JP5986846B2 - ハイブリッドハーベストモジュールの制御回路、それを用いた発電回路、電子機器、無線センサ - Google Patents

ハイブリッドハーベストモジュールの制御回路、それを用いた発電回路、電子機器、無線センサ Download PDF

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Description

本発明は、ハイブリッドハーベスト素子を用いた発電回路に関する。
高所、遠隔地、人体内をはじめとするさまざまな箇所の状態をモニタするために無線センサが利用される。たとえば温度測定用の無線センサは、温度を測定する温度センサと、温度センサにより測定された温度データを、外部に送信するための無線ユニットと、を含む。無線ユニットを動作させるためには電源が必要とされるところ、電源に電池を利用すると電池の交換などのメンテナンスが必要となることから、無線センサでは、電力源としてエネルギーハーベスト素子が利用される場合がある。
特開平5−30641号公報 国際公開第08/001644号パンフレット 実開昭53−114029号公報
エネルギーハーベスト素子のひとつとして、光エネルギーと熱エネルギーなど、複数の異なる環境エネルギーを電気エネルギーに変換可能なハイブリッドハーベスト素子が開発されている。こうしたハイブリッドハーベスト素子は、環境エネルギーごとに、起電力が異なり、および/または、起電力が発生する端子が異なる場合がある。
本発明は係る状況に課題に鑑みてなされたものあり、そのある態様の例示的な目的のひとつは、負荷に電力を安定供給可能なハイブリッドハーベストモジュールの制御回路の提供にある。
本発明のある態様は、ハイブリッドハーベストモジュールの制御回路に関する。ハイブリッドハーベストモジュールは、N個(Nは2以上の整数)のハイブリッドハーベスト素子を含む。N個のハイブリッドハーベスト素子はそれぞれ、第1端子、第2端子、第3端子を有し、第1の環境エネルギーに応じて、第1端子と第2端子の間に起電力を発生し、第2の環境エネルギーに応じて、第1端子と第3端子の間に起電力を発生するよう構成される。制御回路は、1番目のハイブリッドハーベスト素子の第1端子と接続される第1ラインと、第2ラインと、オン、オフ状態が切りかえ可能に構成され、オン状態において、N個のハイブリッドハーベスト素子それぞれの第1端子を第1ラインと接続し、N個のハイブリッドハーベスト素子それぞれの第2端子を第2ラインと接続する第1スイッチ群と、オン、オフ状態が切りかえ可能に構成され、オン状態において、i番目(1≦i≦N−1)のハイブリッドハーベスト素子の第3端子をi+1番目のハイブリッドハーベスト素子の第1端子と接続するとともに、N番目のハイブリッドハーベスト素子の第3端子を第2ラインと接続する第2スイッチ群と、1番目のハイブリッドハーベスト素子の第2端子の電位にもとづいて、第1スイッチ群および第2スイッチ群を制御するスイッチコントローラと、を備える。
この態様によると、ハイブリッドハーベスト素子の発電状況に応じて、複数のハイブリッドハーベスト素子の接続形態を適切に切りかえることができ、負荷に安定的に電力を供給できる。
本発明の別の態様は、発電回路に関する。発電回路は、ハイブリッドハーベスト素子と、ハイブリッドハーベスト素子からの電圧を受ける上述の制御回路と、を備える。
本発明の別の態様は、電子機器に関する。電子機器は、上述の発電回路を備える。
本発明の別の態様は、無線センサに関する。無線センサは、センサ素子と、マイクロコントローラと、無線ユニットと、上述の発電回路と、を備える。
発電回路は、その出力段に蓄電手段を有してもよい。マイクロコントローラは、蓄電手段の電圧に応じて、無線ユニットによる通信の頻度を変化させてもよい。
なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。
本発明のある態様によれば、ハイブリッドハーベスト素子の発電状況に応じて、複数のハイブリッドハーベスト素子の接続形態を適切に切りかえることができる。
実施の形態に係る発電回路の構成を示すブロック図である。 スイッチコントローラの構成例を示す回路図である。 発電回路の動作を示す波形図である。 図4(a)、(b)は、発電回路を備える無線センサのブロック図および利用形態を示す図である。 発電回路を備える電子機器のブロック図である。 第1の変形例に係る発電回路の構成を示す回路図である。 第3の変形例に係る発電回路の一部を示す回路図である。
