと、該発光点の数に対応する数の光量検知センサを備えていてもよい。
また、光量検知センサの数は、MMLDの発光点の数より少なくてもよい。例えば、4つの発光点からのレーザ光A〜Dの光量調整を2つの光量検知センサで行うようにしてもよい。つまり、レーザ光Aを光量検知センサ203aに入射させ、レーザ光Aを消灯後すぐにレーザ光Bを発光させて光量検知センサ203bに入射させる。さらに、レーザ光Bを消灯後すぐにレーザ光Cを発光させて再び光量検知センサ203aに入射させ、レーザ光Cを消灯後すぐにレーザ光Dを発光させて光量検知センサ203bに入射させる。このように制御すれば、上述のディレイ時間δを考慮せずに、より少ない光量検知センサの数でより多くの発光点の光量調整を可能とすることができる。
本実施形態では、発光点を2つ有するモノリシックマルチビームを用いているが、これに限るものではなく、2つのレーザダイオードから出射する光束を合成してマルチビームを構成してもよい。面発光レーザアレイ(Vertical Cavity-Surface Emitting Laser(VCSEL))のような、より多発光点を有するものであればより一層の効果が得られる。
<本実施形態の光走査装置の第3構成例>
図11は、本発明の第3の実施形態に係る光走査装置であるレーザ走査装置の構成を概略的に示す平面図である。尚、本第3実施形態は、その構成が上記第1の実施形態と類似であり、同じ構成要素については、同一の符号を付して重複した説明を省略し、以下に異なる部分を説明する。
図11に示すように、レーザ走査装置300は、絞り部材3によって整形された光束に副走査方向への変化を与えると共に、レーザダイオード1から出射された光束を電圧印加により主走査方向に偏向するシリンドリカルレンズ301を備える。かかるシリンドリカルレンズ301が、該絞り部材3とポリゴンミラー5との間の光路中に設けられる。すなわち、シリンドリカルレンズ301は、電気光学結晶で形成され、このシリンドリカルレンズ301に電圧を印加することにより、レーザダイオード1から出射される光束を光量検知センサ13に導き、APCを行う。
(第3の実施形態の効果)
シリンドリカルレンズ301が電気光学結晶で形成される場合、光量検知センサ13に入射する光束がシリンドリカルレンズ301の作用によって副走査方向に絞られるため、光量検知センサ13の形状を小さくすることができる。また、光量検知センサ13の応答速度をより高めることができる。また、電気光学結晶とシリンドリカルレンズとを一体的に構成することにより、光走査装置の部品点数を少なくすることができる。
<本実施形態の光走査装置の更に他の構成例>
上記実施の形態では、ポリゴンミラー5によって偏向されるレーザ光で感光ドラム8を走査するが、これに限るものではない。例えば、ガルバノミラーやMEMS(Micro Electro Mechanical System)を使って、レーザ光で感光ドラム8を走査する構成であってもよい。
本発明の第1の実施形態に係るレーザ走査装置の構成を概略的に示す平面図である。 本実施形態の電気光学結晶構造体の構成を概略的に示す斜視図である。 本実施形態のレーザ走査装置を備える画像形成装置の構成を概略的に示すブロック図である。 第1の実施形態の1ラインの走査における光束のAPCを説明するフローチャートである。 第1の実施形態の1ラインの走査におけるBD信号のON/OFFタイミングとレーザ光のON/OFFタイミングとEO結晶への電圧印加のON/OFFタイミングとの関係を説明する図である。 本発明の第2の実施形態に係るレーザ走査装置の構成を概略的に示す平面図である。 第2の実施形態のレーザ走査装置で実行される1ライン走査における光束のAPCを説明するフローチャートである。 第2の実施形態のマルチビームに対して光量検知センサが1つしかない場合における、BD信号のON/OFFタイミングとレーザ光のON/OFFタイミングとEO結晶への電圧印加のON/OFFタイミングとの関係を説明する図である。 一般的な光量検知センサにおける電荷の時間変化を示す図である。 第2の実施形態のマルチビームに対して光量検知センサが複数設けられた場合における、BD信号のON/OFFタイミングとレーザのON/OFFタイミングとEO結晶への電圧印加のON/OFFタイミングとの関係を説明する図である。 本発明の第3の実施形態に係るレーザ走査装置の構成を概略的に示す平面図である。 APC機能を有する従来のレーザ走査装置を有する画像形成装置の構成を示すブロック図である。

Claims (11)

  1. 光束を出射する光源と、
    前記光源から出射された光束を偏向して、偏向した光束で像担持体を走査する光走査手段と、
    前記光源と前記光走査手段との間の光路中に設けられ、前記光源から出射された光束を電圧印加により偏向する電気光学結晶構造体と、
    前記電気光学結晶構造体により偏向された光束の光量を検知する、少なくとも1つの光量検知手段と、
