JP2008172997A5 - - Google Patents

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  1. 昇圧回路と、第1のアンテナと、二次電池と、を有し、
    前記昇圧回路は、n個(n:自然数、3≦n)のダイオードと、n−1個の容量素子と、を有し、
    前記n個のダイオードのうちの第1のダイオードの入力端子には、前記第1のアンテナからの第1の電位を供給する手段が電気的に接続され、
    前記n個のダイオードのうちの第m(m:自然数、2≦m≦n)のダイオードの入力端子には、前記n−1個の容量素子のうちの第m−1の容量素子の一方の端子が電気的に接続され、且つ前記n個のダイオードのうちの第m−1のダイオードの出力端子が電気的に接続され、
    前記n−1個の容量素子の他方の端子にはの電位と、前記二次電池からのの電位を選択的に供給する電位供給手段が電気的に接続され、
    前記電位供給手段は、前記n−1個の容量素子のうちの第2k(k:自然数、2k≦n−1)の容量素子の他方の端子に前記第2の電位を供給するときには、前記n−1個の容量素子のうちの第2k−1(k:自然数、2k−1≦n−1)の容量素子の他方の端子に前記第3の電位を供給し、前記第2kの容量素子の他方の端子に前記第3の電位を供給するときには、前記第2k−1の容量素子の他方の端子に前記第2の電位を供給する手段であることを特徴とする半導体装置
  2. 請求項1において、
    前記電位供給手段は、前記第2の電位と前記第3の電位の供給先を交互に切り替える手段を有することを特徴とする半導体装置
  3. 昇圧回路と、第1のアンテナと、二次電池と、を有し、
    前記昇圧回路は、n個(n:自然数、3≦n)のダイオードと、n−1個の容量素子と、バッファ回路と、インバータ回路と、を有し、
    前記n個のダイオードのうちの第1のダイオードの入力端子には、前記第1のアンテナからの第1の電位を供給する手段が電気的に接続され、
    前記n個のダイオードのうちの第m(m:自然数、2≦m≦n)のダイオードの入力端子には、前記n−1個の容量素子のうちの第m−1の容量素子の一方の端子が電気的に接続され、且つ前記n個のダイオードのうちの第m−1のダイオードの出力端子が電気的に接続され、
    前記バッファ回路の入力端子には、前記第1のアンテナからの電力に基づいたクロック信号が入力され、
    前記バッファ回路の出力端子は、前記n−1個の容量素子のうちの第2k(k:自然数、2k≦n−1)の容量素子の他方の端子、及び前記n−1個の容量素子のうちの第2k−1(k:自然数、2k−1≦n−1)の容量素子の他方の端子の一方と電気的に接続され、
    前記インバータ回路の入力端子は、前記バッファ回路の出力端子と電気的に接続され、
    前記インバータ回路の出力端子は、前記第2kの容量素子の他方の端子及び前記2k−1の容量素子の他方の端子の他方と電気的に接続され、
    前記バッファ回路及び前記インバータ回路には、電源電位として第2の電位と第3の電位とが供給され、
    前記バッファ回路及び前記インバータ回路に供給される前記第2の電位は、前記二次電池から供給される電位であることを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
    前記二次電池は、前記第1のアンテナから供給される電力によって充電されることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
    充電回路を有し、
    前記充電回路は、整流回路と、電圧制御回路と、スイッチ素子と、充電制御回路と、を有し、
    前記整流回路の入力端子は、前記第1のアンテナと電気的に接続され、
    前記整流回路の出力端子は、前記電圧制御回路の入力端子と電気的に接続され、
    前記電圧制御回路の出力端子は、前記スイッチ素子を介して前記二次電池と電気的に接続され、
    前記充電制御回路は、前記二次電池の充電状況をモニタし、前記二次電池の前記充電状況に応じて前記スイッチ素子のオン又はオフを制御することを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
    第2のアンテナを有し、
    前記二次電池は、前記第2のアンテナから供給される電力によって充電されることを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
    第2のアンテナと、充電回路を有し、
    前記充電回路は、整流回路と、電圧制御回路と、スイッチ素子と、充電制御回路と、を有し、
    前記整流回路の入力端子は、前記第2のアンテナと電気的に接続され、
    前記整流回路の出力端子は、前記電圧制御回路の入力端子と電気的に接続され、
    前記電圧制御回路の出力端子は、前記スイッチ素子を介して前記二次電池と電気的に接続され、
    前記充電制御回路は、前記二次電池の充電状況をモニタし、前記二次電池の前記充電状況に応じて前記スイッチ素子のオン又はオフを制御することを特徴とする半導体装置。
  8. 昇圧回路と、第1のアンテナと、第1の二次電池と、第2の二次電池と、を有し、
    前記昇圧回路は、n個(n:自然数、3≦n)のダイオードと、n−1個の容量素子と、バッファ回路と、インバータ回路と、を有し、