以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
本明細書において、「部材Aが、部材Bと接続された状態」とは、部材Aと部材Bが物理的に直接的に接続される場合のほか、部材Aと部材Bが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
同様に、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
図1は、実施の形態に係る発電回路2の構成を示すブロック図である。発電回路2は負荷4と接続され、負荷4に電源電圧VDDを供給する。
発電回路2は、ハイブリッドハーベストモジュール200、制御回路100および蓄電手段300を備える。
ハイブリッドハーベストモジュール200は、複数のN個(Nは2以上の整数)のハイブリッドハーベスト素子202_1〜202_Nを備える。本実施の形態ではN=3の場合を示すが、Nは任意である。
ハイブリッドハーベスト素子202はそれぞれ、第1端子P1、第2端子P2、第3端子P3を有する。ハイブリッドハーベスト素子202は、第1の環境エネルギーに応じて、第1端子P1と第2端子P2の間に第1起電力V1を発生し、第2の環境エネルギーに応じて、第1端子P1と第3端子P3の間に第2起電力V2を発生するよう構成される。
たとえば第1の環境エネルギーは光エネルギーであり、第2の環境エネルギーは熱である。このようなハイブリッドハーベスト素子202は、P型半導体204とN型半導体206の接合によって構成することができる。第1端子P1と第3端子P3は、P型半導体204の両端に設けられ、第2端子P2はN型半導体206に設けられる。なおハイブリッドハーベスト素子202の種類、構造は特に限定されず、公知の、あるいは将来利用可能なものを用いればよい。
本実施の形態において、第1環境エネルギーに応じた第1起電力V1は、第2環境エネルギーに応じた第2起電力V2よりも大きいものとする。
制御回路100は、ハイブリッドハーベストモジュール200と接続され、ハイブリッドハーベストモジュール200からの起電力を受け、負荷4に電力を供給し、および/または蓄電手段300を充電する。
具体的には、第1環境エネルギーが与えられ、ハイブリッドハーベストモジュール200が第1起電力V1を生成するときには、複数のハイブリッドハーベスト素子202を並列に接続する。このときのハイブリッドハーベストモジュール200の実効的な起電力はV1となる。また第1環境エネルギーが与えられないが、第2環境エネルギーが与えられ、ハイブリッドハーベストモジュール200が第2起電力V2を生成するときには、複数のハイブリッドハーベスト素子202を直列に接続する。このときのハイブリッドハーベストモジュール200の実効的な起電力はV2×Nとなる。ハイブリッドハーベスト素子202の個数Nは、V1≒N×V2となるように決めてもよい。
制御回路100は、第1ラインL1、第2ラインL2、第1スイッチ群SW1、第2スイッチ群SW2、スイッチコントローラ110、昇圧回路120、第1ダイオードD1を備える。制御回路100は、ひとつの半導体基板に一体集積化されてもよい。「一体集積化」とは、回路の構成要素のすべてが半導体基板上に形成される場合や、回路の主要構成要素が一体集積化される場合が含まれ、回路定数の調節用に一部の抵抗やキャパシタなどが半導体基板の外部に設けられていてもよい。回路を1つのIC(Integrated Circuit)として集積化することにより、回路面積を削減することができるとともに、回路素子の特性を均一に保つことができる。
第1ラインL1は、固定電圧ラインであり、1番目のハイブリッドハーベスト素子202_1の第1端子P1と接続される。第1ラインL1は接地されてもよい。
第1スイッチ群SW1は、複数の第1スイッチSW1_1〜SW1_5を含む。第1スイッチ群SW1は、オン、オフ状態が切りかえ可能に構成され、オン状態において、N個のハイブリッドハーベスト素子202それぞれの第1端子P1を第1ラインL1と接続し、N個のハイブリッドハーベスト素子202それぞれの第2端子P2を第2ラインL2と接続する。具体的には、第1スイッチSW1_4、SW1_5によって、第1端子P1が第1ラインL1と接続され、第1スイッチSW1_1〜SW1_3によって、第2端子P2が第2ラインL2と接続される。第1スイッチ群SW1がオンのとき、ハイブリッドハーベスト素子202_1〜202_Nは、第1ラインL1と第2ラインL2の間に並列に接続される。
