JP2008181042A - 半導体構造及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光走査ミラー(半導体構造)1は、第1シリコン層100a、酸化膜120、第2シリコン層100bから成るSOI基板100を加工することにより形成されている。第1シリコン層100aには、固定フレーム4に第1ヒンジ5を介して支持された可動部50が形成されている。可動部50は、トレンチ(絶縁分離構造)101aが形成されることにより複数の部位に分かれている。トレンチ101aの下方に、酸化膜120及び第2シリコン層100bから成る支持体9が形成されている。支持体9にはトレンチ101aにより分割された可動フレーム3の複数の部位が接合されており、可動部50は支持体9と一体に揺動可能である。これにより、簡易なエッチングによる製造工程により支持体9を形成し、可動部50の機械的強度を確保可能である。
【選択図】図1
Description
IEEE Journal of selected topics in Quantum Electronics, Vol.6, No.5, September/October 2000 p715
2 ミラー部
3 可動フレーム
4 固定フレーム
5 第1ヒンジ(支持ヒンジ)
6 第2ヒンジ
9,29,39 支持体
50 可動部
100 SOI基板
100a 第1シリコン層
100b 第2シリコン層
101a トレンチ(絶縁分離部)
120 酸化膜
300b 高濃度ボロン拡散部
Claims (4)
- 固定フレームと、前記固定フレームに支持ヒンジを介して軸支され前記固定フレームに対し回転可能な可動部と、を備え、前記可動部には、その可動部を互いに絶縁された複数の部位に分割する絶縁分離部が設けられている半導体構造において、
前記絶縁分離部の下方には、前記絶縁分離部により分割された前記可動部の複数の部位が共に接合された支持体が形成されており、前記可動部が前記支持体と一体に回動可能に構成されていることを特徴とする半導体構造。 - 第1シリコン層と第2シリコン層とが酸化膜を介し互いに接合されて成るSOI(Silicon on Insulator)基板から構成され、
前記第1シリコン層、前記酸化膜、及び前記第2シリコン層に固定フレームが形成され、前記第1シリコン層に前記固定フレームに支持ばね部を介して軸支され前記固定フレームに対し回転可能な可動部が形成されて成り、前記可動部には、その可動部を互いに絶縁された複数の部位に分割する絶縁分離部が設けられている半導体構造の製造方法であって、
前記SOI基板をエッチングし、前記第1シリコン層に、前記支持ばね部、前記可動部、及び前記絶縁分離部を形成する第1工程と、
前記第1工程の後、前記第2シリコン層にエッチングを行い、前記第2シリコン層のうち前記可動部及び前記支持ばね部の下方の部位を、前記絶縁分離部の下方の部位を残して掘り込む第2工程と、
前記第2工程の後、前記酸化膜のうち前記第2工程にて前記第2シリコン層が掘り込まれることにより露出した部位を除去し、前記絶縁分離部の下方に、前記絶縁分離部により分割された前記可動部の複数の部位に共に接合された、前記酸化膜及び前記第2シリコン膜から成る支持体を形成する第3工程と、を有することを特徴とする半導体構造の製造方法。 - 前記第2工程において、前記第2シリコン層の前記絶縁分離部の下方の部位の厚みが前記第2シリコン層の前記固定フレームの厚みよりも小さくなるようにエッチングを行うことを特徴とする請求項2記載の半導体構造の製造方法。
- 前記第1工程において、前記酸化膜のうち前記絶縁分離部を形成することにより露出した部位を除去し、それにより露出した前記第2シリコン層の部位に対しボロン拡散を行い、前記第2シリコン層中に高濃度ボロン拡散部を形成し、
前記第2工程において、前記高濃度ボロン拡散部に対して選択性を持つエッチャントを用いて前記第2シリコン層にエッチングを行い、前記支持体を、前記高濃度ボロン拡散部により構成することを特徴とする請求項2記載の半導体構造の製造方法。
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