    前記n個のダイオードのうちの第1のダイオードの入力端子には、前記第1のアンテナからの第1の電位を供給する手段が電気的に接続され、
    前記n個のダイオードのうちの第m(m:自然数、2≦m≦n)のダイオードの入力端子には、前記n−1個の容量素子のうちの第m−1の容量素子の一方の端子が電気的に接続され、且つ前記n個のダイオードのうちの第m−1のダイオードの出力端子が電気的に接続され、
    前記バッファ回路の入力端子には、前記第1のアンテナからの電力に基づいたクロック信号が入力され、
    前記バッファ回路の出力端子は、前記n−1個の容量素子のうちの第2k(k:自然数、2k≦n−1)の容量素子の他方の端子、及び前記n−1個の容量素子のうちの第2k−1(k:自然数、2k−1≦n−1)の容量素子の他方の端子の一方と電気的に接続され、
    前記インバータ回路の入力端子は、前記バッファ回路の出力端子と電気的に接続され、
    前記インバータ回路の出力端子は、前記第2kの容量素子の他方の端子及び前記2k−1の容量素子の他方の端子の他方と電気的に接続され、
    前記バッファ回路及び前記インバータ回路には、電源電位として第2の電位と第3の電位とが供給され、
    前記バッファ回路に供給される前記第2の電位は、前記第1の二次電池から供給される電位であり、
    前記インバータ回路に供給される前記第2の電位は、前記第2の二次電池から供給される電位であることを特徴とする半導体装置。
  9. 請求項8において、
    前記第1の二次電池及び前記第2の二次電池は、前記第1のアンテナから供給される電力によって充電されることを特徴とする半導体装置。
  10. 請求項8又は請求項9において、
    第1の充電回路と、第2の充電回路と、を有し、
    前記第1の充電回路は、第1の整流回路と、第1の電圧制御回路と、第1のスイッチ素子と、第1の充電制御回路と、を有し、
    前記第1の整流回路の入力端子は、前記第1のアンテナと電気的に接続され、
    前記第1の整流回路の出力端子は、前記第1の電圧制御回路の入力端子と電気的に接続され、
    前記第1の電圧制御回路の出力端子は、前記第1のスイッチ素子を介して前記第1の二次電池と電気的に接続され、
    前記第1の充電制御回路は、前記第1の二次電池の充電状況をモニタし、前記第1の二次電池の前記充電状況に応じて前記第1のスイッチ素子のオン又はオフを制御し、
    前記第2の充電回路は、第2の整流回路と、第2の電圧制御回路と、第2のスイッチ素子と、第2の充電制御回路と、を有し、
    前記第2の整流回路の入力端子は、前記第1のアンテナと電気的に接続され、
    前記第2の整流回路の出力端子は、前記第2の電圧制御回路の入力端子と電気的に接続され、
    前記第2の電圧制御回路の出力端子は、前記第2のスイッチ素子を介して前記第2の二次電池と電気的に接続され、
    前記第2の充電制御回路は、前記第2の二次電池の充電状況をモニタし、前記第2の二次電池の前記充電状況に応じて前記第2のスイッチ素子のオン又はオフを制御することを特徴とする半導体装置。
  11. 請求項8において、
    第2のアンテナを有し、
    前記第1の二次電池及び前記第2の二次電池は、前記第2のアンテナから供給される電力によって充電されることを特徴とする半導体装置。
  12. 請求項8において、
    第2のアンテナと、第1の充電回路と、第2の充電回路と、を有し、
    前記第1の充電回路は、第1の整流回路と、第1の電圧制御回路と、第1のスイッチ素子と、第1の充電制御回路と、を有し、
    前記第1の整流回路の入力端子は、前記第2のアンテナと電気的に接続され、
    前記第1の整流回路の出力端子は、前記第1の電圧制御回路の入力端子と電気的に接続され、
    前記第1の電圧制御回路の出力端子は、前記第1のスイッチ素子を介して前記第1の二次電池と電気的に接続され、
    前記第1の充電制御回路は、前記第1の二次電池の充電状況をモニタし、前記第1の二次電池の前記充電状況に応じて前記第1のスイッチ素子のオン又はオフを制御し、
    前記第2の充電回路は、第2の整流回路と、第2の電圧制御回路と、第2のスイッチ素子と、第2の充電制御回路と、を有し、
    前記第2の整流回路の入力端子は、前記第2のアンテナと電気的に接続され、
    前記第2の整流回路の出力端子は、前記第2の電圧制御回路の入力端子と電気的に接続され、
    前記第2の電圧制御回路の出力端子は、前記第2のスイッチ素子を介して前記第2の二次電池と電気的に接続され、
    前記第2の充電制御回路は、前記第2の二次電池の充電状況をモニタし、前記第2の二次電池の前記充電状況に応じて前記第2のスイッチ素子のオン又はオフを制御することを特徴とする半導体装置。
  13. 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、
    電源回路と、定電圧回路と、を有し、
    前記第1の電位は、前記第1のアンテナから前記電源回路及び前記定電圧回路を介して供給される電位であることを特徴とする半導体装置。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010267368A (ja) * 2009-04-17 2010-11-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