第2スイッチ群SW2は、複数の第2スイッチSW2_1〜SW2_3を含む。第2スイッチ群SW2は、オン、オフ状態が切りかえ可能に構成され、オン状態において、i番目(1≦i≦N−1)のハイブリッドハーベスト素子202_iの第3端子P3をi+1番目のハイブリッドハーベスト素子202_i+1の第1端子P1と接続するとともに、N番目のハイブリッドハーベスト素子202_Nの第3端子P3を第2ラインL2と接続する。具体的には、第2スイッチSW2_iによって、素子202_iの第3端子P3が素子202_i+1の第1端子P1と接続され、第2スイッチSW2_Nによって、素子202_Nの第3端子P3が第2ラインL2と接続される。第2スイッチ群SW2がオンのとき、ハイブリッドハーベスト素子202_1〜202_Nは、第1ラインL1と第2ラインL2の間に直列に接続される。
スイッチコントローラ110は、1番目のハイブリッドハーベスト素子202_1の第2端子P2の電位(検出電圧VDETという)にもとづいて、第1スイッチ群SW1および第2スイッチ群SW2を制御する。具体的には、第2端子P2に起電力V1が発生しているときには、第1スイッチ群SW1をオン、第2スイッチ群SW2をオフし、第2端子P2に起電力V1が発生していないときには、第1スイッチ群SW1をオフ、第2スイッチ群SW2をオンする。
より具体的には、スイッチコントローラ110は、ハイブリッドハーベスト素子202_1の第2端子P2の電位VDETが所定のしきい値電圧Vthより高いときに、第1スイッチ群SW1をオン、第2スイッチ群SW2をオフし、第2端子P2の電位VDETがしきい値電圧Vthより低いときに、第1スイッチ群SW1をオフ、第2スイッチ群SW2をオンする。
昇圧回路120は、第1ラインL1と第2ラインL2の間の電圧V3を昇圧し、電源電圧VDDを生成する。昇圧回路120の出力端子には、電気二重層コンデンサ、あるいは2次電池などの蓄電手段300を設けることが好ましい。この場合、昇圧回路120は蓄電手段300の充電回路と把握することができる。
第1ダイオードD1は、そのアノードが1番目のハイブリッドハーベスト素子202_1の第2端子P2と接続され、そのカソードが昇圧回路120の出力端子、言い換えれば蓄電手段300と接続される。
スイッチコントローラ110の電源端子112には、昇圧回路120の出力電圧VDDが供給される。図2は、スイッチコントローラ110の構成例を示す回路図である。スイッチコントローラ110は、電源端子112、トランジスタM1、抵抗R1、第1インバータ114、第2インバータ116を備える。
電源端子112には、昇圧回路120の出力電圧VDDが供給される。トランジスタM1のゲートは、1番目のハイブリッドハーベスト素子202_1の第2端子P2と接続され、検出電圧VDETが入力される。トランジスタM1のソースは第1ラインL1と接続される。抵抗R1は、トランジスタM1のドレインと電源端子112の間に設けられる。スイッチコントローラ110は、トランジスタM1のドレインがローレベルのとき、第1スイッチ群SW1をオン、第2スイッチ群SW2をオフし、ハイレベルのとき、第1スイッチ群SW1をオフ、第2スイッチ群SW2をオンする。
ハイブリッドハーベストモジュール200が、第1の環境エネルギーに応じて起電力V1を発生すると、検出電圧VDETが大きくなる。そして検出電圧VDETがトランジスタM1のゲートソース間しきい値電圧Vthより高くなると、トランジスタM1がオンし、トランジスタM1のドレインがローレベルとなる。検出電圧VDETがトランジスタM1のゲートソース間しきい値電圧Vthより低いとき、トランジスタM1はオフし、トランジスタM1のドレインがハイレベルとなる。トランジスタM1と抵抗R1を用いることで、電源電圧VDDが低い状況においても、電圧比較が可能となる。
トランジスタM1は、MOSFETに代えて、バイポーラトランジスタを用いてもよい。この場合、ゲートをベース、ソースをエミッタ、ドレインをコレクタと読み替えればよく、しきい値は、バイポーラトランジスタのベースエミッタ間の順方向電圧Vbe=0.7Vとなる。なお、電圧VDDに十分高い電圧レベルが保証される場合、トランジスタM1と抵抗R1のセットに代えて、コンパレータを用いてもよい。
第1インバータ114は、トランジスタM1のドレインを反転し、第1スイッチ群SW1に出力する。第1スイッチ群SW1は、第1インバータ114の出力である制御信号S1がハイレベルのときオンする。第2インバータ116は、第1インバータ114の出力を反転し、第2スイッチ群SW2に出力する。第2スイッチ群SW2は、第2インバータ116の出力である制御信号S2がハイレベルのときオンする。なお、スイッチのオン、オフと、制御信号のハイレベル、ローレベルの割り当ては任意であり、必要に応じて適宜反転すればよい。