    前記光量検知手段の検知結果に基づいて、前記光源から出射される光束の光量を制御する光量制御手段とを備えることを特徴とする光走査装置。
  2. 前記電気光学結晶構造体は、電圧印加により屈折率が変化する特性を有する電気光学結晶からなり、
    前記光量検知手段は、前記電気光学結晶に電圧が印加された場合に光束の光量を検知することを特徴とする請求項1記載の光走査装置。
  3. 前記電気光学結晶構造体は、電圧印加により屈折率が変化する特性を有する電気光学結晶からなり、
    前記電気光学結晶に印加される電圧を制御する電圧制御手段を更に備えることを特徴とする請求項1記載の光走査装置。
  4. 前記電圧制御手段は、前記電気光学結晶に取り付けられた一対の電極部を有し、
    前記一対の電極部は、前記電気光学結晶の内部に、前記電気光学結晶を通過する光束の進路方向に対して垂直方向の電界を形成することを特徴とする請求項3記載の光走査装置。
  5. 前記電気光学結晶は、カリウム、タンタル、ニオブおよび酸素から成ることを特徴とする請求項3記載の光走査装置。
  6. 前記光源は、面発光型レーザダイオードであることを特徴とする請求項1記載の光走査装置。
  7. 前記光源から出射された光束を略平行光束へと変換する第1のレンズ部材と、
    前記第1のレンズ部材により変換された略平行光束を所定の形状に整形する絞り部材と、
    前記絞り部材により整形された光束に副走査方向への変化を与えると共に、該光束を前記電気光学結晶に入射させる第2のレンズ部材とを備えることを特徴とする請求項1記載の光走査装置。
  8. 請求項3に記載の光走査装置を備えた画像形成装置であって、
    前記光源の発光および消灯と、前記電圧制御手段による前記電気光学結晶に印加される電圧とを制御するための画像処理手段を備え、
    前記画像処理手段は、主走査方向の光束の走査に従って、
    前記光源の発光を開始後、BD信号検知により前記光源を消灯して、前記電圧制御部により前記電気光学結晶に所定電圧を印加させ、
    前記光源を発光させて、前記光量制御手段による光量制御を開始させ、
    前記光量制御が終了すると前記光源を消灯して、前記電圧制御部による前記電気光学結晶への所定電圧の印加を停止し、
    前記光源を発光させて、前記光走査手段により光束で像担持体を走査させることを特徴とする画像形成装置。
  9. 複数の発光点を有して複数の光束を出射する光源と、
    前記光源から出射された複数の光束を走査する光走査手段と、
    前記光源と前記光走査手段との間の光路中に設けられ、前記光源から出射された複数の光束を電圧印加により偏向する電気光学結晶構造体と、
    前記電気光学結晶構造体により異なる方向に偏向された複数の光束の光量を検知する複数の光量検知手段と、
    前記複数の光量検知手段の検知結果に基づいて、前記光源から出射される複数の光束の光量を制御する光量制御手段とを備え、
    前記電気光学結晶構造体は、前記光源の各発光点に応じて異なる電圧印加により、前記複数の発光点から出射される複数の光束を夫々異なる光量検知手段に入射させ、
    前記光量制御手段は、第1の光量検知手段の検知結果に基づいて第1の光束の光量を制御し、第2の光量検知手段の検知結果に基づいて第2の光束の光量を制御することを特徴とする光走査装置。
  10. 前記電気光学結晶構造体は、電圧印加により屈折率が変化する特性を有する電気光学結晶からなり、
    前記電気光学結晶に印加される異なる電圧を制御する電圧制御手段を更に備えることを特徴とする請求項9記載の光走査装置。
  11. 請求項10に記載の光走査装置を備えた画像形成装置であって、
    前記光源の発光および消灯と、前記電圧制御手段による前記電気光学結晶に印加される電圧とを制御するための画像処理手段を備え、
    前記画像処理手段は、主走査方向の光束の走査に従って、
    前記光源の第1の発光点からの発光を開始後、BD信号検知により前記光源の第1の発光点を消灯して、前記電圧制御手段により前記電気光学結晶に第1の電圧を印加させ、
    前記光源の第1の発光点から発光させて、前記光量制御手段による第1の発光点からの光束の光量制御を開始させ、
    前記光量制御が終了すると前記光源の第1の発光点を消灯して、前記電圧制御部により前記電気光学結晶に第2の電圧を印加させ、
    前記光源の第2の発光点から発光させて、前記光量制御手段による第2の発光点からの光束の光量制御を開始させ、
    前記光量制御が終了すると前記光源の第2の発光点を消灯して、前記電圧制御部による前記電気光学結晶への電圧の印加を停止し、
    前記光源の複数の発光点を発光させて、前記光走査手段により複数の光束で像担持体を走査させることを特徴とする画像形成装置。
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