US9800077B2 (en) * 2013-11-26 2017-10-24 Mitsubishi Electric Corporation DC power-supply device and refrigeration-cycle application device including the same

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06334119A (ja) 1993-02-17 1994-12-02 Seiko Instr Inc 昇圧用半導体集積回路及びその半導体集積回路を用いた電子機器
JP2708374B2 (ja) * 1994-07-26 1998-02-04 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション コンピュータ用バッテリ接続装置及びバッテリの切換方法
JPH09219932A (ja) * 1996-02-13 1997-08-19 Alps Electric Co Ltd ワイヤレス機器の充電装置
JP3394133B2 (ja) * 1996-06-12 2003-04-07 沖電気工業株式会社 昇圧回路
JP3109595B2 (ja) * 1998-08-28 2000-11-20 日本電気株式会社 受信ダイバーシティ制御方法およびダイバーシティ受信機
JP3614747B2 (ja) * 2000-03-07 2005-01-26 Necエレクトロニクス株式会社 昇圧回路、それを搭載したicカード及びそれを搭載した電子機器
US6888399B2 (en) * 2002-02-08 2005-05-03 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device equipped with a voltage step-up circuit
JP3830414B2 (ja) 2002-04-02 2006-10-04 ローム株式会社 昇圧回路を備えた半導体装置
US7494066B2 (en) * 2003-12-19 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
SG143030A1 (en) * 2004-01-30 2008-06-27 Agency Science Tech & Res Radio frequency identification and communication device
US7256642B2 (en) * 2004-03-19 2007-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Booster circuit, semiconductor device, and electronic apparatus
JP3972916B2 (ja) * 2004-04-08 2007-09-05 セイコーエプソン株式会社 昇圧回路及び半導体集積回路
JP4519713B2 (ja) * 2004-06-17 2010-08-04 株式会社東芝 整流回路とこれを用いた無線通信装置
JP2006049341A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
US7804203B2 (en) * 2004-09-09 2010-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless chip
JP2006109429A (ja) * 2004-09-09 2006-04-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 無線チップ
JP4942998B2 (ja) * 2004-12-24 2012-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
CN101088158B (zh) 2004-12-24 2010-06-23 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
JP4873868B2 (ja) * 2005-02-09 2012-02-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 パッシブ型rfid用の半導体装置、icタグ、icタグの制御方法及び通信方法
US20060267769A1 (en) * 2005-05-30 2006-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Terminal device and communication system
WO2007108371A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9022293B2 (en) 2006-08-31 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and power receiving device
JP5179849B2 (ja) * 2006-12-28 2013-04-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

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