以上が発電回路2の構成である。続いてその動作を説明する。図3は、発電回路2の動作を示す波形図である。
1. 第1の環境エネルギーが大きい場合(t<t0)
このときハイブリッドハーベストモジュール200の複数のハイブリッドハーベスト素子202は、それぞれの第1端子P1と第2端子P2の間に、起電力V1を発生する。このとき、ハイブリッドハーベスト素子202_1の第2端子P2の電位VDETが高くなり、スイッチコントローラ110は、第1スイッチ群SW1をオン、第2スイッチ群SW2をオフする。
その結果、複数のハイブリッドハーベスト素子202_1〜202_3が第1ラインL1と第2ラインL2の間に並列に接続され、昇圧回路120に起電力V1と等しい電圧V3が入力される。昇圧回路120は、電圧V3を昇圧し、蓄電手段300を充電し、および/または、負荷4に電源電圧VDDを供給する。
2. 第1の環境エネルギーが小さい場合(t0<t)
このとき、ハイブリッドハーベスト素子202_1が発生する起電力V1が小さくなるため、検出電圧VDETが低くなり、スイッチコントローラ110は、第2スイッチ群SW2をオン、第1スイッチ群SW1をオフする。その結果、複数のハイブリッドハーベスト素子202_1〜202_3が第1ラインL1と第2ラインL2の間に直列に接続される。
t0<t<t1の期間は、第2の環境エネルギーが小さく、複数のハイブリッドハーベスト素子202_1〜202_3の起電力V2はゼロであり、昇圧回路120の入力電圧V3もゼロとなる。
t1<tの期間、第2の環境エネルギーが大きくなると、ハイブリッドハーベスト素子202_1〜203_3それぞれが、第1端子P1と第3端子P3の間に起電力V2を発生する。その結果、昇圧回路120には、入力電圧V3=V2×3が入力される。
以上が発電回路2の動作である。
発電回路2によれば、複数のハイブリッドハーベスト素子202のうち、1番目のハイブリッドハーベスト素子202_1を、第1の環境エネルギーに対するセンサとして使用することにより、第1の環境エネルギーが発生しているときには、起電力V1にもとづいて負荷4を駆動し、もしくは蓄電手段300を充電できる。また第1の環境エネルギーが発生していない場合であっても、第2の環境エネルギーが発生しているときには、起電力V2にもとづいて負荷4を駆動し、もしくは蓄電手段300を充電できる。
つまり、ハイブリッドハーベストモジュール200のハイブリッドハーベスト素子202の接続形態を、ハイブリッドハーベストモジュール200が受ける環境エネルギーに応じて適応的に、自動的に変更することができる。
また、第1ダイオードD1を設けたことにより以下の利点を有する。
蓄電手段300の電力が枯渇した状態では、電源電圧VDDが低下し、スイッチコントローラ110および昇圧回路120が動作不能となる。第1ダイオードD1を設けない場合には、ハイブリッドハーベストモジュール200が起電力V1を発生していても、昇圧回路120が動作不能であれば、負荷4に電源電圧VDDを供給できず、あるいは蓄電手段300を充電できない。これに対して、第1ダイオードD1を設けることにより、昇圧回路120が動作不能であっても、ハイブリッドハーベスト素子202_1が発生した第1起電力V1を、第1ダイオードD1を経由して負荷4あるいは蓄電手段300に供給することができる。
また、スイッチコントローラ110が動作不能となると、起電力V1が発生しているにもかかわらず、第1スイッチ群SW1がオンしない状況が生じうる。第1ダイオードD1を設けることにより、第1スイッチ群SW1がオフ状態でも、ハイブリッドハーベスト素子202_1の起電力V1によって、第1ダイオードD1を介して負荷4を駆動できる。また、起電力V1によって蓄電手段300を充電できるため、電源電圧VDDが上昇し、やがてスイッチコントローラ110および昇圧回路120が動作可能とすることができる。
続いて発電回路2の用途を説明する。
図4(a)、(b)は、発電回路2を備える無線センサのブロック図および利用形態を示す図である。
無線センサ600は、発電回路2、センサ素子602、マイクロコントローラ604、無線ユニット606を備える。
無線センサ600は、それが設置される箇所の周囲の状態、たとえば温度、消費電力、圧力、振動、変位、加速度などをモニタし、遠隔して配置される管理デバイスに、モニタ結果を送信する。無線センサ600は、図4(b)に示すようなビル管理システム(BEMS:Building and Energy Management System)に利用できる。この場合、複数の無線センサ600が、ビル650の部屋ごと、もしくはフロアごとに配置される。
図4(a)の無線センサ600は、工場エネルギー管理システム(Factory Energy Management System)、地殻変動の検知システム、地震予測システム、道路や橋梁のセンサ、人体内、あるいは動物体内のヘルスモニタなどにも利用可能である。
センサ素子602は、無線センサ600のセンシングの対象となる特性、すなわち温度、消費電力、圧力、振動、変位、加速度などを測定する。マイクロコントローラ604は、センサ素子602の測定値を受け、必要に応じた信号処理を行い、無線ユニット606に送信する。無線ユニット606は、測定値に応じたRF信号を送信する。
かかる無線センサ600において、発電回路2は、センサ素子602、マイクロコントローラ604、無線ユニット606に対して電力を供給する。
ここで、発電回路2の出力段には、図1に示すように蓄電手段300が設けられている。ハイブリッドハーベストモジュール200の発電は、環境エネルギーに依存するため、ハイブリッドハーベストモジュール200が発電不能な状況が持続すると、蓄電手段300のエネルギーが枯渇する。
そこでマイクロコントローラ604は、蓄電手段300の残量を監視し、その結果に応じて無線センサ600の動作を制御してもよい。一般的には、無線センサ600の中では、無線ユニット606の消費電力が最も大きい。そこで無線センサ600は、蓄電手段300の残量が小さい状態では、無線ユニット606による通信の頻度を低下させ、言い換えれば時間間隔を長くしてもよい。
無線ユニット606による通信を行わない期間、マイクロコントローラ604は、センサ602による測定値のログを保持してもよい。
図5は、発電回路2を備える電子機器のブロック図である。電子機器700は、たとえば携帯電話端末、腕時計、ポータブルオーディオプレイヤなどである。電子機器700は、プロセッサ702、ディスプレイ704を備える。発電回路2は、プロセッサ702やディスプレイ704に電力を供給する。
以上、本発明について、実施の形態をもとに説明した。この実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組み合わせにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。以下、こうした変形例について説明する。
(第1の変形例)
図6は、第1の変形例に係る発電回路2aの構成を示す回路図である。制御回路100aは、図1の昇圧回路120に代えて、第2ダイオードD2を備える。ハイブリッドハーベストモジュール200により生成される電圧V3が、負荷4を駆動するのに足るレベルである場合、昇圧回路120は不要である。図6の制御回路100aによれば、図1の制御回路100と同様に、ハイブリッドハーベストモジュール200の発電状況に応じて、負荷4あるいは蓄電手段300に電力を供給できる。
(第2の変形例)
図1あるいは図6の発電回路2において、負荷4が環境エネルギーが与えられた状況下でのみ動作すればよい場合、蓄電手段300は省略してもよい。
(第3の変形例)
図7は、第3の変形例に係る発電回路2の一部を示す回路図である。昇圧回路120は、昇圧型のスイッチングレギュレータであり、インダクタL11、スイッチングトランジスタM11、同期整流トランジスタM12、出力キャパシタC11、スイッチングコントローラ124、を備える。この構成は一般的であるため説明を省略する。
さらに昇圧回路120は、同期整流トランジスタM13、補助キャパシタC12、補助スイッチSW11、電源ラインL3を備える。トランジスタM11〜M13、スイッチSW11、スイッチングコントローラ124は、ひとつのコントロールIC122に集積化される。
補助キャパシタC12の容量は、出力キャパシタC11の容量よりも小さい。電源ラインL3は、補助キャパシタC12と接続される。補助スイッチSW11は、電源ラインL3と昇圧回路122の出力端子、すなわち出力キャパシタC11の間に設けられる。補助スイッチSW11は、昇圧回路120の起動時にオンする。スイッチングコントローラ124には、電源ラインL3の電圧VC12が内部電源電圧として供給される。
補助スイッチSW11がオンすると、出力キャパシタC11の残留電荷、あるいは、昇圧回路120と負荷4の間の蓄電手段300の電荷が、補助キャパシタC12に供給され、電源ラインL3の内部電源電圧VC12が上昇する。その結果、スイッチングコントローラ124が動作可能となり、スイッチングトランジスタM11、同期整流トランジスタM12、M13を駆動可能となる。
第1ダイオードD1は、ハイブリッドハーベストモジュール200の内部の1番目のハイブリッドハーベスト素子の第2端子と、補助キャパシタC12の一端の間に、アノードがハイブリッドハーベストモジュール200の第2端子側となる向きで設けられる。
スイッチコントローラ110(図7には不図示)の電源電圧は、補助キャパシタC12から供給される。
蓄電手段300の電力が枯渇した状態では、電源電圧VDDが低下している。このとき、補助スイッチSW11がオンしても、電源ラインL3の内部電源電圧VC12が上昇せず、スイッチングコントローラ124およびスイッチコントローラ110の電源電圧が不足し、スイッチコントローラ110および昇圧回路120が動作不能となる。
第1ダイオードD1を設けたことにより、昇圧回路120が動作不能であっても、ハイブリッドハーベスト素子202_1が発生した第1起電力V1によって、第1ダイオードD1を経由して補助キャパシタC12を充電できる。その結果、内部電源電圧VC12が上昇し、スイッチングコントローラ124が動作可能となり、昇圧動作が開始し、出力電圧VDDが上昇する。
また、スイッチコントローラ110が動作不能となると、起電力V1が発生しているにもかかわらず、第1スイッチ群SW1がオンしない状況が生じうる。第1ダイオードD1を設けることにより、第1スイッチ群SW1がオフ状態でも、補助キャパシタC12を充電でき、さらに補助スイッチSW11を介して出力キャパシタC11を充電できるため、ハイブリッドハーベスト素子202_1の起電力V1によって、第1ダイオードD1を介して負荷4を駆動できる。
第3の変形例において、同期整流トランジスタに代えて整流用のダイオードを用いてもよい。また、インダクタL11に代えてトランスを設け、絶縁型のDC/DCコンバータを構成してもよい。
実施の形態にもとづき、具体的な語句を用いて本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用を示しているにすぎず、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が可能である。
2…発電回路、4…負荷、200…ハイブリッドハーベストモジュール、202…ハイブリッドハーベスト素子、P1…第1端子、P2…第2端子、P3…第3端子、100…制御回路、L1…第1ライン、L2…第2ライン、SW1…第1スイッチ群、SW2…第2スイッチ群、D1…第1ダイオード、110…スイッチコントローラ、112…電源端子、D2…第2ダイオード、M1…トランジスタ、R1…抵抗、114…第1インバータ、116…第2インバータ、120…昇圧回路、300…蓄電手段、600…無線センサ、602…センサ、604…マイクロコントローラ、606…無線ユニット、700…電子機器、702…プロセッサ、704…ディスプレイ。

Claims (16)

  1. N個(Nは2以上の整数)のハイブリッドハーベスト素子を含むハイブリッドハーベストモジュールの制御回路であって、
    前記N個のハイブリッドハーベスト素子はそれぞれ、第1端子、第2端子、第3端子を有し、第1の環境エネルギーに応じて、前記第1端子と前記第2端子の間に起電力を発生し、第2の環境エネルギーに応じて、前記第1端子と前記第3端子の間に起電力を発生するよう構成され、
    前記制御回路は、
    1番目のハイブリッドハーベスト素子の前記第1端子と接続される第1ラインと、
    第2ラインと、
    オン、オフ状態が切りかえ可能に構成され、オン状態において、前記N個のハイブリッドハーベスト素子それぞれの前記第1端子を前記第1ラインと接続し、前記N個のハイブリッドハーベスト素子それぞれの前記第2端子を前記第2ラインと接続する第1スイッチ群と、
    オン、オフ状態が切りかえ可能に構成され、オン状態において、i番目(1≦i≦N−1)のハイブリッドハーベスト素子の前記第3端子をi+1番目のハイブリッドハーベスト素子の第1端子と接続するとともに、N番目のハイブリッドハーベスト素子の前記第3端子を前記第2ラインと接続する第2スイッチ群と、
    1番目のハイブリッドハーベスト素子の前記第2端子の電位にもとづいて、前記第1スイッチ群および前記第2スイッチ群を制御するスイッチコントローラと、
    を備えることを特徴とする制御回路。
  2. 前記第1端子と前記第2端子の間の起電力は、前記第1端子と前記第3端子の間の起電力より大きいことを特徴とする請求項1に記載の制御回路。
  3. 前記スイッチコントローラは、前記第2端子の電位が所定のしきい値電圧より高いときに、前記第1スイッチ群をオン、前記第2スイッチ群をオフし、前記第2端子の電位が前記しきい値電圧より低いときに、前記第1スイッチ群をオフ、前記第2スイッチ群をオンすることを特徴とする請求項1または2に記載の制御回路。
  4. 前記第1ラインと前記第2ラインの間の電圧を昇圧する昇圧回路をさらに備え、
    前記スイッチコントローラの電源端子には、前記昇圧回路の出力電圧が供給されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の制御回路。
  5. 1番目のハイブリッドハーベスト素子の前記第2端子と、前記昇圧回路の出力端子の間に、アノードが前記第2端子側となる向きで設けられた第1ダイオードをさらに備えることを特徴とする請求項4に記載の制御回路。
  6. 前記昇圧回路は、
    補助キャパシタと、
    前記補助キャパシタと接続される電源ラインと、
    前記電源ラインと前記昇圧回路の出力端子の間に設けられた補助スイッチと、
    を含み、前記電源ラインの電圧を電源として動作可能に構成され、
    前記制御回路は、1番目のハイブリッドハーベスト素子の前記第2端子と、前記補助キャパシタの一端の間に、アノードが前記第2端子側となる向きで設けられた第1ダイオードをさらに備えることを特徴とする請求項4に記載の制御回路。
  7. そのアノードが前記第1ラインに接続された第2ダイオードをさらに備え、
    前記スイッチコントローラの電源端子には、前記ダイオードのカソードの電圧が供給されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の制御回路。
  8. 1番目のハイブリッドハーベスト素子の前記第2端子と、前記第2ダイオードのカソードの間に、アノードが前記第2端子側となる向きで設けられた第1ダイオードをさらに備えることを特徴とする請求項7に記載の制御回路。
  9. 前記スイッチコントローラは、
    電源端子と、
    そのゲートまたはベースが1番目のハイブリッドハーベスト素子の前記第2端子と接続され、そのソースまたはエミッタが前記第1ラインと接続されたトランジスタと、
    前記トランジスタのドレインまたはコレクタと、前記電源端子の間に設けられた抵抗と、
    を含み、前記トランジスタのドレインまたはコレクタがローレベルのとき、前記第1スイッチ群をオン、前記第2スイッチ群をオフし、ハイレベルのとき、前記第1スイッチ群をオフ、前記第2スイッチ群をオンすることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の制御回路。
  10. ひとつの半導体基板に一体集積化されたことを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の制御回路。
  11. ハイブリッドハーベスト素子と、
    前記ハイブリッドハーベスト素子からの電圧を受ける請求項1から10のいずれかに記載の制御回路と、
    を備えることを特徴とする発電回路。
  12. ハイブリッドハーベスト素子と、
    前記ハイブリッドハーベスト素子からの電圧を受ける請求項4または5に記載の制御回路と、
    前記昇圧回路の出力端子に接続された蓄電手段と、
    を備えることを特徴とする発電回路。
  13. ハイブリッドハーベスト素子と、
    前記ハイブリッドハーベスト素子からの電圧を受ける請求項7または8に記載の制御回路と、
    前記制御回路の第1ダイオードのカソードと接続された蓄電手段と、
    を備えることを特徴とする発電回路。
  14. 請求項11から13のいずれかに記載の発電回路を備えることを特徴とする電子機器。
  15. 請求項14に記載の発電回路と、
    センサ素子と、
    マイクロコントローラと、
    無線ユニットと、
    を備えることを特徴とする無線センサ。
  16. 前記発電回路は、その出力段に蓄電手段を有し、
    前記マイクロコントローラは、前記蓄電手段の電圧に応じて、前記無線ユニットによる通信の頻度を変化させることを特徴とする請求項15に記載の無線センサ。
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